CN103154812B - 导电膜 - Google Patents

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Abstract

本文描述了具有透明度特性的导电膜及相关器件。根据各种示例性实施方式，透明导电膜包括嵌入在有机基材层中的无机纳米丝网。所述嵌入可涉及，例如，将所述纳米丝网的大部分或基本上全部嵌入至所述有机基材层中，以促进该合并的纳米丝网-聚合物的所得表面粗糙度小于该网单独的（例如，或以其他方式嵌入的）表面粗糙度，并进而促进所需的电导率特性。

Description

导电膜
相关专利文件
本专利文件根据35U.S.C.§119要求2010年7月30日提交的题为“透明导电膜”（“Transparent Conductive Films”）的美国临时专利申请序列第61/369,493号的优先权；该专利文件和作为基础的临时申请中提交的“附录”（包括其中引用的参考文献）通过引用全部纳入本文。
技术领域
本发明一般性涉及导体，更具体而言，本发明涉及透明导电膜及其方法。
背景技术
各种材料已被用于透明导体（入射到其上的光至少有一些（如果不是大部分）能从其中通过的导体）。此类导体用于（例如）光电器件、显示器和触摸屏。用于这些器件的一种材料是掺杂锡的氧化铟（ITO）。然而，ITO较昂贵，制备可能非常昂贵，并且还可能变脆。其它材料由于各种特点（例如实施成本高且难度大）或性能不足（例如透明度不足、电导率不足以及相关的得失方面的考虑）而难以实施。
这些以及其他问题仍然是各种使用或者受益于透明导电膜的方法、器件和系统面临的难题。
发明内容
本发明的各个方面涉及包括透明导电膜的器件、方法和系统，所述透明导电膜解决了包括上述问题在内的难题。
根据一个示例性实施方式，透明导电膜包括有机基材层和嵌入该有机基材层的无机纳米丝网。所述嵌入的网可在各种电子器件（例如使用或受益于透明膜中的导电材料的电子器件）中实施。
另一个示例性实施方式涉及形成透明导电膜的方法。将无机纳米丝网引入 至聚合物中，例如通过沉积或者使所述网与所述聚合物发生接触。这样，所述纳米丝网就嵌在所述聚合物中。
各种实施方式涉及形成纳米丝网/聚合物复合膜，其中所述聚合物用于提供膜，该膜具有与（例如）所述纳米丝网的表面相比较平滑的表面。
其它实施方式涉及包含纳米丝网/聚合物膜的一个或多个方面的器件。此类实施方式可涉及光电器件、光伏器件、触摸屏、太阳能电池和有机发光显示器中的一种或多种。
其它实施方式涉及制造包含纳米丝网/聚合物膜的器件的方法。此类方法可适用于（例如）形成光电器件、光伏器件、触摸屏、太阳能电池或基于有机的发光显示器。
以上概述并不是用来描述本发明的各个实施方式或者每个实现形式。以下附图和详述更具体地举例说明了各种实施方式。
附图说明
通过下面结合附图对本发明的各种实施方式所作的详细说明，可以更全面地理解本发明的内容，其中：
图1显示了根据本发明的一个示例性实施方式进行制造的纳米丝网型器件，并且其中：
图1A显示了对其施涂纳米丝悬浮液的玻璃基材；
图1B显示了基材上的纳米丝网；
图1C显示了放置了纳米丝网的基材，该基材用于嵌入玻璃或PET基材上的PEDOT:PSS材料中；以及
图1D显示了嵌入材料层中的纳米丝网；
图2显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，纳米丝网型器件的操作特性的曲线图；
图3显示了根据本发明的其它示例性实施方式，在基材中嵌入至不同程度的纳米丝；
图4显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，含有基于纳米丝网的透明导电层的薄膜太阳能电池器件；以及
图5显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，含有基于纳米丝网的透明导电层的触摸屏器件。
虽然本发明可具有各种修改和替代形式，但其细节通过举例的方式呈现在附图中，并将进行详细描述。但应当理解，其意图并不是将本发明限制于所述的特定实施方式。相反，本发明涵盖落在本发明范围内的所有修改形式、等同形式和替代形式，包括权利要求书所限定的各个方面。
具体实施方式
本发明涉及如本文所述的透明和半透明导体。虽然本发明未必限于此，但通过借助此背景和其他背景讨论各种实施例可理解本发明的各个方面。以下讨论以及作为本专利文件的组成部分的“附录”中的讨论描述了各种示例性实施方式，这些示例性实施方式不构成对其它相关实施方式和/或本文主题的限制。
各种示例性实施方式涉及溶液处理的（solution-processed）透明导体，该导体可在挠性基材上实施。一些实施方式涉及溶液处理的复合材料，该材料用于形成光电器件中使用的透明导体。对于这些应用，所述溶液处理的复合材料可用于使用了氧化铟锡材料作为导体的器件中。
尽管可用于各种实施方式，在此我们发现，银纳米丝的形貌（由于其与表面粗糙度相关）对器件性能可能有很强的负效应。因此，各种实施方式涉及通过将纳米丝网膜嵌入至聚合物（例如导电聚合物）膜或其他类型的膜中来对与纳米丝网膜对应的表面粗糙度进行控制或平滑，或涉及形成具有理想的表面特性的包括纳米丝的膜。该方法可用于（例如）设定或改善所述膜的电导率或其它性质。在许多实施方式中，所得的纳米丝网/聚合物膜的表面粗糙度远小于该纳米丝网的表面粗糙度。例如，对于直径为50-100纳米的纳米丝的膜，相当小的表面粗糙度指的是表面粗糙度约为5-30纳米RMS（均方根），或小于约20纳米RMS。对于该纳米丝直径范围，并非相当小的表面粗糙度是50纳米RMS。
如本文所述，可使用各种方法中的一种或多种将纳米丝嵌入。在一些实施方式中，在以下条件下使纳米丝嵌入：在该丝网中，丝之间的结使其紧密接触并熔合在一起，从而使复合材料的薄层电阻与该丝网发生嵌入之前的电阻相比有所降低。在某些实施方式中，丝网中的丝之间的结被引导离开顶表面并且向下进入下方膜，降低了表面粗糙度（例如，下方膜用于填充纳米丝之间的间隙）。下方膜使所述纳米丝网机械锚定，抑制小剪切力引起的丝的脱离或变动，这可进一步用于促进高温处理，所述高温处理不可用于易受机械扰动影响的网。嵌入压力可用于控制膜的雾度，所述雾度与表面粗糙度成正比（例如，较粗糙的 膜具有较高的雾度，所述雾度可使从膜中通过的光发生散射）。
结合各个示例性实施方式，首先形成纳米丝网，该丝网与聚合物分开，以设置所述纳米丝网的连通（connectivity）特性。该方法可用于改善相对于（例如）该网的所得性能的网连通性。然后将该纳米丝网嵌入聚合物中，对于给定的透明度，得到具有所需薄层电阻的无机-有机复合结构。此方法可用于形成经辊到辊制备的挠性有机光伏（OPV）电池，该电池可用于各种刚性和挠性薄膜太阳能电池和显示器。
其它实施方式涉及嵌入至基材中的纳米丝网，该基材具有较高的折射率介质，以进一步扩大光谱范围至红外区，在该光谱范围内该丝网是透明的。这种可能包括将网嵌入的步骤的方法可通过使用所述基材以有效“缩小”入射光的波长来进行，并且该方法可用于实现较长的波长挤过纳米丝之间的孔。
在许多实施方式中，相对于待嵌入至聚合物膜中的纳米丝网的特性来设置该聚合物膜的厚度，以实现所得膜的电导率和厚度。例如，通过使用厚度约等于或大于纳米丝网的厚度的聚合物（该纳米丝网待嵌入至该聚合物中），可形成具有所需电导率同时保持了较薄侧面的所得纳米丝网/聚合物膜（例如，为了解决“附录”中所述的粗糙度问题）。在一些实施方式中，设置所述膜的厚度以实现所需/目标电导率特性，并（从设计的角度来看）可增加该厚度以实现该特性。
在各实施方式的内容中，术语“透明”应理解为与至少一些光通过有关的特性。例如，不同的透明材料（根据不同的实施方式）具有不同的透明度水平，所述透明度的范围可为使30-100％的从该材料上入射的光通过。在许多光电实施方式中，如可由应用决定，透明导体使约60-90％从该导体上入射的光通过。
结合各个示例性实施方式，溶液处理的膜包括银纳米丝网，将该银纳米丝网层压并转移至薄的溶液处理的聚合物膜中，以形成具有透明度特性的复合导电膜。所述网的层压可用于获得平滑的表面。在一些实施方式中，这些膜可用于太阳能电池和显示器应用，并且在实施上（例如在显示器的操作中）具有机械挠性。
在一些实施方式中，溶液处理的廉价挠性透明电极被用于涉及氧化铟锡（ITO）膜的应用。此类应用包括光电器件。本文所述的透明电极膜可用于代替这些ITO膜。使用这些膜可制造高品质器件，并实现在所有指标方面都与ITO性能相当，同时成本更低廉且机械性质得到改进。
根据不同的示例性实施方式，各种不同类型的挠性材料或其组合可用于支撑纳米丝网，例如银纳米丝网。许多实施方式中使用聚合物膜，并且所述聚合物膜可包括（例如）聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐/酯)(PEDOT:PSS)和聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)，结合一个或多个示例性实施方式，这些聚合物是可使用的聚合物的示例性类型。在某些实施方式中，使用具有类似特性的其它聚合物、基于聚合物的组合或非聚合物膜。因此，各方面涉及具有一种或多种以下特性的膜：在光波长为400-800纳米的可见光谱范围内的光学透明度；在小的（例如约1毫米）弯曲半径下可机械弯曲并且无裂纹；100-300兆帕的本体机械压痕硬度；在厚度为100-500纳米的基材上形成薄膜的可控沉积特性；以及最高达约60,000psi的可机械压缩性。
在一些实施方式中，挠性显示器和/或触摸屏类型的器件包括如本文所述的嵌入的网，以及用于检测该网弯曲特性的处理电路。例如，通过检测电学特性或电学特性中的变化，该器件可检测在所述膜的特定位置上的弯曲。该信息用于各种方法中的一种或多种方法，例如控制挠性器件上显示的图像，或处理在弯曲处和/或邻近弯曲处接收的触摸输入。
根据各个示例性实施方式，本文所述的纳米丝网可结合许多不同类型的器件进行实施。使用本文所述的材料和/或方法可形成以下器件：例如，薄膜太阳能电池、显示器（例如LCD、有机发光显示器、电泳显示器）、触摸屏（例如电容型或电阻型）、防雾器件（例如在汽车和航空挡风玻璃中）以及挠性平板照明（例如使用蒸发的和/或印刷的白色有机发光二极管）。
使用各种方法中的一种或多种方法形成基于纳米丝的聚合物膜，所述方法可包括结合作为基础的临时专利申请中提交的“附录”中所展示和描述的一种或多种方法中的一些方面（或全部），并且这些是本专利文件的组成部分。其它实施方式涉及用于形成一层或多层此类膜的不同的纳米丝沉积或连接方法。一些应用涉及纳米丝转移法，而其它应用涉及滴铸法或喷涂法，其中在聚合物表面上形成和/或放置纳米丝，然后将其嵌入至适当的位置。例如，与上述“附录”中所述的各种实施方式相比，其它实施方式涉及在下方（例如聚合物）结构形成后沉积纳米丝，然后通过按压或其它方式处理该纳米丝，从而将该纳米丝嵌入至所述下方结构中，或者通过其它方式使所述纳米丝与所述下方结构连接。其它应用涉及使用其它基材代替基于聚合物的膜，或者除了使用基于聚合物的膜外还使用其它基材，例如包括玻璃或可用于特定应用的其它材料的基材。在其它实施方式中，使用以下方法中的一种或 多种将纳米丝沉积在下方基于聚合物的膜上：电化学沉积、气相沉积或溶液沉积。
结合其它示例性实施方式，使用纳米丝网和聚合物膜复合材料形成有机光伏电池、挠性显示器和/或触摸屏的透明电极。在一些实施方式中，所述复合材料结构具有和/或其特征为比氧化铟锡至少高4倍的屈服应变，从而得到稳固的挠性光伏器件。在各种上下文中，术语“屈服应变”通常指的是一个点或一种条件，在该点或该条件下塑性变形开始，例如在复合材料结构中发生弹性弯曲（例如，测得的电阻率的变化作为塑性变形或断裂的指示）。在下表中，显示了与一种或多种示例性实施方式有关的各种溶液处理的透明导体以及在两种不同基材上的ITO的示例性特性。
表中复合材料的数据显示了与其他ITO替代材料相比并且与塑料上的ITO相比，所述复合材料具有所需的性能。这些材料可用于有机光伏电池，以及挠性显示器。
在许多实施方式中，将通过控制表面粗糙度实现的薄层电阻用于在光伏电池应用中促进所需的约为0.64的填充因子，以及约为3.8％的效率（例如，使用塑料上的PEDOT:PSS/Ag纳米丝）。本文中，所述填充因子涉及实际最大可获得功率(Vmp x Jmp)与理论功率(Jsc x Voc)的比值，该值可与太阳能电池的性能相关联，其中Jmp和Vmp表示在最大功率点时的电流密度和电压，该最大功率点通过改变电路中的电阻直至J x V达到最大值获得。
各种其它示例性实施方式涉及上文要求其优先权的作为基础的临时专利文件的“附录”A和B中所述的一个或多个方面，并且这些内容通过参考全部纳入本文。类似地，各种实施方式涉及如本文所附的Gaynor等人投稿于《先进 材料》（Advanced Materials）的“用于光电器件的高性能溶液处理的复合氧化铟锡替代物”（“A High-Performance Solution-Processed Composite Indium Tin Oxide Replacement for Optoelectronic Devices”）中所述的一种或多种方法，其全部内容通过参考纳入本文。
现转到附图，图1显示了根据本发明的另一个示例性实施方式进行制造的纳米丝网型器件。从图1A开始，将纳米丝悬浮液102施涂至玻璃转移块100上。可通过（例如）将纳米丝混合在溶液中并将该溶液涂覆或沉积在所述玻璃转移块100上来施涂该悬浮液。其它实施方式涉及使用不同类型的转移块的此类方法。
在图1B中，已对所述纳米丝悬浮液102进行处理（例如使其分散）以形成纳米丝网104。该纳米丝网包括多个电连接的纳米丝，并且可以根据本文所述的一个或多个示例性实施方式进行设置。
在图1C中，将所述转移块100按压至基材110上，所述基材110包括在下方支承结构114（例如玻璃或PET）上的嵌入材料112（例如PEDOT:PSS）。例如，可通过旋转浇铸在所述支承结构上114上形成所述嵌入材料112。在图1D中，所得器件110包括嵌入所述PEDOT:PSS材料112中的纳米丝网104。
在一些实施方式中，具有不同直径（例如50-100直径范围）的纳米丝的膜从悬浮液滴铸至所述玻璃转移块100上。因此，膜中纳米丝的直径可相互不同，其差异至多为40纳米。这些不同的直径可造成所得的纳米丝网表面粗糙度不合乎需要（例如超出40纳米的范围）。将该膜嵌入至所述嵌入材料112中以降低所得表面粗糙度，填充所述纳米丝网之间的间隙，在各个实施方式中，实现小于40纳米RMS的表面粗糙度，以及在其它实施方式中，实现小于20纳米RMS的表面粗糙度。
图2显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，纳米丝网型器件的操作特性的曲线图。具体而言，曲线210和220显示了有机光伏电池的示例性数据，该电池具有聚合物-纳米丝电极，并且聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)作为基底膜。许多实施方式涉及使用此类具有所示特性的膜，而其它实施方式涉及使用这样一种组合来实施，该组合包含与曲线中所示特性不同的特性（例如包含不同的设置和/或其它材料）。
曲线210显示了所述器件在黑暗中的行为，曲线220显示了该器件在光照下的行为。例如，可使用100毫瓦/厘米2的AM1.5G光源来照射该器件。纵 轴上显示了电流密度，横轴上显示了施加的电压。可以观察到，在光照和黑暗两种应用中，电流密度都在约0.5V处显著增加。
图3显示了根据本发明的其它示例性实施方式，嵌入不同厚度的基材中的纳米金属丝。截面图310、320、330和340分别显示了嵌入四种不同厚度的PEDOT:PSS中的纳米丝的扫描电镜图（SEM），所述厚度分别为约25纳米、50纳米、75纳米和100纳米。结合各种实施方式，通过截面SEM我们发现，随着PEDOT:PSS厚度增加，复合材料的形貌显著变化。在25纳米的PEDOT:PSS上，所述纳米丝转移至PEDOT:PSS，但并未沿着其长度下沉至该聚合物中，产生森林样结构。随着PEDOT:PSS层增加至50、75和100纳米，该丝下沉至PEDOT:PSS中，并且该网变得较平坦，所述聚合物填充了丝之间的深处间隙。结合各个实施方式，为了适用于特定应用（例如用作电极），例如通过形成这样一种厚度的PEDOT:PSS基材来设置纳米丝网所嵌入的材料的厚度以形成平坦的膜，该厚度足以使单独的丝和促进电导率的丝结都嵌入。可使用该方式使所述结嵌入，以促进上部丝保持齐平，并促进OPV（有机光伏）性能。另外，在装置中可通过使具有从本体异质结突起的粗糙度的结嵌入来减缓或防止不合乎需要的电流通路，该电流通路经过向异质结突起的纳米结构。
图4显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，含有基于纳米丝网的透明导电层410的薄膜太阳能电池器件400。该透明导电层410位于下方半导体材料层420之上，该半导体材料层420包括因响应入射光（430）而产生电流的光伏区域，所述透明导电层410用来使所述光通过并进入下方半导体材料层。
如本文所述，所述透明导电层410包括嵌入在材料（例如半导体聚合物）中的纳米丝网，以降低所述膜的表面粗糙度，该表面粗糙度是由所述网的未嵌入部分造成的。该所得表面粗糙度可用于促进所述网的电导率特性，同时缓解这样的问题，例如关于半导体材料层420中纳米丝网与下方结区域的相互作用的问题。
在各个实施方式中，将所述透明导电层410配置成具有电导率特性，所述电导率特性可在不同程度的弯曲应力下实现，促进了在对所述导电层410进行弯曲或明确安排成将导电层410弯曲（例如在本文所述的应力下）的实施方式下所述器件400的应用。
图5显示了根据本发明的另一个示例性实施方式，在上表面（如图所示）含有基于纳米丝网的透明导电层的触摸屏器件500的俯视图。插图505显示了 所述触摸屏器件500的示例性实施方式的透视图，该器件500中基于纳米丝网的透明导电层510位于该器件500的上部。
所述透明导电层510包括如本文所述的嵌入的纳米丝网，该网的绝大部分或基本上全部嵌入在膜中。该嵌入促进了较低的表面粗糙度，这进而促进了该触摸屏所需的电导率特性。另外，将所述透明导电层510配置成具有可在不同程度的弯曲应力（例如如本文所述的应力）下实现的电导率特性。这促进了在所述透明导电层510处的触摸输入，该导电层510可涉及显著的弯曲，以及促进了该器件500在以下条件下的应用，其中所述触摸屏器件500被配置成具有弯曲（例如具有弯曲的触摸屏）。
作为示例，显示了具有栅格线的触摸屏器件500，该栅格线表示触摸输入的区域，其中作为示例标记了示例性触摸点520、522和524，每个触摸点集中在一个栅格位置上。该栅格线的位置和相对尺寸是用于示例，应理解，为了获得与检测触摸输入相关的较高分辨率，此类栅格位置和触摸点可以非常小的间距彼此间隔。与相关电导率有关的所述透明导电层510的耐弯曲性促进了在每个单独的触摸点520、522和524上触摸输入位置的检测。
在一些实施方式中，所述器件500包括逻辑电路530，该电路530与导电层510连接，用于接收与所检测的触摸点位置相关的信息。所述逻辑电路530还控制图像的显示，所述图像可在所述膜中嵌入了所述网的部分产生，和/或通过其它经由（通过）所述导电层510来显示图像的显示组件产生。
根据各示例性实施方式，可实施各种沉积方法来制备本文所述的电极。可用于制备一层或多层电极层的湿法包括：旋涂、喷涂、滴铸、喷墨印刷、苯胺印刷、凹版印刷、丝网印刷、模头狭缝式涂覆（die-slot coating）和辊到辊印刷。
可以一起和/或以其他方式实现上述各个实施方式、作为基础的临时申请（该申请作为本专利文件的组成部分）中提交的“附录”中的各实施方式以及附图中所示的实施方式。还可以以更分离或整合的方式实现图/附图中所示的一个或多个项目，或者适应具体应用，在某些情况下将图/附图中所示的一个或多个项目去除和/或呈现为不使用。在本说明书中，本领域的技术人员能理解可以根据本说明书做出各种变化而不背离本发明的精神和范围。

Claims (18)

1.一种透明导电膜，其包含：
有机基材层；以及
无机纳米丝网，该无机纳米丝网嵌入在所述有机基材层中，该嵌入了纳米丝网的有机基材层被配置提供纳米丝的复合材料形貌，该复合材料形貌平坦得足以形成暴露出部分纳米丝的导电膜，其中所述有机基材层和所述无机纳米丝网形成有机-无机复合导电膜，该膜的表面粗糙度值比所述无机纳米丝网在嵌入所述有机基材层之前的表面粗糙度至少低25％。
2.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，
所述无机纳米丝网包括多个银纳米丝，所述银纳米丝的直径与所述网中的其它银纳米丝的直径相差至少40纳米；
所述有机基材层和无机纳米丝网形成所述有机-无机复合导电膜，该膜的RMS表面粗糙度小于20纳米。
3.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述有机基材层的厚度至少为所述无机纳米丝网的厚度，且所形成的暴露出部分纳米丝的导电膜的RMS表面粗糙度为5-30纳米。
4.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述无机纳米丝网和有机基材层形成膜，该膜使得至少70％的入射到该膜上的光通过。
5.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述有机基材层是具有高折射率的聚合物，该聚合物用来将光谱范围扩大至红外区，在该光谱范围内所述无机纳米丝网是透明的。
6.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述有机基材层包括具有高折射率的聚合物，对于入射光波长太长而不能通过所述纳米丝网中的开口的情况，该聚合物用来改变该入射光的波长，以允许所述光能够通过所述无机纳米丝网中的开口。
7.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，将所述导电膜配置成具有这样的电导率值，该电导率值在以下范围的弯曲应力下为常数：从无弯曲应力至四倍于这样的弯曲应力，在该弯曲应力下与所述导电膜尺寸相当的氧化铟锡膜具有塑性变形。
8.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，至少25％的所述纳米丝网嵌入至所述有机基材层中。
9.如权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述有机基材层填充了所述纳米丝网中的纳米丝之间的间隙，将部分的所述纳米丝网电连接，并且所述表面的RMS粗糙度小于发生嵌入之前的所述纳米丝的RMS粗糙度的一半。
10.一种显示器，其包含：
有机基材层；
导电膜：
嵌入所述有机基材层中的多个电极和无机纳米丝网，该嵌入了纳米丝网的有机基材层被配置提供纳米丝的复合材料形貌，该复合材料形貌平坦得足以形成暴露出部分纳米丝的导电膜，
各电极包括：
在所述有机基材层中嵌入一定深度的无机纳米丝网，在该深度所述有机基材层和所述无机纳米丝网形成所述导电膜，该导电膜的表面粗糙度值比所述无机纳米丝网在嵌入所述有机基材层之前的表面粗糙度至少低25％；
所述有机基材层的一部分位于所述网内的间隙之间，该部分被配制并设置用来电连接所述网的各部分；以及
用来通过所述有机基材层控制图像显示的逻辑电路；
其中，所述的复合形貌的特征在于由于有机基材层的深度而使纳米丝平坦。
11.如权利要求10所述的显示器，其特征在于，所述有机基材层和嵌入的电极形成触摸屏，该触摸屏用来提供所述屏上存在触摸及其位置的输出指示。
12.如权利要求10所述的显示器，其特征在于，所形成的暴露出部分纳米丝的导电膜的RMS表面粗糙度为5-30纳米，且逻辑电路用来
检测所述导电膜中的弯曲，该检测响应于所述多个电极中的至少一个电极的电学特性，以及
基于所检测的弯曲控制图像显示。
13.一种形成透明导电膜的方法，该方法包括将无机纳米丝网引入至有机基材层，将所述无机纳米丝网嵌入所述有机基材层中，通过使用嵌有所述网的有机基材层来提供纳米丝的复合材料形貌，该复合材料形貌平坦得足以形成暴露出部分纳米丝且RMS表面粗糙度为5-30纳米的透明导电膜，其中所述无机纳米丝网和所述有机基材层形成有机-无机复合导电膜，该膜的表面粗糙度值比所述无机纳米丝网在嵌入所述有机基材层之前的表面粗糙度至少低25％。
14.如权利要求13所述的方法，该方法还包括根据待嵌入所述有机基材层中的所述无机纳米丝网的厚度特征来选择所述有机基材层的厚度，以及形成厚度为所选择的厚度的有机基材层，并且形成透明导电膜，该导电膜的RMS表面粗糙度远小于所述无机纳米丝网的RMS表面粗糙度。
15.如权利要求13所述的方法，该方法还包括嵌入无机纳米丝网，该无机纳米丝网含有多个银纳米丝，所述银纳米丝的直径与所述网中的其它银纳米丝的直径相差至少40纳米；以及形成含有所述无机纳米丝网的复合膜，该复合膜的RMS表面粗糙度小于20纳米。
16.如权利要求13所述的方法，该方法还包括对于给定的透明度优化所述透明导电膜的薄层电阻，以及嵌入如上形成的纳米丝网，并通过该有机基材层使所述无机纳米丝网中的纳米丝电连接。
17.如权利要求13所述的方法，该方法还包括通过以下步骤形成所述无机纳米丝网：
对于待使用所述透明导电膜的特定应用，选择所述透明导电膜的透明度；以及
在将所述无机纳米丝网嵌入之前，根据所选择的透明度，形成所述纳米丝网，以实现所选择的透明度和设定的薄层电阻值。
18.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述引入步骤包括将无机纳米丝网引入至具有高折射率的有机聚合物中，以设置所述透明导电膜，从而在入射光的波长太长而不能通过所述纳米丝网中的开口的情况下，改变所述入射光的波长，以允许该入射光通过所述无机纳米丝网中的开口。
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