CN106129072A - 堆叠芯片共享像素架构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种堆叠芯片共享像素架构。图像传感器包含安置于第一半导体裸片中的像素阵列。所述像素阵列被分割成多个像素子阵列。所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组。所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列。多个读出电路安置于第二半导体裸片中。互连层堆叠于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间。所述互连层包含多个导体。所述多个像素子阵列中的每一者通过所述多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者。

Description

堆叠芯片共享像素架构
技术领域
本发明一般来说涉及成像系统，且更特定来说涉及呈堆叠芯片构形的CMOS图像传感器。
背景技术
图像传感器已变得无所不在。其广泛地用于数字静态相机、蜂窝式电话、安全摄影机以及医疗、汽车及其它应用中。用以制造图像传感器且特定来说互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器的技术已不断快速地进展。举例来说，较高帧速率及较低功率消耗的需求已促进了这些图像传感器的进一步小型化及集成。
用以增加CMOS图像传感器的帧速率的一种方式可为增加并行操作的读出电路的数目。在常规图像传感器中，像素阵列中的一列像素可共享一个读出电路。在常规技术的其它实例中，像素阵列中的一列像素单元可共享多个读出电路。这些解决方案提供较高帧速率，但需要更多硅面积，此在硅图像传感器的小型化中并非有帮助的。
发明内容
在一个方面，本发明描述一种图像传感器，其包括：像素阵列，其安置于第一半导体裸片中，其中所述像素阵列被分割成多个像素子阵列，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列；多个读出电路，其安置于第二半导体裸片中；及互连层，其堆叠于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间，其中所述互连层包含多个导体，且其中所述多个像素子阵列中的每一者通过所述多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者。
在另一方面，本发明描述一种用于读出从图像传感器的像素阵列分割出的若干像素子阵列的方法，其中所述多个像素子阵列中的每一者包含多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者包含多个像素单元，所述方法包括：将所述多个像素单元复位；对包含于所述像素单元中的每一者中的所关注光电检测器进行积分以响应于入射光而在所述所关注光电检测器中光生电荷载子；将所述多个像素群组中的每一者的单个浮动扩散节点复位，其中所述单个浮动扩散节点耦合到对应像素群组的所述多个像素单元且由所述多个像素单元共享；对来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的复位信号取样，其中来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的所述复位信号是与来自其它像素子阵列的复位信号被并行地取样；将在所述所关注光电检测器中光生的电荷载子转移到所述像素群组中的每一者的所述单个浮动扩散节点；及对来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的图像信号取样，其中来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的所述图像信号是与来自其它像素子阵列的图像信号被并行地取样。
在另一方面，本发明描述一种成像系统，其包括：像素阵列，其安置于第一半导体裸片中，其中所述像素阵列被分割成多个像素子阵列，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列；多个读出电路，其包含于安置于第二半导体裸片中的读出电路中，其中所述多个像素子阵列中的每一者通过多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者；及控制电路，其安置于所述第二半导体中，耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作，其中所述控制电路安置于所述第二半导体裸片中。
附图说明
参考以下各图描述本发明的非限制性及非穷尽性实施例，其中除非另有规定，否则贯穿各个视图，相似参考编号指代相似部件。
图1是根据本发明的教示图解说明包含图像传感器的成像系统的一个实例的框图，所述图像传感器包含具有布置于像素子阵列中的多个像素的像素阵列，所述像素阵列具有用于堆叠CMOS图像传感器方案中的低功率、快速读出的像素架构。
图2是根据本发明的教示的包含包含于像素阵列中的实例性像素子阵列的图像传感器的一部分的示意图。
图3是根据本发明的教示展示用于读出被分割成像素子阵列的像素阵列的实例性过程的流程图。
在图式的所有数个视图中，对应参考字符指示对应组件。所属领域的技术人员将了解，各图中的元件是为简单及清晰起见而图解说明的，且未必按比例绘制。举例来说，为帮助改进对本发明的各种实施例的理解，各图中的元件中的一些元件的尺寸可能相对于其它元件被放大。而且，通常不描绘在商业上可行的实施例中有用或必需的常见而众所周知的元件以便促进对本发明的这些各种实施例的较不受阻碍的观看。
具体实施方式
根据本发明的教示揭示用于读出包含于多个像素群组(包含于从堆叠CMOS图像传感器中的像素阵列分割出的多个像素子阵列中)中的多个像素单元的成像系统与方法的实例。在以下描述中，陈述众多特定细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，所属领域的技术人员将明了，无需采用特定细节来实践本发明。在其它例子中，未详细描述众所周知的材料或方法以避免使本发明模糊。
在本说明书通篇中对“一个实施例”、“一实施例”、“一个实例”或“一实例”的提及意指结合所述实施例或实例所描述的特定特征、结构或特性包含于本发明的至少一个实施例中。因此，在本说明书通篇的各个位置中短语“在一个实施例中”、“在一实施例中”、“一个实例”或“一实例”的出现未必全部指代同一实施例或实例。此外，所述特定特征、结构或特性可在一或多个实施例或实例中以任何适合组合及/或子组合而组合。特定特征、结构或特性可包含于集成电路、电子电路、组合逻辑电路或提供所描述功能性的其它适合组件中。另外，应了解，随本文提供的各图是出于向所属领域的技术人员阐释的目的且图式未必按比例绘制。
如将在各种实例中揭示，用以以高速度及/或低功率读出像素阵列的有效方法利用布置于堆叠CMOS芯片解决方案中的像素子阵列，其中像素单元包含于第一半导体裸片中，且其中读出电路包含于第二半导体裸片中。例如，在一个实例中，所述第一半导体裸片可为像素裸片，且所述第二半导体裸片可为专用集成电路(ASIC)裸片。在一个实例中，所述像素子阵列可由n×m个像素群组的集群组成。在所述实例中，在所述n×m个像素群组内的像素单元的放大器输出节点耦合在一起使得所述n×m个像素群组中的每一者共享包含于根据本发明的教示的读出电路中的单个读出电路。在所述实例中，根据本发明的教示以高速度及/或以低功率并行读出所述像素子阵列。
为图解说明，图1是根据本发明的教示图解说明包含具有被分割成多个像素子阵列的像素阵列105的图像传感器的实例性成像系统100的框图，像素阵列105包含用于堆叠图像传感器方案中的低功率、快速读取的像素架构。在所图解说明的实例中，成像系统100借助堆叠CMOS芯片来实现，堆叠CMOS芯片包含与ASIC裸片180堆叠在一起且耦合到ASIC裸片180的像素裸片170。例如，在一个实例中，像素裸片170包含像素阵列105，且ASIC裸片180包含控制电路120、读出电路130及功能逻辑140。在所描绘的实例中，控制电路120耦合到像素阵列105的控制操作，像素阵列105经耦合以由读出电路130通过位线160读出。
特定来说，在图1中所描绘的实例中，像素阵列105为被分割成如所展示的多个像素子阵列110的二维(2D)阵列。在一个实例中，每一像素子阵列110包含多个像素群组，所述多个像素群组中的每一者包含多个像素单元(图1中未展示)。在所述实例中，像素子阵列中的所述多个像素群组中的每一者经耦合以利用位线160中的同一位线，且共享读出电路130中的同一读出电路，下文将结合图2描述其更多细节。
控制电路120耦合到像素阵列105以控制像素阵列105的操作特性。在一个实例中，控制电路120经耦合以产生用于控制每一像素单元的图像获取的全局快门信号。在所述实例中，所述全局快门信号同时启用像素阵列105的所有像素子阵列110内的特定像素单元以在单个获取窗期间同时转移来自其相应光电检测器的图像电荷。
在一个实例中，在像素子阵列110中的像素单元中的每一者已获取其图像数据或图像电荷之后，由读出电路130通过位线160中的一位线读出图像数据。在各种实例中，读出电路130可包含放大电路、模/数转换(ADC)电路或其它电路。功能逻辑140可仅存储所述图像数据或甚至通过应用图像后效果(例如，剪裁、旋转、移除红眼、调整亮度、调整对比度或其它)来操纵所述图像数据。
图2是根据本发明的教示的包含像素子阵列210的图像传感器的一部分的一个实例的示意图，像素子阵列210可为包含于例如(举例来说)图1的像素阵列105的像素阵列中的多个像素子阵列中的一者。在图2中所描绘的实例中，像素子阵列210包含被布置成n＝2列及m＝2行的多个像素群组220、221、222及223。构成图2中所描绘的实例中的像素子阵列210的四个像素群组220、221、222及223中的每一者包含被布置成p＝2列及q＝2行的四个像素单元230、231、232及233以及由每一像素群组220、221、222及223的所有四个像素单元230、231、232及233共享的像素支持电路240。
像素单元为图1的像素阵列105中的最小重复单元，且图2中所图解说明的实例中所展示的像素单元230、231、232及233中的每一者包含光电检测器251及经耦合以由转移信号TG控制的转移晶体管252。布置于像素阵列105中的同一行中且在相应像素群组内的同一位置中的转移晶体管可由同一转移信号控制。举例来说，布置于像素群组220的左上角中的像素单元230的转移晶体管252由转移信号TG1(i-1)控制，且像素群组221中的布置于与像素群组220中的像素单元230相同的行中的对应像素单元也包含由如所展示的转移信号TG1(i-1)控制的转移晶体管。
例如像素群组220的特定像素群组的像素单元230、231、232及233中的四个转移晶体管252中的每一者共享单个浮动扩散节点241。所图解说明的实例中所展示的像素支持电路240中的每一者耦合到每一特定像素群组的像素单元230、231、232及233中的四个转移晶体管252且由四个转移晶体管252共享，且包含复位晶体管242、放大器晶体管243(其在所图解说明的实例中为源极随耦器(SF)耦合的晶体管243)、行选择晶体管244及电容器245(其耦合到电容器线270)。浮动扩散节点241经耦合以经由电力供应器RFD通过复位晶体管242复位到浮动扩散复位电压。复位晶体管242经耦合以响应于复位信号RST而受控制。在所述实例中，布置于同一行中的像素群组由同一复位信号控制。例如，像素群组220及221由复位信号RST(i-1)控制，而像素群组222及223由复位信号RST(i)控制。
浮动扩散节点241还耦合到放大器晶体管的控制端子，图2中的所述放大器晶体管为使其栅极端子耦合到浮动扩散节点241且使其漏极端子耦合到电力供应器VDD的源极随耦器晶体管243。在所描绘的实例中，行选择晶体管244由行选择信号控制。在所述实例中，布置于同一行中的像素群组由同一行选择信号RS控制。例如，像素群组220及221由行选择信号RS(i-1)控制，而像素群组222及223由行选择信号RS(i)控制。在一个实例中，行选择晶体管244耦合于位线260与源极随耦器晶体管243的漏极端子之间。源极随耦器晶体管243的源极端子耦合到位线260。同一像素子阵列中的像素单元耦合到同一位线。
电容器245耦合于浮动扩散部241与电容器线270之间。在所描绘的实例中，耦合到像素群组220及222的电容器线270经耦合以接收信号cap_line(j)。电容器245可增加浮动扩散节点241的电容以响应于cap_line(j)而增加像素单元的动态范围。在所图解说明的实例中，每一像素群组220、221、222及223的电容器245可用于在正读取特定像素群组时停用其它像素群组。例如，可在像素群组221及223的读出期间通过响应于cap_line(j)将低电压施加到电容器线270而停用像素群组220及222。类似地，可在像素群组220及222的读出期间通过经由cap_line(j+1)施加低电压而停用像素群组221及223。
在其它实例中，应了解，可省略电容器245及电容器线270，且可通过将低电压施加到RFD而停用含有不被读出的像素单元的像素群组。在其它实例中，可通过以下方式停用含有不被读出的像素单元的像素群组：在浮动扩散部241与例如接地的低电压之间耦合下拉晶体管；及启用下拉晶体管以将低电压提供到浮动扩散部241。
如上文所总结，应注意，在图2中所描绘的实例中，像素子阵列210包含布置于n×m阵列中的多个像素群组，其中n＝2且m＝2。另外，应注意，每一像素群组包含布置于p×q阵列中的多个像素单元，其中p＝2且q＝2，且其中每一像素群组中的像素单元全部共享同一像素支持电路240。当然应了解，所图解说明的实例出于阐释目的而利用n＝2、m＝2、p＝2及q＝2，且在其它实例中，可针对n、m、p及q利用其它值，其中n>1，m>1，p>1且q>1，且其中n、m、p及q为整数。
如所描绘的实例中所图解说明，像素子阵列210的所有像素单元形成于像素裸片270上，且共享同一位线260。在一个实例中，位线260可将像素子阵列210的所有像素单元耦合到单个读出电路285，读出电路285可包含为包含于形成于与像素裸片270堆叠在一起且耦合到像素裸片270的ASIC裸片280上的读出电路283中的多个读出电路中的一者。在一个实例中，包含于读出电路283中的所述多个读出电路中的每一单个读出电路285通过单个位线260耦合到所述多个像素子阵列中的单一者。在一个实例中，互连层290安置于像素裸片270与ASIC裸片280之间。在一个实例中，互连层290可包含多个导体。在实例中，可利用所述多个导体中的每一者将读出电路283耦合到包含于像素裸片270中的电路。
例如，在图2中所描绘的实例中，使用包含于互连层290中的所述多个导体中的一者实现位线260。换句话说，在一个实例中，像素裸片270中的所述多个像素子阵列(例如，像素子阵列210)中的每一单一者可通过包含于互连层290中的所述多个导体(例如，位线260)中的对应单一者耦合到包含于ASIC裸片280中的读出电路283中的多个读出电路(例如，读出电路285)中的对应单一者。如此，在一个实例中，根据本发明的教示，可由所述多个读出电路中的对应单一者通过所述多个导体中的对应单一者或单个位线并行读出所述多个像素子阵列中的每一单一者。
在一个实例中，互连层290可包含导通体，例如微型穿硅导通体(μTSV)或穿硅导通体(TSV)。在其它实例中，一个像素子阵列210可耦合到形成于ASIC裸片280上的一个以上读出电路285。在又其它实例中，两个或两个以上像素子阵列210可共享形成于ASIC裸片280上的一个读出电路285。在一个实例中，所述多个读出电路285中的每一者可包含形成于ASIC裸片280上的模/数转换器(ADC)电路、加法器及存储器(例如静态随机存取存储器(SRAM)或动态随机存取存储器(DRAM))。在再其它实例中，所述多个读出电路285中的每一者可包含形成于ASIC裸片280上的ADC电路及加法器，其中例如SRAM及DRAM的存储器形成于可通过互连层耦合到ASIC裸片280的存储器裸片上。
图3是根据本发明的教示展示用于并行读出从图像传感器的像素阵列分割出的若干像素子阵列的实例性过程的流程图。在所描绘的实例中，应了解，所述过程可应用于(举例来说)如在上文中关于图1及/或图2所描述的像素子阵列。例如，如上文所描述，每一像素子阵列包含多个像素群组，所述多个像素群组中的每一者包含如上文关于图1及/或图2详细论述的多个像素单元。例如，在读出周期期间，每次从图1中的像素阵列105的每个像素子阵列110选择一个像素单元，且根据本发明的教示与像素阵列的其它像素子阵列并行读出像素子阵列110。
为图解说明，在图3的过程框310中，将每一像素子阵列110中的像素单元复位。在一个实例中，通过断言相应复位信号RST及转移信号TG而将像素单元复位。在所述实例中，在将像素子阵列110的所关注像素单元复位之后对复位信号RST及转移信号TG两者解除断言。
在过程框320中，对像素子阵列110的所关注光电检测器进行积分。在此时间期间，响应于光电检测器上的入射光而在所关注光电检测器中光生电荷载子。
在过程框330中，通过以下方式将像素群组中的每一者中与所关注像素单元相关联的单个浮动扩散节点复位：断言相关联复位信号RST以接通像素群组的复位晶体管。在将浮动扩散部复位之后，对复位信号RST解除断言。
在过程框340中，通过以下方式对来自像素子阵列的所关注像素群组的浮动扩散节点的复位信号与来自其它像素子阵列的复位信号并行地取样：断言所关注像素群组的相关联行选择信号RG，且在一些实例中视需要断言及/或解除断言其它像素群组的cap_lines。在一个实例中，应了解，根据本发明的教示，每一像素子阵列的复位信号是与来自图像传感器的其它像素子阵列的其它复位信号被并行地取样。在对复位信号取样之后对相关联行选择信号RG解除断言。
在过程框345中，当断言所关注像素群组的相关联转移信号TG时将所关注光电检测器中的光生的电荷载子转移到所关注像素群组的相关联浮动扩散节点。在已将像素子阵列110的所关注像素单元的电荷载子转移到浮动扩散节点且对所述电荷载子取样之后对转移信号TG解除断言。
在过程框350中，通过以下方式对来自像素子阵列的所关注像素群组的浮动扩散节点的图像信号与来自其它像素子阵列的图像信号并行地取样：断言所关注像素群组的相关联行选择信号RG，且在一些实例中视需要断言及/或解除断言其它像素群组的cap_lines。在一个实例中，应了解，根据本发明的教示对每一像素子阵列的图像信号与来自图像传感器的其它像素子阵列的其它图像信号并行地取样。在对图像信号取样之后对相关联列行择信号RG解除断言。
在决策框360中，如果尚未读出的像素子阵列中存在更多像素单元，那么处理循环回到过程框330，其中如所展示将与所关注像素单元相关联的像素群组中的每一者中的单个浮动扩散节点复位。
如果在决策框360中确定已读出像素子阵列的所有像素单元，那么处理循环回到过程框310，其中如所展示将像素子阵列110的所有像素单元复位。在一个实例中，决策框可确定是否已读出像素子阵列中的像素单元的子集，且如果已读出，那么将像素子阵列110中的像素单元的所述子集的全部复位。
包含发明摘要中所描述内容的本发明的所图解说明实例的以上描述并不打算为穷尽性或限制于所揭示的精确形式。尽管出于说明性目的而在本文中描述本发明的特定实施例及实例，但可在不背离本发明的较宽广精神及范围的情况下做出各种等效修改。
鉴于上文详细描述，可对本发明的实例做出这些修改。以下权利要求书中使用的术语不应理解为将本发明限制于说明书及权利要求书中所揭示的具体实施例。相反，所述范围将完全由以下权利要求书来确定，所述权利要求书将根据所创建的权利要求解释原则来加以理解。因此，本说明书及各图应视为说明性的而非限制性的。

Claims (20)

1.一种图像传感器，其包括：
像素阵列，其安置于第一半导体裸片中，其中所述像素阵列被分割成多个像素子阵列，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列；
多个读出电路，其安置于第二半导体裸片中；及
互连层，其堆叠于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间，其中所述互连层包含多个导体，且其中所述多个像素子阵列中的每一者通过所述多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中p及q为大于1的整数。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个n×m个像素群组。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其中n及m为大于1的整数。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素群组中的每一者包含耦合到包含于所述多个像素群组中的所述每一者中的所述p×q个像素单元阵列且由所述p×q个像素单元阵列共享的像素支持电路。
6.根据权利要求5所述的图像传感器，其中所述p×q个像素单元阵列中的所述像素单元中的每一者包含通过转移晶体管耦合到所述像素支持电路的光电检测器。
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中所述像素支持电路包括：
浮动扩散节点，其耦合到所述像素单元中的每一者的所述转移晶体管；
放大器晶体管，其耦合到所述浮动扩散节点；
行选择晶体管，其耦合于位线与所述放大器晶体管之间；及
复位晶体管，其耦合于所述浮动扩散节点与复位电压之间。
8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述像素支持电路进一步包括耦合于所述浮动扩散节点与电容器线之间的电容器。
9.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述位线进一步耦合到所述多个导体中的所述对应一者，使得所述多个像素子阵列中的每一者通过所述位线耦合到所述多个读出电路中的所述对应一者。
10.一种用于读出从图像传感器的像素阵列分割出的若干像素子阵列的方法，其中所述多个像素子阵列中的每一者包含多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者包含多个像素单元，所述方法包括：
将所述多个像素单元复位；
对包含于所述像素单元中的每一者中的所关注光电检测器进行积分以响应于入射光而在所述所关注光电检测器中光生电荷载子；
将所述多个像素群组中的每一者的单个浮动扩散节点复位，其中所述单个浮动扩散节点耦合到对应像素群组的所述多个像素单元且由所述多个像素单元共享；
对来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的复位信号取样，其中来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的所述复位信号是与来自其它像素子阵列的复位信号被并行地取样；
将在所述所关注光电检测器中光生的电荷载子转移到所述像素群组中的每一者的所述单个浮动扩散节点；及
对来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的图像信号取样，其中来自所述多个像素子阵列中的每一者的所述单个浮动扩散节点的所述图像信号是与来自其它像素子阵列的图像信号被并行地取样。
11.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括响应于耦合到所述多个像素群组中的每一者的所述单个浮动扩散节点的电容器而停用不被取样的像素群组。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述对所述复位信号取样及所述对所述图像信号取样包括用读出电路通过多个导体读出所述复位信号且读出所述图像信号，所述多个导体穿过堆叠于第一半导体裸片与第二半导体裸片之间的互连层，其中所述第一半导体裸片包含所述像素阵列，且其中所述第二半导体裸片包含所述读出电路。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述用读出电路读出所述复位信号及所述用读出电路读出所述图像信号包括通过所述多个导体中的对应单一者用包含于所述读出电路中的多个读出电路中的对应单一者并行地读出来自所述多个像素子阵列中的每一单一者的信号。
14.一种成像系统，其包括：
像素阵列，其安置于第一半导体裸片中，其中所述像素阵列被分割成多个像素子阵列，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个像素群组，且其中所述多个像素群组中的每一者被布置成p×q个像素单元阵列；
多个读出电路，其包含于安置于第二半导体裸片中的读出电路中，其中所述多个像素子阵列中的每一者通过多个导体中的对应一者耦合到所述多个读出电路中的对应一者；及
控制电路，其安置于所述第二半导体裸片中，耦合到所述像素阵列以控制所述像素阵列的操作，其中所述控制电路安置于所述第二半导体裸片中。
15.根据权利要求14所述的成像系统，其进一步包括堆叠于所述第一半导体裸片与所述第二半导体裸片之间的互连层，其中所述多个导体包含于所述互连层中。
16.根据权利要求14所述的成像系统，其进一步包括耦合到所述读出电路以存储从所述像素阵列读出的图像数据的功能逻辑，其中所述功能逻辑安置于所述第二半导体裸片中。
17.根据权利要求14所述的成像系统，其中所述多个像素子阵列中的每一者被布置成多个n×m个像素群组。
18.根据权利要求17所述的成像系统，其中n、m、p及q为大于1的整数。
19.根据权利要求14所述的成像系统，其中所述多个像素群组中的每一者包含耦合到包含于所述多个像素群组中的所述每一者中的所述p×q个像素单元阵列且由所述p×q个像素单元阵列共享的像素支持电路。
20.根据权利要求19所述的成像系统，其中所述像素支持电路包括：
浮动扩散节点，其耦合到所述p×q个像素单元阵列中的所述像素单元中的每一者，其中所述p×q个像素单元阵列中的所述像素单元中的每一者包含通过转移晶体管耦合到所述像素支持电路的光电检测器；
放大器晶体管，其耦合到所述浮动扩散节点；
行选择晶体管，其耦合于耦合到所述读出电路的位线与所述放大器晶体管之间；及
复位晶体管，其耦合于所述浮动扩散节点与复位电压之间。
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