CN114551205A - 供气模块及包括此的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及供气模块及包括此的基板处理装置的技术。本实施例的供气模块可包括：第一模块，具有传递第一工艺气体的第一进气通道；第二模块，具有传递第二工艺气体的第二进气通道；及第三模块，使所述第一模块和所述第二模块结合，并且将通过所述第一进气通道传递的所述第一工艺气体及通过所述第二进气通道传递的所述第二工艺气体分别分开，以向与所述多个基板处理空间连接的供气线路扩散并分配。

Description

供气模块及包括此的基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理装置，更详细地说，涉及供应基板处理用气体的供气模块及包括此的基板处理装置。
背景技术
在现有的基板处理装置中，为了生产力、工艺均匀性等各种目的，存在在一个工艺腔室内对多个基板同时执行基板处理的情况。作为一示例，该基板处理装置包括：工艺腔室，具有用于处理多个基板的多个处理空间；多个气体喷射部，设置在工艺腔室的上侧，以向各个处理空间喷射工艺气体；多个基板支撑部，设置在工艺腔室内并支撑基板以分别对应于多个气体喷射部。另外，基板处理装置包括：供气部，向多个气体喷射部供应工艺气体；喷气部，将从供气部供应的工艺气体分别分支于多个气体喷射部。
此时，供气部和喷气部通过一条供气线路连接。另外，喷气部和多个气体喷射部分别通过一条气体分支线路连接。
然而，在基板处理装置为用于形成复合膜的装置的情况下，通过一条供气线路交替供应不同种类的工艺气体，因此未完全吹扫供气线路内部，从而增加了颗粒生成，结果出现图案宽度粗糙度(line edge roughness,LER)恶化的问题。
另外，用一条供气线路交替供应用于沉积第一薄膜的第一工艺气体和用于沉积第二薄膜的第二工艺气体，因此存在在供应第一工艺气体之后供应第二工艺气体之前和供应第二工艺气体之后供应第一工艺气体之前增加吹扫时间，以完全清除供气线路内的工艺气体的问题。
发明内容
(要解决的问题)
本发明的实施例提供一种防止颗粒产生并且可改善图案宽度粗糙度(line edgeroughness,LER)的供气模块及包括此的基板处理装置。
(解决问题的手段)
本发明的实施例的供气模块将工艺气体供应于具有多个基板处理空间的腔室内。所述供气模块包括：下部模块，形成有多个第一供气通道及第一进气通道，所述多个第一供气通道分别向所述多个基板处理空间分配第一工艺气体，所述第一进气通道用于使所述第一工艺气体流进所述多个第一供气通道；及上部模块，结合于所述下部模块，并且形成有多个第二供气通道及第二进气通道，所述多个第二供气通道分别向所述多个基板处理空间分配并供应与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体，所述第二进气通道用于使所述第二工艺气体进入所述多个第二供气通道。
本发明的实施例的基板处理装置包括：腔室，具有多个基板处理空间；多个基板支撑部，分别配置在所述腔室内部的所述多个基板处理空间；多个喷气部，配置成与所述多个基板支撑部相对应；及供气模块，将所述第一及所述第一工艺气体不同的第二工艺气体分别交替供应于所述多个喷气部；所述供气模块包括：下部模块，形成有多个第一供气通道及第一进气通道，所述多个第一供气通道分别向所述多个基板处理空间分配第一工艺气体，所述第一进气通道用于使所述第一工艺气体进入所述多个第一供气通道；及上部模块，结合于所述下部模块，并且形成有多个第二供气通道及第二进气通道，所述多个第二供气通道分别向所述多个基板处理空间分配并供应与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体，所述第二进气通道用于使所述第二工艺气体进入所述多个第二供气通道。
另外，本实施例的另一实施例的供气模块，构成为将工艺气体分别供应于具有多个基板处理空间的腔室内，包括：第一模块，具有传递第一工艺气体的第一进气通道；第二模块，具有传递第二工艺气体的第二进气通道；及第三模块，结合所述第一模块和所述第二模块，并且将通过所述第一进气通道传递的所述第一工艺气体及通过所述第二进气通道传递的所述第二工艺气体分别分开，以向与所述多个基板处理空间连接的供气线路扩散并分配。
(发明的效果)
根据本实施例，单独构成供应不同种类的工艺气体的线路，从而可防止因为工艺气体的反应生成颗粒，因此可改善图案宽度粗糙度(line edge roughness,LER)。
另外，根据本实施例，单独构成供应不同种类的工艺气体的线路，并且缩短线路长度，从而缩短吹扫时间，进而可缩短整个工艺所需的时间。
附图说明
图1是示出本发明的实施例的包括供气模块的基板处理装置的平面图。
图2是示出沿着Ⅰ-Ⅰ′切割图1的基板处理装置的剖面的剖面图。
图3是示出本发明的实施例的供气模块的立体图。
图4是示出沿着Ⅱ-Ⅱ′切割图3的供气模块的剖面的剖面图。
图5是示出本发明的实施例的供气模块中气体移动方向的图。
图6是本发明的另一实施例的供气模块的立体图。
图7是本发明的另一实施例的供气模块的分解立体图。
(附图标记说明)
10：基板处理装置 100：腔室
110：基板支撑部 120：基板移动部
130：喷气部 140：排气口
150：排气线路 160：真空泵
200：供气模块 210：下部模块
211：第一结合件 212：第二结合件
213：插入槽 214：隔壁
215：扩散空间 216：第一供气通道
217：第一进气通道 220：上部模块
221：第一结合件 222：第二结合件
223：插入槽 224：隔壁
225：扩散空间 226：第二供气通道
227：第二进气通道 300：供气管
251L、253L、255L、257L、251H、253H、255H、257H：供气线路
2100：第一模块 2114：第一隔壁
2117：第一进气通道 2200：第二模块
2224：第二隔壁 2227：第二进气通道
2300：第三模块 2310：下部区域
2320：上部区域
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明的实施例。
图1是示出本发明的实施例的包括供气模块的基板处理装置的平面图；图2是示出沿着Ⅰ-Ⅰ′切割图1的基板处理装置的剖面的剖面图。
参照图1及图2，本发明的实施例的基板处理装置10可包括：腔室100，形成处理空间；基板支撑部110，配置在腔室100内部，并且支撑基板W；喷气部130，与基板支撑部110彼此相向配置，并且向基板支撑部110上喷射工艺气体；供气模块200，配置在腔室100上部，并且向喷气部130供应工艺气体。另外，基板处理装置10还可包括基板移动部120，所述基板移动部120位于基板支撑部110的外侧并辅助运送基板。
腔室100可包括：上部开放的主体101、可开关地设置在主体101上部的顶盖103。
在主体101的内部形成有配置基板支撑部110的基板支撑架安装槽105，基板支撑架安装槽105形成为与后述的基板支撑架113的形状相对应的形状，例如圆形，并且可形成为具有预定的深度。例如，基板支撑架安装槽105可形成与基板支撑架113的上下方向移动范围相对应的深度。通过如此的结构，缩小腔室100内部空间的大小，可减少为了处理基板而向腔室100内部供应的工艺气体的量，并且可缩短吹扫腔室100内部的所需时间。
另外，在基板支撑架安装槽105可形成有插入基板支撑部110的支撑轴111的贯通口。另外，如图1所示，在腔室100中处理多个基板，例如四个基板的情况下，基板支撑架安装槽105也可形成有四个。
四个基板支撑架安装槽105可形成有排气通道(未示出)，以与通过侧面相邻的基板支撑架安装槽105连通，所述排气通道沿着主体101底部水平形成；排气通道(未示出)连接于以上下方向贯通主体101底部的排气口140，进而可与连接于外部的真空泵160的排气线路150连接。
在主体101的底部可形成有贯通口，以插入构成基板移动部120的旋转轴121。例如，贯通口可形成在主体101的底面中心部。
虽未在图1及图2示出，但是在主体101的侧面可形成有闸门(未示出)，用于将基板W装载及卸载于腔室100内部。
顶盖103结合于主体101的上部，可封闭主体101内部。此时，顶盖103也可形成为可覆盖主体101的整个上部，如图2所示，也可与喷气部130结合，以覆盖主体101上部的至少一部分。
在本实施例中，对于构成顶盖103，为使喷气部130容易搭载及分离，形成以上下方向贯通顶盖103的插入口，可通过插入口从顶盖103的上部固定喷气部130，但是不特别限制于此。
基板支撑部110作为用于支撑基板W的结构，可设置在腔室100内部的下侧。基板支撑部110可包括：安装基板W的基板支撑架113；支撑轴111，连接于基板支撑架113的下部，以上升及下降基板支撑架113。
参照图2，基板支撑架113为具有预定厚度的板形状，可具有与基板W的形状相对应的形状。例如，在基板W为圆形晶片的情况下，基板支撑架113可具有圆盘形状。当然，基板支撑架113的形状不限于此，而是可改变为各种形状。
基板支撑架113以与主体101的底面平行的方向配置在腔室100内部，而支撑轴111能够以垂直于主体101底面的方向配置。支撑轴111通过形成在主体101底面的贯通口连接于外部的马达等的驱动工具(未示出)，可上升及下降基板支撑架113。此时，利用波纹管(未示出)等密封支撑轴111和贯通口之间，进而在处理基板的过程中可防止腔室100内部的真空被释放。
虽未在图2示出，但是在基板支撑架113的内部可配置有用于加热的发热体(未示出)，发热体可通过导线(未示出)与外部的电源连接。若在发热体施加电源，则加热基板支撑架113，由此可加热安装在基板支撑架113上部的基板W。
基板支撑架113不仅支撑基板，还可起到下部电极的作用。即，为了在基板支撑架113和喷气部130之间形成电场，基板支撑架113可起到下部电极的作用。例如，在喷气部130施加RF电源(未示出)，在基板支撑架113施加接地电源(未示出)，以在喷气部130和基板支撑架113之间形成电场，可生成等离子体。为此，在基板支撑架113的内部可设置接地电极(未示出)。
在腔室100内可设置有多个基板支撑部110。例如，在腔室100内部可设置四个基板支撑部110。此时，各个基板支撑部110以腔室100的中心为准可配置在对称点。当然，基板支撑部110也可设置四个以下或者以上。
在腔室100内部设置多个基板支撑部110的情况下，在腔室100内基板移动部120可在基板支撑部110和基板支撑部110之间移动基板W。基板移动部120可包括：旋转轴121，配置成插入于贯通主体101底部的贯通口；转台123，以水平方向配置在旋转轴121上部。
旋转轴121可配置在构成多个基板支撑部110的多个支撑轴111的中心。另外，旋转轴121连接于外部的马达等的驱动工具，可旋转、上升及下降转台123。此时，利用波纹管(未示出)密封旋转轴121和贯通口之间，进而在处理基板的过程中可防止腔室100内部的真空被释放。
转台123可构成为具有预定厚度的板形状，以支撑放置在基板支撑架113上的基板W的状态进行旋转，进而移动基板W的位置。
喷气部130与腔室100内部的基板支撑部110相互面对且间隔配置，并且可向基板支撑架113侧喷射用于处理基板的工艺气体。另外，喷气部130与外部的电源(未示出)连接，可用作用于生成等离子体的上部电极。例如，在喷气部130施加RF(Radio Frequency)电源，并且接地基板支撑架113，进而在腔室100内的反应空间(沉积空间)利用RF生成等离子体，在此，说明了在喷气部施加RF电源以在反应空间产生等离子体，但是也可在喷气部将工艺气体等离子体化向腔室100内部的反应空间喷射，当然也可在腔室100外部将工艺气体等离子体化来向腔室100内部的反应空间喷射。
喷气部130可与顶盖103一同形成腔室100的上部。喷气部130可连接于全部供应相同种类的工艺气体的单一供气源，也可分别与供应相互不同种类的工艺气体的多个供气源。喷气部130与基板支撑架113彼此相向，并且具有类似的预定面积，可制造成具有多个喷射孔的花洒头类型，但是并不特别限制于此。
如图1所示，可配置有多个喷气部130。例如，在顶盖103可设置四个喷气部130。此时，各个喷气部130以顶盖103的中心为准配置成点对称。当然，喷气部130也可设置成少于或者多于四个。
参照图1及图2，喷气部130可包括气体喷射件131及进气模块133，所述进气模块133连接气体喷射件131和后述的供气线路255。
例如，气体喷射件131可包括接近基板支撑架113侧的第一面和设置进气模块133的第二面。在气体喷射件131的第一面可形成有多个喷射孔，以向基板支撑架113上喷射工艺气体。另外，在气体喷射件131的第二面可形成有贯通孔，以使向进气模块133供应的工艺气体通过。当然，气体喷射件131的形状不限于在图2示出的，而是可制造成各种形状。
参照图1及图2，供气模块200可从顶盖103间隔地设置在腔室100上部。供气模块200通过多条供气线路251、253、255、257可向相对应的喷气部130供应工艺气体。
供气模块200可包括下部模块210和上部模块220。下部模块210和上部模块220可具有相同的形状，但是不特别限制于此。在本实施例中，分别供应于供气模块200的下部模块210和上部模块220的工艺气体的种类可相互不同，但是不特别限制于此。
图3是示出本发明的实施例的供气模块的立体图；图4是示出沿着Ⅱ-Ⅱ′切割图3的供气模块的剖面的剖面图；图5是示出本发明的实施例的供气模块中气体移动方向的图。
供气模块200的下部模块210可包括第一结合件211和结合于第一结合件211上的第二结合件212。在第一结合件211的上面一部分可形成有以远离上面的方向延伸的隔壁214。例如，隔壁214可具有环(ring)形状，但是隔壁214的形状不特别限制于此。在从第一及第二进气通道217、227进入的工艺气体分配到多个第一及第二供气通道216、226时，若没有隔壁214，则无法均匀分配于多个第一及第二供气通道216、226，可存在出现工艺气体集中在一部分供气通道的现象的可能性。如本实施例，若存在隔壁214，则因为隔壁214工艺气体首先扩散在隔壁214的内部空间，因此工艺气体可均匀分配于所有的供气通道，无集中在一部分供气通道的现象。
在第二结合件212的下面一部分可形成有插入槽213，所述插入槽213对应于第一结合件211的隔壁214。插入槽213的深度大于隔壁214的高度，插入槽213的直径可大于隔壁214的直径。据此，在插入槽213的内部侧壁和隔壁214的外部侧壁之间可形成扩散空间215，可扩散工艺气体。
参照图3，在插入槽213的侧壁可形成有可排放工艺气体的多个下部排放槽H1。多个下部排放槽H1分别可与相对应的多个第一供气通道216连通。多个第一供气通道216可从插入槽213的侧壁贯通第二结合件212的侧壁而成。在多个第一供气通道216可分别连接于相对应的供气线路。
另外，在第一结合件211的环形状的隔壁214的底面可形成进入孔，以使从供气源(未示出)供应的工艺气体通过。进入孔可与第一进气通道217连通。在第一进气通道217可连接供气管300L(参照图5)，所述供气管300L连接于供气源(未示出)。
参照图5，从供气源(未示出)通过供气管300L供应的工艺气体沿着形成在第一结合件211的第一进气通道217通过形成在隔壁214底面的进入孔进入隔壁214的内部空间，隔壁214内部空间的工艺气体通过隔壁214上端和插入槽213底面之间的缝隙，可向扩散空间215扩散。向扩散空间215扩散的工艺气体沿着多个下部排放槽H1(参照图3)及多个第一供气通道216可向相对应的供气线路251L、253L、255L、257L供应。向供气线路251L、253L、255L、257L供应的工艺气体可供应于相对应的喷气部130。
供气模块200的上部模块220可包括第一结合件221和结合于第一结合件221上的第二结合件222。在第一结合件221的上面一部分可形成有以远离上面的方向延伸的隔壁224。例如，隔壁224可具有环形状，但是隔壁224的形状不特别限制于此。
在第二结合件222的下面一部分可形成有插入槽223，所述插入槽223对应于第一结合件221的隔壁224。插入槽223的深度大于隔壁224的高度，插入槽223的直径可大于隔壁224的直径。据此，在插入槽223的内部侧壁和隔壁224的外部侧壁之间可形成扩散空间225，可扩散工艺气体。
参照图3，在插入槽223的侧壁可形成有多个上部排放槽H2，可排放工艺气体。多个上部排放槽H2分别可与相对应的多个第二供气通道226连接。多个第二供气通道226可形成为从插入槽223的侧壁贯通第二结合件222的侧壁。在多个第二供气通道226可分别连接于相对应的供气线路。
另外，在第一结合件221的环形状的隔壁224底面可形成有进入孔，以使从供气源(未示出)供应的工艺气体通过。进入孔可与第二进气通道227连通。在第二进气通道227可连接供气管300H(参照图5)所述供气管300H连接于供气源(未示出)。
参照图5，从供气源(未示出)通过供气管300H供应的工艺气体沿着形成在第一结合件221的第二进气通道227通过形成在隔壁224底面的进入孔进入隔壁224的内部空间，隔壁224内部空间的工艺气体通过隔壁224上端和插入槽223底面之间的缝隙可向扩散空间225扩散。向扩散空间225扩散的工艺气体沿着多个上部排放槽H2及多个第二供气通道226向相对应的供气线路线路251H、253H、255H、257H供应。向供气线路251H、253H、255H、257H供应的工艺气体可供应于相对应的喷气部130。
如图3所示，供气模块200的下部模块210的多个第一供气通道216间隔相等间距，上部模块220的多个第二供气通道226也可间隔相等间距。如此，通过以相等间距形成第一及第二供气通道216、226，第一及第二工艺气体可均等分配于多个喷气部130。
另外，下部模块210的第一供气通道216和上部模块220的第二供气通道226不是以垂直方向对齐，而是可间隔预定间距地移位形成。据此，连接于下部模块210的第一供气通道216的供气线路251L、253L、255L、257L和连接于上部模块220的第二供气通道226的供气线路251H、253H、255H、257H彼此之间可无干扰地结合于喷气部130。
另外，下部模块210的第一供气通道216以从经过插入槽213中心点的延长线倾斜预定角度的直线形状形成在第二结合件212内，上部模块220的第二供气通道226以从经过插入槽223中心点的延长线倾斜预定角度的直线形状可形成在第四结合件内。
如果，第一及第二供气通道216、226与经过相对应的插入槽213、223中心点的延长线形成在同一线上，则存在从第一及第二进气通道217、227进入的工艺气体未充分扩散，而是向第一及第二供气通道216、226直接排放的可能性，因此存在工艺气体集中在一部分供应通道的可能性。在本实施例中，第一及第二供气通道216、226形成为从经过相对应的插入槽213、223中心点的延长线倾斜预定角度，从而在扩散空间215、225产生旋风一样的内部气流，进而在充分扩散从第一及第二进气通道217、227进入的工艺气体之后可均匀分配至第一及第二进气通道217、227。
另外，供气模块200可包括插入于内部的加热器270。例如，加热器270可配置在下部模块210和上部模块220之间，加热器270可通过导线(未示出)与外部的电源连接。若对加热器270施加电源，则分别供应于下部模块210及上部模块220的工艺气体可保持预定温度。
虽未示出，但是基板处理装置10还可包括控制器(未示出)。控制器可控制支撑轴111、旋转轴121、喷气部130、电源等的驱动。
图6是本发明的另一实施例的供气模块的立体图；图7是本发明的另一实施例的供气模块的分解立体图。
参照图6及图7，供气模块200a可包括：第一模块2100、第二模块2200及第三模块2300。
第一模块2100可包括第一进气通道2117。第一进气通道2117与第一供气源(未示出)连接，可将第一工艺气体供应于形成在相当于所述第三模块2300相向面的第一模块2100上部面的第一空间部d1。由于图6及图7是以立体图的形式示出供气模块的剖面结构的图，因此在图6及图7中示出了第一空间部d1为半圆形状，但是实际上可具有圆形，即环形结构。所述第一空间部d1可被第一隔壁2114限定在第一模块2100的上部表面的预定部分。所述第一隔壁2114从第一模块2100的表面形成预定高度的同时可向所述第一模块2100的上部表面凸出。
第二模块2200可位于第一模块2100上部。例如，第二模块2200为旋转180°的形状，可具有与第一模块2100相对应的结构。第二模块2200可包括第二进气通道2227，所述第二进气通道2227与第二供气源(未示出)连接以供应第二工艺气体。第二进气通道2227可将所述第二工艺气体传递至第二空间部d2。第二空间部d2可被第二隔壁2224限定在与所述第一空间部d1相对应的位置，所述第二隔壁2224实际上具有与所述第一隔壁2114相同的高度，同时可向第二模块2200的下部表面凸出。
第三模块2300位于所述第一模块2100和第二模块2200之间，可结合第一模块2100和第二模块2200。第三模块2300可包括：与所述第一模块2100相互面对的下部区域2310及与所述第二模块2200相互面对的上部区域2320。所述下部区域2310可与所述第一模块2100相互面对，在与所述第一模块2100相互面对的面具有第一气体储存空间，进而在所述下部区域2310与第一模块2100结合时，在所述供气模块200a内可具有第一插入槽IH1。所述第一插入槽IH1可构成为可容纳所述第一空间部d1的大小。例如，第一插入槽IH1的深度可大于所述第一隔壁2114的高度。据此，所述第一隔壁2114的上部不会与所述第一插入槽IH1接触。也就是说，第一隔壁2114具有低于所述第一插入槽IH1的高度。由此，以第一隔壁2114为中心在两侧的第一插入槽IH1内具有可均匀扩散工艺气体的移动通道。另外，在所述第一插入槽IH1的侧壁可形成有与供气线路连接的至少一个下部排放槽H1。例如，下部排放槽H1能够以等间距排列，并且与所述供气线路(图3的情况下，251L、253L、255L、255L)紧固，进而可将工艺气体供应于各个喷气部130。
同样地，所述上部区域2320可与所述第二模块2200相互面对，在与所述第一模块2100相互面对的面具有第一气体储存空间，在所述上部区域2320和第二模块2200结合时，可在所述供气模块200a内具有第二插入槽IH2。所述第二插入槽IH2可构成为可容纳所述第二空间部d2的大小。例如，第二插入槽IH2的深度可大于所述第二隔壁2224的高度。据此，所述第二隔壁2224的上部面不会与所述第二插入槽IH2接触。据此，通过第二隔壁2224和所述第二插入槽IH2之间的空间自由移动气体，因此以第二隔壁2224为中心可在两侧的第二插入槽IH2内均匀扩散工艺气体。在第二插入槽IH2侧壁另一面可形成有至少一个上部排放槽H2。例如，上部排放槽H2可等间距排列，并且与所述供气线路(图3的情况下，251H、253H、255H、255H)紧固，进而可将第二工艺气体供应于各个喷气部130。
供气模块200的第三模块2300内部可设置加热器2700。所述加热器2700可延伸成经过所述第一及第二插入槽IH1、IH2之间的集成空间。本实施例的加热器2700可以是条状的筒形加热器。作为一示例，加热器2700可由具有高发热功能的导电材料构成，通过施加电源除了第三模块2300的第一及上部区域2310、2320以外连第一模块2100及第二模块2200也可保持预定温度。
如上所述的本实施例的供气模块200a为，从第一进气通道2117供应的第一工艺气体2117以均匀扩散于被第一隔壁2114区分的第一插入槽IH1内的状态通过与形成在第一插入槽IH1侧壁的下部排放槽H1紧固的供气线路251L、253L、255L、255L可均匀供应于各个腔室的喷气部130。
同样地，本实施例的供气模块200a为，从第一进气通道2117供应的第一工艺气体2117以均匀扩散于被第一隔壁2114区分的第一插入槽IH1内的状态通过与形成在第一插入槽IH1侧壁的下部排放槽H1紧固的供气线路251L、253L、255L、255L可均匀供应于各个腔室的喷气部130。
如上所述，本发明所属技术领域的工作人员应该理解为在不改变本发明的技术思想或者附加性特征的情况下可实施其他的具体形态。因此，只应理解为以上说明的实施例在所有方面都是示例性的而非限定性的。对于本发明的范围应该解释为，相比于上述的详细说明，应该由权利要求书的范围体现，而且从权利要求书的含义及范围、相等概念导出的所有改变或者变形的形态包括在本发明的范围内。

Claims (19)

1.一种供气模块，将工艺气体供应于具有多个基板处理空间的腔室内，包括：
下部模块，形成有多个第一供气通道及第一进气通道，所述多个第一供气通道分别向所述多个基板处理空间分配第一工艺气体，所述第一进气通道用于使所述第一工艺气体流进所述多个第一供气通道；及
上部模块，结合于所述下部模块，并且形成有多个第二供气通道及第二进气通道，所述多个第二供气通道分别向所述多个基板处理空间分配并供应与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体，所述第二进气通道用于使所述第二工艺气体进入所述多个第二供气通道。
2.根据权利要求1所述的供气模块，其特征在于，
所述下部模块包括：第一结合件，形成有环形状的第一隔壁；及第二结合件，结合于所述第一结合件，并且形成有与所述第一隔壁相对应的第一插入槽；
所述上部模块包括：第三结合件，形成有环形状的第二隔壁；及第四结合件，结合于所述第三结合件，并且形成有与所述第二隔壁相对应的第二插入槽。
3.根据权利要求2所述的供气模块，其特征在于，
所述第一隔壁的高度及直径小于所述第一插入槽的深度及直径；及
所述第二隔壁的高度及直径小于所述第二插入槽的深度及直径。
4.根据权利要求2所述的供气模块，其特征在于，
所述多个第一供气通道等间距地形成在所述下部模块的所述第二结合件内，以从所述第一插入槽的侧壁贯通至所述第二结合件的侧壁；
所述多个第二供气通道等间距地形成在所述上部模块的所述第四结合件内，以从所述第二插入槽的侧壁贯通至所述第四结合件的侧壁，进而与所述第一供气通道并列。
5.根据权利要求4所述的供气模块，其特征在于，
所述多个第二供气通道移位预定间距，以防止以垂直方向对齐于所述多个第一供气通道。
6.根据权利要求4所述的供气模块，其特征在于，
所述多个第一供气通道分别形成为移位预定间距以防止以垂直方向对齐于经过所述第一插入槽中心点的延长线，并且形成在所述第二结合件内；
所述多个第二供气通道分别形成为移位预定间距以防止以垂直方向对齐于经过所述第二插入槽中心点的延长线，并且形成在所述第四结合件内。
7.根据权利要求2所述的供气模块，其特征在于，
所述第一进气通道形成在所述下部模块的所述第一结合件内，以与所述第一隔壁的底面连通；及
所述第二进气通道形成在所述上部模块的所述第三结合件内，以与所述第二隔壁的底面连通。
8.根据权利要求7所述的供气模块，其特征在于，
沿着所述第一进气通道进入的所述第一工艺气体供应到所述第一隔壁的内部空间，所述第一隔壁的内部空间的所述第一工艺气体通过所述第一隔壁的上端和所述第一插入槽的底面之间的缝隙向所述第一隔壁的外部侧壁和所述第一插入槽的内部侧壁之间的扩散空间。
9.根据权利要求7所述的供气模块，其特征在于，
沿着所述第二进气通道进入的所述第二工艺气体供应到所述第二隔壁的内部空间，所述第二隔壁的所述内部空间的所述第二工艺气体通过所述第二隔壁的下端和所述第二插入槽的底面之间的缝隙向所述第二隔壁的外部侧壁和所述第二插入槽的内部侧壁之间的扩散空间扩散。
10.根据权利要求1所述的供气模块，其特征在于，还包括：
加热器，配置在所述下部模块和所述上部模块之间，以加热所述第一工艺气体及所述第二工艺气体。
11.一种供气模块，将工艺气体分别供应于具有多个基板处理空间的腔室内，包括：
第一模块，具有传递第一工艺气体的第一进气通道；
第二模块，具有传递第二工艺气体的第二进气通道；及
第三模块，在下面结合所述第一模块，在上面结合所述第二模块，并且将通过所述第一进气通道传递的所述第一工艺气体及通过所述第二进气通道传递的所述第二工艺气体分别分开，以向所述多个基板处理空间侧分配并供应所述第一工艺气体及所述第二工艺气体。
12.根据权利要求11所述的供气模块，其特征在于，
所述第一模块还包括第一隔壁，
所述第一隔壁向上凸出预定高度，以将与所述第一进气通道连通的第一空间部限定在与所述第三模块彼此相向的上面；
所述第二模块还包括第二隔壁，
所述第二隔壁向下凸出预定高度，以将第二空间部限定在与所述第二进气通道连通并且与所述第一空间部相对应的位置。
13.根据权利要求12所述的供气模块，其特征在于，
所述第三模块包括：
第一插入槽，具有通过与所述第一模块结合容纳所述第一空间部的大小；及
第二插入槽，具有通过与所述第二模块结合容纳所述第二空间部的大小。
14.根据权利要求13所述的供气模块，其特征在于，
所述第一插入槽深度大于所述第一隔壁的高度，在所述第一隔壁的上部和所述第一插入槽的底面之间配置气体移动通道，以使所述第一工艺气体均匀扩散在所述第一插入槽内。
15.根据权利要求14所述的供气模块，其特征在于，
在所述第一插入槽的侧壁配置有至少一个下部排放槽，
各个的所述下部排放槽与所述供气线路中的一条连接，以将所述第一工艺气体供应于在所述多个基板处理空间中选择的一个。
16.根据权利要求13所述的供气模块，其特征在于，
所述第二插入槽深度大于所述第二隔壁的高度，以在所述第二隔壁的下部和所述第二插入槽的底面之间形成气体移动通道，进而使所述第二工艺气体均匀扩散于所述第二插入槽内。
17.根据权利要求16所述的供气模块，其特征在于，
在所述第二插入槽的侧壁具有至少一个上部排放槽；
各个的所述上部排放槽与所述供气线路中的一条连接，将所述第二工艺气体供应于在所述多个基板处理空间中选择的一个。
18.根据权利要求11所述的供气模块，其特征在于，
在所述第三模块的所述第一插入槽和所述第二插入槽之间还包括加热器，以加热所述第一工艺气体及所述第二工艺气体。
19.一种基板处理装置，根据权利要求1至18中的任意一项，其特征在于，包括：
腔室，具有多个基板处理空间；
多个基板支撑部，分别配置在所述腔室内部的所述多个基板处理空间；
多个喷气部，配置成与所述多个基板支撑部相对应；及
供气模块，将所述第一及第二工艺气体供应于所述多个喷气部；
其中，所述供气模块将所述第一工艺气体及与所述第一工艺气体不同的第二工艺气体分别交替供应于所述多个喷气部。
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