CN106025005B - 一种大功率led集成光源封装方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 29
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 12
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims description 11
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 10
- 238000010411 cooking Methods 0.000 claims description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 7
- 241000218202 Coptis Species 0.000 claims description 6
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000000018 DNA microarray Methods 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000008030 elimination Effects 0.000 claims description 3
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 241001465382 Physalis alkekengi Species 0.000 description 1
- 235000008331 Pinus X rigitaeda Nutrition 0.000 description 1
- 235000011613 Pinus brutia Nutrition 0.000 description 1
- 241000018646 Pinus brutia Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种大功率LED集成光源封装方法，包括以下步骤：(1)固晶；(2)焊线；(3)点荧光粉；(4)点胶封装：在LED芯片的出光处涂敷荧光粉层，LED芯片和荧光粉层之间设有用于间隔的匹配材料；(5)烘烤固化；(6)测试：测试LED光源的光电参数、检验外形尺寸；(7)分光分色：根据测试结果和用户要求对LED光源进行分选；(8)包装入库。本发明克服了现有技术的不足，封装方法可以方便地进行LED光源的生产，制作过程简单方便，生产效率得到提高，使用此方法生产出的LED光源与传统的大功率光源相比，光效和一致性大大提高，适合于组合使用，从而解决单颗光源亮度不足的问题。
Description
技术领域
本发明涉及LED照明技术领域，具体属于一种天花灯用的大功率LED集成光源封装方法。
背景技术
就目前情况来看，市场上LED单管功率通常在1-5W左右，光输出仅几百流明。要使LED真正大规模应用于道路照明等公众场所，LED光源的光通量必须达到几千甚至上万流明，如此高的光输出量是无法通过单颗芯片来实现的。为满足如此高的光输出要求，目前国内外大多采用多颗LED(通常为1W)的光源组合在一个灯具中来满足高亮度照明的要求，这种方式在一定程度上解决了单颗光源亮度不足的问题。但是，这种工艺存在制作过程繁琐、生产效率低、可靠性不高的问题，生产出来的LED光源还存在光效不足、一致性差的问题。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的是提供了一种大功率LED集成光源封装方法，克服了现有技术的不足，封装方法可以方便地进行LED光源的生产，制作过程简单方便，生产效率得到提高，使用此方法生产出的LED光源与传统的大功率光源相比，光效和一致性大大提高，适合于组合使用，从而解决单颗光源亮度不足的问题。
本发明采用的技术方案如下：
一种大功率LED集成光源封装方法，包括以下步骤：(1)固晶：将支架按同一方向装入大功率固晶夹具内；取下机台银胶座，将解冻好之银胶装入银胶座；安装好固晶银胶座，接通气管；开启电源和显示器开关，接通气源；操作机台，将银胶座调整为转动状态；根据具体投产芯片尺寸，换用相配套的顶针、吸咀和点胶头，具体型号有设备提供；移开固晶臂，松开芯片座扣，将扩好之芯片放入芯片座内固定；将装好的支架放入进料口，空夹具放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整好芯片和支架的相对方向；将固好晶之半成品在20-40倍显微镜下目检；将全检后半成品装入夹具，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.5H；
(2)焊线：开启电源和显示器开关，接通气源；温度设定为190-230℃进行预热，调整焊线夹具；将金线装入机台金线装置上；将固好晶之支架放入进料口，空料盒放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整相对方向；调解参数项目：温度，一焊压力、功率，二焊压力、功率，烧球；调整好焊线弧度，测试焊线性能达标，正常作业，芯片与芯片之间二焊要中球；将焊好线之半成品在20-40倍显微镜下目检，然后通5-10毫安电流测试；
(3)点荧光粉：将配制好胶水装入针管，通过排胶进行排除点胶腔体气泡；调节点胶胶量，通过测试，使得点胶之半成品色温在工程试验给定范围内；半成品光电参数达标后，正常点胶作业，中间不定期对半成品进行抽测监控；将点好胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件分别为：荧光粉80℃/1.0H,硅胶80℃/1.0H；封胶80℃/0.5H+150℃/1.5H。
(4)点胶封装：在LED芯片的出光处涂敷荧光粉层，LED芯片和荧光粉层之间设有用于间隔的匹配材料；
(5)烘烤固化；
(6)测试：测试LED光源的光电参数、检验外形尺寸；
(7)分光分色：根据测试结果和用户要求对LED光源进行分选；
(8)包装入库。
所述的(1)固晶先扩晶：扩晶机接通电源，将温度设定为60℃，预热扩晶台；打开扩晶台压板，将扩晶台升至与固定台高度一致，然后将扩晶环内环套在扩晶台上；将芯片标签撕下粘到芯片纸上，保留备查；打开离子风机，从芯片纸上缓慢撕下粘有芯片的蓝膜；将蓝膜芯片朝上放在扩晶台上，芯片区域位于扩晶台中央，合上扩晶台压板，并将压板扣锁住；按扩晶扣上升按钮，扩晶台上升至芯片间距达到目标间距为止；将外环台在压有蓝膜的内环上，按下压罩下降按钮，下压外环，至外环完全套在内环上为止；放开下降按钮，下压罩升起；从外环下周边将多余蓝膜切除，取下芯片；按扩晶台下降按钮回到初始位置，打开扩晶台压板，将多余蓝膜取出。
所述的二焊：接通点胶机电源，连接气源；将解冻好之银胶装入已清洗好的针筒内；通过调整点胶机气压和点胶时间进行二焊点胶量调整；调整好胶量，将银胶点在二焊焊点位置进行二焊加固，将点好银胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.0H。
所述(2)中调解参数项目，温度160-190℃；一焊：高度为芯片电极上方1-3个芯片高度，功率3-5，时间3-5，压力3-5；二焊：高度为电极上方0.5-1个芯片高度，功率6-9，压力6-9，时间6-9；烧球时间5-8，电流6-9。
与已有技术相比，本发明的有益效果如下：
本发明封装方法可以方便地进行LED光源的生产，制作过程简单方便，生产效率得到提高，使用此方法生产出的LED光源与传统的大功率光源相比，光效和一致性大大提高，适合于组合使用，从而解决单颗光源亮度不足的问题。
附图说明
图1为本发明的工艺流程结构示意图。
具体实施方式
参见附图，一种大功率LED集成光源封装方法，包括以下步骤：(1)固晶：将支架按同一方向装入大功率固晶夹具内；取下机台银胶座，将解冻好之银胶装入银胶座；安装好固晶银胶座，接通气管；开启电源和显示器开关，接通气源；操作机台，将银胶座调整为转动状态；根据具体投产芯片尺寸，换用相配套的顶针、吸咀和点胶头，具体型号有设备提供；移开固晶臂，松开芯片座扣，将扩好之芯片放入芯片座内固定；将装好的支架放入进料口，空夹具放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整好芯片和支架的相对方向；将固好晶之半成品在20-40倍显微镜下目检；将全检后半成品装入夹具，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.5H；固晶先扩晶：扩晶机接通电源，将温度设定为60℃，预热扩晶台；打开扩晶台压板，将扩晶台升至与固定台高度一致，然后将扩晶环内环套在扩晶台上；将芯片标签撕下粘到芯片纸上，保留备查；打开离子风机，从芯片纸上缓慢撕下粘有芯片的蓝膜；将蓝膜芯片朝上放在扩晶台上，芯片区域位于扩晶台中央，合上扩晶台压板，并将压板扣锁住；按扩晶扣上升按钮，扩晶台上升至芯片间距达到目标间距为止；将外环台在压有蓝膜的内环上，按下压罩下降按钮，下压外环，至外环完全套在内环上为止；放开下降按钮，下压罩升起；从外环下周边将多余蓝膜切除，取下芯片；按扩晶台下降按钮回到初始位置，打开扩晶台压板，将多余蓝膜取出；
(2)焊线：开启电源和显示器开关，接通气源；温度设定为190-230℃进行预热，调整焊线夹具；将金线装入机台金线装置上；将固好晶之支架放入进料口，空料盒放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整相对方向；调解参数项目：温度，一焊压力、功率，二焊压力、功率，烧球；调整好焊线弧度，测试焊线性能达标，正常作业，芯片与芯片之间二焊要中球；将焊好线之半成品在20-40倍显微镜下目检，然后通5-10毫安电流测试；所述的二焊：接通点胶机电源，连接气源；将解冻好之银胶装入已清洗好的针筒内；通过调整点胶机气压和点胶时间进行二焊点胶量调整；调整好胶量，将银胶点在二焊焊点位置进行二焊加固，将点好银胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.0H；所述(2)中调解参数项目，温度160-190℃；一焊：高度为芯片电极上方1-3个芯片高度，功率3-5，时间3-5，压力3-5；二焊：高度为电极上方0.5-1个芯片高度，功率6-9，压力6-9，时间6-9；烧球时间5-8，电流6-9。
(3)点荧光粉：将配制好胶水装入针管，通过排胶进行排除点胶腔体气泡；调节点胶胶量，通过测试，使得点胶之半成品色温在工程试验给定范围内；半成品光电参数达标后，正常点胶作业，中间不定期对半成品进行抽测监控；将点好胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件分别为：荧光粉80℃/1.0H,硅胶80℃/1.0H；封胶80℃/0.5H+150℃/1.5H。
(4)点胶封装：在LED芯片的出光处涂敷荧光粉层，LED芯片和荧光粉层之间设有用于间隔的匹配材料；(5)烘烤固化；(6)测试：测试LED光源的光电参数、检验外形尺寸；(7)分光分色：根据测试结果和用户要求对LED光源进行分选；(8)包装入库。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (3)
1.一种大功率LED集成光源封装方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)固晶：将支架按同一方向装入大功率固晶夹具内；取下机台银胶座，将解冻好之银胶装入银胶座；安装好固晶银胶座，接通气管；开启电源和显示器开关，接通气源；操作机台，将银胶座调整为转动状态；根据具体投产芯片尺寸，换用相配套的顶针、吸咀和点胶头，具体型号有设备提供；移开固晶臂，松开芯片座扣，将扩好之芯片放入芯片座内固定；将装好的支架放入进料口，空夹具放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整好芯片和支架的相对方向；将固好晶之半成品在20-40倍显微镜下目检；将全检后半成品装入夹具，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.5H；
(2)焊线：开启电源和显示器开关，接通气源；温度设定为190-230℃进行预热，调整焊线夹具；将金线装入机台金线装置上；将固好晶之支架放入进料口，空料盒放入出料口待用；按照量产规格书之芯片固焊示意图调整相对方向；调解参数项目：温度，一焊压力、功率，二焊压力、功率，烧球；调整好焊线弧度，测试焊线性能达标，正常作业，芯片与芯片之间二焊要中球；将焊好线之半成品在20-40倍显微镜下目检，然后通5-10毫安电流测试；
(3)点荧光粉：将配制好胶水装入针管，通过排胶进行排除点胶腔体气泡；调节点胶胶量，通过测试，使得点胶之半成品色温在工程试验给定范围内；半成品光电参数达标后，正常点胶作业，中间不定期对半成品进行抽测监控；将点好胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件分别为：荧光粉80℃/1.0H,硅胶80℃/1.0H；封胶80℃/0.5H+150℃/1.5H；
(4)点胶封装：在LED芯片的出光处涂敷荧光粉层，LED芯片和荧光粉层之间设有用于间隔的匹配材料；
(5)烘烤固化；
(6)测试：测试LED光源的光电参数、检验外形尺寸；
(7)分光分色：根据测试结果和用户要求对LED光源进行分选；
(8)包装入库。
2.根据权利要求1所述的一种大功率LED集成光源封装方法，其特征在于：所述的(1)固晶先扩晶：扩晶机接通电源，将温度设定为60℃，预热扩晶台；打开扩晶台压板，将扩晶台升至与固定台高度一致，然后将扩晶环内环套在扩晶台上；将芯片标签撕下粘到芯片纸上，保留备查；打开离子风机，从芯片纸上缓慢撕下粘有芯片的蓝膜；将蓝膜芯片朝上放在扩晶台上，芯片区域位于扩晶台中央，合上扩晶台压板，并将压板扣锁住；按扩晶扣上升按钮，扩晶台上升至芯片间距达到目标间距为止；将外环台在压有蓝膜的内环上，按下压罩下降按钮，下压外环，至外环完全套在内环上为止；放开下降按钮，下压罩升起；从外环下周边将多余蓝膜切除，取下芯片；按扩晶台下降按钮回到初始位置，打开扩晶台压板，将多余蓝膜取出。
3.根据权利要求1所述的一种大功率LED集成光源封装方法，其特征在于：所述的二焊：接通点胶机电源，连接气源；将解冻好之银胶装入已清洗好的针筒内；通过调整点胶机气压和点胶时间进行二焊点胶量调整；调整好胶量，将银胶点在二焊焊点位置进行二焊加固，将点好银胶之半成品在10-20倍显微镜下目检；全检后半成品装入料盘，放入烤箱烘烤，烘烤条件为：150℃/1.0H。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610499725.9A CN106025005B (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种大功率led集成光源封装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610499725.9A CN106025005B (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种大功率led集成光源封装方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| CN106025005B true CN106025005B (zh) | 2018-11-20 |
Family
ID=57105217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610499725.9A Active CN106025005B (zh) | 2016-06-29 | 2016-06-29 | 一种大功率led集成光源封装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106025005B (zh) |
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| C06 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
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|
| CB02 | Change of applicant information | ||
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|
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