CN106133847B - 具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法。所述透光性导电体包括基板及位于所述基板上的导电层，所述导电层包括导电性物质，所述导电层具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案。本发明的优点是透光性及导电性均优良且可视性高、能够防止波纹现象、制造工序简单。

Description

具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法
技术领域
本发明涉及透光性导电体及其制造方法，尤其涉及一种具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法。
背景技术
透光性导电体是可见光区域的光能够透过且具有导电性的薄导电膜。透光性导电体广泛用于各种电子设备。例如，透光性导电体在平板TV或台式PC的液晶显示器等平板显示板、平板电脑或智能手机的触摸板、电子发光装置等广泛用作透明电极。这种透光性导电体的特点是透光性与导电性难以兼顾。即，通常来讲透光性导电体的透光性高的话导电性差，导电性高的话透光性差，因此很难同时提高透光性与导电性。
为了使透光性高且具有导电性，以往普遍采用铟锡氧化物(indium tin oxide：ITO)之类的金属氧化物作为透光性导电体。而这些金属氧化物具有透光性随着导电性的上升而下降的问题。
金属网结构(metal mesh structure)的透光性导电体的使用也很普遍。但金属网结构的透光性导电体因难以形成细微的线宽，因此具有随着可视距离具有可视性问题，具有工序复杂、因图案结构而出现波纹现象的问题。
最近在积极研究用碳纳米管(carbon nanotube)或银纳米线(silver nanowire)之类的纳米结构体形成透光性导电体。然而，由于利用这种纳米结构体的透光性导电体因个别纳米结构体单位在彼此接触的状态下连接，因此具有导电性差的问题。
因此，需要开发出透光性及导电性均优良且可视性高、能够防止波纹现象、制造工序简单的透光性导电体。
发明内容
技术问题
本发明的目的在于提供一种具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法。
技术方案
本发明涉及一种透光性导电体，包括基板及位于所述基板上的导电层，所述导电层包括导电性物质，所述导电层具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案。
所述导电层实质上具有预定的厚度。
所述导电层是一个一体形成的单一体。
所述导电性物质含金属。
所述导电性物质为具有导电性的非金属。
所述纳米结构体为选自由纳米管、纳米线、纳米纤维(nano-fiber)及其混合体构成的群中的一个。
所述图案包括：多个本体部，其对应于所述网的纳米结构体；多个交叉部，其由所述本体部交叉形成；以及开口部，其位于所述本体部之间。
所述本体部与所述交叉部形成内部包括所述开口部的连接状态的至少一个闭合系。
所述本体部与所述交叉部形成不区分内部与外部的连接状态的至少一个开放系。
所述本体部的端部凸出到所述开口部。
所述本体部的厚度为t时，所述本体部的宽度w的范围为100nm≤w≤5t。
所述本体部的厚度t的范围为0＜t≤500nm。
所述交叉部的厚度实质上等于所述本体部的厚度。
所述图案为非晶形(amorphous)。
对应于所述导电层的边缘外部的所述基板上具有与所述导电层电连接的端子层。
所述端子层与所述导电层由相同的物质形成。
所述端子层的厚度实质上等于所述导电层的厚度。
本发明涉及一种透光性导电体的制造方法，包括：a：向基板上涂布导电性物质的步骤；b：向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤；c：在所述感光性物质上排列纳米结构体的步骤，其中所述纳米结构体交叉排列形成网；d：利用所述纳米结构体的网在所述感光性物质上形成对应于所述纳米结构体的网的形状的步骤；以及e：根据所述感光性物质的形状，在所述导电性物质上形成图案以形成导电层的步骤。
所述a步骤的所述导电性物质含金属。
所述b步骤的所述感光性物质为感光性聚合物。
所述c步骤的所述纳米结构体为选自由纳米管、纳米线、纳米纤维(nano-fiber)及其混合体构成的群中的一个。
所述d步骤是通过所述纳米结构体的网曝光所述感光性物质，在所述感光性物质形成对应于所述纳米结构体的网的形状。
所述e步骤的所述图案为非晶形(amorphous)。
所述透光性导电体的制造方法还包括在对应于所述导电层的边缘外部的所述基板上形成与所述导电层电连接的端子层的步骤。
所述形成所述端子层的步骤包括：向基板上涂布导电性物质的步骤；向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤；通过在所述感光性物质上排列具有对应于所述端子层的形状的掩模并曝光，在所述感光性物质形成与所述掩模的形状对应的形状的步骤；以及根据所述感光性物质的形状，在所述导电性物质形成所述端子层的图案的步骤。
本发明涉及一种透光性导电体的制造方法，包括：a：向基板上涂布导电性物质的步骤；b：向所述导电性物质上图案化端子层的步骤；c：向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤，其中涂布范围包括图案化所述端子层的部分；d：在除对应于所述端子层的部分以外的所述感光性物质上排列纳米结构体的步骤，其中所述纳米结构体交叉排列形成网；e：利用所述纳米结构体的网在所述感光性物质上形成对应于所述纳米结构体的网的形状的步骤；以及f：根据所述感光性物质的形状，在除所述端子层之外的所述导电性物质上形成图案以形成连接于所述端子层的导电层的步骤。
所述a步骤的所述导电性物涵盖所述导电层的形成区域与所述端子层的形成区域。
所述b步骤通过光刻法图案化所述端子层。
技术效果
本发明能够提供一种具有纳米结构的图案的透光性导电体及其制造方法。
附图说明
图1为简要显示透光性导电体的实施例1的立体图；
图2为显示图1的透光性导电体中基板上的导电层图案的平面图；
图3为显示图2的导电层图案的局部的局部平面图；
图4为沿图3的IV-IV线的剖面图；
图5为显示透光性导电体中基板上的导电层图案的实施例2的平面图；
图6为显示透光性导电体中基板上的导电层图案的实施例3的平面图；
图7为显示透光性导电体具有端子层的状态的实施例4的立体图；
图8至图15为显示透光性导电体的制造方法的实施例5的示意图；
图16为显示透光性导电体的制造方法的实施例6的示意图；
图17为显示透光性导电体的制造方法的实施例7的示意图。
附图标记说明
100、200、300、400、500、600、700：透光性导电体
110、210、310、410、510、610、710：基板
120、220、320、420、620：导电层
121、221、321：本体部 122、222、322：交叉部
123a、123b、323：开口部 124、324：端部
130：暗色层 427、627：感测部
430、630：端子层 431、631：端子部
520、720：导电性物质 530、730：感光性物质
791：第一辊 792：第二辊
具体实施方式
[本发明的优选实施方式]
以下根据实施例说明用于实施发明的具体内容。这些实施例是为了使本发明所属技术领域的普通技术人员理解用于实施发明的具体内容而提供的实施例，因此可以变形成其他多种形状，本发明不受以下实施例的限制。
(实施例1)
本实施例如图1所示，透光性导电体100包括基板110及导电层120。
透光性导电体100是指能够使光透过且具有导电性。此处，透光率(lighttransmittance)优选为90％以上。
基板110是指上部通过涂层(coating)或层积(laminating)等形成导电层120。基板110可以是刚性(rigid)或柔性(flexible)。基板110可以是透光性(lighttransmitting)或非透光性(light non-transmitting)。基板110可以由玻璃(glass)或聚碳酸酯或丙烯酸(acrylic)之类的刚性物质或聚酯、聚烯烃、聚乙烯、聚酰亚胺、硅胶之类的柔性物质形成。并且，基板110可以由环烯烃聚合物(COP：cyclic olefin polymer)、环烯烃共聚物(COC：cyclic olefin copolymer)、三醋酸纤维素(TAC：triac etylecellulose)形成。但形成基板110的物质不受以上限制。
导电层120是指形成于基板110上的导电层(electric conductive layer)。导电层120可具有150Ω/□(ohms per square)以下的导电性。优选地，导电层120可具有50Ω/□以下的导电性。可以根据构成导电层120的导电性物质的特性适当选择这种导电层120的导电性。导电层120实质上可以具有预定的厚度。因此导电层120不存在向外侧凸出的部分，因此难以形成静电，从而能够防止静电引发相关问题，无需为了防静电而另外增加涂层。例如，导电层120的厚度优选为100nm至300nm。优选的是导电层120实质上具有预定的厚度，但不受此限制，在能够形成层的前提下可具有任意厚度。导电层120可以是一个一体形成的单一体，例如可以是铜单一层。但导电层120不限于一个一体形成的单一体，例如，可以是钼-铝-钼(molybdenum-aluminum-molybdenum，Mo-Al-Mo)这种三层结构等多层结构。
导电层120包括导电性物质。包含于导电层120的导电性物质可包括铜、铝、银、钼、镍之类的金属。但包含于导电层120的导电性物质不限于金属，只要具有导电性即可，例如可以是导电性非金属或卤化银(silver halide)之类的金属化合物。导电性物质可通过多种方法形成于基板110上。例如，导电性物质可通过溅射沉积形成于基板110上。
导电层120包括纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案。此处，纳米结构体可以是纳米管、纳米线、纳米纤维(nano-fiber)或其混合体。只要是纳米结构体，则无论由任何物质形成都包含于其中。例如，可以将碳纳米管、银纳米线、碳纳米纤维等作为纳米结构体。如上所述，由于导电层120包括纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案，因此能够高度窄化对应于形成导电层120的各纳米结构体的部分的宽度，因此能够确保高透光性。因此，导电层120由具有高导电性的导电性物质形成且具有能够确保高透光性的对应于纳米结构体网的图案，因此能够同时大幅提高透光性与导电性。
纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案不是指纳米结构体交叉排列形成的网本身，而是指对应于这种网的图案。这种图案例如如图2所示，具有多个本体部121、多个交叉部122及开口部123。本体部121是指对应于纳米结构体网的纳米结构体的部分，交叉部122是指本体部121交叉形成的部分，开口部123a及123b是指本体部121之间的部分。本体部121与交叉部122是使导电层120具有导电性的要素，开口部123是使导电层120具有透光性的要素。本体部121a、121b、121c、121d与交叉部122a、122b、122c、122d可形成内部包括开口部123a的连接状态的闭合系(closed system)125。本体部121借此重复连接，提高这些部分之间的电连接可靠性。从而能够有效防止透光性导电体100的制造工序上或使用上出现这些部分的电连接断开的问题。并且，其他本体部121e、121f、121g与其他交叉部122e、122f可形成不区分内部与外部的连接状态的开放系(open system)126。开口部123可以成为形成于闭合系125内部的闭合系开口部123a与通过开放系126形成的开放系开口部123b。闭合系125与开放系126可彼此分离地独立配置，也可以相邻配置。并且，闭合系125内部可以具有开放系126，反之，开放系126内可以具有闭合系125。本体部121可形成端部124。这种本体部121的端部124可以向闭合系开口部123a或开放系开口部123b凸出。
本体部121的宽度w例如如图3所示，可以根据形成纳米结构体的网的物质形成。例如，本体部121宽度w范围可以是100nm≤w≤2500nm。并且，本体部121的宽度w可以根据本体部121的厚度t任意形成。例如，本体部121的厚度为t时，本体部121的宽度w范围可以是100nm≤w≤5t。因此，例如本体部121的厚度t为0＜t≤100nm时，本体部121的宽度w范围可以是100nm≤w≤500nm，本体部121的厚度t为100nm＜t≤300nm时，本体部121的宽度w范围可以是100nm≤w≤1500nm。本体部121的厚度t为300nm＜t≤500nm时，本体部121的宽度w范围可以是100nm＜w≤2500nm。另外，交叉部122可以具有与本体部121实质上相同的厚度。从而可以将导电层120的图案制作成单一体，交叉部122具有与本体部121实质上相同的导电性，因此交叉部122能够防止通过本体部121之间的接触形成的情况下因接触电阻而造成触摸感测度下降。
导电层120的图案可以是非晶形(amorphous)。如上所述，通过形成非晶形的图案，能够防止因晶形化的图案的重复而出现波纹(moire)现象。但，导电层的图案不限于非晶形，只要包括纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案的情况下任何均可。
导电层120的上侧面例如如图4所示，可以形成有具有黑色之类的暗色的暗色层(dark color layer)130。因此，通过上侧面具有暗色层130的导电层120的光不会模糊，而是清晰可见，因此能够提高可视性。导电层120由金属形成的情况下，可通过对其上侧面进行氧化等方法轻松地形成暗色层130。导电层120由非金属形成的情况下，可以通过向导电层120的上侧面另外形成层的方法形成暗色层130。
以上参见附图所示实施例对本发明进行了说明，但这只是例示而已，本发明所属技术领域的普通技术人员应理解能够从这些实施例导出多种变形及等同的其他实施例。因此，本发明的保护范围以技术方案为准。
[本发明的实施方式]
以下根据实施例说明用于实施发明的具体内容。这些实施例是为了使本发明所属技术领域的普通技术人员理解用于实施发明的具体内容而提供的实施例，因此可以变形成其他多种形状，本发明不受以下实施例的限制。
(实施例2)
本实施例例如如图5所示，其特征在于形成于透光性导电体200的基板210上的导电层220具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案，因此具有包括本体部221与交叉部222的图案，但由于本体部221并非从导电层220的一个边缘连续延伸至其他边缘，因此图案内不存在本体部221的端部。
因此，能够通过本体部221与交叉部222更加确保导电层的电连接可靠性，不仅如此，由于不存在本体部221的端部之类的切断部分，因此能够更加切实地防止可能会在切断部分发生的静电现象。
本实施例的导电层220图案采用纵横比非常大的纳米纤维作为纳米结构体，因此能够非常容易形成。
(实施例3)
本实施例例如如图6所示，其特征在于形成于透光性导电体300的基板310上的导电层320具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案，因此具有本体部321、交叉部322及本体部321的端部324，但由于本体部321并非从导电层320的一个边缘连续延伸至其他边缘，因此本体部321a、321b、321c与交叉部322a、322b能够形成不区分内部与外部的连接状态的开放系326，但本体部321与交叉部322无法形成内部包括开口部323的连接状态的闭合系。
因此，利用纵横比不大的纳米结构体也形成能够确保导电层的电连接可靠性的图案。
本实施例的导电层320图案采用纵横比小于纳米纤维的纳米管或纳米线作为纳米结构体，因此能够非常容易形成。
(实施例4)
本实施例例如如图7所示，其特征在于对应于透光性导电体400的导电层420的边缘外部的基板410上具有与导电层420电连接的端子层430。
因此，透光性导电体400通过端子层430连接于外部电路(未示出)，因此能够起到触摸板等系统的构成部分的作用。
端子层430可以由与导电层420相同的物质形成，因此，用户在导电层420上的触摸等电子作用能够顺利地传输到端子层430。
导电层420由相隔预定间隔的多个感测部427构成，用于感测外部的触摸并传输电子信号。端子层430由多个端子部431、与导电层420的各感测部427连接的接入部432构成。感测部427感测的电子信号通过端子层430的接入部432与端子部431传输到外部电路。
可以使端子层430具有实质上与导电层420相同的厚度，因此能够一起形成端子层430与导电层420，从而能够简化工序。
(实施例5)
本实施例例如如图8至图15所示，显示透光性导电体的制造方法。
根据本实施例的透光性导电体的制造方法，首先向基板510上涂布导电性物质520(图8)。此处，导电性物质520可以是金、银、铜等导电性好的金属或具有导电性的非金属。向基板510上涂布导电性物质520的方法可以采用旋转涂布、镀金等多种方法。然后，向导电性物质520上涂布感光性物质530(图9)。感光性物质530可采用包含感光性聚合物而具有感光性的多种物质。可通过涂布装置531将感光性物质浆料印刷在导电性物质520上等多种方法向导电性物质520上涂布感光性物质530。涂布感光性物质530后在其上面排列纳米结构体，此处纳米结构体交叉排列形成网540(图10)。纳米结构体可以采用纳米管、纳米线、纳米纤维(nano-fiber)或其混合体。然后，利用纳米结构体网540在感光性物质530上形成对应于纳米结构体网540的形状(图11)。此处，可以通过纳米结构体网540将感光性物质530曝光于光源550，在感光性物质530上形成对应于纳米结构体网540的形状。之后，用喷嘴560之类的装置喷射显像液使感光性物质530形成对应于纳米结构体网540的形状(图12)。从显像成具有对应于纳米结构体网540的形状的感光性物质530上部用喷嘴570之类的装置喷射蚀刻液蚀刻使得导电性物质520具有对应于纳米结构体网540的图案(图13)。此处，优选的是使图案为对应于纳米结构体网540的非晶形图案。然后，用喷嘴580之类的装置剥离残留于具有对应于纳米结构体网540的图案的导电性物质520上面的感光性物质530形成导电层(图14)。通过如上过程制成透光性导电体500。
进一步地，还可以包括向对应于导电层的边缘外部的基板510上形成与导电层电连接的端子层(未示出)的步骤。形成这种端子层的步骤可包括向基板510上涂布导电性物质的步骤；向导电性物质上涂布感光性物质的步骤；在感光性物质上排列具有对应于端子层的形状的掩模并曝光使得感光性物质上形成与掩模形状对应的形状的步骤；以及根据感光性物质的形状在导电性物质上形成端子层的图案的步骤。
(实施例6)
本实施例例如如图16所示，显示透光性导电体的另一制造方法。本实施例的透光性导电体600的制造方法是在一个导电性物质涂层上形成导电层620及端子层630。为此，首先向基板610上涂布导电性物质。此处，使导电性物质涵盖导电层620形成区域与端子层630形成区域。然后，在涂布感光性物质之前向导电性物质上图案化端子层630。端子层630形成于导电性物质上待形成导电层620的部分以外的部分。可以通过光刻法形成端子层630，但不限于此。形成的端子层630包括端子部631，并且，优选的是还包括用于使与导电层620之间电流顺畅流动的接入部632。形成端子层630后向导电性物质上涂布感光性物质且涂布范围涵盖图案化端子层630的部分。之后，在除对应于端子层630的部分以外的感光性物质上排列纳米结构体，此处纳米结构体交叉排列形成网。为此，利用对应于端子层630的部分遮蔽且对应于导电层620的部分开放的荫罩之类的装置向感光性物质上涂布纳米结构体。然后，利用纳米结构体网通过曝光及显像将感光性物质形成为对应于纳米结构体网的形状。然后，根据如上形成的感光性物质的形状，在除端子层630以外的导电性物质形成图案以形成连接于端子层630的导电层620。
因此，在制造透光性导电体600时在一个导电性物质上一起形成导电层620及端子层630，一起形成导电层620的感测部627与端子层630的端子部631，因此能够简化工序且节省材料。并且，由于能够缩小基板中用于形成端子层630的部分的区域，因此能够实现显示器的紧凑化。
(实施例7)
本实施例例如如图17所示，显示透光性导电体的又一制造方法。本实施例的透光性导电体的制造方法的特征在于利用第一辊791与第二辊792通过连续工序制造透光性导电体。
卷绕于第一辊791的涂布有导电性物质720的基板710通过第二辊792拉开，通过相邻第一辊791的涂布装置731向导电性物质720上连续涂布感光性物质730。之后，按照工序流程设置于感光性物质730涂布装置731之后的喷射装置741在感光性物质730上形成纳米结构体交叉排列的网740。然后，按照工序流程顺序设置的曝光装置750、显像装置760、蚀刻装置770及剥离装置780依次进行感光性物质730的曝光及显像、导电性物质720的蚀刻及残留感光性物质730的剥离，在基板710上形成导电层的图案或导电层与端子层(未示出)的图案。透光性导电体700如上制成。之后透光性导电体700卷绕于第二辊792。
由于能够如上连续制造透光性导电体，因此工序变得简化、迅速、容易。
本发明参考附图所示实施例进行了说明，但这只是举例说明而已，本发明所属技术领域的普通技术人员应理解可以从这些实施例进行多种变形及得到等同的其他实施例。因此，本发明的保护范围为技术方案所记载的技术思想。
工业应用性
本发明可用于适用透光性导电体及其制造方法的领域。

Claims (26)

1.一种透光性导电体，其特征在于，包括：
基板；以及
导电层，其位于所述基板上，
所述导电层包括导电性物质，所述导电层具有纳米结构体交叉排列形成的对应于网的图案，
所述导电层的上侧面形成有暗色层，
所述导电层具有预定的厚度，
所述导电层是一个一体形成的单一体。
2.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于：
所述导电性物质含金属。
3.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于：
所述导电性物质为具有导电性的非金属。
4.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于：
所述纳米结构体为选自由纳米管、纳米线、纳米纤维及其混合体构成的群中的一个。
5.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于，所述图案包括：
多个本体部，其对应于所述网的纳米结构体；
多个交叉部，其由所述本体部交叉形成；以及
开口部，其位于所述本体部之间。
6.根据权利要求5所述的透光性导电体，其特征在于：
所述本体部与所述交叉部形成内部包括所述开口部的连接状态的至少一个闭合系。
7.根据权利要求5所述的透光性导电体，其特征在于：
所述本体部与所述交叉部形成不区分内部与外部的连接状态的至少一个开放系。
8.根据权利要求5所述的透光性导电体，其特征在于：
所述本体部的端部凸出到所述开口部。
9.根据权利要求5所述的透光性导电体，其特征在于：
所述本体部的厚度为t时，所述本体部的宽度w的范围为100nm≤w≤5t。
10.根据权利要求9所述的透光性导电体，其特征在于：
所述本体部的厚度t的范围为0<t≤500nm。
11.根据权利要求5所述的透光性导电体，其特征在于：
所述交叉部的厚度等于所述本体部的厚度。
12.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于：
所述图案为非晶形。
13.根据权利要求1所述的透光性导电体，其特征在于：
对应于所述导电层的边缘外部的所述基板上具有与所述导电层电连接的端子层。
14.根据权利要求13所述的透光性导电体，其特征在于：
所述端子层与所述导电层由相同的物质形成。
15.根据权利要求13所述的透光性导电体，其特征在于：
所述端子层的厚度等于所述导电层的厚度。
16.一种透光性导电体的制造方法，其特征在于，包括：
a:向基板上涂布导电性物质的步骤；
b:向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤；
c:在所述感光性物质上排列纳米结构体的步骤，其中所述纳米结构体交叉排列形成网；
d:利用所述纳米结构体的网在所述感光性物质上形成对应于所述纳米结构体的网的形状的步骤；
e:根据所述感光性物质的形状，在所述导电性物质上形成图案以形成导电层的步骤；以及
f：在所述导电层的上侧面形成暗色层的步骤，
在所述导电性物质上形成所述图案后去除所述纳米结构体的网。
17.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述a步骤的所述导电性物质含金属。
18.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述b步骤的所述感光性物质为感光性聚合物。
19.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述c步骤的所述纳米结构体为选自由纳米管、纳米线、纳米纤维及其混合体构成的群中的一个。
20.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述d步骤是通过所述纳米结构体的网曝光所述感光性物质，在所述感光性物质形成对应于所述纳米结构体的网的形状。
21.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述e步骤的所述图案为非晶形。
22.根据权利要求16所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于，还包括：
在对应于所述导电层的边缘外部的所述基板上形成与所述导电层电连接的端子层的步骤。
23.根据权利要求22所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于，形成所述端子层的步骤包括：
向基板上涂布导电性物质的步骤；
向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤；
通过在所述感光性物质上排列具有对应于所述端子层的形状的掩模并曝光，在所述感光性物质形成与所述掩模的形状对应的形状的步骤；以及
根据所述感光性物质的形状，在所述导电性物质形成所述端子层的图案的步骤。
24.一种透光性导电体的制造方法，其特征在于，包括：
a:向基板上涂布导电性物质的步骤；
b:向所述导电性物质上图案化端子层的步骤；
c:向所述导电性物质上涂布感光性物质的步骤，其中涂布范围包括图案化所述端子层的部分；
d:在除对应于所述端子层的部分以外的所述感光性物质上排列纳米结构体的步骤，其中所述纳米结构体交叉排列形成网；
e:利用所述纳米结构体的网在所述感光性物质上形成对应于所述纳米结构体的网的形状的步骤；
f:根据所述感光性物质的形状，在除所述端子层之外的所述导电性物质上形成图案以形成连接于所述端子层的导电层的步骤；以及
g：在所述导电层的上侧面形成暗色层的步骤，
在所述导电性物质上形成所述图案后去除所述纳米结构体的网。
25.根据权利要求24所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
所述a步骤的所述导电性物涵盖所述导电层的形成区域与所述端子层的形成区域。
26.根据权利要求24所述的透光性导电体的制造方法，其特征在于：
通过光刻法图案化所述b步骤的所述端子层。
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