CN106181766A - 定位结构及硅片加工设备 - Google Patents

Abstract

公开了一种定位结构及硅片加工设备，主要解决现有技术中存在的定位结构通用性差的问题。该定位结构包括：载物台；真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。本发明提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。

Description

定位结构及硅片加工设备

技术领域

本发明涉及定位技术领域，具体涉及一种定位结构及硅片加工设备。

背景技术

在硅片加工设备例如减薄机上需要设置对硅片定位的定位结构，以便对硅片进行磨削等加工。现有的定位结构包括载物台和真空通路，真空通路将硅片吸附于载物台表面。载物台经螺钉安装于减薄机的底座上。如图1中所示，载物台包括本体11’以及设置于本体11’上的微孔陶瓷12’，在本体11’表面上开设有凹槽2’，由凹槽2’形成真空通路，本体11’中部具有与凹槽2’连通的抽真空孔25’，微孔陶瓷12’将凹槽2’覆盖，在微孔陶瓷12’的外周包绕有隔离件14’，从而，硅片放置于微孔陶瓷12’上，抽真空孔25’连接抽真空装置，将硅片吸附于微孔陶瓷12’上。

由于需要硅片的尺寸与微孔陶瓷12’的尺寸相同，因此，现有的定位结构只能加工一种尺寸的硅片，当需要加工的硅片尺寸改变时，相应的定位结构也需要进行更换。更换过程为：关闭真空->卸下载物台的螺钉->打开返吹气2分钟->用螺杆分别插入位于载物台侧面四个孔，往上抬->拆下载物台->清洁旧载物台背面和安装底座->清洁新载物台背面->润滑密封圈->对应螺丝孔位装入新载物台->对角固定螺钉->打开真空->打开返吹->清洁载物台->大修整载物台->初始化设备->定位设备->完成。更换过程复杂，至少需要2小时的时间，严重影响生产效率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种可对不同尺寸的待定位件进行定位的定位结构。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种定位结构，包括：

载物台；

真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；

连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，

开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。

优选地，所述载物台包括本体以及设置于所述本体上的微孔陶瓷，所述真空通路将待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；

所述微孔陶瓷包括分别与至少两个所述真空通路单元位置对应的至少两个微孔陶瓷单元；

还包括第一隔离件和第二隔离件，所述第一隔离件设置于相邻所述微孔陶瓷单元之间，所述第二隔离件包绕于所述微孔陶瓷的外周。

优选地，所述至少两个真空通路单元包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。

优选地，所述本体表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路单元；

在所述本体表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置至少一条第二凹槽，每条所述第二凹槽形成一条所述周部通路单元。

优选地，所述本体设置有与所述第一凹槽连通的抽真空孔，所述抽真空孔用于与抽真空装置连接。

优选地，所述连接通路包括设置于所述本体内的第一连接通路单元，所述第一连接通路单元将靠近所述第一凹槽的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

优选地，所述连通通路还包括设置于所述本体内的第二连接通路单元，所述第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，所述第二连接通路单元分别将除去靠近所述第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

优选地，所述至少两个微孔陶瓷单元包括中心微孔陶瓷单元以及位于所述中心微孔陶瓷单元外周的至少一个周部微孔陶瓷单元；

所述中心微孔陶瓷单元为圆形，所述中心通路单元用于将5英寸的所述待定位件吸附于所述中心微孔陶瓷单元表面。

优选地，所述至少一个周部微孔陶瓷单元包括与所述中心微孔陶瓷单元相邻的第一周部微孔陶瓷单元，所述第一周部微孔陶瓷单元为与所述中心微孔陶瓷单元同心设置的圆环形，所述至少一条周部通路单元包括与所述中心通路单元相邻的第一周部通路单元，所述第一周部通路单元及所述中心通路单元用于将6英寸的所述待定位件吸附于所述第一周部微孔陶瓷单元及所述中心微孔陶瓷单元表面。

优选地，所述本体内设置有通道，所述通道依次将所述第二凹槽与所述抽真空孔连通；

所述开关件设置于所述通道内，所述开关件上靠近所述抽真空孔的一端开设有第一连通孔，所述开关件的侧壁上开设有第二连通孔，所述第一连通孔与所述第二连通孔连通；

当所述第二连通孔与所述第二凹槽接通时，所述连通通路接通，当所述第二连通孔与所述第二凹槽错开时，所述连通通孔切断。

优选地，所述开关件呈圆柱状，通过转动所述开关件实现所述连通通路的接通和切断。

本发明还提供了一种硅片加工设备，采用如上所述的定位结构，无需更换定位结构即可对不同尺寸的硅片进行加工，大大提高了生产效率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

一种硅片加工设备，采用如上所述的定位结构对硅片进行定位。

优选地，所述硅片加工设备为减薄机。

本发明的有益效果是：

本发明提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。

本发明提供的硅片加工设备采用如上所述的定位结构，无需更换定位结构即可对不同尺寸的硅片进行加工，大大提高了生产效率。

附图说明

通过以下参照附图对本发明实施例的描述，本发明的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1是现有的定位结构的剖视图；

图2是本发明一个具体实施例提供的定位结构对第一硅片定位时的剖视图；

图3是本发明一个具体实施例提供的定位结构对第二硅片定位时的剖视图；

图4是本发明具体实施例提供的定位结构除去微孔陶瓷、第一隔离件和第二隔离件后的俯视图；

图5是本发明另一个具体实施例提供的定位结构对第一硅片定位时的剖视图；

图6是本发明另一个具体实施例提供的定位结构对第二硅片定位时的剖视图；

图7是本发明另一个具体实施例提供的定位结构对第三硅片定位时的剖视图。

图中，11’、本体；12’、微孔陶瓷；2’、凹槽；25’、抽真空孔；14’、隔离件；

11、本体；111、缺口；112、安装孔；121、中心微孔陶瓷单元；122、周部微孔陶瓷单元；13、第一隔离件；14、第二隔离件；21、第一环形槽；22、第二环形槽；23、第一连通槽；24、第二连通槽；25、抽真空孔；3、开关件；31、第一连通孔；32、第二连通孔；33、旋钮；4、硅片；5、通道。

具体实施方式

以下基于实施例对本发明进行描述，但是本发明并不仅仅限于这些实施例。在下文对本发明的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本发明。为了避免混淆本发明的实质，公知的方法、过程、流程、元件并没有详细叙述。

本发明提供了一种定位结构，包括：

载物台；

真空通路，用于将待定位件吸附于载物台表面，真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；

连接通路，将真空通路单元之间连通；以及，

开关件，用于将连接通路切断或接通，以改变真空通路的吸附区域。

本发明提供的定位结构具有至少两个真空通路单元，真空通路单元之间经连接通路连通，通过开关件可将连接通路切断和接通，从而改变真空通路的吸附区域，进而可对不同尺寸的待定位件进行定位，通用性强。

下面参照图2至图7说明本发明的定位结构应用于吸附硅片的实施例。

如图2至4所示，本实施例中的定位结构包括载物台、真空通路、连接通路及开关件3。

其中，载物台包括本体11以及设置于本体11上的微孔陶瓷。

在进一步的实施例中，真空通路包括中心通路单元以及位于中心通路单元外周的周部通路单元。具体的，如图4所示，本体11表面设置有第一凹槽，由第一凹槽形成中心通路单元，在本体11表面上，第一凹槽的外周设置第二凹槽，第二凹槽形成周部通路单元。第一凹槽和第二凹槽的具体设置方式不限，优选的，第一凹槽布满本体的中部区域，第二凹槽布满周部区域，进一步优选的，第一凹槽包括沿径向向外依次设置的四条第一环形槽21，第一环形槽21之间经第一连通槽23连通，第二凹槽包括位于第一凹槽外周的第二环形槽22。在本体11的中部还设置有抽真空孔25，抽真空孔25经第二连通槽24与第一环形槽21连通。

在进一步的实施例中，微孔陶瓷包括与中心通路单元对应的中心微孔陶瓷单元121以及与周部通路单元对应的周部微孔陶瓷单元122。中心微孔陶瓷单元121将所有第一环形槽21覆盖，周部微孔陶瓷单元122将第二环形槽22覆盖。在中心微孔陶瓷单元121与周部微孔陶瓷单元122之间设置有第一隔离件13，从而防止中心微孔陶瓷单元121与周部微孔陶瓷单元122之间通气。周部微孔陶瓷单元122的外周包绕有第二隔离件14，从而防止周部微孔陶瓷单元122漏气。第一隔离件13和第二隔离件14的具体材料不限，优选采用氧化铝陶瓷。

在进一步的实施例中，中心微孔陶瓷单元121为直径125毫米的圆形，第一凹槽形成的中心通路单元对应用于将5英寸的待定位件吸附于中心微孔陶瓷单元121表面；周部微孔陶瓷单元122为至少一个，本实施例中，其包括与中心微孔陶瓷单元121相邻的第一周部微孔陶瓷单元，第一周部微孔陶瓷单元为与中心微孔陶瓷单元121同心设置的外圆直径150毫米的圆环形，对应地，由第二凹槽形成的至少一条周部通路单元包括与中心通路单元相邻的第一周部通路单元，第一周部通路单元及中心通路单元用于将6英寸的待定位件吸附于第一周部微孔陶瓷单元及中心微孔陶瓷单元121表面。5英寸、6英寸的待定位件例如是5英寸、6英寸的硅片，当然，中心微孔陶瓷单元121及至少一个周部微孔陶瓷单元的形状及尺寸不限于本实施例给出的数据，根据对应进行定位的待定位件的形状和尺寸，可以有相应的变化，周部微孔陶瓷单元的数量也不限于本实施例中的第一周部微孔陶瓷单元一个，例如在替代的实施例中，周部微孔陶瓷单元包括第一周部微孔陶瓷单元和第二周部微孔陶瓷单元，其中中心微孔陶瓷单元为圆形，第一周部微孔陶瓷单元和第二周部微孔陶瓷单元为与中心微孔陶瓷单元同心设置的圆环形，第一周部微孔陶瓷单元与中心微孔陶瓷单元相邻，中心微孔陶瓷单元、第一周部微孔陶瓷单元、第二周部微孔陶瓷单元的外圆直径递增，具体大小可以根据各自对应的待定位件的大小确定。

在本体11内设置有通道5，通道5可将第二环形槽22和抽真空孔25连通，由通道5形成前述的连接通路。开关件3设置在通道5内，用于将连接通路切断和接通。开关件3的具体结构不限，能够实现第二环形槽22与通道5的接通和切换即可，例如开关阀等，开关阀可以是电动控制，也可以是手动控制。

在一个优选实施例中，为简化结构，开关件3上靠近抽真空孔25的一端开设第一连通孔31，开关件3的侧壁上开设有第二连通孔32，第一连通孔31与第二连通孔32连通。当第二连通孔32与第二环形槽22接通时，连通通路接通，当第二连通孔32与第二环形槽22错开时，连通通孔切断。进一步优选的，开关件3呈圆柱状，通过转动开关件3实现连通通路的接通和切断，具体的，如图2所示，当开关件3转至第二连通孔与第二环形槽22错开时，第一凹槽内抽真空，可将第一尺寸的硅片4吸附，如图3所示，当开关件3转至第二连通孔32与第二环形槽22相对时，第一凹槽和第二凹槽内均抽真空，可将第二尺寸的硅片4吸附。

进一步的，为方便开关件3的转动，开关件3上与开设第一连通孔31的一端相对的端部设置有旋钮33，本体11的周部设置有缺口111，旋钮33设置在缺口111中。

进一步的，本体11上还设置有多个安装孔112，用于将定位结构安装于减薄机等设备上。

下面以硅片为例说明本实施例的定位结构对不同尺寸的待定位件进行定位时的切换过程。

如图2，当开关件3转至第二连通孔与第二环形槽22错开时，第一凹槽内抽真空，所述定位结构可将第一尺寸的硅片4吸附。需要切换为对第二尺寸的硅片4吸附时，关闭与抽真空孔25相连的抽真空装置，接着如图3，通过旋转旋钮33将开关件3转至第二连通孔32与第二环形槽22相对，再打开与抽真空孔25相连的抽真空装置，此时第一凹槽和第二凹槽内均抽真空，所述定位结构可将第二尺寸的硅片4吸附。与现有技术相比，本实施例的定位结构仅需要旋转旋钮33即可实现对不同尺寸的待定位件进行定位时的切换，避免了更换整个载物台带来的一系列繁琐的的操作。

可以理解的是，真空通路的各个真空通路单元的设置位置不局限于上述情形，可根据所要定位的不同待定位件的形状进行设置，能够实现对不同待定位件的定位即可。真空通路单元的数量也不局限于两个，可根据待定位件的种类进行设置。

以硅片为例，如图5至图7所示，在本体11表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置两条第二凹槽，具体的，两条凹槽均为第二环形槽22。微孔陶瓷包括中心微孔陶瓷单元121以及两个周部微孔陶瓷单元122，中心微孔陶瓷单元121将全部第一环形槽21覆盖，两个周部微孔陶瓷单元分别将两条第二环形槽22覆盖。在中心微孔陶瓷单元121与周部微孔陶瓷单元122之间以及两个周部微孔陶瓷单元122之间均设置有第一隔离件13，从而防止中心微孔陶瓷单元121与周部微孔陶瓷单元122之间以及相邻周部微孔陶瓷单元122之间通气，位于外侧的周部微孔陶瓷单元122的外周包绕有第二隔离件14，从而防止周部微孔陶瓷单元122漏气。第二凹槽也可以多于两条，结构类似，在此不再赘述。

在本体11内设置有通道5，通道5可将两条第二环形槽22依次与抽真空孔25连通。开关件3上靠近抽真空孔25的一端开设第一连通孔31，开关件3的侧壁上在周向的第一位置设置有一个第二连通孔32，该第二连通孔32与第一连通孔31连通，开关件3的侧壁上在周向的第二位置设置有两个第二连通孔32，这两个第二连通孔32也均与第一连通孔31连通。如图5所示，当开关件3转至所有的第二连通孔32与第二环形槽22错开时，第一凹槽内抽真空，可将第一尺寸的硅片4吸附，如图6所示，当开关件3转至第一位置的第二连通孔32与内侧的第二环形槽22相对时，第一凹槽和内侧的第二凹槽内均抽真空，可将第二尺寸的硅片4吸附，如图7所示，当开关件3转至第二位置的两个第二连通孔32分别与两条第二环形槽22相对时，第一凹槽以及两个第二凹槽内均抽真空，可将第三尺寸的硅片4吸附。

当然，可以理解的是，当真空通路单元的数量多于两个时，连接通路的结构不局限于是上述的一体式通道5，还可以是包括设置于本体11内的第一连接通路单元，第一连接通路单元将靠近第一凹槽的第二凹槽与抽真空孔25连通，连通通路还包括设置于本体11内的第二连接通路单元，第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，第二连接通路单元分别将除去靠近第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽与抽真空孔25连通，只要能够通过开关件3实现连接通路的各种切断和接通状态即可。

本发明还提供了一种硅片加工设备，该硅片加工设备采用如上所述的定位结构对硅片进行定位，无需更换定位结构即可对不同尺寸的硅片进行加工，大大提高了生产效率。

硅片加工设备具体不限，例如是减薄机等。

此外，本领域普通技术人员应当理解，在此提供的附图都是为了说明的目的，并且附图不一定是按比例绘制的。

同时，应当理解，示例实施例被提供，以使本公开是全面的，并将其范围充分传达给本领域技术人员。很多特定细节(例如特定部件、设备和方法的示例)被给出以提供对本公开的全面理解。本领域技术人员将明白，不需要采用特定细节，示例实施例可以以很多不同的形式被实施，并且示例实施例不应被理解为限制本公开的范围。在一些示例实施例中，众所周知的设备结构以及众所周知的技术没有详细描述。

当一元件或层被提及为在另一元件或层“上”、“被接合到”、“被连接到”或“被联接到”另一元件或层时，其可直接在另一元件或层上、被直接接合、连接或联接到另一元件或层，或者可存在中间元件或层。相比之下，当一元件被提及为“直接”在另一元件或层“上”、“直接被接合到”、“直接被连接到”或“直接被联接到”另一元件或层时，可不存在中间元件或层。用于描述元件之间关系的其它词语应该以相似方式被解释(例如，“之间”与“直接在之间”，“邻近”与“直接邻近”等)。如在此使用的，术语“和/或”包括一个或更多关联的所列项目中的任一或全部组合。

虽然术语第一、第二、第三等在此可被用于描述各个元件、部件、区域、层和/或区段，但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应该被这些术语限制。这些术语可仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一元件、区域、层或区段区分开。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数值术语当在此使用时不意味着次序或顺序，除非上下文明确指出。因而，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或区段可被称为第二元件、部件、区域、层或区段，而不背离示例实施例的教导。此外，在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并不用于限制本发明，对于本领域技术人员而言，本发明可以有各种改动和变化。凡在本发明的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种定位结构，其特征在于，包括：

载物台；

真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；

连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，

开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。

2.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述载物台包括本体以及设置于所述本体上的微孔陶瓷，所述真空通路将待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；

所述微孔陶瓷包括分别与至少两个所述真空通路单元位置对应的至少两个微孔陶瓷单元；

还包括第一隔离件和第二隔离件，所述第一隔离件设置于相邻所述微孔陶瓷单元之间，所述第二隔离件包绕于所述微孔陶瓷的外周。

3.根据权利要求2所述的定位结构，其特征在于，所述至少两个真空通路单元包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。

4.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述本体表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路单元；

在所述本体表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置至少一条第二凹槽，每条所述第二凹槽形成一条所述周部通路单元。

5.根据权利要求4所述的定位结构，其特征在于，所述本体设置有与所述第一凹槽连通的抽真空孔，所述抽真空孔用于与抽真空装置连接。

6.根据权利要求5所述的定位结构，其特征在于，所述连接通路包括设置于所述本体内的第一连接通路单元，所述第一连接通路单元将靠近所述第一凹槽的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

7.根据权利要求6所述的定位结构，其特征在于，所述连通通路还包括设置于所述本体内的第二连接通路单元，所述第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，所述第二连接通路单元分别将除去靠近所述第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

8.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述至少两个微孔陶瓷单元包括中心微孔陶瓷单元以及位于所述中心微孔陶瓷单元外周的至少一个周部微孔陶瓷单元；

所述中心微孔陶瓷单元为圆形，所述中心通路单元用于将5英寸的所述待定位件吸附于所述中心微孔陶瓷单元表面。

9.根据权利要求8所述的定位结构，其特征在于，所述至少一个周部微孔陶瓷单元包括与所述中心微孔陶瓷单元相邻的第一周部微孔陶瓷单元，所述第一周部微孔陶瓷单元为与所述中心微孔陶瓷单元同心设置的圆环形，所述至少一条周部通路单元包括与所述中心通路单元相邻的第一周部通路单元，所述第一周部通路单元及所述中心通路单元用于将6英寸的所述待定位件吸附于所述第一周部微孔陶瓷单元及所述中心微孔陶瓷单元表面。

10.根据权利要求4所述的定位结构，其特征在于，所述本体内设置有通道，所述通道依次将所述第二凹槽与所述抽真空孔连通；

所述开关件设置于所述通道内，所述开关件上靠近所述抽真空孔的一端开设有第一连通孔，所述开关件的侧壁上开设有第二连通孔，所述第一连通孔与所述第二连通孔连通；

当所述第二连通孔与所述第二凹槽接通时，所述连通通路接通，当所述第二连通孔与所述第二凹槽错开时，所述连通通孔切断。

11.根据权利要求10所述的定位结构，其特征在于，所述开关件呈圆柱状，通过转动所述开关件实现所述连通通路的接通和切断。

12.一种硅片加工设备，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的定位结构对硅片进行定位。

13.根据权利要求12所述的硅片加工设备，其特征在于，所述硅片加工设备为减薄机。