CN106222615B - 高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 - Google Patents
高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106222615B CN106222615B CN201610711985.8A CN201610711985A CN106222615B CN 106222615 B CN106222615 B CN 106222615B CN 201610711985 A CN201610711985 A CN 201610711985A CN 106222615 B CN106222615 B CN 106222615B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- raw material
- evaporation
- output device
- mask
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
- C23C14/30—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation by electron bombardment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种高通量组合材料芯片制备装置，其包括制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组，多个分立掩模以及一连续掩模；原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间；原料输出装置用于在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时，向所述蒸发模组定量供应原料；所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气，所述蒸气通过所述分立掩模和/或连续掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。本发明还涉及采用如上所述制备装置的高通量组合材料芯片制备方法，及采用该制备方法制备的高通量组合材料芯片。高通量组合材料芯片制备装置可不破坏工作气压，对蒸发模组补充原料，可提高芯片制备效率。
Description
【技术领域】
本发明涉及组合材料芯片技术领域，尤其涉及一种高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置。
【背景技术】
电子束蒸发镀膜技术利用电磁场的配合可以精准地实现利用高能电子轰击坩埚内原料，使之融化进而蒸发沉积在基片上形成镀膜。传统电子束蒸发镀膜技术可以制备纯度高、精度高的薄膜材料，将该技术用于组合材料芯片的制备，能够极大地增加新材料的制备和筛选速度，是加快高性能薄膜材料研究，优化材料合成工艺及验证理论研究和计算等材料理论研究的高效手段。同时相比其他真空镀膜技术，由于该方法受衍射影响较小，具有进一步提高样品密度的潜力。
通常为完成一个组合材料芯片的制备，每种材料需要沉积多达几十甚至上百层，即单次实验需要消耗大量的原料。目前电子束蒸发装置对系统供应原料时需要破坏系统的真空状态，更换实验原料后再重新形成需要的真空状态，才能开始制备,这就极大的增加了高通量组合材料芯片的制备周期，降低制备效率，限制了组合材料芯片的发展和推广。
【发明内容】
为克服现有高通量组合材料芯片的制备效率低的技术问题，本发明提供一种高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置。
本发明解决技术问题的技术方案是提供一种高通量组合材料芯片制备装置，用于在基片上沉积形成高通量组合材料芯片，其包括多个储料机构、制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组、电子束控制单元、调制盘、多个分立掩模以及一连续掩模；所述储料机构设于制备腔之外且与原料输出装置相连接，原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间；所述蒸发模组包括蒸发挡板与载物机构，所述蒸发挡板设置在载物机构之上，所述电子束控制单元产生电子束束斑并作用于载物机构上的原料，所述载物机构包括呈圆环分布的原料蒸发容器，所述原料输出装置在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时，以小范围旋转或采用Z字型迂回方式向所述原料蒸发容器中定量供应原料；所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气；所述调制盘与所述分立掩模可旋转，所述连续掩模相对于基片静止或相对于基片平行移动，所述蒸气依次通过所述调制盘、连续掩模和分立掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。
优选地，所述调制盘包括多个可调大小的间隙，调节所述间隙大小及所述调制盘旋转速率，以控制原料沉积速率。
优选地，在原料沉积时，调整所述连续掩模相对于所述基片以一定的速率线性平行移动，在基片上形成所需分布规律和分布密度的高通量组合材料芯片。
优选地，所述高通量组合材料芯片制备装置包括多个可旋转的用于放置分立掩模的掩模安装位，掩模安装位带动所述分立掩模旋转，用于更换分立掩模。
优选地，所述蒸发模组还包括载物台，所述原料蒸发容器设置在载物台与原料输出装置之间，所述原料蒸发容器以圆环方式排列于载物台上，所述原料输出装置向所述原料蒸发容器内供应所述原料，所述载物台带动所述原料蒸发容器旋转，以便电子束控制单元产生的电子束束斑作用于所述原料蒸发容器中的原料，使原料形成蒸气。
优选地，所述高通量组合材料芯片制备装置进一步包括温度调节机构，基片放置在温度调节机构上，温度调节机构可带动基片旋转任意角度和升降。
优选地，所述高通量组合材料芯片制备装置进一步包括用于取用定量原料的第一称量装置及气压调节装置，所述气压调节装置连接原料输出装置，用于调节原料输出装置与制备腔气压相同以把所述第一称量装置定量好的原料供应至原料输出装置。
优选地，所述原料输出装置包括侧壁、振动产生机构、出料口及出料口阀门，所述侧壁外侧上设置所述振动产生机构与出料口相邻设置，所述出料口设于所述原料输出装置底部，并设置在蒸发模组上方，所述出料口开设出料口阀门；在所述原料输出装置与所述第一称量装置之间设有供应管阀门，所述气压调节装置、所述供应管阀门与所述出料口阀门配合，以对所述原料输出装置内气压进行控制。
本发明解决技术问题的技术方案还提供一种高通量组合材料芯片的制备方法，其包括如下步骤：设定工作气压；调节原料输出装置内的气压至与所述工作气压相同时，以小范围旋转或采用Z字型迂回方式定量供应原料；在完成一种原料供应后，更换另一种原料供应至供应完成；对原料进行预熔，采用蒸发挡板抵挡，直至原料全部熔融后，打开蒸发挡板；控制调制盘、分立掩模旋转，提供一相对于基片静止或相对于基片平行移动的连续掩模，利用电子束束斑蒸发所述定量原料转化为蒸气，蒸气依次经过调制盘、连续掩模、分立掩模在一基片上沉积以获得高通量组合材料芯片。
本发明解决技术问题的技术方案还提供一种高通量组合材料芯片，其采用如上所述高通量组合材料芯片制备方法制备。
与现有技术相比，本发明一种高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置具有以下优点：
(1)通过调节原料输出装置内的气压与工作气压相同时，才向所述蒸发模组定量供应原料，可以在原料蒸发完全后，无需破坏工作气压的条件下向所述蒸发模组内定量补充原料，因而可以连续制备高通量组合材料芯片，从而提高制备效率。
(2)通过调节调制盘的间隙大小及旋转速率，从而控制间隙变换快慢，从而控制原料沉积速率，以控制沉积均匀性。
(3)多个所述分立掩模安装于多个掩模安装位中，旋转掩模安装位，带动分立掩模旋转，从而自动更换分立掩模，因而也无需破坏工作气压，因此可以提高高通量组合材料芯片制备效率。通过更换分立掩模，可以单独使用分立掩模、单独使用连续掩模或使用连续掩模与分立掩模组合，制备高通量组合材料芯片，因而能够满足各种分布要求的高通量组合材料芯片的制备，可实现高通量组合材料芯片的多样化、高效率制备，拓宽了高通量组合材料芯片的使用范围和应用领域。
(4)在载物台上设置圆环方式排布的原料蒸发容器，能设置多个原料蒸发容器，增加原料的装载量和种类，也能减少蒸发模组占用空间。
(5)通过称量装置取用定量原料，输送原料到原料输出装置，还可以使原料完全供应无残留，从而定量对原料蒸发容器供应原料。
【附图说明】
图1是本发明高通量组合材料芯片的制备装置的结构示意图。
图2是本发明高通量组合材料芯片的制备装置的制备腔结构示意图。
图3是本发明第一实施例的第一具体实施方式高通量组合材料芯片的制备装置的供料模组结构示意图。
图4是本发明高通量组合材料芯片的制备装置的载物机构俯视示意图。
图5是本发明第一实施例的第二具体实施方式高通量组合材料芯片的制备装置的供料模组结构示意图。
【具体实施方式】
为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1与图2，本发明第一实施例提供一种高通量组合材料芯片制备装置1，其包括过渡腔11、供料模组12、制备腔13、蒸发模组14、蒸发舟15、调节模组16、第一模板模组17、第二模板模组18、承载机构19。过渡腔11设置于制备腔13和与过渡腔11连接的外接设备10之间，用于形成制备腔13与外接设备10对接及高通量组合材料芯片传递的通道。过渡腔11收容部分供料模组12，供料模组12其它部分收容于制备腔13中。制备腔13容置蒸发模组14、蒸发舟15、调节模组16、第一模板模组17、第二模板模组18、承载机构19。所述外接设备10可以选用但不受限于手套箱、管式炉、其它表征装置和其它制备装置等。
所述供料模组12包括储料机构21及自动进料机构23。所述过渡腔11为立体方形或圆柱形等形状空腔，所述储料机构21设置于所述过渡腔11底部。所述自动进料机构23部分收容于所述过渡腔11中，其它部分收容于所述制备腔13中。所述储料机构21连接所述自动进料机构23，所述蒸发模组14与自动进料机构23相邻设置。
所述自动进料机构23包括供应管231与原料输出装置233。制备腔13侧壁上开设一通孔，所述供应管231套在通孔内，部分伸入制备腔13中，所述原料输出装置233伸入制备腔13中，并与供应管231连接，用于为所述蒸发模组14供应原料。
所述制备腔13为密闭空腔。所述制备腔13在连接所述过渡腔11处的侧壁上开设制备腔门131，用于形成制备腔13与过渡腔11的通道，因而可在外接设备10过渡腔11与制备腔13间进行样品传递。
所述蒸发模组14用于蒸发自动进料机构23所供应的原料，使原料转化为蒸气。所述蒸发模组14包括载物机构141，所述载物机构141设置在所述制备腔13底部。
优选地，所述蒸发模组14还包括蒸发挡板143。蒸发挡板143设置于载物机构141上方。所述高通量组合材料芯片制备装置1还包括电子束控制单元100，电子束控制单元100产生高能电子束束斑101，作用于所述载物机构141上的原料，用于使原料形成蒸气，然后沉积到一基片1000上。
所述载物机构141包括原料蒸发容器1411、载物台1413及第一驱动机构1415。所述载物台1413为方形或圆形支撑平台。所述原料蒸发容器1411固定在载物台1413上。载物台1413远离原料蒸发容器1411一侧连接第一驱动机构1415。所述第一驱动机构1415设置在制备腔13底部，用于为驱动载物台1413在二维平面内顺时针或逆时针旋转和相对基片移动提供动力，从而带动原料蒸发容器1411旋转和相对基片移动，因此可以通过载物台1413带动原料蒸发容器1411旋转和相对于基片1000移动。蒸发挡板143设置于载物机构141上方的设置原因在于：电子束控制单元100产生电子束束斑101，作用于所述原料蒸发容器1411内的原料，原料开始熔融，采用蒸发挡板143可以防止材料沉积不均匀，影响制备高通量组合材料芯片质量。待预熔结束后，电子束束斑101继续加热，直至转化为蒸气，打开蒸发挡板143，开始进行原料沉积。
所述原料蒸发容器1411是用于收容、熔化和精炼固体和液体的加热、反应的容器。所述原料蒸发容器1411可选用但不受限于坩埚、蒸发皿或钨舟等。
所述蒸发舟15设置于所述制备腔13底部并与载物机构141分离设置。所述蒸发舟15用于在原料蒸发时，提供所需的气氛。所述蒸发舟15采用高熔点的钨、钼等材料制备的加热舟体。
所述调节模组16包括第一调节机构61、第二调节机构63。第一调节机构61固定在制备腔13顶部，并与第二调节机构63分离设置。所述第一调节机构61可以控制原料沉积速率。第二调节机构63设置承载机构19上并位于基片1000侧边，用于监测和控制基片1000上原料沉积的厚度。第一调节机构61与第二调节机构63一起使用，进一步精确控制原料沉积厚度。优选地，所述第二调节机构63为石英晶振膜厚控制器。
所述第一调节机构61包括调制盘611、第一转轴613及第二驱动机构615。所述调制盘611设置于所述蒸发模组14与所述模板模组17之间。所述调制盘611固定连接第一转轴613。第一转轴613远离调制盘611的一端穿过制备腔13顶部后活动连接第二驱动机构615。所述第二驱动机构615为驱动第一转轴613提供动力，并带动调制盘611旋转。
所述调制盘611包括调制架6111、固定叶片6113、移动叶片6115及间隙6117。所述调制架6111内安装固定叶片6113和移动叶片6115。所述固定叶片6113与移动叶片6115交替设置。所述间隙6117形成于固定叶片6113与移动叶片6115之间。所述固定叶片6113与调制架6111固定连接。所述移动叶片6115与调制架6111可拆卸连接，从而可调节移动叶片6115的固定位置。拆卸移动叶片6115，移动到所需固定的位置，然后固定在调制架6111上，使固定叶片6113与移动叶片6115之间形成多个可调大小的所述间隙6117。可以理解的，所述固定叶片6113与移动叶片6115也可转动连接，当转到合适位置，使固定叶片6113与移动叶片6115之间形成多个预定大小的所述间隙6117后，可使移动叶片6115与固定叶片6113相对固定。所述间隙6117用于形成蒸气通过的通道。调节调制盘611的旋转速率，即可调节间隙6117的旋转周期。调制盘611的旋转速率越大，间隙6117的旋转周期越短。所述间隙6117越大，沉积速率越大；所述调制盘611旋转速率越大，沉积速率越大。通过调节所述间隙6117的大小、间隙6117变换快慢及调制盘611的旋转速率，可以控制蒸气的通过速度，用于控制原料的沉积速率，进而控制沉积均匀性。
所述第一模板模组17包括掩模集成盘171、第二转轴173及第三驱动机构175。所述第三驱动机构175设置在制备腔13外顶部。第三驱动机构175连接穿过制备腔13顶部的第二转轴173，为驱动第二转轴173旋转提供动力。所述第二转轴173远离第三驱动机构175一端固定连接掩模集成盘171，用于在第三驱动机构175驱动下带动掩模集成盘171旋转。
在本发明一些较优的实施例中，所述掩模集成盘171包括至少六个掩模安装位1711及分立掩模1713。所述每个掩模安装位1711中放置一分立掩模1713。本发明实施例中，预留一掩模安装位1711不放置分立掩模1713，作为空白工作位，使高通量组合材料芯片制作时，可以根据需要进行分立掩模1713和第二模板模组18切换。第三驱动机构175驱动掩模集成盘171旋转，从而带动掩模安装位1711旋转，掩模安装位1711旋转带动所述分立掩模1713旋转，从而自动更换分立掩模1713。原料蒸发转化为蒸气，蒸气通过分立掩模1713，在基片1000上形成所需分布的高通量组合材料芯片。通过旋转更换分立掩模1713，无需破化工作气压，也无需破坏制备腔13内的气氛，可连续制备高通量组合材料芯片，从而提高制备效率，也可实现高通量组合材料芯片的多样化、高效率制备，还可用于器件高通量制备，拓宽了高通量组合材料芯片制备装置1的使用范围和应用领域。
所述第二模板模组18包括连续掩模181、移动连杆183及第四驱动机构185。所述第四驱动机构185设置于所述制备腔13侧壁外面，所述移动连杆183穿过所述制备腔13侧壁后连接连第四驱动机构185。所述移动连杆183远离第四驱动机构185一端连接连续掩模181。所述连续掩模181设置于所述分立掩模1713与所述调制盘611之间，并与基片1000平行设置。第四驱动机构185为驱动移动连杆183提供动力，并带动连续掩模181相对基片1000移动。原料蒸发形成蒸气，原料沉积时，所述连续掩模181相对于所述基片1000平行移动，蒸气通过连续掩模181，在基片1000上形成所需分布规律和分布密度的高通量组合材料芯片。
通过旋转掩模安装位1711，可以使空白工作位位于基片1000下方，此时可实现单独采用连续掩模181制备；通过旋转更换掩模安装位1711，带动旋转更换分立掩模1713，并在不采用连续掩模181时，可实现单独采用分立掩模1713制备；通过旋转更换掩模安装位1711，带动旋转更换分立掩模1713，并采用连续掩模181时，可采用分立掩模1713与连续掩模181组合，制备高通量组合材料芯片，因而能够满足各种分布要求的高通量组合材料芯片的制备。
所述承载机构19固定在制备腔13顶部，包括温度调节机构191及第五驱动机构193。所述温度调节机构191为基片1000提供支撑。所述第五驱动机构193设置在制备腔13外顶部，并活动连接温度调节机构191，所述基片1000设置在温度调节机构191远离第五驱动机构193一侧。所述第五驱动机构193为驱动温度调节机构191旋转和升降提供动力，从而带动基片1000旋转任意角度和升降，以便于切换分立掩模1713和连续掩模181制备高通量组合材料芯片。温度调节机构191可以实现对基片原位加热和原位冷却处理。所述第二调节机构63设置在温度调节机构191并位于基片1000侧边。
请参阅图3，本发明第一实施例提供的第一具体实施方式中，所述供料模组12a包括储料机构21及自动供料机构23a。优选地，所述自动供料机构23a可进一步包括供应管231a、原料输出装置233a、气压调节装置235a及第一称量装置237a。所述第一称量装置237a容置于过渡腔11内，并设置在储料机构21与连接两供应管231a之间。供应管231a套在制备腔13的通孔内。所述原料输出装置233a伸入制备腔13中，并设置在原料蒸发容器1411与蒸发挡板143之间。所述储料机构21一侧的侧壁开设通孔，所述供应管231a连接套在储料机构21通孔上。所述储料机构21、供应管231a、第一称量装置237a和原料输出装置233a，用于形成原料输送路径。所述原料输出装置233a设置于所述载物机构141与调制盘611之间，并设置于蒸发模组14与分立掩模1713/连续掩模181之间。所述气压调节装置235a连接原料输出装置233a，用于调节原料输出装置233a与制备腔13气压相同，以把第一称量装置定量好的原料供应至原料输出装置。
在本发明一些较优的实施例中，部分所述原料是两种或两种以上混合材料时，可采用多个储料机构21，每个储料机构21收容单一成分原料，通过控制添加各原料配比得到所需混合物原料。这样的设置特点在于：当混合物原料的各成分与其他单一成分原料相同时，可以节省配置混合物原料时间及混合物原料盛装时间，从而缩短其制备周期。
所述供应管231a可选用硬质管或软质管。所述供应管231a连接原料输出装置233a。所述供应管231a设有阀门2311a，通过打开、关闭供应管阀门2311a，控制供应管231a与原料输出装置233a的通阻。
所述原料输出装置233a为收容第一称量装置237a供应的原料，用于将原料供应至原料蒸发容器1411。所述原料输出装置233a为中空密闭圆锥腔体。所述原料输出装置233a为原料蒸发容器1411供应原料时，所述载物台1413带动所述原料蒸发容器1411旋转，所述原料输出装置233a移动至与其中一所述原料蒸发容器1411相对设置，然后原料输出装置233a小范围旋转或采用Z字型迂回方式向所述原料蒸发容器1411内供应原料，以保证原料均匀分布。
所述原料输出装置233a包括侧壁2331a、振动产生机构2335a、出料口2337a及出料口阀门2339a。所述侧壁2331a外侧上设置振动产生机构2335a与所述出料口2337a相邻设置。所述出料口2337a设置在所述原料输出装置233a底部，并设置在蒸发模组14上方，所述出料口2337a开设出料口阀门2339a。
所述振动产生机构2335a与出料口2337a相邻设置的原因在于用于方便原料由于振动因素从出料口2337a漏出。
所述第一称量装置237a、供应管231a、侧壁2331a内壁光滑不粘附粉体、液体及粉尘等，以保证原料完全输送，没有原料残留，避免原料浪费及避免原料输出不精准。
关闭出料口阀门2339a，在重力作用下，原料从储料机构21漏出至第一称量装置237a，从储料机构21取用定量原料后，关闭阀门2311a，气压调节装置235a调节原料输出装置233a气压与制备腔13气压相同，打开出料口阀门2339a，原料在振动产生机构2335a的振动和自身重力作用下，从出料口2337a漏出。即可以在原料蒸发完全后，无需破坏工作气压，同时无需破坏制备腔13内的气氛的条件下向所述原料蒸发容器1411内定量补充原料，因而可以提高高通量组合材料芯片制备效率。
请参阅图4，优选地，所述原料蒸发容器1411以圆环方式等间距排列于载物台1413上，并设置于出料口2337a下方，用于使原料从原料输出装置233a漏出时，顺利地供应至原料蒸发容器1411内。所述原料蒸发容器1411以圆环方式排列，能设置多个原料蒸发容器1411，增加原料的装载量和种类，也能减少载物台1413的体积，从而减少占用空间。
所述原料蒸发容器1411以一个圆环等间距排列时，圆环的圆心与载物台1413的位置中心重合。此时，第一驱动机构1415带动原料蒸发容器1411旋转，每旋转一次可完成一种原料供应至其中一个原料蒸发容器1411。所述原料蒸发容器1411旋转角度由原料种类而定。所述原料种类为n种(n为不小于2的正整数)，旋转角度为顺时针360°/n。所述原料蒸发容器1411可以以多个圆环排列。优选地，所述原料蒸发容器1411形成三个圆环排列，所述三个圆环为同心圆环，同时圆环的圆心与载物台1413的位置中心重合。所述每个圆环上的原料蒸发容器1411等间距排布。所述原料种类较多，需采用多个圆环上的原料蒸发容器1411盛装时，可通过第一驱动机构1415带动原料蒸发容器1411旋转和相对基片1000移动实现。
本发明第一实施例的第一具体实施方式中，原料自动定量补充，原料蒸发，制备高通量组合材料芯片过程为：所述关闭出料口的阀门2339a，在重力作用下，第一称量装置237a称量的定量原料供应至原料输出装置233a中。关闭供应管阀门2311a，气压调节装置235a调节原料输出装置233a气压与制备腔13气压相同，打开出料口阀门2339a，然后原料在振动产生机构2335a振动及自身重力因素作用下，从出料口2337a漏出，供应至原料蒸发容器1411中，完成一种原料的供应。
第一驱动机构1415带动原料蒸发容器1411旋转，使另一个原料蒸发容器1411位于原料输出装置233a的下方，更换另一种原料供应。
在原料预熔过程中，采用蒸发挡板143抵挡，直至原料全部熔融后，打开蒸发挡板143，用于避免原料在预熔过程中沉积不均匀，影响高通量组合材料芯片的质量。
调整第一调节机构61的固定叶片6113与移动叶片6115间隙，设置第二驱动机构615的转速，用于控制原料的沉积速率。安装所需的分立掩模1713，第三驱动机构175带动掩模集成盘171旋转，使当次所需的分立掩模1713旋转至位于基片1000下方，同时在第三驱动机构175的驱动下旋转，可以便捷地更换所需分立掩模1713。在第五驱动机构193驱动温度调节机构191升降，以调节基片1000的高度。在第四驱动机构185的驱动下，连续掩模181相对于基片1000以一定的速率线性平行移动，使基片1000上沉积组分线性、连续分布，从而形成所需分布规律和分布密度的高通量组合材料芯片。
设置温度调节机构191的温度变化速率，对基片1000进行原位加热或冷却，从而对基片1000上沉积的高通量组合材料芯片进行原位加热或冷却。第五驱动机构193带动基片1000旋转，使原料均匀沉积在基片1000上。
请参阅图5，本发明第一实施例的第二具体实施方式与第一具体实施方式不同之处在于：所述自动供料机构23b包括供应管231b、原料输出装置233b、气压调节装置235b及可取用定量原料并携带原料旋转的第二称量装置237b。所述第二称量装置237b容置于过渡腔11，并设置于储料机构21与供应管231b之间。所述原料输出装置233b伸入制备腔13内。所述供应管231b的远离第二称量装置237b的一侧连接原料输出装置233b。所述供应管231b倾斜设置，且与第二称量装置237b相邻一侧高度高于连接原料输出装置233b一侧高度，以利于原料从供应管231b供应至原料输出装置233b。所述气压调节装置235b连接输出装置原料输出装置233b，用于为输出装置原料输出装置233b抽真空和调节原料输出装置233b内气压。
所述第二称量装置237b可取用定量原料，并能在小范围携带原料移动，用于供应原料至供应管231b。同时第二称量装置237b内设置重量感测元件，用于感测第二称量装置237b容置的原料的重量，并控制第二称量装置237b添加、减少或停止盛装原料，从而从储料机构21取用定量原料。
所述供应管231b包括供应管阀门2311b及第二振动产生机构2313b。所述第二振动产生机构2313b设置于供应管231b管壁外侧壁，用于产生振动，以利于原料从供应管231b输送至原料输出装置233b中。
所述原料输出装置233b为中空密闭圆锥腔体，用于收容原料。所述原料输出装置233b包括侧壁2331b、振动产生机构2335b、出料口2337b及出料口阀门2339b。所述出料口2337b设置于原料输出装置233b底端。所述振动产生机构2335b设置于侧壁2331b上，并与出料口2337b相邻设置，以产生振动，利于原料从出料口2337b漏出。所述出料口2337b开设出料口阀门2339b。
本发明第一实施例的第二具体实施方式中，原料自动定量补充具体过程为：储料机构21中盛装原料，关闭出料口阀门2339b。第二称量装置237b从储料机构21取用定量原料，第二称量装置237b经升降和旋转，再在第二振动产生机构2313b的振动作用下，第二称量装置237b把定量好的原料供应至原料输出装置233b中。关闭供应管阀门2311b，采用气压调节装置235抽真空后，调节至原料输出装置233b气压与制备腔13气压相同时，打开出料口阀门2339b，然后原料从出料口2337b漏出，完成对原料蒸发容器1411供应原料。
本发明所述高通量组合材料芯片制备装置1可选用供料模组12a与供料模组12b中一种或两种。
本发明第二实施例提供一种高通量组合材料芯片制备方法，采用上述高通量组合材料芯片制备装置1。所述高通量组合材料芯片制备方法包括如下步骤：设定工作气压；调节原料输出装置233a、233b内的气压至与所述工作气压相同时，定量供应原料；蒸发所述定量原料转化为蒸气，蒸气经过分立掩模1713和/或连续掩模181在一基片1000上沉积以获得高通量组合材料芯片。
本发明采用高通量组合材料芯片制备方法制备LixLayTi(1-x-y)O组合材料芯片具体工艺流程包括步骤S1设置条件及步骤S2高通量组合材料芯片制备，其具体实施步骤为：
步骤S1，设置条件：提供一1inch的基片1000，由手套箱安装基片1000于温度调节机构191上，选择第一模板模组17的空白工作位，将空白的分立掩模1713旋转至基片1000正下方，调节基片1000的高度，此时采用连续掩模181进行沉积。
本发明第一实施例的第一具体实施方式中，添加钼(Mo)、氧化锂(Li2O)、氧化镧(La2O3)、二氧化钛(TiO2)、二氧化硅(SiO2)和铝(Al)六种原料至六个储料机构21中，气压调节装置235a调节原料输出装置233a气压与制备腔13气压相同，定量原料由供应管231a供应至原料输出装置233a。
调节第一调节机构61的固定叶片6113和移动叶片6115间隙，设置第一调节机构61的转速为0-2000转/分钟，关闭制备腔门131，对制备腔13抽真空，至真空度到达预定气压，本实施方式中，真空度要达到1-5×10-4。采用温度调节机构191对基片1000制冷至-50～-20℃，降温速率为1-50℃/min。
气压调节装置235抽真空，然后调节原料输出装置233a气压与制备腔13气压相同，打开出料口阀门2339a，原料在振动产生机构2335a的振动和自身重力作用下，从出料口2337a漏出，分别添加至六个原料蒸发容器1411中。
步骤S2，组合材料芯片制备的具体实施步骤如下：
步骤T1，沉积Li2O：设定一工作气压，调整装有Li2O的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于所述原料蒸发容器1411中心位置。调节连续掩模181至基片1000边缘，第四驱动机构185驱动连续掩模181步进一个步长0.01inch。旋转掩模安装位1711，至空白的分立掩模1713位于基片1000下方。对原料蒸发容器1411中的Li2O进行熔融，直至转化为蒸气，待Li2O蒸发速率稳定后，开始沉积Li2O。沉积至所需厚度后，采用第二调节机构63反馈，并控制电子束控制单元100停止工作。基片1000旋转120°，用于准备进行下一种原料沉积。
步骤T2，沉积La2O3：旋转装有La2O3的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于原料蒸发容器1411中心位置。对原料蒸发容器1411中的La2O3进行预融，待La2O3沉积速率稳定后，开始沉积La2O3。沉积至所需厚度后，采用第二调节机构63控制电子束控制单元100停止工作后，基片1000旋转120°。
步骤T3，沉积TiO2：旋转装有TiO2的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于原料蒸发容器1411中心位置。对原料蒸发容器1411中的TiO2进行预融，待TiO2沉积速率稳定后，开始沉积TiO2。沉积至所需厚度后，采用第二调节机构63控制电子束控制单元100停止工作，基片1000旋转120°。
步骤T4，重复制备：重复步骤T1-T3，直到完成所需高通量组合材料芯片制备。在制备过程中，原料供应不足时，调节装有原料的原料输出装置233a、233b内的气压至与所述工作气压相同时，采用供料模组12a、12b精确定量供给原料至原料蒸发容器1411中。
步骤T5，热处理：以升温速率为1-50℃/min，调整基片1000的温度至50-500℃，进行0.5-720h原位扩散热处理；以升温速率为5-50℃/min，调整基片1000温度至300-1500℃，进行0.5-720h高温原位结晶热处理；然后以降温速率为1-50℃/min，降低基片1000温度至室温，进行原位冷却，完成高通量组合材料芯片的制备。采用此高通量组合材料芯片制备方法能实现高通量组合材料芯片全流程制备，因而提高高通量组合材料芯片制备效率。
本发明第一实施例的第二具体实施方式中与第一实施例的第二具体实施方式不同之处在于：关闭出料口阀门2339b，第二称量装置237b取用定量原料，第二称量装置237b经升降并旋转，使定量原料转移至供应管231b中。在第二振动产生机构2313b产生的振动作用下，原料从供应管231b转移至原料输出装置233b中。关闭供应管阀门2311b，采用气压调节装置235抽真空，然后调节使原料输出装置233b气压与制备腔13气压相同，打开出料口阀门2339b，原料从出料口2337b漏出，分别添加至六个原料蒸发容器1411中。
本发明高通量组合材料芯片制备方法所述基片1000旋转角度及旋转方向根据材料分布要求进行设定，可选用但不受限于顺时针60°、顺时针90°、顺时针120°及逆时针120°等。
本发明第三实施例提供一种高通量组合材料芯片，其采用如上所述高通量组合材料芯片制备方法制备。所述高通量组合材料芯片具有制备简便，制备效率高的优点。
本发明制备一种样品，用于被检测以筛选新材料。其包括如上所述高通量组合材料芯片。
所述样品还包括Mo背电极、SiO2封装层、Al保护层。所述Mo背电极、SiO2封装层、Al保护层可以单独分别制备。然后按顺序电性连接Mo背电极、高通量组合材料芯片、SiO2封装层、Al保护层，获得所述样品。所述样品具有制备简便，制备效率高的优点。
所述Mo背电极、SiO2封装层、Al保护层还可以在上述高通量组合材料芯片制备方法步骤S2之前在基片1000上沉积制备Mo背电极，在步骤S2之后在高通量组合材料芯片上沉积制备SiO2封装层及Al保护层。所述样品的具体实施步骤包括：
步骤K1，在上述步骤S2之前沉积背电极：设定一工作气压，调整装有Mo的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于所述原料蒸发容器1411中心位置。对Mo进行熔融，直至形成蒸气，待Mo蒸发速率稳定后，移开蒸发挡板143，开始沉积Mo，沉积至所需厚度后，采用第二调节机构63控制电子束控制单元100停止工作。然后在Mo背电极上完成步骤S2所述高通量组合材料芯片沉积。
步骤K2，在上述步骤S2之后沉积支撑层：旋转掩模安装位1711，更换分立掩模1713，旋转装有SiO2的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于原料蒸发容器1411中心位置。对SiO2进行熔融，直至形成蒸气，待SiO2沉积速率稳定后，开始在高通量组合材料芯片上直接沉积SiO2，沉积至所需厚度，采用第二调节机构63控制电子束控制单元100停止工作。沉积SiO2封装层，用于隔离支撑层。
步骤K3，沉积保护层：旋转装有Al的原料蒸发容器1411，至电子束控制单元100产生的电子束束斑101位于原料蒸发容器1411中心位置。对Al进行熔融，直至形成蒸气，待Al沉积速率稳定后，开始沉积Al，沉积至所需厚度，采用第二调节机构63控制电子束控制单元100停止工作。沉积Al用于隔离保护层。
本发明所述高通量组合材料芯片，采用直接在基片1000上按顺序沉积Mo背电极、高通量组合材料芯片、SiO2封装层、Al保护层。所述样品可以一次性完成制备Mo背电极、高通量组合材料芯片、SiO2封装层、Al保护层的全流程制备，制备简便且周期短，因而具有制备效率高的优点。
本发明高通量组合材料芯片制备方法步骤S1中还可以单独采用分立掩模或采用分立掩模1713与连续掩模181组合进行沉积。
对应的在步骤S2及步骤K2中采用分立掩模1713制备时，可旋转掩模安装位1711，至空白工作位位于基片1000下方，单独采用连续掩模181进行沉积；或不更换分立掩模1713情况下，设置连续掩模181相对于所述基片1000平行移动，可以理解的采用分立掩模1713与连续掩模181组合进行沉积。对应可以理解的在步骤S2中采用连续掩模181进行沉积时，可以设置连续掩模181相对于所述基片1000静止，单独采用分立掩模1713进行沉积；或连续掩模181相对于所述基片1000平行移动的情况下，旋转掩模安装位1711，使所需的分立掩模1713位于基片1000下方，采用分立掩模1713与连续掩模181组合进行沉积。
与现有技术相比，本发明一种高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置具有以下优点：
(1)通过调节原料输出装置内的气压与工作气压相同时，才向所述蒸发模组定量供应原料，可以在原料蒸发完全后，无需破坏工作气压的条件下向所述蒸发模组内定量补充原料，因而可以连续制备高通量组合材料芯片，从而提高制备效率。
(2)通过调节调制盘的间隙大小及旋转速率，从而控制间隙变换快慢，从而控制原料沉积速率，以控制沉积均匀性。
(3)多个所述分立掩模安装于多个掩模安装位中，旋转掩模安装位，带动分立掩模旋转，从而自动更换分立掩模，因而也无需破坏工作气压，因此可以提高高通量组合材料芯片制备效率。通过更换分立掩模，可以单独使用分立掩模、单独使用连续掩模或使用连续掩模与分立掩模组合，制备高通量组合材料芯片，因而能够满足各种分布要求的高通量组合材料芯片的制备，可实现高通量组合材料芯片的多样化、高效率制备，拓宽了高通量组合材料芯片的使用范围和应用领域。
(4)在载物台上设置圆环方式排布的原料蒸发容器，能设置多个原料蒸发容器，增加原料的装载量和种类，也能减少蒸发模组占用空间。
(5)通过称量装置取用定量原料，输送原料到原料输出装置，还可以使原料完全供应无残留，从而使定量对原料蒸发容器供应原料。
以上所述仅为本发明较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种高通量组合材料芯片制备装置，用于在基片上沉积形成高通量组合材料芯片，其特征在于：其包括多个储料机构、制备腔、伸入制备腔内原料输出装置、容置于制备腔内的蒸发模组、电子束控制单元、调制盘、多个分立掩模以及一连续掩模；所述储料机构设于制备腔之外且与原料输出装置相连接，原料输出装置设置在蒸发模组及分立掩模/连续掩模之间；所述蒸发模组包括蒸发挡板与载物机构，所述蒸发挡板设置在载物机构之上，所述电子束控制单元产生电子束束斑并作用于载物机构上的原料，所述载物机构包括呈圆环分布的原料蒸发容器，所述原料输出装置在所述原料输出装置内的气压与所述制备腔内气压相同时，以小范围旋转或采用Z字型迂回方式向所述原料蒸发容器中定量供应原料；所述蒸发模组用于蒸发原料输出装置供应的原料形成蒸气；所述调制盘与所述分立掩模可旋转，所述连续掩模相对于基片静止或相对于基片平行移动，所述蒸气依次通过所述调制盘、连续掩模和分立掩模在一基片上沉积形成高通量组合材料芯片。
2.如权利要求1所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述调制盘包括多个可调大小的间隙，调节所述间隙大小及所述调制盘旋转速率，以控制原料沉积速率。
3.如权利要求2所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：在原料沉积时，调整所述连续掩模相对于所述基片以一定的速率线性平行移动，在基片上形成所需分布规律和分布密度的高通量组合材料芯片。
4.如权利要求3所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述高通量组合材料芯片制备装置包括多个可旋转的用于放置分立掩模的掩模安装位，掩模安装位带动所述分立掩模旋转，用于更换分立掩模。
5.如权利要求3所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述蒸发模组还包括载物台，所述原料蒸发容器设置在载物台与原料输出装置之间，所述原料蒸发容器以圆环方式排列于载物台上，所述原料输出装置向所述原料蒸发容器内供应所述原料，所述载物台带动所述原料蒸发容器旋转，以便电子束控制单元产生的电子束束斑作用于所述原料蒸发容器中的原料，使原料形成蒸气。
6.如权利要求3所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述高通量组合材料芯片制备装置进一步包括温度调节机构，基片放置在温度调节机构上，温度调节机构可带动基片旋转任意角度和升降。
7.如权利要求6所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述高通量组合材料芯片制备装置进一步包括用于取用定量原料的第一称量装置及气压调节装置，所述气压调节装置连接原料输出装置，用于调节原料输出装置与制备腔气压相同以把所述第一称量装置定量好的原料供应至原料输出装置。
8.如权利要求7所述的高通量组合材料芯片制备装置，其特征在于：所述原料输出装置包括侧壁、振动产生机构、出料口及出料口阀门，所述侧壁外侧上设置所述振动产生机构与出料口相邻设置，所述出料口设于所述原料输出装置底部，并设置在蒸发模组上方，所述出料口开设出料口阀门；在所述原料输出装置与所述第一称量装置之间设有供应管阀门，所述气压调节装置、所述供应管阀门与所述出料口阀门配合，以对所述原料输出装置内气压进行控制。
9.一种高通量组合材料芯片的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：设定工作气压；调节原料输出装置内的气压至与所述工作气压相同时，以小范围旋转或采用Z字型迂回方式定量供应原料；在完成一种原料供应后，更换另一种原料供应至供应完成；对原料进行预熔，采用蒸发挡板抵挡，直至原料全部熔融后，打开蒸发挡板；控制调制盘、分立掩模旋转，提供一相对于基片静止或相对于基片平行移动的连续掩模，利用电子束束斑蒸发所述定量原料转化为蒸气，蒸气依次经过调制盘、连续掩模、分立掩模在一基片上沉积以获得高通量组合材料芯片。
10.一种高通量组合材料芯片，其特征在于：其采用如权利要求9所述高通量组合材料芯片制备方法制备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610711985.8A CN106222615B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610711985.8A CN106222615B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106222615A CN106222615A (zh) | 2016-12-14 |
| CN106222615B true CN106222615B (zh) | 2019-05-21 |
Family
ID=57553328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610711985.8A Active CN106222615B (zh) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | 高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106222615B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107858657A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-03-30 | 北京科技大学 | 外加能量场模块对高通量薄膜的组织调控制备方法及装置 |
| CN108060393A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-05-22 | 成都亦道科技合伙企业（有限合伙） | 金属复合材料制备装置及其制备方法 |
| CN108405001B (zh) * | 2018-02-01 | 2020-08-28 | 电子科技大学 | 一种组合材料芯片及芯片支架 |
| CN109682847B (zh) * | 2018-12-03 | 2021-08-06 | 上海大学 | 组合材料芯片的高通量材料合成及同步辐射光源高通量表征方法 |
| CN112239845A (zh) * | 2019-07-19 | 2021-01-19 | 天津丘山仪器科技有限公司 | 一种结构简单的组合材料制备装置 |
| CN112342503A (zh) * | 2019-08-07 | 2021-02-09 | 宁波星河材料科技有限公司 | 一种高通量电子束组合材料蒸发系统及其方法 |
| CN110607498B (zh) * | 2019-09-24 | 2021-07-16 | 上海大学 | 一种高通量薄膜材料芯片的分立掩膜高精度对准系统 |
| CN113337798B (zh) * | 2021-04-13 | 2022-12-27 | 电子科技大学 | 薄膜制备方法、高通量组合材料芯片制备方法及其系统 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101054657A (zh) * | 2001-12-12 | 2007-10-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法 |
| CN101445910A (zh) * | 2008-12-17 | 2009-06-03 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 可调沉积速率的真空镀膜机挡板 |
| CN105372112A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-02 | 宁波英飞迈材料科技有限公司 | 一种掩模更换装置及高通量样品制备方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2825822B2 (ja) * | 1988-09-09 | 1998-11-18 | 株式会社トプコン | 蒸着膜形成装置、蒸着膜形成方法及びこれらにより形成された基板 |
-
2016
- 2016-08-23 CN CN201610711985.8A patent/CN106222615B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101054657A (zh) * | 2001-12-12 | 2007-10-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 膜形成装置和膜形成方法以及清洁方法 |
| CN101445910A (zh) * | 2008-12-17 | 2009-06-03 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 可调沉积速率的真空镀膜机挡板 |
| CN105372112A (zh) * | 2015-12-21 | 2016-03-02 | 宁波英飞迈材料科技有限公司 | 一种掩模更换装置及高通量样品制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106222615A (zh) | 2016-12-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106222615B (zh) | 高通量组合材料芯片及其制备方法、制备装置 | |
| CN109128206B (zh) | 一种逐液滴离心雾化法高效制备超细球形金属粉末的装置及方法 | |
| CN109093127B (zh) | 基于均匀液滴逐一雾化法制备球形金属粉末的装置及方法 | |
| US6746539B2 (en) | Scanning deposition head for depositing particles on a wafer | |
| US7524532B2 (en) | Process for depositing thin layers on a substrate in a process chamber of adjustable height | |
| US7485477B2 (en) | Thin plate manufacturing method and thin plate manufacturing apparatus | |
| KR101130416B1 (ko) | 기판상의 박층 증착 방법 | |
| JP2003502878A (ja) | 原子層化学気相成長装置 | |
| US4100879A (en) | Device for epitaxial growing of semiconductor periodic structures from gas phase | |
| CN106987837B (zh) | 一种激光喷涂送粉装置 | |
| CN103668112A (zh) | 粉末旋转化学气相沉积装置 | |
| JP2001089171A (ja) | 石英ガラスルツボ製造装置および製造方法 | |
| KR101603031B1 (ko) | 증착에 의한 반도체 웨이퍼 상의 층 퇴적 장치 | |
| US20140251212A1 (en) | Hopper and thermal spraying apparatus | |
| CN208266260U (zh) | 遮挡压盘组件和半导体加工装置 | |
| KR20200115029A (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
| CN217677772U (zh) | 一种纳米核壳结构材料制备装置 | |
| CN109207933A (zh) | 多功能真空蒸镀超薄膜装置 | |
| CN105946222B (zh) | 一种等离子熔铸快速成型设备及成型方法 | |
| CN107400879A (zh) | 一种显示面板成膜设备及方法 | |
| JPH03112826A (ja) | 石英ガラス容器の製造装置 | |
| CN114232088B (zh) | 装配气体注入模组单元的大容量cvd设备 | |
| WO1991013192A1 (en) | Single crystal production apparatus | |
| CN218946351U (zh) | 粉末制备装置 | |
| CN106929825B (zh) | 一种快速冷却沉积均匀金属氧化膜的装置及方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211124 Address after: No.102, 1st floor, 151 Tianxin Road, high tech Zone, Chengdu, Sichuan 610000 Patentee after: Chengdu core technology Co.,Ltd. Address before: 611731, No. 2006, West Avenue, hi tech West District, Sichuan, Chengdu Patentee before: University of Electronic Science and Technology of China |