CN106030821B - 顶栅薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法以及tft器件 - Google Patents
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Abstract
提供了一种顶栅薄膜晶体管(10)，旨在解决现有技术中采用钝化层来阻挡源漏金属刻蚀时对半导体造成的伤害的问题。该顶栅薄膜晶体管(10)包括依次形成的第一导电层(11)、有源层(12)、绝缘层(13)和第二导电层(14)；第一导电层(11)包括间隔设置的源极(112)与漏极(114)，源极(112)和漏极(114)之间夹设有沟道(116)；有源层(12)包括设置于沟道(116)内且两端分别搭接于源极(112)和漏极(114)顶部的半导体层(122)以及贴附于半导体层(122)上的保护层(124)；绝缘层(13)包括位于保护层(124)及源极(112)与漏极(114)上的栅极绝缘部(132)；第二导电层(14)包括位于栅极绝缘部(132)上并相对于沟道(116)而设置的栅极部(142)。采用保护层(124)保护半导体层(122)，避免栅极绝缘层(132)对半导体层(122)的影响，这样，采用致密栅极绝缘层以起到钝化作用，而无需增设额外的钝化层，简化了工艺步骤。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种顶栅薄膜晶体管、包含该顶栅薄膜晶体管的阵列基板、该阵列基板的制造方法以及包含该阵列基板的TFT器件。
背景技术
薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)在液晶和有机发光(OLED)等平板显示技术领域得到了非常广泛的应用。目前，在TFT技术中，有源层多采用非晶硅(a-Si)和多晶硅(poly-Si)等半导体材料，一般多用非晶硅TFT，可以覆盖几乎所有尺寸的平板显示产品，而多晶硅TFT只能适用于中小尺寸产品。随着平板显示技术的快速发展，对TFT的性能提出了越来越高的要求，非晶硅TFT和多晶硅TFT的特性已无法满足构造复杂、漏电流大和量产均一等方面的要求，在此要求下，金属氧化物TFT应运而生，成为上述两种半导体材料的替代者。
采用金属氧化物作为TFT的有源层材料，可以将TFT的结构可以分为底栅型和顶栅型两类，底栅型也可以称为反交错型电极结构，顶栅型也称为交错型电极结构。底栅型TFT结构又分为刻蚀保护型和背沟道刻蚀型，而刻蚀保护型需要钝化层来阻挡源漏金属刻蚀时对半导体造成的伤害，这样的方法，增加了工艺的复杂程度进而增加成本。
有机发光二极管(OLED)有两种发光模式：顶发光与底发光模式，对于前者，背板的像素电极需要为反射率高的金属层，对于后者则需要透明导电材料，常见的透明导电材料导电率通常远高于金属，不适宜用于全局信号线和数据线的传输。
发明内容
本发明的目的在于提供一种顶栅薄膜晶体管，旨在解决现有技术中采用钝化层来阻挡源漏金属刻蚀时对半导体造成的伤害的问题。
本发明是这样实现的，一种顶栅薄膜晶体管，包括依次形成的第一导电层、有源层、绝缘层和第二导电层；所述第一导电层包括间隔设置的源极与漏极，所述源极和所述漏极之间夹设有沟道；所述有源层包括设置于所述沟道内且两端分别搭接于所述源极和所述漏极顶部的半导体层以及贴附于所述半导体层上的保护层；所述绝缘层包括位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部；所述第二导电层包括位于所述栅极绝缘部上并相对于所述沟道而设置的栅极部。
本发明还提供了一种阵列基板，包括衬底以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述顶栅薄膜晶体管，所述绝缘层还包括位于所述衬底上的像素部，所述第二导电层还包括形成于所述像素部上的像素电极，所述像素电极通过所述绝缘层上的通孔与所述漏极连接。
本发明还提供了一种TFT器件，包括阵列基板以及由所述第一导电层形成的数据信号线和控制信号线，所述数据信号线和控制信号线相交并且在相交处所述数据信号线和所述控制信号线之一断开以形成断开处，所述绝缘层还包括覆盖所述数据信号线或所述控制信号线穿过所述断开处的部分的信号线绝缘部，所述第二导电层还包括覆盖所述信号线绝缘部并电性连接断开的所述数据信号线或所述控制信号线的连接部；所述源极电性连接所述数据信号线，所述栅极部电性连接所述数据信号线。
本发明还提供了一种阵列基板的制造方法，包括以下步骤：
提供衬底；
沉积第一导电层；
第一次光刻掩模，对所述第一导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第一导电层在所述衬底上形成间隔设置的源极和漏极，所述源极、所述漏极和所述衬底之间形成沟道；
依次沉积半导体层和保护层；
第二次光刻掩模，对所述半导体层和所述保护层进行曝光、显影和刻蚀，刻蚀掉除与所述沟道、所述源极和所述漏极接触以外的所述半导体层和所述保护层；
沉积绝缘层；
第三次光刻掩模，对所述绝缘层进行曝光、显影和刻蚀，使所述绝缘层形成位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部以及连通至所述漏极的通孔；
沉积第二导电层；
第四次光刻掩模，对所述第二导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第二导电层形成间隔设置的栅极部和像素电极，所述栅极部与所述半导体层相对应，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极相连接。
本发明相对于现有技术的技术效果是：顶栅薄膜晶体管采用所述保护层保护所述半导体层，避免所述栅极绝缘层对所述半导体层的影响，并为所述栅极绝缘层提供了更多更好的选择，即可以采用致密栅极绝缘层，这样栅极绝缘层起到钝化作用，而无需增设额外的钝化层，简化了工艺步骤。
附图说明
图1是本发明实施例提供的顶栅薄膜晶体管的平面示意图；
图2是本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图，其是沿图1中A-A方向的剖视图；
图3是本发明实施例提供的源漏基层沉积于沉底上的结构示意图；
图4是本发明实施例提供的第一次光刻掩模后的结构示意图；
图5是本发明实施例提供的第二次光刻掩模后的结构示意图；
图6是本发明实施例提供的将栅极绝缘层沉积于源漏基层上的结构示意图；
图7是本发明实施例提供的第三次光刻掩模后的结构示意图；
图8是本发明实施例提供的第四次光刻掩模后的结构示意图，其是沿图1中B-B方向的剖视图；
图9是本发明实施例提供的第四次光刻掩模后的另一结构示意图，该第一导电层包括欧姆接触层；
图10是对应于图4的平面示意图；
图11是对应于图5的平面示意图；
图12是对应于图7的平面示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参照图1至图8，本发明实施例提供的顶栅薄膜晶体管10包括依次形成的第一导电层11、有源层12、绝缘层13和第二导电层14，所述第一导电层11包括间隔设置的源极112与漏极114，所述源极112和所述漏极114之间夹设有沟道116，所述有源层12包括设置于所述沟道116内且两端分别搭接于所述源极112和所述漏极114顶部的半导体层122以及贴附于所述半导体层122上的保护层124；所述绝缘层13包括位于所述保护层124及所述源极112与漏极114上的栅极绝缘部132；所述第二导电层14包括位于所述栅极绝缘部132上并相对于所述沟道116而设置的栅极部142。
在该实施例中，所述第一导电层11由金属材料制成，该金属材料可以是钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰或者银等。
在该实施例中，所述第一导电层11形成于衬底20上，从而形成源极112、漏极114底接触TFT结构，并且将所述第二导电层14设置于远离所述衬底20的一侧，以形成顶栅TFT结构，有效地避免采用钝化层对第一导电层11进行保护。
本发明实施例提供的顶栅薄膜晶体管10采用所述保护层124保护所述半导体层122，避免所述绝缘层13对所述半导体层122的影响，并为所述绝缘层13提供了更多更好的选择，即可以采用致密绝缘层13，这样绝缘层13起到钝化作用，而无需增设额外的钝化层，简化了工艺步骤。
进一步地，所述第二导电层14由透明导电材料制成。优选地，所述第二导电层14由透明导电金属氧化物制成。进一步优选地，所述第二导电层14由氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝、氧化镓锌或者上述任意组合制成。
进一步地，所述第二导电层14由金属材料制成。优选地，所述第二导电层14由钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银或者具有上述任一元素的化合物制成。
进一步地，所述半导体层122由非晶硅半导体材料或者金属氧化物半导体材料制成。优选地，所述半导体层122由锌、铟、锡、镓、铪中的至少一种而制成。
在该实施例中，所述保护层124由具有绝缘性的半导体材料制成，优选地，所述保护层124采用氧化硅、氮化硅或者氧化铝等制成。
请参照图9，进一步地，所述第一导电层11还包括设置于所述源极112和所述漏极114与所述半导体层122之间的欧姆接触层118。所述欧姆接触层118具有较好的导电性，用于减小顶栅薄膜晶体管10的漏电流。优选地，所述欧姆接触层118由n+掺杂的a-Si制成。
请参照图1至图8，本发明实施例提供的阵列基板包括衬底20以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述顶栅薄膜晶体管10，所述绝缘层13还包括位于所述衬底20上的像素部134，所述第二导电层14还包括形成于所述像素部134上的像素电极144，所述像素电极144通过所述绝缘层13上的通孔130与所述漏极114连接。在该实施例中，所述顶栅薄膜晶体管10与上述各实施例中顶栅薄膜晶体管10的结构相同，且具有相同的功能和作用，此处不赘述。可以理解，所述第二导电层14与所述像素电极144并排形成于所述绝缘层13上，且所述像素电极144与所述漏极114通过所述通孔130电连接。
在该实施例中，所述衬底20由玻璃、塑料或者不锈钢等制成。
请参照图3和图4，进一步地，所述第二导电层14还包括形成于所述衬底20与所述顶栅薄膜晶体管10之间的缓冲层146，所述源极112和所述漏极114形成于所述缓冲层146表面。优选地，所述缓冲层146由氧化硅、氮化硅或者金属氧化物制成，例如，所述金属氧化物为氧化铝等。
进一步地，所述缓冲层146由单层缓冲层材料构成、由多层缓冲层材料层叠设置而构成或者由多层缓冲层材料交错设置而构成。
请参照图1至图8，本发明实施例提供的TFT器件包括阵列基板以及由所述第一导电层11形成的数据信号线30和控制信号线40，所述数据信号线30和控制信号线40相交并且在相交处所述数据信号线30和所述控制信号线40之一断开以形成断开处50，所述绝缘层13还包括覆盖所述数据信号线30或所述控制信号线40并穿过所述断开处50的信号线绝缘部136，所述第二导电层14还包括覆盖所述信号线绝缘部136并电性连接断开的所述数据信号线30或所述控制信号线40的连接部148；所述源极112电性连接所述数据信号线30，所述栅极部142电性连接所述控制信号线40。
所述阵列基板包括衬底20以及薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述顶栅薄膜晶体管10，所述阵列基板还包括形成于所述绝缘层13上的像素电极144，所述像素电极144通过所述绝缘层13上的通孔130与所述漏极114连接；所述TFT器件还包括数据信号线30和控制信号线40。
在该实施例中，所述顶栅薄膜晶体管10与上述各实施例中顶栅薄膜晶体管10的结构相同，且具有相同的功能和作用，此处不赘述。
在该实施例中，所述衬底20由玻璃、塑料或者不锈钢等制成。
在该实施例中，所述TFT器件为有机发光二极管(OLED)，对于底发光的OLED，所述第二导电层14和所述像素电极144可以采用透明导电材料，例如透明导电金属氧化物，具体地，该透明金属氧化物可以是氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或者氧化镓锌等；对于顶发光的OLED，所述第二导电层14和所述像素电极144可以采用反射效率高的金属制成，例如，钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰或者银等，利用反射效率高的金属作为第二导电层14和像素电极144可以阻挡OLED发出的光对所述半导体层122的影响，从而提升了TFT器件性能的稳定性。
请参照图3至图8，进一步地，所述阵列基板还包括形成于所述衬底20与所述顶栅薄膜晶体管10之间的缓冲层146，所述源极112和所述漏极114形成于所述缓冲层146表面。优选地，所述缓冲层146由氧化硅、氮化硅或者金属氧化物制成，例如，所述金属氧化物为氧化铝等。
进一步地，所述缓冲层146由单层缓冲层材料构成、由多层缓冲层材料层叠设置而构成或者由多层缓冲层材料交错设置而构成。
进一步地，所述数据信号线30由所述第一导电层11导通，所述控制信号线40由所述第二导电层14导通。对于TFT器件为顶发光的OLED时，由所述第一导电层11导通所述数据信号线30以及由所述第二导电层14导通所述控制信号线40，提高了TFT器件性能的稳定性。
进一步地，所述数据信号线30和所述控制信号线40均由所述第一导电层11导通。对于TFT器件为底发光的OLED时，考虑到透明导电材料具有较低的导电率，由所述第一导电层11导通所述数据信号线30和所述控制信号线40，在所述数据信号线30和所述控制信号线40相交处，采用透明导电材料相连接以避免短路。
在该实施例中，在两层导电材料重叠部分，所述第一导电层11上可由半导体层122及所述保护层124覆盖，以进而减小漏电流。
请参照图1至图8，本发明实施例提供的阵列基板的制造方法包括以下步骤：
提供衬底20；
沉积第一导电层11，如图3所示；可以理解，在所述衬底20表面沉积一层第一导电层11；优选地，所述衬底20由玻璃、塑料或者不锈钢等制成；所述第一导电层11由金属材料制成，该金属材料可以是钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰或者银等。
第一次光刻掩模，对所述第一导电层11进行曝光、显影和刻蚀，使所述第一导电层11在所述衬底20上形成间隔设置的源极112和漏极114，所述源极112、所述漏极114和所述衬底20之间形成沟道116，如图4所示；可以理解，所述沟道116的底部为所述衬底20的顶面，这样形成源极112、漏极114底接触TFT结构，并且将所述第二导电层14设置于远离所述衬底20的一侧，以形成顶栅TFT结构，有效地避免采用阻挡层对第一导电层11进行保护。
依次沉积半导体层122和保护层124，如图5所示；可以理解，在所述第一导电层11上依次沉积半导体层122和保护层124；在两层导电材料重叠部分，所述第一导电层11上可由半导体层122及所述保护层124覆盖，以进而减小漏电流。
第二次光刻掩模，对所述半导体层122和所述保护层124进行曝光、显影和刻蚀，刻蚀掉除与所述沟道116、所述源极112和所述漏极114接触以外的所述半导体层122和所述保护层124，如图5所示；
沉积绝缘层13；可以理解，所述绝缘层13覆盖于所述源极112、漏极114、保护层124表面并延伸至所述衬底20表面，如图6所示；优选地，所述绝缘层13可以是氧化硅、氮化硅、氧化铝或者氧化铪等。
第三次光刻掩模，对所述绝缘层13进行曝光、显影和刻蚀，使所述绝缘层13上形成位于所述保护层124及所述源极112与漏极114上的栅极绝缘部132以及连通至所述漏极114的通孔130，如图7所示；
在所述绝缘层13上沉积第二导电层14；
第四次光刻掩模，对所述第二导电层14进行曝光、显影和刻蚀，使所述第二导电层14形成间隔设置的栅极部142和像素电极144，所述栅极部142与所述半导体层122相对应，所述像素电极144通过所述通孔130与所述漏极114相连接，如图8所示。
本发明实施例提供的阵列基板的制造方法利用保护层124保护所述半导体层122，使得所述半导体层122不受所述绝缘层13淀积工艺的影响，从而可以使用致密的所述绝缘层13，并同时利用该绝缘层13作为钝化层，而无需额外设置钝化层，简化了工艺布置，仅通过四次光刻掩模在所述衬底20上形成第一导电层11底接触且第二导电层14置顶的TFT结构。
在第一次光刻掩模步骤中，具体包括以下步骤：在所述第一导电层11的上表面涂覆光刻胶；利用紫外光将掩模板上的图形通过曝光处理转印至该光刻胶上；对曝光处理后的光刻胶和所述第一导电层11进行显影得到所述源极112和所述漏极114，并在所述源极112和所述漏极114之间形成所述沟道116；以及剥离经显影处理后贴附于所述源极112和所述漏极114上的光刻胶。
在第二次光刻掩膜步骤中，具体包括以下步骤：在所述保护层124的表面涂覆光刻胶；利用紫外光将掩模板上的图形通过曝光处理转印至该光刻胶上；对曝光处理后的光刻胶、所述保护层124和所述半导体层122进行显影得到连接于所述源极112和所述漏极114之间的所述半导体层122和所述保护层124；以及剥离经显影处理后贴附于所述保护层124上的光刻胶。
在第三次光刻掩模步骤中，具体包括以下步骤：在所述绝缘层13的表面涂覆光刻胶；利用紫外光将掩模板上的图形通过曝光处理转印至该光刻胶上；对曝光处理后的光刻胶和所述绝缘层13进行显影得到具有所述通孔130的所述绝缘层13；以及剥离经显影处理后贴附于所述绝缘层13上的光刻胶。
在第四次光刻掩膜步骤中，具体包括以下步骤：在所述第二导电层14的表面涂覆光刻胶；利用紫外光将掩模板上的图形通过曝光处理转印至该光刻胶上；对曝光处理后的光刻胶和所述第二导电层14进行显影得到栅极部142和像素电极144；以及剥离经显影处理后贴附于所述栅极部142和所述像素电极144上的光刻胶。
请参照图3，进一步地，在沉积第一导电层11的步骤之前，还包括：在所述衬底20表面沉积一缓冲层146的步骤；在沉积第一导电层11的步骤中，所述第一导电层11沉积在所述缓冲层146上。优选地，所述缓冲层146由氧化硅、氮化硅或者金属氧化物制成，例如，所述金属氧化物为氧化铝等。
进一步地，所述缓冲层146由单层缓冲层材料构成、由多层缓冲层材料层叠设置而构成或者由多层缓冲层材料交错设置而构成。
请参照图9，进一步地，在第一次光刻掩模的步骤之前，还包括在第一导电层11上沉积欧姆接触层118；在第一次光刻掩模的步骤中，对所述第一导电层11和欧姆接触层118同时进行曝光、显影和刻蚀。所述欧姆接触层118具有较好的导电性，用于减小顶栅薄膜晶体管10的漏电流。优选地，所述欧姆接触层118由n+掺杂的a-Si制成。
进一步地，所述半导体层122由非晶硅半导体材料或者金属氧化物半导体材料制成。优选地，所述半导体层122由锌、铟、锡、镓、铪中的至少一种而制成。所述保护层124由具有绝缘性的半导体材料制成，优选地，所述保护层124采用氧化硅、氮化硅或者氧化铝等制成。
进一步地，在第四次光刻掩模步骤中，所述第二导电层14为透明导电材料或者金属材料。所述TFT器件为有机发光二极管(OLED)，对于底发光的OLED，所述第二导电层14可以采用透明导电材料，优选地，所述第二导电层14为透明导电金属氧化物，例如，所述透明导电金属氧化物为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或者氧化镓锌；对于顶发光的OLED，所述第二导电层14可以采用反射效率高的金属制成，例如，钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银或者具有上述任一元素的化合物，利用反射效率高的金属作为第二导电层14和像素电极144可以阻挡OLED发出的光对所述半导体层122的影响，从而提升了TFT器件性能的稳定性。
进一步地，在沉积绝缘层13的步骤中，采用化学气相沉积(Chemical VaporDeposition，简称CVD)、等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical VaporDeposition，简称PECVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition，简称ALD)或者溅射方式实现。
请参照图10，进一步地，在第一次光刻掩模的步骤中，还包括使所述第一导电层11形成数据信号线30和控制信号线40，所述数据信号线30和所述控制信号线40相交并且在相交处所述数据信号线30和控制信号线40之一断开以形成断开处50；所述源极112电性连接所述数据信号线30。
请参照图11，进一步地，在第二次光刻掩模的步骤中，还包括使所述半导体层122和所述保护层124覆盖在所述数据信号线30或控制信号线40穿过所述断开处50的部分。
请参照图12，进一步地，在第三次光刻掩模的步骤中，还包括使所述绝缘层13包括覆盖所述数据信号线30或控制信号线40穿过上述断开处50部分的信号线绝缘部136。
请参照图1，进一步地，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述第二导电层14包括覆盖上述信号线绝缘部136并电性连接断开的数据信号线30或控制信号线40的连接部148。
请参照图1，进一步地，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述栅极部142电性连接所述控制信号线40。
本发明实施例还提供了阵列基板，所述阵列基板采用上述阵列基板的制造方法而制成。在该实施例中，所述阵列基板的制造方法与上述各实施例中阵列基板的制造方法的步骤相同，且具有相同的功能和作用，此处不赘述。
本发明实施例还提供了一种TFT器件包括阵列基板，所述阵列基板采用上述阵列基板的制造方法而制成，所述TFT器件还包括数据信号线30和控制信号线40。在该实施例中，所述阵列基板的制造方法与上述各实施例中阵列基板的制造方法的步骤相同，且具有相同的功能和作用，此处不赘述。
进一步地，所述数据信号线30由所述第一导电层11导通，所述控制信号线40由所述第二导电层14导通。对于TFT器件为顶发光的OLED时，由所述第一导电层11导通所述数据信号线30以及由所述第二导电层14导通所述控制信号线40，提高了TFT器件性能的稳定性。
进一步地，所述数据信号线30和所述控制信号线40均由所述第一导电层11导通。对于TFT器件为底发光的OLED时，考虑到透明第二导电层14具有较低的导电率，由所述第一导电层11导通所述数据信号线30和所述控制信号线40，在所述数据信号线30和所述控制信号线40相交处，采用透明第二导电层14相连接以避免短路。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (17)
1.一种阵列基板，包括衬底以及薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括依次形成的第一导电层、有源层、绝缘层和第二导电层；所述第一导电层包括间隔设置的源极与漏极，所述源极和所述漏极之间夹设有沟道；所述有源层包括设置于所述沟道内且两端分别搭接于所述源极和所述漏极顶部的半导体层以及贴附于所述半导体层上的保护层；所述绝缘层包括位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部；所述第二导电层包括位于所述栅极绝缘部上并相对于所述沟道而设置的栅极部，所述绝缘层还包括位于所述衬底上的像素部，所述像素电极形成于所述像素部上；
所述第一导电层还包括数据信号线和控制信号线，所述数据信号线和所述控制信号线相交并且在相交处所述数据信号线和控制信号线之一断开以形成断开处，所述半导体层和所述保护层覆盖在所述数据信号线或控制信号线穿过所述断开处的部分。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二导电层还包括形成于所述衬底与所述薄膜晶体管之间的缓冲层，所述源极和所述漏极形成于所述缓冲层表面。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述缓冲层由单层缓冲层材料构成或者由多层缓冲层材料层叠设置而构成。
4.一种TFT器件，其特征在于，包括如权利要求1至3任意一项所述阵列基板，所述绝缘层还包括覆盖所述数据信号线或所述控制信号线穿过所述断开处的部分的信号线绝缘部，所述第二导电层还包括覆盖所述信号线绝缘部并电性连接断开的所述数据信号线或所述控制信号线的连接部；所述源极电性连接所述数据信号线，所述栅极部电性连接所述控制信号线。
5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
沉积第一导电层；
第一次光刻掩模，对所述第一导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第一导电层在所述衬底上形成间隔设置的源极和漏极，所述源极、所述漏极和所述衬底之间形成沟道，并使所述第一导电层形成数据信号线和控制信号线，所述数据信号线和所述控制信号线相交并且在相交处所述数据信号线和控制信号线之一断开以形成断开处；所述源极电性连接所述数据信号线；
依次沉积半导体层和保护层；
第二次光刻掩模，对所述半导体层和所述保护层进行曝光、显影和刻蚀，使所述半导体层和所述保护层覆盖在所述数据信号线或控制信号线穿过所述断开处的部分，并刻蚀掉除与所述沟道、所述源极和所述漏极接触以外的所述半导体层和所述保护层；
沉积绝缘层；
第三次光刻掩模，对所述绝缘层进行曝光、显影和刻蚀，使所述绝缘层形成位于所述保护层及所述源极与漏极上的栅极绝缘部以及连通至所述漏极的通孔；
沉积第二导电层；
第四次光刻掩模，对所述第二导电层进行曝光、显影和刻蚀，使所述第二导电层形成间隔设置的栅极部和像素电极，所述栅极部与所述半导体层相对应，所述像素电极通过所述通孔与所述漏极相连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在沉积第一导电层的步骤之前，还包括：在所述衬底表面沉积一缓冲层的步骤；在沉积第一导电层的步骤中，所述第一导电层沉积在所述缓冲层上。
7.如权利要求6所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层由单层缓冲层材料构成或者由多层缓冲层材料层叠设置而构成。
8.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第一次光刻掩模的步骤之前，还包括在第一导电层上沉积欧姆接触层；在第一次光刻掩模的步骤中，对所述第一导电层和欧姆接触层同时进行曝光、显影和刻蚀。
9.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述半导体层由非晶硅半导体材料或者金属氧化物半导体材料制成。
10.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为透明导电材料或者金属材料。
11.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为透明导电金属氧化物。
12.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为氧化铟、氧化锌、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌铝或者氧化镓锌。
13.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，所述第二导电层为钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银，或者为具有钼、铝、钛、铜、镍、钨、金、钯、铬、铌、锌、钴、锰、银的化合物。
14.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在沉积绝缘层的步骤中，采用化学气相沉积、原子层沉积或者溅射方式实现。
15.如权利要求5所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第三次光刻掩模的步骤中，还包括使所述绝缘层包括覆盖所述数据信号线或控制信号线穿过上述断开处部分的信号线绝缘部。
16.如权利要求15所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述第二导电层包括覆盖上述信号线绝缘部并电性连接断开的数据信号线或控制信号线的连接部。
17.如权利要求16所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，在第四次光刻掩模的步骤中，还包括使所述栅极部电性连接所述控制信号线。
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