KR20160028554A - 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서 - Google Patents

플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20160028554A
KR20160028554A KR1020140116842A KR20140116842A KR20160028554A KR 20160028554 A KR20160028554 A KR 20160028554A KR 1020140116842 A KR1020140116842 A KR 1020140116842A KR 20140116842 A KR20140116842 A KR 20140116842A KR 20160028554 A KR20160028554 A KR 20160028554A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
nanowire
forming
substrate
touch sensor
Prior art date
Application number
KR1020140116842A
Other languages
English (en)
Inventor
곽민기
김종웅
Original Assignee
전자부품연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 전자부품연구원 filed Critical 전자부품연구원
Priority to KR1020140116842A priority Critical patent/KR20160028554A/ko
Publication of KR20160028554A publication Critical patent/KR20160028554A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Position Input By Displaying (AREA)

Abstract

보다 효율적으로 대량생산이 가능하고 신뢰성 높은 나노와이어를 제조할 수 있는 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서가 제공된다. 본 발명에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법에서는 기판 상에 희생층을 형성하고, 희생층 상에 패터닝된 나노와이어층을 형성한 후, 이를 덮도록 고분자수지층을 형성하고, 고분자수지층 상에 지지층을 형성한 후에 희생층 및 기판을 제거하여 플렉서블 터치센서를 제조한다.

Description

플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서{Nanowire touch sensor and manufacturing method thereof}
본 발명은 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 보다 효율적으로 대량생산이 가능하고 신뢰성 높은 터치센서를 제조할 수 있는 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서에 관한 것이다.
터치센서는 액정표시장치(LCD), PDP(plasma display panel), EL(electroluminescence) 등의 평판 디스플레이를 비롯한 각종 화상표시장치의 표시면에 설치되는 입력장치로, 직관적이고 다양한 UI(user interface) 및 UX(user experience)를 구현할 수 있어 대부분의 모바일 기기 및 디지털 가전에 채택되어 활용되고 있다.
이러한 터치센서는 유리기판에 형성된 투명전극 및 전극배선을 포함하여 구성되고, 여기에서 상기 투명전극으로는 일반적으로 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO)가 사용되어 왔다. 그런데 산화인듐주석은 대표적인 희소 소재로 가격이 높아 터치센서의 가격 경쟁력을 저해하는 요인으로 지적되어 왔다. 따라서 ITO를 사용하지 않거나 다른 소재로 대체하는 것은 터치센서 개발에서 큰 관심을 받고 있는 실정이다.
터치센서는 현재 대부분의 IT 기기에서 활용되고 있으며 향후에도 계속 공급량이 늘어날 것으로 전망되고 있는 바, 터치센서의 가격 경쟁력을 갖추는 것은 곧 제품의 시장 점유율과도 직결되는 문제이므로 터치센서 재료물질 및 제조공정의 개선 등을 통해 공정을 단순화시켜 생산량을 증대시키고 제조비용을 낮추고자 하는 노력이 계속 진행되고 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 보다 효율적으로 대량생산이 가능하고 신뢰성 높은 플렉서블 터치센서를 제조할 수 있는 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법은 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 상에 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계; 패터닝된 나노와이어층을 덮도록 고분자수지층을 형성하는 단계; 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계; 및 희생층 및 기판을 제거하는 단계;를 포함한다.
여기서, 기판은 유리기판, 실리콘기판 및 고분자 필름기판 중 어느 하나일 수 있다.
희생층은 고분자물질을 포함할 수 있다.
희생층 및 기판을 제거하는 단계는 희생층을 제거하여 수행될 수 있는데, 희생층을 제거하는 단계는 희생층에 자외선, 적외선 및 레이저 중 적어도 어느 하나를 조사하여 수행될 수 있다.
나노와이어층은 나노크기의 직경을 갖는 금속와이어를 포함할 수 있는데, 나노와이어층은 두께가 20 nm 내지 10 ㎛일 수 있다.
나노와이어층을 형성하는 단계는 나노와이어가 분산된 나노와이어 분산액을 희생층 상에 도포하여 수행될 수 있는데, 롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정에 따라 수행될 수 있다.
패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계는 나노와이어층을 형성하는 단계; 및 형성된 나노와이어층을 습식식각 및 건식식각 중 어느 하나의 방법을 이용하여 패터닝하여 수행될 수 있고, 또는, 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계는 패턴전사공정을 이용하여 나노와이어층의 형성에 패턴형성이 수반되도록 수행될 수 있다.
고분자수지층을 형성하는 단계는 패터닝된 나노와이어층을 고분자수지로 덮는 단계; 및 고분자수지를 반경화시키는 단계;를 포함할 수 있다. 여기서, 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계는 반경화된 고분자수지층 상에 지지층을 위치시키는 단계; 및 반경화된 고분자수지층의 경화를 완료하는 단계;를 포함할 수 있다. 이 때, 고분자수지층은 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리우레탄(PU), 폴리아크릴(PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인 (PDMS), 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 전술한 플렉서블 터치센서 제조방법에 따라 제조된 플렉서블 터치센서가 제공된다.
본 발명의 또다른 측면에 따르면, 전술한 플렉서블 터치센서를 포함하는 전자기기가 제공된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 기판 상에 터치센서를 직접 형성하는 것이 아니라 나노와이어층을 형성한 후, 패터닝된 나노와이어층을 결속하는 고분자수지층을 이용하여 플렉서블한 지지층에 이동시켜 플렉서블 터치센서를 제조함으로써, 롤-투-롤방식에 의하여 대량생산이 가능한 효과가 있다.
또한, 기판의 표면상태가 나노와이어층 최외곽에 전사됨으로써, 기판의 종류를 자유롭게 선택하여 플렉서블 터치센서의 표면조도를 개선할 수 있어 플렉서블 터치센서의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
아울러, 나노와이어층 형성공정단계 수행시의 기판과 제조된 플렉서블 터치센서의 기판이 서로 상이하여 제조공정 수행시에는 공정에 적합하고, 용이한 공정수행을 위하여 두께가 비교적 두꺼운 기판을 사용하고, 최종적으로 제조된 플렉서블 터치센서의 기판으로는 지지층으로 유연성있는 얇은 기판을 사용할 수 있으므로, 높은 효율의 제조공정을 통해 박형의 플렉서블한 플렉서블 터치센서를 얻을 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 터치센서의 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 패턴을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정패턴 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이고, 도 8은 본 발명의 일실시예에 따른 플렉서블 터치센서의 사시도이다. 이하, 도 1내지 도 8을 참조하여 설명하기로 한다. 본 실시예에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법은 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 상에 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계; 패터닝된 나노와이어층을 덮도록 고분자수지층을 형성하는 단계; 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계; 및 희생층 및 기판을 제거하는 단계;를 포함한다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법에서 플렉서블터치센서를 제조하기 위하여 먼저 기판(110)을 준비하고, 기판(110) 상에 희생층(120)을 형성한다.
기판(110)은 나노와이어층을 형성하고, 패터닝하여 전극을 터치전극을 형성하기 위한 공정 수행시 전체적인 적층물의 지지를 위한 것이다. 기판(110)은 플렉서블 터치센서의 제조에 사용되나, 반드시 플렉서블한 기판일 필요는 없는데, 이는 기판(110)은 추후 희생층(120)과 함께 제거되기 때문에다. 따라서, 기판(110)은 나노와이어층의 패터닝을 위한 공정에 적합한 기판이거나, 고분자수지층의 경화시 열경화 등에 내열성있는 기판인 것이 바람직하다. 또한, 기판(110)은 희생층(120)과 함께 제거되기 때문에 박형의 플렉서블 터치센서 제조를 위하여 두께가 얇을 필요가 없으므로 그 두께는 공정상 유리한 것이 바람직하다.
예를 들면, 기판(110)은 유리기판, 실리콘기판 및 PET 또는 PES와 같은 고분자 필름기판일 수 있다. 기판(110)은 희생층(120)을 사이에 두고, 나노와이어층(130)이 형성되므로 기판(110)의 표면이 나노와이어층(130)에 그대로 나타날 수 있다. 따라서, 기판(110)의 표면이 매끄러울수록 나노와이어층(130)의 표면조도가 개선된다. 나노와이어층(130)의 표면조도가 높은 경우, 예를 들어 모바일 기기의 디스플레이 장치에 사용되면 투명도가 낮아져 시인성이 낮아지게 된다. 따라서, 나노와이어층(130)의 표면특성을 결정짓는 기판(110)의 표면조도는 낮은 것이 바람직하다.
희생층(120)은 나노와이어층(130) 상에 고분자수지층(140)이 형성되고, 유연성있는 지지층이 형성되면, 기판(110)을 제거하기 위하여 희생되는 층이다. 희생층(120)은 고분자물질을 포함할 수 있는데, 희생층(120)의 본질적인 특성상 제거가 용이하고, 제거 후에 잔여물이 잔존할 확률이 적은 것이 바람직하다. 희생층(120)이 제거가 용이한 경우, 나노와이어층(130)의 표면에도 불순물이 존재할 확률이 낮아져 나노와이어 터치센서의 신뢰성이 높아지고, 기판(110)의 경우에는 기판(110)을 쉽게 세척하여 나노와이어 터치센서 제조에 재사용가능하다.
예를 들어, 희생층(120)이 폴리메타크릴레이트(PMMA, Poly(methylmethacrylate))와 같은 고분자물질을 포함하는 경우, 아세톤과 같은 유기용매를 이용하여 쉽게 제거가능하다. 또는 희생층(120)은 물이나 자외선, 적외선 및 레이저 등의 광조사를 통해 제거될 수 있는 물질도 포함할 수 있다. 희생층(120)은 물에 가용성인 폴리(3,4-에틸렌디옥시싸이오펜), 폴리(스티렌설포네이트), 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌 글라이콜, 및 카르복시메틸 셀룰로오스 중 적어도 하나일 수 있고, 아세톤, 에탄올, 메탄올, 이소프로필알코올, 톨루엔, 클로로포름, 디클로로메탄, 헥산, 벤젠, 디에틸에테르, 또는 에틸아세테이트와 같은 유기용매에 가용성인 물질로서, 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), PETDOT, 감광성 고분자(PR), 폴리비닐알콜(PVA), 폴리바이닐페놀(PVP) 및 폴리바이닐피롤리돈(PVP) 중 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 여기서, 폴리에틸렌(PE) 계열 고분자물질, 폴리비닐알코올, 폴리(3,4-에틸렌디옥시싸이오펜), 및 폴리(스티렌설포네이트)는 레이저 등 광에너지를 조사하여 제거될 수 있다. 이외에도 희생층(120)은 용매에 용해되거나, 열 또는 광에너지를 이용하여 제거될 수 있는 물질은 어떠한 것이든 사용가능하다.
희생층(120)은 롤-투-롤(Roll to Roll)공정과 같이 시트기반의 공정을 통해 기판(110)상에 도포될 수 있다. 또한, 나노와이어층(130)도 롤-투-롤(Roll to Roll)공정에 의해 희생층(120)상에 형성될 수 있다.
나노와이어층(130)에 사용되는 나노와이어는 나노단위의 와이어 형태의 금속 나노와이어일 수 있다. 예를 들면, 나노와이어층(130)의 나노와이어는 은(Ag), 금(Au), 구리(Cu), 니켈(Ni), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 또는 알루미늄(Al) 나노와이어일 수 있고, 이들의 조합으로 이루어진 코어쉘 와이어(core-shell wire)일 수 있다. 도 2 및 도 3을 참조하면, 나노와이어층(130)에 나노와이어들이 분포하고 있는데 나노와이어들은 서로 연결되어 전극으로서 작용할 수 있고, 나노크기이므로 투명하여 ITO와 같은 투명전극을 대체할 수 있다.
나노와이어층(130)은 전도성 향상을 위해 금속나노와이어 이외에 탄소나노튜브를 더 포함할 수 있다. 나노와이어층(130)은 두께가 20 nm 내지 10 ㎛일 수 있다.
나노와이어층(130)을 형성하는 단계는 나노와이어가 분산된 나노와이어 분산액(suspension)을 희생층(120) 상에 도포하여 수행될 수 있다. ITO 전극을 형성하기 위해서는 고온에서 고가의 장비를 이용한 반도체 공정이 수행되어야 하는데, 나노와이어를 이용하는 경우, 적절한 분산매를 이용하여 나노와이어 분산액을 도포하는 방식을 이용할 수 있다.
따라서, 나노와이어를 이용하면, 고온공정이나 고가의 장비가 필요없고, 특히 도포공정이므로 롤-투-롤(Roll to Roll)방식으로 대량생산에 효율적이며 대면적 터치센서 제조가 저비용의 간단한 공정으로 이루어질 수 있다. 또한, 나노와이어 분산액 내의 나노와이어 농도를 조절하여 나노와이어층(130)의 저항 조절이 용이하므로 사용될 전자기기에 맞춰 쉽게 나노와이어층(130)의 저항이 조절되므로 다양한 분야의 전자기기에 사용될 수 있다.
이 때 패터닝된 나노와이어층의 형성은 나노와이어층을 형성한 후에 나노와이어층을 패터닝하여 수행되거나, 나노와이어층의 코팅과 동시에 패터닝 할 수 있는 패턴전사 공정에 의해서도 수행될 수 있다. 패턴전사공정은 패턴 롤 또는 패턴 플레이트 등을 이용하여 패턴이 있는 나노와이어 형태로 코팅되는 것이 가능하다. 이 경우에 코팅 공정은 롤 기반 그라비어, 오프셋 및 임프린팅 공정에 의해 가능하며, 이와 같이 패턴 전사 공정으로 코팅되는 경우에는 별도로 나노와이어층의 패터닝 공정이 수반되지 않는다.
나노와이어층(130)이 형성되면, 나노와이어층(130)을 원하는 패턴(p)으로 패터닝한다(도 4 참조). 패터닝은 예를 들어 습식식각 또는 레이저나 플라즈마 등에 의한 건식식각 공정을 이용하여 수행될 수 있다.
패터닝된 나노와이어층(130)의 상면은 고분자수지를 이용하여 도포된다(도 5참조). 나노와이어층(130)의 패턴(p)은 고분자수지층(140)에 의해 채워져 고분자수지패턴(140p)이 형성된다.
고분자수지층(140)은 고분자수지를 포함하여 용매주형법(solvent casting)에 의해 형성될 수 있다. 즉, 고분자수지층(140)은 고분자수지를 용매에 용해시킨 후 이를 도포하고, 경화시켜 필름층을 형성될 수 있다. 고분자수지층(140)에는 용매주형법(solvent casting)이 적용될 수 있는 고분자수지라면 어떤 것이든 사용될 수 있다. 고분자수지층은 폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리우레탄(PU), 폴리아크릴(PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인 (PDMS), 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택된 어느 하나를 포함할 수 있다. 특히 비정질 고분자의 경우, 유기용매에 용해도가 높으므로 더욱 바람직하다.
고분자수지층(140)은 나노와이어층(130)을 고분자수지를 포함하는 용액으로 도포한 후, 이를 완전히 경화시키지 않고 반경화시킨 후 지지층을 라미네이션시켜 접착시킬 수 있다. 고분자수지층(140)의 반경화는 예를 들어 열경화시키는 경우, 50°에서 10분간 열경화시킬 수 있다. 지지층(150)의 라미네이션은 나노와이어 및 고분자수지의 물성에 영향을 미치지 않는 온도에서 수행된다.
도 6에서와 같이 고분자수지층(140) 상에 지지층(150)을 위치시키고 라미네이션공정을 수행한 후, 고분자수지층(140)을 완전히 경화시킨다. 완전경화시, 나노와이어 또는 탄소나노튜브가 포함된 경우 탄소나노튜브의 물성에 영향을 미치지 않는 범위에서 경화시킨다. 예를 들어 은나노와이어인 경우, 고분자수지층(140)의 경화는 250°를 초과하지 않는 것이 바람직하다. 여기서, 경화는 열경화, 가스경화, 및 광경화 중 어느 하나에 의해 수행될 수 있다.
지지층(150)이 고분자수지층(140)상에 완전히 접착되면, 희생층(120) 및 기판(110)은 제거된다(도 7 참조). 고분자수지층(140) 및 지지층(150) 사이에는 접착층(미도시)을 더 형성하여 희생층(120) 및 기판(110) 제거시나 이후 공정에서 지지층(150)이 분리되는 것을 방지할 수 있다.
희생층(120)은 전술한 바와 같이 제거가 용이한 물질을 포함하는 것이 바람직한데, 제거시에는 물이나 유기용매와 같은 용액에 디핑(dipping)하거나, 자외선, 적외선 및 레이저 등을 조사하여 제거될 수 있다. 희생층(120)의 제거에 의해 기판(110)도 함께 제거된다.
도 7에서, 플렉서블 터치센서(100)에는 지지층(150), 고분자수지층(140) 및 나노와이어층(130)이 순차적으로 적층되어 있다. 도 8을 더 참조하면, 플렉서블 터치센서(100)의 상면에는 패터닝된 나노와이어층(130)이 위치하는데, 패터닝된 부분의 나노와이어층(130)에는 고분자수지패턴(140p)이 상부로 노출되어 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 상에 나노와이어층을 형성하는 단계; 나노와이어층을 패터닝하는 단계; 패터닝된 나노와이어층을 덮도록 고분자수지층을 형성하는 단계; 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계; 및 희생층 및 기판을 제거하는 단계;를 수행하여 제조된 플렉서블 터치센서가 제공된다. 또한, 본 발명의 또다른 측면에 따르면, 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 희생층 상에 나노와이어층을 형성하는 단계; 나노와이어층을 패터닝하는 단계; 패터닝된 나노와이어층을 덮도록 고분자수지층을 형성하는 단계; 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계; 및 희생층 및 기판을 제거하는 단계;를 수행하여 제조된 플렉서블 터치센서를 포함하는 전자기기가 제공된다.
도 8의 플렉서블 터치센서(100)에는 도시되어 있지 않으나, 플렉서블 PCB등을 이용하여 배선판을 연결하면, 최종적으로 나노와이어를 이용한 플렉서블 터치센서를 얻을 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명은 상술한 특정의 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에 의해 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 이러한 변형실시들은 본 발명의 기술적 사상이나 전망으로부터 개별적으로 이해되어져서는 안될 것이다.
100 플렉서블 터치센서
110 기판
120 희생층
130 나노와이어층
140 고분자수지층
140p 고분자수지패턴
150 지지층

Claims (13)

  1. 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 상에 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계;
    상기 패터닝된 나노와이어층을 덮도록 고분자수지층을 형성하는 단계;
    상기 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계; 및
    상기 희생층 및 상기 기판을 제거하는 단계;를 포함하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기판은,
    유리기판, 실리콘기판 및 고분자 필름기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 희생층은,
    고분자물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 희생층 및 상기 기판을 제거하는 단계는,
    상기 희생층을 제거하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노와이어층은,
    나노크기의 직경을 갖는 금속와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 나노와이어층을 형성하는 단계는,
    롤-투-롤(Roll-to-Roll) 공정에 따라 수행되고,
    나노와이어가 분산된 나노와이어 분산액을 상기 희생층 상에 도포하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계는,
    나노와이어층을 형성하는 단계; 및
    상기 형성된 나노와이어층을 습식식각 및 건식식각 중 어느 하나의 방법을 이용하여 패터닝하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 패터닝된 나노와이어층을 형성하는 단계는,
    패턴전사공정을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 고분자수지층을 형성하는 단계는,
    상기 패터닝된 나노와이어층을 고분자수지로 덮는 단계; 및
    상기 고분자수지를 반경화시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 고분자수지층 상에 지지층을 형성하는 단계는,
    상기 반경화된 고분자수지층 상에 상기 지지층을 위치시키는 단계; 및
    상기 반경화된 고분자수지층의 경화를 완료하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 고분자수지층은,
    폴리이미드(PI), 폴리아미드(PA), 폴리우레탄(PU), 폴리아크릴(PA), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인 (PDMS), 실리콘수지, 불소수지, 변성 에폭시수지 및 이들의 조합으로부터 선택되는 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 터치센서 제조방법.
  12. 청구항 1 내지 청구항 11에 따른 플렉서블 터치센서 제조방법에 따라 제조된 플렉서블 터치센서.
  13. 청구항 12에 따른 플렉서블 터치센서;를 포함하는 전자기기.
KR1020140116842A 2014-09-03 2014-09-03 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서 KR20160028554A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140116842A KR20160028554A (ko) 2014-09-03 2014-09-03 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140116842A KR20160028554A (ko) 2014-09-03 2014-09-03 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20160028554A true KR20160028554A (ko) 2016-03-14

Family

ID=55541361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140116842A KR20160028554A (ko) 2014-09-03 2014-09-03 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20160028554A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190016159A (ko) * 2017-08-07 2019-02-18 한국생산기술연구원 신축성 기판에 사용되는 전선 구조체의 제조방법
CN114674468A (zh) * 2021-12-31 2022-06-28 零感科技(深圳)有限公司 一种柔性负压阻传感层及制备方法与柔性负压阻传感器
KR20220129981A (ko) * 2021-03-17 2022-09-26 티피케이 어드밴스트 솔루션스 인코포레이티드 터치 센서 및 그 제조 방법
KR20230076985A (ko) * 2021-11-24 2023-06-01 동국대학교 산학협력단 스트레쳐블 콤보센서 및 그 제조방법
KR102562695B1 (ko) * 2022-05-09 2023-08-01 충남대학교산학협력단 광학 적층체 및 이의 제조방법

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190016159A (ko) * 2017-08-07 2019-02-18 한국생산기술연구원 신축성 기판에 사용되는 전선 구조체의 제조방법
KR20220129981A (ko) * 2021-03-17 2022-09-26 티피케이 어드밴스트 솔루션스 인코포레이티드 터치 센서 및 그 제조 방법
KR20230076985A (ko) * 2021-11-24 2023-06-01 동국대학교 산학협력단 스트레쳐블 콤보센서 및 그 제조방법
CN114674468A (zh) * 2021-12-31 2022-06-28 零感科技(深圳)有限公司 一种柔性负压阻传感层及制备方法与柔性负压阻传感器
CN114674468B (zh) * 2021-12-31 2024-04-26 零感科技(深圳)有限公司 一种柔性负压阻传感层及制备方法与柔性负压阻传感器
KR102562695B1 (ko) * 2022-05-09 2023-08-01 충남대학교산학협력단 광학 적층체 및 이의 제조방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Song et al. Photoenhanced patterning of metal nanowire networks for fabrication of ultraflexible transparent devices
Yin et al. Mechanically robust stretchable organic optoelectronic devices built using a simple and universal stencil-pattern transferring technology
Nam et al. Ultrasmooth, extremely deformable and shape recoverable Ag nanowire embedded transparent electrode
US9253890B2 (en) Patterned conductive film, method of fabricating the same, and application thereof
KR20160028554A (ko) 플렉서블 터치센서 제조방법 및 플렉서블 터치센서
KR20150014857A (ko) 열 융착 전사를 이용한 유연 매립형 전극 필름의 제조 방법
Liu et al. Novel patterning method for silver nanowire electrodes for thermal-evaporated organic light emitting diodes
Huang et al. A transparent, conducting tape for flexible electronics
Um et al. High-resolution filtration patterning of silver nanowire electrodes for flexible and transparent optoelectronic devices
WO2011016725A1 (en) Method of manufacturing an opto-electric device
CN105405492A (zh) 具备高热稳定性的柔性透明导电薄膜的制备方法及其产品
KR20160084715A (ko) 투명전극 및 그의 제조방법
Araki et al. Stretchable and transparent electrodes based on patterned silver nanowires by laser-induced forward transfer for non-contacted printing techniques
Wan et al. Facile patterning of silver nanowires with controlled polarities via inkjet-assisted manipulation of interface adhesion
WO2016041259A1 (zh) 触摸屏、其制作方法及显示装置
US20150008401A1 (en) Electronic device and method of fabricating the same
US20160124128A1 (en) Printing plate, scattering layer, method for fabricating the same, and display apparatus
Jo et al. Plasticized polymer interlayer for low-temperature fabrication of a high-quality silver nanowire-based flexible transparent and conductive film
KR101892919B1 (ko) 투명 하이브리드 전극 및 그 제조방법
JP2014512098A (ja) 埋め込み構造体及びそれを含む光電デバイスを提供する装置及び方法
KR20140008607A (ko) 희생 기판을 이용한 금속 배선이 함입된 유연 기판 제조 방법 및 이에 의해 제조된 금속 배선이 함입된 유연 기판
CN105140393A (zh) 一种复合膜结构聚合物柔性基板及其制作方法
CN103871684A (zh) 应用石墨烯的结构及其制造方法
KR101588290B1 (ko) 나노 물질 패턴의 제조방법
Cui et al. Flexible organic light-emitting devices with a smooth and transparent silver nanowire electrode

Legal Events

Date Code Title Description
AMND Amendment
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment