CN106033786A - 太阳能电池的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提出了一种太阳能电池的制造方法：首先提供长城型基板阵列结构，然后在第一沟槽和第二沟槽的侧壁上形成具有第一掺杂类型的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的氧化物层；随后去除第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；最后在第一沟槽的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。本发明的太阳能电池的制造方法，在去除长城型基板阵列结构中不需要的一面的材料和掺杂时，同时还能保护另一面需要的材料和掺杂不受影响，具有节省材料、增加产量和降低制造成本的优点。

Description

太阳能电池的制造方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术，特别涉及一种新型的太阳能电池的制造方法。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应直接把光能转化成电能的装置，其基本构造是运用P型与N型半导体接合而成，当太阳光照射时，光能将硅原子中的电子激发出来，产生电子和空穴的对流，从而输出电压及电流。其中以光电效应工作的薄膜太阳能电池为主流。
薄膜太阳能电池顾名思义就是将一层薄膜制备成太阳能电池，其用半导体材料极少，因此更容易降低成本，同时它不仅是一种高效能源产品，而且也可作为一种新型的建筑材料，更容易实现与建筑的完美结合。在国际市场硅原材料持续紧张的背景下，薄膜太阳能电池已成为国际光伏市场发展的新趋势和新热点。目前，已经能进行产业化大规模生产的薄膜电池主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、碲化镉薄膜太阳能电池。由于薄膜太阳能电池用料少、工艺简单、能耗低，成本有一定优势，因此得到了较快的发展。
为了降低太阳能电池的制造成本，需要所使用的硅片越来越薄，本发明人在专利201010150100.4和201010150102.3中，提出了一种长城型薄膜太阳能电池结构，利用长城型结构生产太阳能电池可以有效低减小硅片厚度，达到节省硅材料的目的。但是，由于长城型结构上下两面要用不同的掺杂，在生产过程中会产生交叉污染，这降低了太阳能电池的发电效率。
发明内容
本发明的目的在于提出一种不会产生交叉污染的太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：A、提供长城型基板阵列结构，包括基板阵列和多个基片；所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面；所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧；对于相间隔的基板的每一个，其第一表面与其一侧的相邻基板的第一表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第二表面与其另一侧的相邻基板的第二表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反；B、在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁上形成具有第一掺杂类型的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的氧化物层；C、去除所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；D、在所述第一沟槽的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
进一步的，还包括步骤E、去除所述第二沟槽侧壁上的氧化物层。
进一步的，还包步骤F、从所述第一沟槽和第二沟槽处进行切割，以分离相邻的基板，形成太阳能电池单元。
其中，所述步骤C、去除所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层，可以采用湿法刻蚀或者气相刻蚀来实现：
采用湿法刻蚀：将所述长城型基板阵列结构倾斜放置，使所述第一沟槽的一端高于另外一端；从所述第一沟槽的高端向第一沟槽内倾注刻蚀剂，以刻蚀掉所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层。进一步的，刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧形成相对于第一侧的正压，以防止刻蚀剂扩散至第二侧；其中，所述第一侧是指第一沟槽开口所在的一侧，第二侧是指第二沟槽开口所在的一侧。其中，所述刻蚀剂包括HF、KOH、BHF。
采用气相刻蚀：在所述长城型基板阵列结构的第一侧，释放气态的刻蚀剂以刻蚀掉所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；其中，所述第一侧是指第一沟槽开口所在的一侧。进一步的，刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧形成相对于第一侧的正压，以防止刻蚀剂扩散至第二侧；其中，所述第二侧是指第二沟槽开口所在的一侧。其中，所述气态的刻蚀剂包括HF气体。
其中，上面两类刻蚀方法中，所述长城型基板阵列结构的第二侧相对于第一侧的正压，是由电动风扇吹风形成，或者是通过真空泵在第一侧抽气使第一侧的气压降低而形成。
其中，所述长城型半导体基板阵列结构是按照以下步骤形成：提供衬底，所述衬底包括第三表面和与第三表面相对的第四表面；在在所述第三表面上形成构图的第一绝缘层，在所述第四表面上形成构图的第二绝缘层；从所述第一绝缘层刻蚀至第二绝缘层形成至少两个第一沟槽，以及从所述第二绝缘层刻蚀至第一绝缘层形成至少一个第二沟槽，每个所述第二沟槽位于相邻的两个所述第一沟槽之间，从而形成至少两个基板和至少一个基片，所述基板由所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁所限定，所述基片连接相邻的两个所述基板，以形成长城型基板阵列结构。
其中所述基片的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。所述基板包括半导体材料，所述基板包括N型掺杂配置或P型掺杂配置。
其中所述第一半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第一半导体层的掺杂剂包括：P、As；所述第二半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第二半导体层的的掺杂剂包括：B、In。
本发明另一方面还提出一种长城型太阳能电池阵列结构，包括：按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面；多个基片，分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧；对于相间隔的基板的每一个，其第一表面与其一侧的相邻基板的第一表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第二表面与其另一侧的相邻基板的第二表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反；所述第二沟槽的侧壁上形成有具有第一掺杂类型的第一半导体层，所述第一沟槽的侧壁上形成有具有第二掺杂类型的第二半导体层，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
其中所述基片的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。所述基板包括半导体材料，所述基板包括N型掺杂配置或P型掺杂配置。
其中所述第一半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第一半导体层的掺杂剂包括：P、As；所述第二半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第二半导体层的的掺杂剂包括：B、In。
本发明再一方面还提出一种太阳能电池单元，包括：基板，所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面；位于所述第一表面上的具有第二掺杂类型的第二半导体层，以及位于第二表面上的具有第一掺杂类型的第一半导体层，所述第二掺杂类型和第一掺杂类型相反；以及位于所述基板两侧的侧墙。
其中所述侧墙的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。所述基板包括半导体材料，所述基板包括N型掺杂配置或P型掺杂配置。
其中所述第一半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第一半导体层的掺杂剂包括：P、As；所述第二半导体层通过掺杂离子扩散形成，所述第二半导体层的的掺杂剂包括：B、In。
本发明的太阳能电池制造方法，在去除长城型基板阵列结构中不需要的一面的材料和掺杂时，同时还能保护另一面需要的材料和掺杂不受影响，以防止交叉污染，提高太阳能电池的发电效率，同时本方法还具有节省材料、增加产量和降低制造成本的优点。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1示出了本发明的实施例的长城型太阳能电池阵列结构的示意图。
图2示出了本发明的实施例的太阳能电池单元的示意图。
图3-15示出了本发明的实施例的太阳能电池的各个阶段的示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
图1示出了本发明的实施例的长城型太阳能电池阵列结构的示意图，包括按照预定方向排列的多个基板150，所述基板150的数量可以任意设置，图中示出的仅仅是示例。所述预定方向如图1中的箭头所示，所述多个基板150在箭头所示的方向上进行排列。每个所述基板150包括第一表面151和与其相对的第二表面152；
所述长城型太阳能电池阵列结构还包括多个基片160，分别设置在所述基板150的第一表面151和第二表面152的外侧；对于相间隔的基板150的每一个，其第一表面151与其一侧的相邻基板的第一表面151共用一个基片160，以形成第一沟槽123，且其第二表面152与其另一侧的相邻基板的第二表面152共用另一个基片160，以形成第二沟槽124，所述第一沟槽123与所述第二沟槽124开口方向相反；以使所述基板结构成长城型结构。
所述第二沟槽124的侧壁上形成有具有第一掺杂类型的第一半导体层125，所述第一沟槽123的侧壁上形成有具有第二掺杂类型的第二半导体层127，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
其中，所述第一半导体层125和第二半导体层127可以通过掺杂离子扩散、半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。在本发明的一个实施例中，所述第一半导体层125和第二半导体层127通过掺杂离子扩散形成，所述第一半导体层125和第二半导体层127可以为重掺杂层，所述第一半导体层125的掺杂剂包括P、As，所述第二半导体层127的掺杂剂包括B、In。
其中，所述基板150可以包括半导体材料，例如硅、锗以及化合物半导体的一种或其组合，并且可以包括N型掺杂配置或P型掺杂配置，这些可以根据基板结构在实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。
其中，所述基片160与基板150可以由相同或相反材料形成。所述基片160可以是半导体材料，但也可以包括绝缘材料、金属或上述材料的组合。而且所述基片160可以包括一个或多个层。可以根据需要配置每个层所使用的材料，例如，可以包括用于刻蚀停止的绝缘层、用于导电的导电层等等。这些都可以根据实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。优选的，所述基片160的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。在本发明的一个实施例中，所述基片160为氮化物。
特别地，当所述多个第一沟槽123和所述多个第二沟槽124基本平行时，所述阵列结构可以是包括基本平行的多个基板150。特别地，所述基板150和与其连接的基片160可以是基本垂直的，即所述第一沟槽123和第二沟槽124可以是基本矩形的形状。
由此形成了长城型太阳能电池阵列结构，在后续的加工工艺中，这种长城型结构可以利用开口方向相反的两组沟槽，很容易地对基板结构的双侧分别进行相反材料的沉积和处理工艺，简化了制造工艺和成本。
图2示出了本发明的实施例的太阳能电池单元的示意图，包括基板150，所述基板150包括第一表面151和与其相对的第二表面152；位于所述第一表面151上的具有第二掺杂类型的第二半导体层127，以及位于第二表面152上的具有第一掺杂类型的第一半导体层125，所述第二掺杂类型和第一掺杂类型相反；以及位于所述基板150两侧的基片160，所述基片160即为侧墙。
其中，所述第一半导体层125和第二半导体层127可以通过掺杂离子扩散、半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。在本发明的一个实施例中，所述第一半导体层125和第二半导体层127通过掺杂离子扩散形成，所述第一半导体层125和第二半导体层127可以为重掺杂层，所述第一半导体层125的掺杂剂包括P、As，所述第二半导体层127的掺杂剂包括B、In。
其中，所述基板150可以包括半导体材料，例如硅、锗以及化合物半导体的一种或其组合，并且可以包括N型掺杂配置或P型掺杂配置，这些可以根据基板结构在实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。
其中，所述基片160与基板150可以由相同或相反材料形成。所述基片160可以是半导体材料，但也可以包括绝缘材料、金属或上述材料的组合。而且所述基片160可以包括一个或多个层。可以根据需要配置每个层所使用的材料，例如，可以包括用于刻蚀停止的绝缘层、用于导电的导电层等等。这些都可以根据实际应用过程中的需要进行配置，本发明不做限制。优选的，所述基片160的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。在本发明的一个实施例中，所述基片160为氮化物。
为了能够更清楚的理解本发明，以下将结合图3-15具体描述形成本发明太阳能电池的方法及工艺，还需要说明的是，以下步骤仅是示意性的，并不是对本发明的限制，本领域技术人员还可通过其他工艺实现。以下实施例是本发明的优选实施例，能够有效降低制造成本。
如图3所示，提供衬底100，所述衬底包括第三表面101和与第三表面101相对的第四表面102；在一个本发明的实施例中，所述衬底100为半导体衬底，为单晶硅、单晶锗或单晶锗硅，在另外的实施例中，衬底100还可以为多晶Si、多晶Ge、多晶SiGe、III-V或II-VI化合物半导体及其组合。在一个本发明的实施例中，所述半导体衬底可以选择p型晶圆或者n型晶圆，在其他实施例中，可通过在半导体衬底进行所需N型掺杂配置或P型掺杂配置来形成，本发明不做限制。其中，所述衬底100的厚度可为0.2-3mm，当然本发明并不限定于此。
从所述第三表面101刻蚀衬底100形成至少两个第一沟槽123，以及从所述第四表面102刻蚀衬底100形成至少一个第二沟槽124，每个所述第二沟槽124位于相邻的两个所述第一沟槽123之间，如图10所示。本发明的一个实施例的实现步骤如图4-10所示。
具体来说，首先，如图4所示，在衬底100的第三表面101、第四表面102及侧面上形成绝缘层200。所述绝缘层200的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、TiO2、HfO2、ZrO2、Al2O3或其组合。在本发明的一个实施例中，该绝缘层200为氮化物材料，具有刻蚀阻挡层以及绝缘层的作用。
接着如图5所示，在第三表面101的绝缘层200上形成带图形的光刻胶301(或光阻)，其中该光刻胶301的图形与需要刻蚀的至少两个第一沟槽123相对应。其中，优选地，所述第一沟槽123等间距排列。形成带图形的光刻胶301可用公知的方法实现。如图6所示，为本发明实施例图5所示的淀积了绝缘层200和带图形的光刻胶301的硅晶片的剖面图。
接着如图7和图8所示，刻蚀绝缘层200至衬底100后形成第一开口111，去除带图形的光刻胶301，从而形成构图的第一绝缘层210。
而后，如图8和图9所示，在衬底100的第四表面102上的绝缘层200上形成与第二沟槽124对应的第二开口112，每个第二开口112的位置位于两个第一开口111之间。作为本发明的一个优选实施例，每个第一开口111和每个第二开口112之间的间隔相等，以使后续步骤中形成第二沟槽124到两侧的第一沟槽123的距离相等，从而能够有效提高生产效率，降低成本。如图8所示，为本发明实施例的去除衬底第三表面101上的光刻胶301之后对第四表面102的绝缘层200形成带图形的光刻胶302的示意图。形成带图形的光刻胶302可以用和带图形的光刻胶301同样的方法实现，或者采用其它公知的方法实现。然后，如图9所示，刻蚀绝缘层200至衬底100后形成第二开口112，去除带图形的光刻胶302，从而形成构图的第二绝缘层220。
而后，如图10所示，为节省制造时间和降低制造成本，以第一绝缘层210和第二绝缘层220为掩膜，从第一开口111和第二开口112同时刻蚀衬底100，以形成开口方向相反的第一沟槽123和第二沟槽124，其中第一沟槽123的底部接触到第二绝缘层220，第二沟槽124的底部接触到第一绝缘层210，使得第一沟槽123和第二沟槽之间124的衬底100成为长城型基板阵列结构的基板150，第一绝缘层210和第二绝缘层220作为长城型基板阵列结构的基片160。本实施例中，所述基板150的厚度为大约5-120μm，宽度为大约0.2-3mm，所述厚度为属于同一基板150的、相邻沟槽123、124的侧壁所对应的表面之间的距离，所述宽度为第三表面101和第四表面102之间的距离。
具体地，可采用干法刻蚀，例如RIE，或湿法刻蚀来各向异性刻蚀衬底形成第一沟槽123和第二沟槽124。特别地，当所述衬底包含单晶材料时，例如单晶Si、单晶Ge、单晶SiGe或其组合时，可以利用湿法刻蚀，例如采用氢氧化钾(KOH)、四甲基氢氧化铵(TMAH)或乙二胺-邻苯二酚(EDP)等溶剂进行刻蚀，以形成第一沟槽123和第二沟槽124。
上述形成第一沟槽123和第二沟槽124的方法为本发明的一个实施例，当然本领域技术人员还可以选择其他方法形成，这些达到与本发明等同效果的方法均应包含在本发明的保护范围之内。
特别地，当所述多个第一沟槽123和所述多个第二沟槽124基本平行时，所述阵列结构可以是包括基本平行的多个基板150。特别地，所述基板150和与其连接的基片160可以是基本垂直的，即所述第一沟槽123和第二沟槽124可以是基本矩形的形状。
接着，如图11所示，在所述第一沟槽123和第二沟槽124的侧壁上形成第一半导体层125，然后在第一半导体层125上沉积氧化物层126。
所述第一半导体层125可以通过掺杂离子扩散的方法，在第一沟槽123和第二沟槽124的侧壁内形成具有第一掺杂类型的第一半导体层125。所述第一半导体层125还可以通过半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。所述第一半导体层可以为重掺杂层。所述第一掺杂类型可以为p型掺杂或n型掺杂。
所述氧化物层126可以通过淀积透明导电氧化物TCO(TransparentConductive Oxide)来形成，以便减少电阻和增加电池发电效率。作为本发明的一个优选实施例，在淀积时，温度控制在550℃以下。作为本发明的一个优选实施例，TCO为SnO2和ZnO，其他的实施例中，TCO还可以为In2O3、ITO、CdO、Cd2SnO4、FTO、AZO或其组合。
然后，如图12所示，去除所述第一沟槽123侧壁上的氧化物层126和第一半导体层125。
可以采用湿法刻蚀：如图13所示，首先将所述长城型基板阵列结构倾斜放置，使第一沟槽123的一端高于另外一端；然后从第一沟槽123的高端向第一沟槽123内倾注刻蚀剂，以刻蚀掉所述第一沟槽123侧壁上的氧化物层126和第一半导体层125。在刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧B形成相对于第一侧A的正压，以防止刻蚀剂扩散至第二侧B；其中，所述第一侧A是指第一沟槽123开口所在的一侧，第二侧B是指第二沟槽124开口所在的一侧。其中，所述湿法刻蚀可以为各向同性刻蚀(Isotropic Etching)。刻蚀剂可以包括：HF、KOH、BHF。其中，如果基板的材料为SiO2，优选HF和BHF作为刻蚀剂。如果基板的材料为Si，优选KOH为刻蚀剂，同时还可以采用三步刻蚀工艺(Trilogy Etch)。
或者采用气相刻蚀：如图14所示，在所述长城型半导体基板阵列结构的第一侧A，释放气态的刻蚀剂以刻蚀掉所述第一沟槽123侧壁上的氧化物层126和第一半导体层125；其中，所述第一侧A是指第一沟槽123开口所在的一侧。在刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧B形成相对于第一侧A的正压，以防止刻蚀剂气体扩散至第二侧B；其中，所述第二侧B是指第二沟槽124开口所在的一侧。其中，所述气相刻蚀采用的刻蚀剂包括HF气体。
其中，在本发明的一个实施例中，所述长城型基板阵列结构的第二侧B相对于第一侧A的正压，是由电动风扇吹风形成。在本发明的另一实施例中，所述长城型基板阵列结构的第二侧B相对于第一侧A的正压，是通过真空泵在第一侧A抽气使第一侧A的气压降低而形成。
然后，如图15所示，在所述第一沟槽123的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层127。所述第二半导体层127可以通过掺杂离子扩散的方法，在第一沟槽123侧壁内形成具有第二掺杂类型的第二半导体层127。所述第二半导体层127还可以通过半导体薄膜沉积以及沉积后再进行退火扩散等多种方式形成，这些均可以根据需要进行选择。所述第二半导体层可以为重掺杂层。
其中，所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。就是说当第一类型的掺杂为p型时，第二类型的掺杂为n型，第一类型的掺杂为n型时，第二类型的掺杂为p型。在本发明的一个实施例中，所述第一半导体层的掺杂剂包括：P、As，所述第二半导体层的的掺杂剂包括：B、In。
经过以上步骤，如图15所示，就形成了本发明实施例的长城型太阳能电池阵列结构。进一步的，还可以去除所述第二沟槽124侧壁上的氧化物层126，这样就形成了如图1所示的实施例的长城型太阳能电池阵列结构。其中，去除所述第二沟槽124侧壁上的氧化物层126可以采用和刻蚀第一沟槽123侧壁上的氧化物层126和第一半导体层125同样的刻蚀方法，或者别的刻蚀方法来实现，其中包括湿法刻蚀或者干法刻蚀。
最后，从所述第一沟槽123和第二沟槽124处进行切割，以分离相邻的基板150，并且去除超出基板150侧面的基片。这样就形成了如图2所述的太阳能电池单元。
本发明有效地利用了衬底的厚度，从而在不增加整个晶圆片尺寸的前提下，提高了晶圆片的可加工的表面积或表面积利用率。并且，由于所述基板结构具有长城型结构，可以利用所形成的第一沟槽和第二沟槽在后续的加工工艺中很容易地对基板结构的双侧分别进行不同材料的沉积和处理工艺，从而适于各种加工工艺和要求、提高了产出和降低了成本。
本发明的太阳能电池制造方法，在去除长城型基板阵列结构中不需要的一面的材料和掺杂时，同时还能保护另一面需要的材料和掺杂不受影响，以防止交叉污染，提高太阳能电池的发电效率，同时本方法还具有节省材料、增加产量和降低制造成本的优点。
虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本发明的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本发明保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。
此外，本发明的应用范围不局限于说明书中描述的特定实施例的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法及步骤。从本发明的公开内容，作为本领域的普通技术人员将容易地理解，对于目前已存在或者以后即将开发出的工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤，其中它们执行与本发明描述的对应实施例大体相同的功能或者获得大体相同的结果，依照本发明可以对它们进行应用。因此，本发明所附权利要求旨在将这些工艺、机构、制造、物质组成、手段、方法或步骤包含在其保护范围内。

Claims (10)

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
A、提供长城型基板阵列结构，包括基板阵列和多个基片；
所述基板阵列包括按照预定方向排列的多个基板，每个所述基板包括第一表面和与其相对的第二表面；
所述多个基片分别设置在所述基板的第一表面和第二表面的外侧；对于相间隔的基板的每一个，其第一表面与其一侧的相邻基板的第一表面共用一个基片，以形成第一沟槽，且其第二表面与其另一侧的相邻基板的第二表面共用另一个基片，以形成第二沟槽，所述第一沟槽与所述第二沟槽开口方向相反；
B、在所述第一沟槽和第二沟槽的侧壁上形成具有第一掺杂类型的第一半导体层和位于所述第一半导体层上的氧化物层；
C、去除所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；
D、在所述第一沟槽的侧壁上形成具有第二掺杂类型的第二半导体层，其中所述第二掺杂类型与所述第一掺杂类型相反。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括步骤E：
E、去除所述第二沟槽侧壁上的氧化物层。
3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，还包步骤F：
F、从所述第一沟槽和第二沟槽处进行切割，以分离相邻的基板，形成太阳能电池单元。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括：
将所述长城型基板阵列结构倾斜放置，使所述第一沟槽的一端高于另外一端；
从所述第一沟槽的高端向第一沟槽内倾注刻蚀剂，以刻蚀掉所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤C还包括：
刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧形成相对于第一侧的正压，以防止刻蚀剂扩散至第二侧；其中，所述第一侧是指第一沟槽开口所在的一侧，第二侧是指第二沟槽开口所在的一侧。
6.如权利要求4-5任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀剂包括HF、KOH、BHF。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C包括：
在所述长城型基板阵列结构的第一侧，释放气态的刻蚀剂以刻蚀掉所述第一沟槽侧壁上的氧化物层和第一半导体层；其中，所述第一侧是指第一沟槽开口所在的一侧。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述步骤C还包括：
刻蚀的同时，在所述长城型基板阵列结构的第二侧形成相对于第一侧的正压，以防止刻蚀剂扩散至第二侧；其中，所述第二侧是指第二沟槽开口所在的一侧。
9.如权利要求7-8任一项所述的方法，其特征在于，所述气态的刻蚀剂包括HF气体。
10.如权利要求5或8所述的方法，其特征在于，所述长城型基板阵列结构的第二侧相对于第一侧的正压，是由电动风扇吹风形成或者是通过真空泵在第一侧抽气使第一侧的气压降低而形成。
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