CN106098541A - 制造掩模的方法 - Google Patents

制造掩模的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106098541A
CN106098541A CN201610285796.9A CN201610285796A CN106098541A CN 106098541 A CN106098541 A CN 106098541A CN 201610285796 A CN201610285796 A CN 201610285796A CN 106098541 A CN106098541 A CN 106098541A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photoresist layer
layer
photoresist
gripper shoe
presumptive area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610285796.9A
Other languages
English (en)
Inventor
朴帝亨
金璟陪
金柄范
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN106098541A publication Critical patent/CN106098541A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H10K71/233—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers by photolithographic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
    • G03F7/0043—Chalcogenides; Silicon, germanium, arsenic or derivatives thereof; Metals, oxides or alloys thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
    • G03F7/2018—Masking pattern obtained by selective application of an ink or a toner, e.g. ink jet printing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition

Abstract

提供了一种制造掩模的方法，该方法包括：准备支撑板；在支撑板上形成光阻挡层；固化光阻挡层的预定区域；以及去除光阻挡层的除了所述预定区域之外的其它区域。

Description

制造掩模的方法
技术领域
本公开涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种制造掩模的方法。
背景技术
显示装置的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光显示器(OLED)、场效应显示器(FED)、电泳显示器等。
具体地，有机发光显示装置包括两个电极和置于两个电极之间的有机发光层。从一个电极注入的电子和从另一电极注入的空穴在有机发光层中结合以形成激子，当激子释放能量时，发射光。
与液晶显示器不同，有机发光显示装置是自发光的，因此不需要光源。由于这个原因，OLED可以薄于LCD且可以质轻于LCD。另外，OLED可以表现出诸如低功耗、高亮度和快速响应速度的高质量特性。这些特性使有机发光显示装置作为下一代显示装置而受到关注。
有机发光显示器包括可以由金属制成的各种导线。金属线的期望图案通过在基底上形成金属层、在金属层上形成掩模图案和对其执行蚀刻以去除金属层的不被形成的掩模图案掩盖的部分来形成。
这里，掩模图案通过在金属层上薄薄地施用光致抗蚀剂、在光致抗蚀剂上放置期望的光掩模和将光穿过掩模施加到光致抗蚀剂来形成。
通过示出在图1中的工艺形成光掩模。将光阻挡层3和光致抗蚀剂5顺序地堆叠在石英基底1上(请参考图1(A))。接着，利用光源7照射光致抗蚀剂5(如图1(B)中所示)，在光致抗蚀剂5上执行显影和蚀刻工艺以形成图1(C)中示出的图案。此后，去除蚀刻的光致抗蚀剂5(a)，制造其上形成有期望的光阻挡层图案3(a)的光掩模。
然而，通过上述工艺制造的光掩模导致高的制造成本并需要大量时间。
在该部分中公开的上面的信息仅用于增强对相关技术的理解，因此，它可以包含不是现有技术的信息。
发明内容
本发明提供了一种具有减少的制造成本和制造时间的制造掩模的方法。
本发明提供了一种制造显示装置的方法，该方法在制造用于形成金属线的蚀刻掩模方面具有减少的成本和时间。
本发明的示例性实施例提供了一种制造掩模的方法，所述方法包括：准备支撑板；在支撑板上形成光阻挡层；固化光阻挡层的预定区域；以及去除光阻挡层的除了所述预定区域之外的其它区域。
可以重复地执行光阻挡层的形成和光阻挡层的固化。
所述方法还可以包括：在形成光阻挡层之前在支撑板上形成钝化层。钝化层可以防止光阻挡层固化时产生的热传递到支撑板。
钝化层可以是氮化硅膜、氧化硅层和氮氧化硅层中的任何一种。
在光阻挡层的形成中，可以通过将光阻挡材料施用到支撑板来形成光阻挡层。
光阻挡材料可以由铬(Cr)或氧化铬(例如，CrO、Cr2O3、CrO3、CrO5等)形成。
可以通过辊或刮刀(doctor blade)将光阻挡材料施用到支撑板。
可以通过用激光照射光阻挡层的所述预定区域来执行光阻挡层的固化。
在光阻挡层的去除中，可以通过对其喷射空气来将光阻挡层的其它区域与光阻挡层的所述预定区域分离。支撑板可以是透光的。
本发明的示例性实施例提供了一种制造掩模的方法，所述方法包括：准备支撑板；在支撑板上以预定图案施用光阻挡材料；以及固化光阻挡材料。
可以重复地执行光阻挡材料的施用和光阻挡材料的固化。
光阻挡材料可以由铬(Cr)或氧化铬形成。
本发明的示例性实施例提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：准备基底；在基底上形成绝缘层；在绝缘层上形成金属层；在金属层上形成光阻挡层；固化光阻挡层的预定区域；去除光阻挡层的除了所述预定区域之外的其它区域；以及蚀刻金属层，使得暴露绝缘层。利用光阻挡层的所述预定区域作为掩模来蚀刻金属层。
可以重复地执行光阻挡层的形成和光阻挡层的固化。
所述方法还可以包括：在形成光阻挡层之前在金属层上形成钝化层。钝化层可以防止光阻挡层固化时产生的热传递到金属层。
钝化层可以是氮化硅膜、氧化硅层和氮氧化硅层中的任何一种。
在光阻挡层的形成中，可以通过将抗蚀刻材料施用到金属层来形成光阻挡层。
在光阻挡层的去除中，可以通过对其喷射空气来将光阻挡层的其它区域与光阻挡层的所述预定区域分离。所述方法还可以包括去除光阻挡层的所述预定区域。
根据本发明的示例性实施例的用于制造掩模的方法，由于重复地执行薄薄地形成光阻挡层和固化光阻挡层以具有预定图案的工艺来制造掩模，所以与通过光刻制造光掩模的相关技术的工艺相比，可以显著地降低制造成本并可以简化制造时间和工艺。
另外，根据本发明的示例性实施例的用于制造显示装置的方法，由于与制造掩模的方法相似，通过形成光阻挡层和固化光阻挡层以具有预定图案的工艺制造蚀刻掩模来形成线，所以可以减少用于形成金属线所需要的成本和时间。
附图说明
通过参考下面的结合附图考虑时的详细描述，将容易地获得对本公开及其许多附随方面的更完整的认识，同时其变得更好理解，其中：
图1是示出制造掩模的工艺的示意图；
图2是示出根据本发明的示例性实施例的制造掩模的设备的示意图；
图3至图12是示出根据本发明的示例性实施例的制造掩模的方法的顺序工艺的示意图；
图13是示出根据本发明的示例性实施例的制造掩模的方法的示意图；
图14是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的像素的等效电路图；
图15是根据本发明的示例性实施例的有机发光显示装置的剖视图；以及
图16至图20是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的顺序工艺的示意图。
具体实施方式
将参照附图详细地描述实施例。然而，本发明可以以许多不同形式实施而不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在图中，为了说明书的清楚，可以夸大层和区域的厚度。当层被称作“在”另一层或基底“上”时，该层可以直接形成在所述另一层或基底上或者间接形成在所述另一层或基底上且在其间具有中间层。贯穿说明书，同样的附图标记可以指同样的元件。
在根据本发明的示例性实施例的制造掩模的过程中，将在光透射支撑板上形成光阻挡层的工艺和固化形成的光阻挡层以具有预定图案的工艺重复。去除除了固化的图案之外的剩余的光阻挡层以形成掩模。
首先，将参照图2简要地描述用于通过前述的掩模制造方法制造掩模的掩模制造设备。
参照图2，掩模制造设备包括第一转移单元50和第二转移单元70、光源10、扫描器30和辊90。
这里，第一转移单元50在竖直方向上移动光透射支撑板40。当在光透射支撑板40上形成光阻挡层80并通过扫描器30固化光阻挡层80时，第一转移单元50向上移动光透射支撑板40。
第二转移单元70设置为与第一转移单元50相邻。第二转移单元70在竖直方向上将用于形成光阻挡层80的光阻挡材料60转移。
这里，辊90将位于第二转移单元70上的光阻挡材料60朝着第一转移单元50移动。这里，还可以使用刮刀代替辊90。
此后，第二转移单元70向上转移光阻挡材料60。
扫描器30将来自光源10(例如，激光器)的光束指引到光透射支撑板40上的光阻挡层80。扫描器30照射光阻挡层80的预定区域。这里，光阻挡层80的预定区域形成为掩模图案。
在下文中，将参照图3至图12描述根据示例性实施例的制造掩模的方法。
参照图3，首先，准备支撑板310。支撑板310支撑掩模图案，并允许选择性地穿过掩模图案的光透射过支撑板310。
因此，支撑板310可以是透光的。例如，支撑板310可以由石英等形成。然而，用于形成支撑板310的材料不限于此，且支撑板310可以由用于形成光掩模的光透射支撑板的各种已知材料形成。
接着，在支撑板310上形成光阻挡层330。通过薄薄地施用粉末状的光阻挡材料来形成光阻挡层330。
如图3中所示，利用辊或刮刀(未示出)来将光阻挡材料薄薄地施用到支撑板310。
这里，光阻挡材料可以形成为包括铬(Cr)、氧化铬(例如CrO、Cr2O3、CrO3、CrO5等)或碳(C)的有机材料。然而，光阻挡材料不限于此，且可以使用用作光掩模的光阻挡材料的各种已知材料。
在下文中，如图4中所示，利用光源500固化光阻挡层330的预定区域。这里，在固化光阻挡层330的工艺期间，利用光束来固化光阻挡层330的预定区域。
这里，激光或电子束可以用作光源500。然而，光源500不限于此，可以使用能够固化光阻挡材料的各种已知光源。在下文中，将描述通过激光固化光阻挡材料的情形作为示例。
光源500的温度根据形成光阻挡层的光阻挡材料的熔点而改变。例如，当光阻挡材料为铬时，由光源500产生的温度可以为大约1900℃(铬的熔点)。
当掩模制造工艺完成时，光阻挡层330的预定区域是与掩模图案对应的区域。例如，预定区域可以与光掩模的用于阻挡光的区域对应。
详细地，参照图5，当铬用作光阻挡材料时，铬在已被激光照射的预定区域330(a)中熔化并固化。相反地，光阻挡层330的未被激光照射的其它区域330(b)不固化。例如，光阻挡层330的未被激光照射的区域330(b)保持粉末态。
根据本发明的示例性实施例，重复地执行形成光阻挡层的工艺和固化光阻挡层的工艺。例如，重复地执行形成光阻挡层、固化预定区域、形成光阻挡层和固化预定区域的工艺。
参照图6，在光阻挡层330上形成光阻挡层350。如上所述，将新的光阻挡材料薄薄地施用在原光阻挡层330上方。
此后，如图7中所示，利用光源500固化光阻挡层350的预定区域。
参照图8，固化已经被激光照射的预定区域350(a)，而不固化未被激光照射的区域350(b)。
重复地，如图9中所示，在光阻挡层350上形成另外的光阻挡层370。如上所述，将光阻挡材料薄薄地施用在最后的光阻挡层350的上方。
此后，如图10中所示，利用光源500固化光阻挡层370的预定区域。
参照图11，固化已经被照射的预定区域370(a)，而不固化未被照射的其它区域370(b)。
此后，当完成固化光阻挡层330、350和370的工艺时，如图12中所示去除光阻挡层的其它区域330(b)、350(b)和370(b)。
参照图12，当光阻挡层的其它区域330(b)、350(b)和370(b)被去除时，仅光阻挡层的预定区域390(330(a)、350(a)和370(a))保留在支撑板310上。
光阻挡层的剩余的预定区域330(a)、350(a)和370(a)与光掩模的掩模图案对应。
这里，执行去除光阻挡层的工艺，作为去除粉末状的光阻挡材料的工艺。例如，可以通过将空气喷射到支撑板310来去除粉末状的光阻挡材料。可选择地，可以将支撑板310翻转，可以将空气喷射到光阻挡层的其它区域330(b)、350(b)和370(b)以去除粉末状的光阻挡材料。此后，可以清洗或干燥预定区域330(a)、350(a)和370(a)。
这里，可以收集分离的粉末状的光阻挡材料，并将其回收，作为用于形成光阻挡层的光阻挡材料。
根据本发明的示例性实施例，在形成光阻挡层330之前可以在支撑板310上形成钝化层(未示出)。
这里，钝化层可以防止支撑板310被光阻挡层330、350和370固化时产生的热损坏。详细地，钝化层可以防止固化光阻挡层330、350和370时产生的热传递到支撑板310。这里，钝化层可以由氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层或氮氧化硅(SiOxNy)层形成。
通过上述工艺在支撑板310上形成掩模图案330(a)、350(a)和370(a)之后，可以另外执行检查掩模图案的工艺或形成覆层(overcoat)以覆盖掩模图案的工艺。
在下文中，将描述根据本发明的示例性实施例的用于制造掩模的方法。在描述根据本发明的示例性实施例的用于制造掩模的方法时，可以省略与根据前述示例性实施例的用于制造掩模的方法的工艺相同或相似的工艺的详细描述。
参照图13，首先，准备支撑板410。支撑板410支撑掩模图案，并允许选择性地穿过掩模图案的光透射过支撑板410。
因此，支撑板410可以是透光的。例如，支撑板410可以由石英等形成。然而，用来形成支撑板410的材料不限于此，且支撑板410可以由用来形成光掩模的光透射支撑板的各种已知材料形成。
接着，将光阻挡材料430以预定图案施用到支撑板410。如图13中所示，光阻挡材料从提供单元450提供并薄薄地堆叠在支撑板410上。
这里，光阻挡材料430可以是包括铬(Cr)、氧化铬或碳的有机材料。然而，光阻挡材料430不限于此，且可以使用用作光掩模的光阻挡材料的各种已知材料。
此后，利用光源(未示出)或电子束固化光阻挡材料。这里，激光或电子束可以用来执行光阻挡材料430的固化。然而，光源不限于激光，且可以使用能够固化光阻挡材料的各种已知光源。
根据本发明的示例性实施例，重复地执行施用光阻挡材料的工艺和固化光阻挡材料的工艺。例如，重复以预定图案施用光阻挡材料、固化施用的光阻挡材料、以预定图案施用光阻挡材料和固化施用的光阻挡材料的工艺。
与上述的先前的方法不同，这里，以预定图案施用光阻挡材料430。例如，在上面描述的方法中，将光阻挡材料430施用到支撑板310的整个表面，然而这里，以预定图案(例如，光掩模的掩模图案)施用光阻挡材料430。
按照根据本发明的示例性实施例的制造掩模的方法，可以省略诸如在先前的示例性实施例中执行的去除光阻挡材料的工艺。例如，在先前描述的方法中，需要去除未固化的光阻挡材料的工艺，但是这里，可以省略去除未固化的光阻挡材料的工艺。
图14是有机发光显示装置的像素的等效电路图，图15是有机发光显示装置的剖视图。图16至图20是示出根据本发明的示例性实施例的制造显示装置的方法的顺序工艺的视图。
在下文中，将参照图16至图20描述根据示例性实施例的制造显示装置的方法。
首先，将参照图14和图15描述通过根据示例性实施例的制造方法制造的显示装置。
参照图14和图15描述的显示装置涉及到有机发光显示装置。
然而，根据示例性实施例的显示装置不限于此，本发明还可以应用于液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、场效应显示器(FED)和电泳显示装置等。
参照图14，有机发光显示装置包括多条信号线121、171和172以及与其连接的像素PX。像素PX可以是红色像素(R)、绿色像素(G)或蓝色像素(B)。
信号线可以包括传输栅极信号(或扫描信号)的扫描信号线121、传输数据信号的数据线171、传输驱动电压的驱动电压线172等。扫描信号线121基本在行方向上延伸并基本彼此平行，数据线171基本在列方向上延伸并基本彼此平行。驱动电压线172示出为基本在列方向上延伸，但是它还可以在行方向上或在列方向上延伸或者可以形成为具有网形状，例如，在行方向和列方向两者上设置。
这里，一个像素PX包括薄膜晶体管(TFT)(包括开关晶体管T1和驱动晶体管T2)、存储电容器Cst以及有机发光元件LD。尽管未示出，但是一个像素PX还可以包括另外的TFT和另外的存储电容器以补偿提供到有机发光元件LD的电流。
开关晶体管T1包括控制端子N1、输入端子N2和输出端子N3。控制端子N1连接到扫描信号线121，输入端子N2连接到数据线171，输出端子N3连接到驱动晶体管T2。开关晶体管T1响应于从扫描信号线121接收的扫描信号将从数据线171接收的数据信号传输到驱动晶体管T2。
驱动晶体管T2也包括控制端子N3、输入端子N4和输出端子N5。控制端子N3连接到开关晶体管T1，输入端子N4连接到驱动电压线172，输出端子N5连接到有机发光元件LD。驱动晶体管T2施加输出电流Id，输出电流Id的大小根据施加在控制端子N3与输出端子N5之间的电压改变。
这里，存储电容器Cst连接在驱动晶体管T2的控制端子N3与输入端子N4之间。存储电容器Cst充有施加到驱动晶体管T2的控制端子N3的数据信号，即使在开关晶体管T1截止之后，也维持存储的数据信号。
有机发光元件LD(例如，有机发光二极管(OLED))可以包括连接到驱动晶体管T2的输出端子N5的阳极和连接到共电压ELVSS的阴极。有机发光元件LD可以发射其强度根据来自驱动晶体管T2的输出电流Id改变的光以显示图像。
有机发光元件LD可以包括独特地发射一种或更多种原色(诸如红色、绿色和蓝色)的有机材料，有机发光显示装置通过这些颜色的空间总和来显示期望的图像。
开关晶体管T1和驱动晶体管T2是n沟道场效应晶体管(FET)，但是这里，它们中的至少一个可以是p沟道FET。另外，可以改变晶体管T1和T2、存储电容器Cst以及有机发光元件LD的连接关系。
在下文中，将参照图15的剖视图描述有机发光显示装置。
参照图15，基底123可以形成为由玻璃、石英、陶瓷、塑料等形成的绝缘基底。基底123可以是柔性的。这里，基底123可以与图16的基底710对应。
基底缓冲层126形成在基底123上。基底缓冲层126用来防止杂质渗透到基底中和使基底的表面平坦化。
这里，基底缓冲层126可以由能够执行前述功能的各种材料形成。例如，如基底缓冲层126可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。然而，基底缓冲层126不是必要的组件，且可以根据基底123的类型和使用的工艺条件来省略基底缓冲层126。
驱动半导体层137形成在基底缓冲层126上。驱动半导体层137形成为多晶硅膜。驱动半导体层137包括不掺杂杂质的沟道区135以及形成在沟道区135的两侧上的源区134和漏区136，源区134和漏区136掺杂有杂质。这里，掺杂的离子材料可以是诸如硼(B)和B2H6的P型杂质。这里，杂质可以根据TFT的类型而改变。
由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)形成的栅极绝缘层127形成在驱动半导体层137上。包括驱动栅电极133的栅极线形成在栅极绝缘层127上。驱动栅电极133形成为与驱动半导体层137的至少一部分(例如，沟道区135)叠置。
覆盖驱动栅电极133的层间绝缘层128形成在栅极绝缘层127上。暴露驱动半导体层137的源区134和漏区136的接触孔128a形成在栅极绝缘层127和层间绝缘层128中。和栅极绝缘层127一样，层间绝缘层128可以由诸如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)的陶瓷类材料形成。
包括驱动源电极131和驱动漏电极132的数据线形成在层间绝缘层128上。驱动源电极131和驱动漏电极132穿过形成在层间绝缘层128和栅极绝缘层127中的接触孔128a分别连接到驱动半导体层137的源区134和漏区136。
以这种方式，形成包括驱动半导体层137、驱动栅电极133、驱动源电极131、驱动漏电极132的驱动TFT 130。驱动TFT 130的构造不限于前述的示例并可以进行各种修改。
覆盖数据线的平坦化层124形成在层间绝缘层128上。平坦化层124用来去除台阶并使表面平坦化以增强将形成在其上的有机发光元件的发光效率。另外，平坦化层124包括暴露驱动漏电极132的一部分的电极通孔122a。
平坦化层124可以包括丙烯酰类树脂(聚丙烯酸酯树脂)、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂和/或苯并环丁烯(BCB)。
这里，示例性实施例不限于前述的结构，且可以根据情况省略平坦化层124和层间绝缘层128中的任何一个。
这里，有机发光元件的第一电极(例如，像素电极160)形成在平坦化层124上。例如，有机发光显示装置包括分别设置在多个像素中的多个像素电极160。这里，多个像素电极160设置为彼此分隔开。像素电极160穿过平坦化层124的电极通孔122a连接到驱动漏电极132。
具有暴露像素电极160的开口的像素限定层125形成在平坦化层124上。例如，像素限定层125具有分别形成在像素中的多个开口。这里，有机发光层170可以形成在通过像素限定层125形成的每个开口中。因此，形成有有机发光层的每个像素区域可以由像素限定层125限定。
这里，像素电极160设置为与像素限定层125的开口对应。然而，像素电极160可以不必仅设置在像素限定层125的开口中，且可以设置在像素限定层125下方，使得像素电极160的一部分与像素限定层125叠置。
像素限定层125可以由诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂的树脂或氧化硅基无机材料形成。
有机发光层170形成在像素电极160上。
第二电极(例如，共电极180)可以形成在有机发光层170上。以这种方式，形成包括像素电极160、有机发光层170和共电极180的有机发光元件LD。
这里，像素电极160和共电极180可以由透明导电材料或半透明或反射导电材料形成。根据用来形成像素电极160和共电极180的材料的类型，有机发光显示装置可以是顶部发射型有机发光显示装置、底部发射型有机发光显示装置或双发射型有机发光显示装置。
覆盖并保护共电极180的覆层190可以作为有机层形成在共电极180上。
薄膜包封层141形成在覆层190上。薄膜包封层141将形成在基底123上的有机发光元件LD和驱动电路单元相对于外部密封以保护有机发光元件LD和驱动电路单元。
薄膜包封层141包括交替地堆叠的包封有机层141a和141c以及包封无机层141b和141d。在图15中，示出了两个包封有机层141a和141c以及两个包封无机层141b和141d交替地堆叠以形成薄膜包封层141的情形，但是本发明不限于此。
用于保护有机发光元件等的窗口(未示出)可以设置在薄膜包封层141上。
在下文中，将参照图16至图20描述根据本发明的示例性实施例的用于制造显示装置的方法。该方法包括用于形成显示装置的线的工艺。
如上面描述的，在显示装置中在绝缘层上形成栅极线或数据线。在栅极绝缘层上形成栅极线，在层间绝缘层上形成数据线。
这里，栅极线包括栅电极，数据线包括源电极和漏电极。在绝缘层上以预定图案形成栅电极以及源电极和漏电极。
在下文中，将详细地描述以预定图案形成栅极线或数据线的方法。
首先，参照图16，准备基底710。这里，基底710与图15的基底123对应。接着，在基底710上形成绝缘层730。
这里，绝缘层730可以是图15的栅极绝缘层127或层间绝缘层128。然而，绝缘层730不限于栅极绝缘层127和层间绝缘层128，并可以与位于金属线下方的各种绝缘层对应。
此后，在绝缘层730上形成金属层750。金属层750可以由形成上面描述的栅极线或数据线的材料形成。例如，金属层750可以由用来形成栅极线或数据线的已知材料形成。
如图17中所示，此后，执行在金属层750上形成掩模图案的工艺。
详细地，在金属层750上形成光阻挡层770。通过薄薄地施用抗蚀刻材料来形成光阻挡层770。这里，抗蚀刻材料指不被蚀刻溶液蚀刻的材料。
形成光阻挡层770的工艺与上述的制造掩模的方法中的上述工艺相似。
通过利用辊或刮刀(未示出)将抗蚀刻材料薄薄地施用到金属层750。
此后，通过利用光(诸如由激光器500提供的光)或电子束源固化光阻挡层770的预定区域770(a)。
由光源产生的温度可以根据形成光阻挡层的抗蚀刻材料的熔点而改变。
这里，光阻挡层的预定固化区域770(a)可以是与掩模图案对应的区域。例如，在蚀刻金属层750的工艺期间，预定区域770(a)与防止金属层750被蚀刻的区域对应。
根据本发明的示例性实施例，重复地执行形成光阻挡层的工艺和固化光阻挡层的工艺。例如，重复地执行形成光阻挡层、固化预定区域、形成光阻挡层和固化预定区域的工艺。
当重复地执行这样的工艺时，形成光阻挡层固化区域770(a)和未固化区域770(b)，如图17中所示。
此后，如图18中所示，去除光阻挡层的其它区域770(b)。例如，去除光阻挡层的未固化的区域770(b)。
当去除光阻挡层的其它区域770(b)时，仅光阻挡层的预定区域770(a)保留在金属层750上。
光阻挡层的剩余的预定区域770(a)与蚀刻掩模的掩模图案对应。
这里，执行去除光阻挡层的工艺，作为去除粉末状的抗蚀刻材料的工艺。例如，可以通过喷射空气去除粉末状的抗蚀刻材料。
这里，可以收集分离的粉末状的抗蚀刻材料，并将其回收，作为用于形成光阻挡层的抗蚀刻材料。
如上面描述的，在金属层750上完成光阻挡层的预定区域770(a)(例如，掩模图案)之后，蚀刻金属层750以暴露绝缘层730。
如图19中所示，当利用作为掩模图案的预定区域770(a)来执行蚀刻工艺时，将金属层750(a)蚀刻为与掩模图案对应的形状。
这里，可以通过湿法蚀刻执行蚀刻金属层750的工艺。这里，可以利用用于选择性地仅蚀刻金属层而不蚀刻光阻挡层的蚀刻溶液作为用于湿法蚀刻的蚀刻溶液。
在完成金属层750的蚀刻工艺之后，去除光阻挡层770(a)。
这里，例如，可以通过湿法蚀刻执行去除光阻挡层770(a)的工艺。在此情况下，可以利用用于选择性地仅蚀刻光阻挡层770(a)而不蚀刻金属层750的蚀刻溶液作为蚀刻溶液。
在通过前述的工艺形成线之后，可以在线上形成层间绝缘层或平坦化层。
根据本发明的示例性实施例，在形成光阻挡层770之前，可以在金属层750上形成钝化层(未示出)。
这里，钝化层可以防止金属层750被光阻挡层770固化时产生的热损坏。详细地，钝化层可以防止光阻挡层770固化时产生的热传递到金属层750。这里，钝化层可以包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiO2)和/或氮氧化硅(SiOxNy)。
在根据本发明的示例性实施例的用于制造掩模的方法中，重复地执行薄薄地形成光阻挡层和固化光阻挡层以具有预定图案的工艺以制造掩模。与通过光刻制造光掩模的相关技术的工艺比较，可以显著地减少制造成本和制造时间并可简化工艺。
另外，在根据本发明的示例性实施例的用于制造显示装置的方法中，与制造掩模的方法相似，通过形成光阻挡层和固化光阻挡层以具有预定图案的工艺制造蚀刻掩模来形成线。因此，可以减少用于形成金属线所需要的成本和时间。
虽然已经结合目前被认为是实际的示例性实施例的内容描述了本发明，但是将理解的是，本发明不限于公开的实施例，而是相反地，本发明意图覆盖各种修改和等同布置。

Claims (10)

1.一种制造掩模的方法，所述方法包括如下步骤：
准备支撑板；
在所述支撑板上由未固化的光阻挡材料形成光阻挡层；
固化所述光阻挡层的预定区域；以及
去除所述光阻挡层的不是所述预定区域的所有区域。
2.根据权利要求1所述的方法，其中：
重复地并交替地执行形成所述光阻挡层的步骤和固化所述光阻挡层的步骤。
3.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括如下步骤：
在形成所述光阻挡层之前，在所述支撑板上形成钝化层，
其中，所述钝化层防止所述光阻挡层固化时产生的热传递到所述支撑板。
4.根据权利要求3所述的方法，其中：
所述钝化层包括氮化硅、氧化硅或氮氧化硅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
在形成所述光阻挡层的步骤中，
通过将光阻挡材料施用到所述支撑板来形成所述光阻挡层。
6.根据权利要求5所述的方法，其中：
所述光阻挡材料由铬或氧化铬形成。
7.根据权利要求1所述的方法，其中：
通过用激光照射所述光阻挡层的所述预定区域来执行固化所述光阻挡层的步骤。
8.根据权利要求1所述的方法，其中：
在去除所述光阻挡层的步骤中，
通过在其上喷射空气将所述光阻挡层的不是所述预定区域的所述区域与所述光阻挡层的所述预定区域分离。
9.一种制造掩模的方法，所述方法包括如下步骤：
提供支撑板；
以预定图案在所述支撑板上施用未固化的光阻挡材料；以及
固化所述光阻挡材料。
10.根据权利要求9所述的方法，其中：
重复地并交替地执行施用所述光阻挡材料的步骤和固化所述光阻挡材料的步骤。
CN201610285796.9A 2015-04-30 2016-05-03 制造掩模的方法 Pending CN106098541A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150062068A KR102352740B1 (ko) 2015-04-30 2015-04-30 마스크의 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR10-2015-0062068 2015-04-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN106098541A true CN106098541A (zh) 2016-11-09

Family

ID=55910772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610285796.9A Pending CN106098541A (zh) 2015-04-30 2016-05-03 制造掩模的方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9972781B2 (zh)
EP (1) EP3091395A1 (zh)
JP (1) JP6715675B2 (zh)
KR (1) KR102352740B1 (zh)
CN (1) CN106098541A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111063610A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 上海集成电路研发中心有限公司 光刻缺陷修复方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107706221B (zh) * 2017-09-28 2019-11-26 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器的制作方法及oled显示器

Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837855A (en) * 1973-05-09 1974-09-24 Bell Telephone Labor Inc Pattern delineation method and product so produced
US3885076A (en) * 1973-05-09 1975-05-20 Bell Telephone Labor Inc Electron beam generated patterns of metal-containing polymers
JPS58182231A (ja) * 1982-04-19 1983-10-25 Oki Electric Ind Co Ltd マスク基板の製造方法
JPS59195822A (ja) * 1983-04-20 1984-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 不純物領域の形成方法
JPH05175539A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置及びその製造方法
JPH08278625A (ja) * 1995-04-06 1996-10-22 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
US5821017A (en) * 1992-11-19 1998-10-13 The University Court Of The University Of Dundee Method of deposition
JP2002268230A (ja) * 2001-03-09 2002-09-18 Asahi Kasei Corp 感光性樹脂凸版の製造方法、装置
WO2004038504A2 (en) * 2002-10-21 2004-05-06 Nanoink, Inc. Nanometer-scale engineered structures, methods and apparatus for fabrication thereof, and applications to mask repair, enhancement, and fabrication
US20040191641A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Ray Kevin Barry Nanopastes as ink-jet compositions for printing plates
EP1901117A1 (en) * 2005-07-05 2008-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for producing photosensitive laminate original printing plate for letterpress printing, photosensitive laminate original printing plate for letterpress printing, and method for producing letterpress printing plate
US20090256984A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method for manufacturing the same and display apparatus having the same
US20090266582A1 (en) * 2006-01-13 2009-10-29 Daisuke Sakurai Three-dimensional circuit board and its manufacturing method
US20110003418A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US20110052180A1 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light blocking plate, camera module having same, and method for making same
US20120208125A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US20130078796A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 Agency For Science, Technology And Research Process for making a patterned metal oxide structure
US20140220313A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Samsung Display Co., Ltd. Light blocking sheet, method for manufacturing light blocking sheet, and transparent display device

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2421834B2 (de) * 1973-05-09 1976-01-22 Western Electric Co. Inc., New York, N.Y. (V.StA.) Verfahren zur herstellung einer von einem substrat getragenen gemusterten schicht
JPS57108850A (en) * 1980-12-25 1982-07-07 Fujitsu Ltd Formation of metallic pattern
JPH056857A (ja) * 1991-06-27 1993-01-14 Sanyo Electric Co Ltd 多層レジスト層の形成方法
JP3168091B2 (ja) 1992-03-24 2001-05-21 松下電工株式会社 立体回路形成方法
US6783898B2 (en) 1999-02-12 2004-08-31 Corning Incorporated Projection lithography photomask blanks, preforms and method of making
JP3846182B2 (ja) * 2000-12-04 2006-11-15 日亜化学工業株式会社 金属酸化物薄膜用組成物及びパターン状金属酸化物薄膜の製造方法
KR20020087250A (ko) 2001-05-15 2002-11-22 사단법인 고등기술연구원 연구조합 3차원 프린터 장치
JP4447413B2 (ja) * 2004-09-10 2010-04-07 株式会社神戸製鋼所 半導体素子の製造方法
JP2006195330A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd ディスプレイパネル用フォトマスクの製造方法
KR101503932B1 (ko) 2005-09-30 2015-03-18 호야 가부시키가이샤 포토마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 포토마스크의 제조방법과 반도체 장치의 제조 방법
KR101264676B1 (ko) * 2005-10-27 2013-05-16 엘지디스플레이 주식회사 패턴 형성 방법 및 그를 이용한 액정표시소자 제조방법
JP2007165362A (ja) 2005-12-09 2007-06-28 Fuji Pureamu Kk Ｘ線マスク及びその製造方法並びに紫外線リソグラフィー用階調マスク
FR2894691B1 (fr) * 2005-12-13 2008-01-18 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de masque lithographique en reflexion et masque issu du procede
JP4613828B2 (ja) * 2006-01-13 2011-01-19 パナソニック株式会社 立体回路基板およびその製造方法
JP2007212655A (ja) * 2006-02-08 2007-08-23 Canon Inc レジスト膜及び微細加工方法
WO2007110671A2 (en) 2006-03-29 2007-10-04 Plastic Logic Limited Techniques for device fabrication with self-aligned electrodes
DE102006019964C5 (de) 2006-04-28 2021-08-26 Envisiontec Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines dreidimensionalen Objekts mittels Maskenbelichtung
US7968253B2 (en) 2006-06-20 2011-06-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Nano imprint master and method of manufacturing the same
US20090029266A1 (en) 2007-07-26 2009-01-29 Richard Schenker Multi-layer alternating phase shift mask structure
EP2052693B2 (en) 2007-10-26 2021-02-17 Envisiontec GmbH Process and freeform fabrication system for producing a three-dimensional object
US20130070222A1 (en) 2011-09-19 2013-03-21 D2S, Inc. Method and System for Optimization of an Image on a Substrate to be Manufactured Using Optical Lithography
US8389183B2 (en) 2010-02-09 2013-03-05 International Business Machines Corporation Chromeless phase-shifting photomask with undercut rim-shifting element
CA2807639A1 (en) 2010-08-23 2012-03-01 Rolith, Inc. Mask for near-field lithography and fabrication the same
JP5588925B2 (ja) 2011-05-23 2014-09-10 パナソニック株式会社 三次元形状造形物の製造方法
US20130181435A1 (en) 2012-01-17 2013-07-18 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Synthesis of authenticable halftone images with non-luminescent halftones illuminated by a luminescent emissive layer
KR102014167B1 (ko) * 2012-12-06 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 다결정 실리콘층의 제조 방법, 상기 다결정 실리콘층의 제조 방법을 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법, 및 그 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치
WO2015005310A1 (ja) * 2013-07-10 2015-01-15 富士フイルム株式会社 遮光性組成物、遮光膜及びその製造方法
KR102012476B1 (ko) * 2013-07-30 2019-08-20 동우 화인켐 주식회사 디스플레이 장치의 전면 차광층 형성용 감광성 수지 조성물
KR20150039003A (ko) 2013-10-01 2015-04-09 삼성디스플레이 주식회사 노광 마스크 및 이를 이용한 표시패널의 제조방법
KR102235616B1 (ko) * 2014-08-14 2021-04-02 삼성전자주식회사 포토마스크, 포토마스크 제조방법, 및 포토마스크를 이용한 반도체 소자 제조방법
KR20160028595A (ko) * 2014-09-03 2016-03-14 삼성디스플레이 주식회사 커버 윈도우, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 장치

Patent Citations (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3837855A (en) * 1973-05-09 1974-09-24 Bell Telephone Labor Inc Pattern delineation method and product so produced
US3885076A (en) * 1973-05-09 1975-05-20 Bell Telephone Labor Inc Electron beam generated patterns of metal-containing polymers
JPS58182231A (ja) * 1982-04-19 1983-10-25 Oki Electric Ind Co Ltd マスク基板の製造方法
JPS59195822A (ja) * 1983-04-20 1984-11-07 Sanyo Electric Co Ltd 不純物領域の形成方法
JPH05175539A (ja) * 1991-12-25 1993-07-13 Mitsubishi Electric Corp 半導体受光装置及びその製造方法
US5821017A (en) * 1992-11-19 1998-10-13 The University Court Of The University Of Dundee Method of deposition
JPH08278625A (ja) * 1995-04-06 1996-10-22 Toppan Printing Co Ltd フォトマスクの製造方法
JP2002268230A (ja) * 2001-03-09 2002-09-18 Asahi Kasei Corp 感光性樹脂凸版の製造方法、装置
WO2004038504A2 (en) * 2002-10-21 2004-05-06 Nanoink, Inc. Nanometer-scale engineered structures, methods and apparatus for fabrication thereof, and applications to mask repair, enhancement, and fabrication
US20040191641A1 (en) * 2003-03-27 2004-09-30 Ray Kevin Barry Nanopastes as ink-jet compositions for printing plates
EP1901117A1 (en) * 2005-07-05 2008-03-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Method for producing photosensitive laminate original printing plate for letterpress printing, photosensitive laminate original printing plate for letterpress printing, and method for producing letterpress printing plate
US20090266582A1 (en) * 2006-01-13 2009-10-29 Daisuke Sakurai Three-dimensional circuit board and its manufacturing method
US20090256984A1 (en) * 2008-04-15 2009-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Display substrate, method for manufacturing the same and display apparatus having the same
US20110003418A1 (en) * 2009-07-03 2011-01-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including transistor and manufacturing method thereof
US20110052180A1 (en) * 2009-08-31 2011-03-03 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Light blocking plate, camera module having same, and method for making same
US20120208125A1 (en) * 2011-02-15 2012-08-16 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Resist composition and patterning process
US20130078796A1 (en) * 2011-09-22 2013-03-28 Agency For Science, Technology And Research Process for making a patterned metal oxide structure
US20140220313A1 (en) * 2013-02-01 2014-08-07 Samsung Display Co., Ltd. Light blocking sheet, method for manufacturing light blocking sheet, and transparent display device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111063610A (zh) * 2019-12-30 2020-04-24 上海集成电路研发中心有限公司 光刻缺陷修复方法
CN111063610B (zh) * 2019-12-30 2024-02-02 上海集成电路研发中心有限公司 光刻缺陷修复方法

Also Published As

Publication number Publication date
US9972781B2 (en) 2018-05-15
EP3091395A1 (en) 2016-11-09
KR20160130063A (ko) 2016-11-10
US20160322573A1 (en) 2016-11-03
KR102352740B1 (ko) 2022-01-18
JP2016212410A (ja) 2016-12-15
JP6715675B2 (ja) 2020-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101994227B1 (ko) 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
CN105324858B (zh) 用于集成光发射设备的反射堤结构和方法
US7737629B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus
CN103794631B (zh) 柔性有机电致发光装置及其制造方法
CN1708194B (zh) 电致发光显示器件及其制造方法
EP3018714B1 (en) Organic light-emitting diode display and method for manufacturing the same
CN100539786C (zh) 有机电致发光显示装置及其制造方法
CN103681740B (zh) 有机发光二极管装置以及制造该装置的方法
KR20120114685A (ko) 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN102017158A (zh) 电子器件及使用溶液处理技术制造电子器件的方法
KR102035252B1 (ko) 밀봉재를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
US20190267563A1 (en) Electroluminescent display device and method for manufacturing the same
JP2009205941A (ja) 表示装置の製造方法、表示装置、照明装置の製造方法および照明装置
KR20140080229A (ko) 유기발광 표시장치 및 이의 제조방법
JP2009070708A (ja) 表示装置及び表示装置の製造方法
KR100742371B1 (ko) 유기전계발광소자의 제조방법
KR20070019377A (ko) 디스플레이 장치와 디스플레이 장치의 제조방법
CN105679801A (zh) Oled显示面板及其制作方法
CN106098541A (zh) 制造掩模的方法
JP5267845B2 (ja) 表示装置の製造方法
KR20090021442A (ko) 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
CN1998098A (zh) 在衬底上形成功能材料的图案的方法
KR102043851B1 (ko) 대면적 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법
JP2010225780A (ja) 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
JP5109542B2 (ja) 表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20161109

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication