CN106053595A - 具有高品质因数的Lamb波传感器 - Google Patents
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Abstract
本案涉及一种具有高品质因数的Lamb波传感器,包括:衬底层,其具有薄膜层和腐蚀槽;薄膜层所对应的区域为传感区,薄膜层以外的衬底层上所对应的区域为非传感区;压电层,其设置在衬底层上的远离腐蚀槽的一侧;叉指电极,其设置在压电层表面,包括有输入端和输出端;反射栅,其设置在压电层表面,并位于非传感区内;其中,反射栅被设置在叉指电极的两侧,且位于Lamb波的运动路径上。本案通过在薄膜以外的区域添加反射栅结构,并设计反射栅和IDT的线条之间的间距,实现了Lamb波传感器品质因数的有效增益;在保证理想幅频和相频特性的基础上,达到Lamb波传感器品质因数增益的目的,从而有效降低传感器测试的检测限。
Description
技术领域
本发明涉及一种Lamb波传感器,特别涉及一种具有高品质因数的Lamb波传感器。
背景技术
传感器的品质因数(Q值)用来表征器件声波能量的损失,Q值越大代表传感器插入损耗越小,相应的器件测试的信噪比越大,从而有效降低传感器测试的检测限,因此品质因数的增益一直是传感器优化设计的重点方向。
Lamb波传感器作为薄膜压电传感器的一种,相比常规石英晶体微天平(QCM)和表面声波传感器(SAW)两类器件能获取更低的检测限,同时该传感器由于电极和样品测试区域位于薄膜的两侧,便于进行液体样品的测试,可广泛应用于生物制药、食品质量、水质安全等多个领域。目前,延迟线型Lamb波传感器应用最广泛,主要原因在于薄膜声速的大小可通过薄膜的厚度和叉指电极(IDT)的参数决定,但是该类Lamb波传感器的薄膜声波遇到侧面“墙壁”时,即腐蚀槽的侧壁,能量损耗部分被吸收,其余部分则以声表面波的形式在侧墙壁的表面传播,导致了器件的Q值一定程度的降低。
SAW谐振器理论表明,叉指电极所激发的声表面波,入射到以一定周期放置的反射栅时,满足布拉格谐振频率的入射波和反射波相干叠加,然后在输出IDT中得到相应的窄带输出波形,这种添加反射栅的方法可理解为代表一种能量的增强方式,可有效提高器件谐振区域的Q值。目前涉及Lamb波传感器测试的文献中有涉及采用反射栅和IDT一起置于薄膜区域内的方法,该种方法试图通过薄膜区域的谐振方式实现品质因数的增益。但是该方法有两个主要缺点:1)薄膜区域发生谐振时反射栅和叉指电极同时振动,会影响IDT传输信号的稳定反射,尤其反射栅作为非传感区域一同振动,不利于能量的有效增强;2)相同面积的薄膜区域,反射栅与IDT同时覆盖相比IDT单独覆盖,势必出现IDT的数量变少或者线条尺寸变细的现象,而IDT的数量变少会导致信号的谐振强度变弱,线条尺寸变细则加大了器件制作工艺的难度。
发明内容
针对现有技术存在的不足,本案提出一种具有高品质因数的Lamb波传感器,其通过在薄膜以外的区域添加反射栅结构,反射栅边界条件得到限制实现IDT传输信号稳定的反射过程,并设计反射栅和IDT的线条之间的间距,实现Lamb波传感器品质因数的有效增益。
为实现上述目的,本案通过以下技术方案实现:
一种具有高品质因数的Lamb波传感器,其包括:
衬底层,其具有一个经刻蚀后形成的薄膜层,被刻蚀的区域形成一个腐蚀槽;薄膜层所对应的区域为传感区,薄膜层以外的衬底层上所对应的区域为非传感区;
压电层,其设置在所述衬底层上的远离所述腐蚀槽的一侧;
叉指电极,其设置在所述压电层表面,并位于所述传感区内;所述叉指电极包括有输入端和输出端;
反射栅,其设置在所述压电层表面,并位于所述非传感区内;
其中,所述反射栅被设置在所述叉指电极的两侧,且位于Lamb波的运动路径上。
优选的是,所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其中,所述叉指电极的外沿距离所述反射栅的外沿的最小距离D=λ×(n+1/2),其中,λ为Lamb波的波长;n为整数,且n≥0。
优选的是,所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其中,所述压电层上还设置有地电极。
优选的是,所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其中,所述叉指电极为等宽叉指电极,且相邻叉指之间的间隙距离为λ×1/4,其中,λ为Lamb波的波长。
优选的是,所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其中,所述反射栅中每个栅与栅之间的间距≤所述叉指电极的线条宽度。
优选的是,所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其中,所述反射栅中每个栅的宽度≤所述叉指电极的线条宽度。
本发明的有益效果是:本案通过在薄膜以外的区域添加反射栅结构,并设计反射栅和IDT的线条之间的间距,实现了Lamb波传感器品质因数的有效增益;在保证理想幅频和相频特性的基础上,达到Lamb波传感器品质因数增益的目的,从而有效降低传感器测试的检测限。
附图说明
图1为具有高品质因数的Lamb波传感器的截面图。
图2为具有高品质因数的Lamb波传感器的俯视图。
图3为一种带有假指的变迹IDT方式的Lamb波传感器的俯视图。
图4为一种单端谐振方式的IDT方式的Lamb波传感器的俯视图。
图5为一种叉指电极沿薄膜宽度方向进行覆盖的Lamb波传感器的俯视图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
如图1和图2所示,本案列出一实施例的具有高品质因数的Lamb波传感器,其包括:
衬底层1,其具有一个经刻蚀后形成的薄膜层2,被刻蚀的区域形成一个腐蚀槽3;薄膜层2所对应的区域为传感区10,薄膜层2以外的衬底层1上所对应的区域为非传感区11;
压电层4,其设置在衬底层1上的远离腐蚀槽3的一侧;
叉指电极5,其设置在压电层4表面,并位于传感区10内;叉指电极5包括有输入端6和输出端7;
反射栅8,其设置在压电层4表面,并位于非传感区11内;
其中,反射栅8被设置在叉指电极5的两侧,且位于Lamb波的运动路径上。
Lamb波传感器是采用MEMS体硅工艺从硅片反面刻蚀去除大部分的硅衬底材料,以便在压电振荡堆的下表面形成空气交界面,从而将声波限制于压电振荡堆之内。该器件通过硅基衬底背面进行干法或湿法刻蚀获得薄膜层,该薄膜层区域硅基厚度通常控制在2-20微米的范围,然后在硅基衬底上沉积压电层和叉指电极,Lamb波传感器的工作原理为:叉指电极输入端获取电信号后,在薄膜处压电薄膜产生逆压电效应将电信号转变为机械能进行传播,后由压电薄膜的正压电效应,机械能转化为电能,并经叉指电极输出端引出电信号。
现有的Lamb波传感器的薄膜声波遇到侧面“墙壁”时,能量损耗部分被吸收,其余部分则以声表面波的形式在侧墙壁的表面传播,导致了器件的Q值一定程度的降低。SAW谐振器理论表明,叉指电极IDT所激发的声表面波,入射到以一定周期放置的反射栅时,满足布拉格谐振频率的入射波和反射波相干叠加,然后在输出IDT中得到相应的窄带输出波形,这种添加反射栅的方法可理解为代表一种能量的“回收”方式,可有效提高器件谐振区域的Q值。因此,为了获取较为理想的幅频和相频曲线,在上述实施例中,叉指电极5的外沿距离反射栅8的外沿的最小距离D=λ×(n+1/2),其中,λ为Lamb波的波长;n为整数,且n≥0。
在上述实施例中,压电层4上还优选设置有地电极9。地电极9通常是沉积压电层之前沉积的一层金属薄膜,如铝、钨、铂、钼等,通过压电层和上电极IDT的图形化实现该电极能够引出,相比无地电极可获取更高的机电耦合系数。
在上述实施例中,叉指电极5优选为等宽叉指电极,且相邻叉指之间的间隙距离为λ×1/4,其中,λ为Lamb波的波长。
在上述实施例中,反射栅8中每个栅与栅之间的间距≤叉指电极5的线条宽度。
在上述实施例中,反射栅8中每个栅的宽度≤叉指电极5的线条宽度。
本案所用的叉指电极5并不局限于图2所示的情形,它还可以是图3-5所示出的情形。图3为带有假指的变迹IDT方式,可用于减少因IDT二阶效应中波阵面的畸变所导致的器件性能下降的影响。图4为一种单端谐振方式的IDT方式,叉指电极覆盖整个传感区域。图5中叉指电极沿薄膜宽度方向进行覆盖薄膜。
尽管本发明的实施方案已公开如上,但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用,它完全可以被适用于各种适合本发明的领域,对于熟悉本领域的人员而言,可容易地实现另外的修改,因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下,本发明并不限于特定的细节和这里示出与描述的图例。
Claims (6)
1.一种具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,包括:
衬底层,其具有一个经刻蚀后形成的薄膜层,被刻蚀的区域形成一个腐蚀槽;薄膜层所对应的区域为传感区,薄膜层以外的衬底层上所对应的区域为非传感区;
压电层,其设置在所述衬底层上的远离所述腐蚀槽的一侧;
叉指电极,其设置在所述压电层表面,并位于所述传感区内;所述叉指电极包括有输入端和输出端;
反射栅,其设置在所述压电层表面,并位于所述非传感区内;
其中,所述反射栅被设置在所述叉指电极的两侧,且位于Lamb波的运动路径上。
2.如权利要求1所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,所述叉指电极的外沿距离所述反射栅的外沿的最小距离D=λ×(n+1/2),其中,λ为Lamb波的波长;n为整数,且n≥0。
3.如权利要求1所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,所述压电层上还设置有地电极。
4.如权利要求1所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,所述叉指电极为等宽叉指电极,且相邻叉指之间的间隙距离为λ×1/4,其中,λ为Lamb波的波长。
5.如权利要求1所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,所述反射栅中每个栅与栅之间的间距≤所述叉指电极的线条宽度。
6.如权利要求1所述的具有高品质因数的Lamb波传感器,其特征在于,所述反射栅中每个栅的宽度≤所述叉指电极的线条宽度。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201610316204.5A CN106053595B (zh) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 具有高品质因数的Lamb波传感器 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
CN201610316204.5A CN106053595B (zh) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 具有高品质因数的Lamb波传感器 |
Publications (2)
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---|---|
CN106053595A true CN106053595A (zh) | 2016-10-26 |
CN106053595B CN106053595B (zh) | 2019-08-27 |
Family
ID=57176925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610316204.5A Active CN106053595B (zh) | 2016-05-13 | 2016-05-13 | 具有高品质因数的Lamb波传感器 |
Country Status (1)
Country | Link |
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CN (1) | CN106053595B (zh) |
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