CN106057622A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及对基板进行蚀刻、蒸镀等基板处理的基板处理装置。本发明公开一种基板处理装置，包括：腔室主体，上侧是开口的；基板支撑部，设置于所述腔室主体而支撑基板；顶板，设置于所述腔室主体的开口而形成密闭的处理空间，所述顶板底面形成气体喷射流路；辅助板，与所述顶板的底面结合而形成所述气体喷射流路，所述辅助板形成多个气体扩散孔而通过所述气体喷射流路向下侧喷射气体；喷头部，设置于所述辅助板的下侧，所述喷头部形成多个工艺气体喷射孔而向处理空间喷射工艺气体；所述喷头部，被形成于所述辅助板的所述气体扩散孔所喷射的气体清洗，将所述气体扩散孔喷射的气体喷射到处理空间。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及对基板进行蚀刻、蒸镀等基板处理的基板处理装置。

背景技术

基板处理装置是对基板进行蚀刻、蒸镀等基板处理的装置。

并且，所述基板处理装置根据基板处理工艺而形成多种结构，作为一例，包括：工艺腔室，形成密闭的处理空间；喷头部，设置于工艺腔室的上侧，向处理空间内提供用于基板处理的气体；基板支撑部，设置于工艺腔室内，支撑被处理基板。

具有所述构成的基板处理装置，与气体的供应一同在电磁场处理空间内形成等离子，由此执行基板处理工艺。

并且，所述基板处理装置在执行一定次数的基板处理工艺之后，经过消除微粒的清洗工艺。

在此，清洗工艺可根据多种方法执行，作为一例，利用远程等离子以解离的状态供应气体到喷头部，执行对喷头部及工艺腔室内部的清洗工艺。

但是，如所述利用远程等离子以解离的状态供应气体到喷头部时，因气体的高热，喷头部或扩散板会产生变形或破损。

并且，如所述，利用远程等离子以解离的状态供应气体到喷头部时，因其供应结构，会发生喷头部内部的清洗不顺畅的问题。

发明内容

(要解决的技术问题)

本发明的目的在于，提供一种基板处理装置，为了解决所述问题点，在基板处理装置的最上侧即顶板内部形成用于气体流动的凹凸的气体流路，在其底面结合辅助板，从而即使供应高温气体，也能够最小化热变形或破损。

(解决问题的手段)

本发明为了解决所述本发明的目的而提供一种基板处理装置，腔室主体，上侧是开口的；基板支撑部，设置于所述腔室主体而支撑基板；顶板，设置于所述腔室主体的开口而形成密闭的处理空间，底面形成气体喷射流路；辅助板，与所述顶板的底面结合而形成所述气体喷射流路，形成多个气体扩散孔而从所述气体喷射流路向下侧喷射气体；喷头部，设置于所述辅助板的下侧，形成多个工艺气体喷射孔而向处理空间喷射工艺气体；基板支撑部，设置于所述腔室主体而支撑基板；所述喷头部，被形成于所述辅助板的所述气体扩散孔所喷射的气体清洗，将所述气体扩散孔喷射的气体喷射到处理空间。

所述顶板的平面形状为直四角形形状且中间形成上下贯通的注入孔，接收从外部供应的气体，所述气体喷射流路，包括：一双主分岔流路，以所述注入孔为基准，上下分岔；一双第2分岔流路，从所述各主分岔流路的末端，与所述主分岔流路垂直而向左右分岔；一双第3分岔流路，从所述各第2分岔流路的末端向上下分岔；一双第4分岔流路，从所述各第3分岔流路的末端向左右分岔，所述各气体扩散孔可与所述各第4分岔流路的末端相对应地形成。

优选地，所述多个气体扩散孔与所述注入孔的距离都相同。

所述辅助板的上面，可设置突出部，该突出部在对应所述注入孔的位置，向上侧突出地形成。

所述突出部，向所述注入孔尖锐地形成，所述注入孔的内周面上可形成扩张部，所述扩张部对应所述突出部的形状而与所述注入孔的外周面平行。

优选地，所述突出部的底部的最大幅度的大小D2大于所述注入孔的内径D1，小于所述扩张部的最大外径D3。

所述气体，以经过远程等离子发生装置解离的状态，注入所述气体喷射流路。

(发明的效果)

根据本发明的基板处理装置的优点在于：在顶板的底面形成气体喷射流路并根据辅助板而覆盖气体喷射流路，从而防止因高温气体的流入导致的辅助板的变形或破损，有利于稳定地供应气体。

具体地说，传统技术的问题点在于：因其在辅助板形成流路槽而形成气体供应流路，当流入高温或反应性强的气体时，会在形成流路槽的部分发生变形或破损。但本发明具有如下优点：在相对厚的顶板上形成气体供应流路的流路槽，覆盖辅助板，相对地加固了辅助板的结构，能够防止因流入高温气体而发生的辅助板的变形或破损，有利于稳定地供应气体。

并且，根据本发明的基板处理装置还包括如下优点：与贯通顶板而形成的注入孔相对应的位置，在辅助板追加形成突出部，防止因高温气体导致的热变形或破损，能够均匀地分配气体，有利于稳定地供应气体。

附图说明

图1是呈现根据本发明的基板处理装置的剖面图。

图2是呈现图1的基板处理装置中顶板的底面的底面图。

图3是呈现图1的基板处理装置的辅助板的上面的平面图。

图4是呈现图1的基板处理装置中变形的突出部的辅助板的部分平面图。

图5是呈现图2或图4中气体流路形成部的Ⅴ-Ⅴ方向的剖面的剖面图。

具体实施方式

下面，参照附图而详细地说明根据本发明的基板处理装置。

根据本发明的基板处理装置，如图1所图示，腔室主体110，上侧是开口的；基板支撑部130，设置于腔室主体110而支撑基板10；顶板120，设置于腔室主体110的开口而形成密闭的处理空间S，底面形成气体喷射流路124；辅助板210，与顶板120的底面结合而与气体喷射流路槽124一起形成气体喷射流路121，形成多个气体扩散孔211而通过气体喷射流路121向下侧喷射气体；喷头部220，设置于辅助板210的下侧，形成多个工艺气体喷射孔221而从气体喷射流路121向处理空间S喷射工艺气体。

在此，图1是呈现根据本发明的基板处理装置的剖面图，图3的Ⅰ-Ⅰ方向的剖面图。

所述腔室主体110结构为：上侧是开口的，通过与顶板120等结合而形成用于执行基板处理工艺的密闭的处理空间S，也可具有多种结构。

并且，所述腔室主体110上形成一个以上的门111，用于基板10的导入及排出。

另外，所述腔室主体110为了处理空间S内部的真空压的维持及排气而连接到排气系统，为了等离子的形成，可施加多种方式的电源。

作为电源施加方式的一例，除后述的基板支撑部130的构成，即腔室主体120、顶板120等为接地，向基板支撑部130施加一个以上的RF电源。

所述基板支撑部130的结构为：设置于腔室主体110而支撑基板10，也可具有多种结构。

作为一例，所述基板支撑部130可设置于腔室主体110内，或设置成：相对于腔室主体110，能够上下移动。

并且，所述基板支撑部130可设置成多种结构，如：可设置执行基板处理工艺时用于吸附固定基板10的静电夹头(未图示)、用于加热基板10的加热器等。

并且，为了基板10的导入及排出以及使基板10升降，所述基板支撑部130上可设置多个升销。

所述顶板120可具有多种结构，如：设置于腔室主体110的开口而与腔室主体110一同形成密闭的处理空间S，底面形成气体喷射流路槽121。

另外所述顶板120，具有与作为基板处理对象的基板10的形状相对应的形状，如图1及图2所图示，若以直四角形基板10为其处理对象，可具有直四角形形状。

所述顶板120的中心部分贯通形成注入孔122，用于从外部向后述的气体喷射流路121供应气体。

所述注入孔122为流入用于工艺处理的工艺气体、NF₃等清洗气体等气体的结构，只要是满足气体的供应，尤其是能够稳定地流入经远程等离子发生装置(Remote plasma generator)350解离的气体的结构，任意结构皆可。

另外，形成于所述顶板120的底面的气体喷射流路槽121形成于顶板120的底面，通过后述的辅助板210被覆盖而形成气体喷射流路121。

在此，所述气体喷射流路121可形成为多种结构，如：将通过注入孔122流入的气体引导到后述的辅助板210上的多个地点之后，将气体传递到下侧即喷头部220的结构。

例如，所述顶板120的平面形状为直四角形形状，中间形成以上下贯通的注入孔122而接收外部供应的气体，气体喷射流路211可从注入孔122，依次分岔n次(n为1以上的自然数)成为成双的分岔流路。在此，所述各气体扩散孔211可与气体喷射流路121分岔的各终端相对应地形成。

更具体地说，所述气体喷射流路121，如图2所图示，可包括：一双主分岔流路121a，以注入孔122为基准，向上下分岔；一双第2分岔流路121b，从各主分岔流路121a的末端，与主分岔流路121a垂直而向左右分岔；一双第3分岔流路121c，从各第2分岔流路121b的末端，向上下分岔；一双第4分岔流路121d，从各第3分岔流路121c的末端，向左右分岔。

在此，优选地，后述的各气体扩散孔211与各第4分岔流路121d的末端相对应地形成。

并且，由所述第1至第4分岔流路121a、121b、121c、121d等构成的气体喷射流路121是从注入孔122到后述的各气体扩散孔211的距离为固定的流路，其数量及样式可以是多样化的。

另外，所述气体喷射流路121，可通过机械加工铝或铝合金等材质的顶板120而形成为适当的剖面形状。

另外，所述顶板120的适当位置上可形成向上下贯通的工艺气体供应孔(未图示)，用于供应向注入孔122注入的气体不同的其他气体。

在此，所述工艺气体供应孔，通过贯通后述的辅助板210形成的供应孔(未图示)向后述的喷头部220供应工艺气体。

所述辅助板210结合到顶板120的底面而与气体喷射流路槽124一同形成气体喷射流路121，形成多个气体扩散孔211而从气体喷射流路121向下侧传递气体。

作为一例，所述辅助板210，图如1及图2所图示，结合到顶板120的整个底面而形成气体喷射流路121。

并且，所述辅助板210可设置成仅覆盖顶板120的底面中形成气体喷射流路槽124的部分。

所述多个气体扩散孔211，根据从气体喷射流路121向下侧传递气体即根据向喷头部220的气体传递形态而决定其数量及大小。

另外，所述多个气体扩散孔211，为了获得均匀的气体供应效果，优选形成为其与注入孔122的距离都相同。

并且，优选地，所述辅助板210的上面，追加设置突出部212，从与注入孔122相对应的位置向上侧突出。

如所述，若追加设置从与注入孔122相对应的位置向上侧突出的突出部212，则解离的高温气体通过注入孔122供应时，能够均匀地分配气体及缓和辅助板210的热冲击，能够防止热变形或破损。

另外，优选地，所述突出部212向注入孔122尖锐地形成，注入孔122上形成扩张部123，与突出部212的形状相对应且内径能增加。

在此，如图2至图5所图示，考虑到气体的流动向一双主分岔流路121a分岔，所述突出部212形成为沿着一双主分岔流路121a向下侧倾斜。

这时，优选地，为了引导气体通畅地流动，突出部212的外周面及注入孔122的内周面相互平行地形成。

并且，所述突出部212，考虑到注入孔122的垂直剖面为圆形，可形成为圆号等号角形状，向下侧倾斜。

这时，为了引导气体通畅地流动，突出部212的外周面及注入孔122的内周面相互平行地形成。

另外，优选地，突出部212若形成角形状，为了引导气体的流动，突出部212的底部的最大幅度的大小D2如图5所图示，大于注入孔122的内径D1，小于扩张部123的最大外径D3。

所述喷头部220可具有多种结构，如：设置于辅助板210的下侧，形成多个气体喷射孔221，将气体喷射到处理空间S。

这时，所述喷头部220将通过形成于辅助板210的气体扩散孔211传递的气体喷射到处理空间S。

在此，所述气体为清洗气体时，所述喷头部220被形成于所述辅助板210的所述气体扩散孔211传递的气体清洗，将所述气体扩散孔211喷射的气体喷射到处理空间。

并且，所述喷头部220可根据气体的喷射结构而形成多种结构，如图1所图示，可设置成喷射板，在辅助板210的下侧，形成一定间隔地设置，形成多个喷射孔229。

以上说明了能够根据本发明呈现的优选实施例的一部分，本发明的范围并不限定于上述实施例，上述说明的本发明的技术思想及与该技术思同根的都属于本发明的范围。

符号说明

110：腔室主体 120：顶板

210：辅助板 220：喷头部

130：基板支撑部

Claims (9)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

腔室主体，上侧是开口的；

基板支撑部，设置于所述腔室主体而支撑基板；

顶板，设置于所述腔室主体的开口而形成密闭的处理空间，其中间形成向上下贯通的注入孔而从外部接收气体，底面形成气体喷射流路；

辅助板，与所述顶板的底面结合而与所述气体喷射流路槽一同形成用于将通过所述注入孔注入的气体流动的气体喷射流路，并形成多个气体扩散孔而通过所述气体喷射流路向下侧传递气体；

喷头部，设置于所述辅助板的下侧，形成多个工艺气体喷射孔而将从所述气体扩散孔传递的气体向处理空间喷射。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体喷射流路，从所述注入孔依次分岔n次，n为1以上的自然数，而形成成双的分岔流路，

所述各气体扩散孔，与所述气体喷射流路的分岔的各终端相对应地形成。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述多个气体扩散孔，与所述注入孔的距离都相同。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述辅助板的上面，形成突出部，所述突出部从与所述注入孔相对应的位置，向上侧突出。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部，向所述注入孔尖锐地形成，

所述注入孔形成扩张部，所述注入孔的内径对应所述突出部的形状而增加。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征在于，

所述突出部的底部的最大幅度的大小，大于所述注入孔的内径，小于所述扩张部的最大外径。

7.根据权利要求1至6中任一所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气体为清洗所述喷头部及所述腔室主体的清洗气体，

所述清洗气体以经远程等离子发生装置解离的状态注入到所述气体喷射流路。

8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

所述喷头部，被形成于所述辅助板的所述气体扩散孔传递的气体清洗，将通过所述气体扩散孔传递的气体喷射到处理空间。

9.根据权利要求1至6中任一所述的基板处理装置，其特征在于，

所述喷头部，包括喷射板，从所述辅助板的底面以形成一定间隔地设置，形成所述气体喷射孔。