CN106019733A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,其公共电极只位于像素区域内,并通过连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且连接电极在基底上的投影不完全覆盖数据线对应的区域,减少数据线上方的电极的面积,即设置一条面积相对较小的连接电极连通相邻像素区域的公共电极,从而降低公共电极与数据线短路的概率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
结合图1a和图1b所示,现有的一种阵列基板10包括:基底11、数据线12、栅线13、像素电极14和公共电极15,数据线12和栅线13交叉形成像素区域。公共电极15呈条状,位于整个像素区域并位于数据线12的上方,并与彩膜基板20上的黑矩阵21的位置相对应,各像素区域内的公共电极15之间留有缝隙。像素电极14呈板状,与数据线12同层设置,公共电极15与像素电极14间形成电场,从而驱动液晶分子旋转。数据线12上方的公共电极15起到屏蔽数据线12电场的作用,避免紊乱电场对液晶分子旋转造成影响。数据线12(以及像素电极14)与公共电极15之间被第一保护层16隔开,第一保护层16起到保护数据线12及绝缘作用。
然而,如图1c所示,第一保护层16通过化学气象成膜,在对第一保护层16图案化时,利用光刻技术实现,在光刻胶涂覆过程中,光刻胶中存在的气泡会形成的光刻胶孔洞,图1c为图1a所示的阵列基板的显示面板的D-D方向的剖视图,刻蚀后此处的第一保护层16缺失,公共电极15形成后,与数据12线发生短路。
发明内容
本发明针对现有技术中存在的上述不足,提供一种阵列基板、显示面板及显示装置,用以至少部分解决公共电极与数据线发生短路的问题。
本发明为解决上述技术问题,采用如下技术方案:
本发明提供一种阵列基板,包括基底、形成在所述基底上的数据线和栅线,所述数据线和栅线交叉形成像素区域,其特征在于,还包括形成在所述基底上的公共电极和连接电极;
所述公共电极位于所述像素区域;
所述连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且所述连接电极在所述基底上的投影与所述数据线在所述基底上的投影交叉且不完全重合。
优选的,所述连接电极与所述公共电极同层设置且材料相同。
优选的,所述连接电极与所述公共电极通过过孔连接。
进一步的,所述阵列基板还包括第一保护层和像素电极,所述像素电极与数据线同层设置,所述第一保护层位于所述公共电极和像素电极之间,所述公共电极形成在所述第一保护层上。
优选的,所述公共电极呈条状,像素电极呈条状或板状。
进一步的,所述阵列基板还包括形成在所述数据线上的第二保护层和形成在所述第二保护层上的第一保护层,所述公共电极形成在所述第二保护层上,所述像素电极形成在所述第一保护层上,所述第一保护层位于所述公共电极和像素电极之间。
优选的,所述公共电极呈条状或板状,像素电极呈条状。
优选的,所述相邻像素区域的公共电极之间的最短距离小于或等于黑矩阵的宽度。
本发明还提供一种显示面板,包括如前所述的阵列基板。
本发明还提供一种显示装置,包括如前所述的阵列基板。
本发明能够实现以下有益效果:
本发明通过去除数据线上方的公共电极,使得公共电极只位于像素区域内,并通过连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且连接电极在基底上的投影与所述数据线在基底上的投影交叉且不完全重合,从而减少数据线上方的公共电极的面积,即设置一条面积相对较小的连接电极连通相邻像素区域的公共电极,从而降低公共电极与数据线短路的概率。
附图说明
图1a为现有阵列基板的俯视图;
图1b为包括图1a的阵列基板的显示面板的C-C方向的剖视图;
图1c为图1a的阵列基板的显示面板的D-D方向的剖视图;
图2a为本发明实施例1的阵列基板的俯视图;
图2b为本发明实施例1包括图2a阵列基板显示面板A-A方向的剖视图;
图2c为本发明实施例1包括图2a阵列基板显示面板B-B方向的剖视图。
图3为本发明实施例2的阵列基板的剖视图。
图例说明:
10、阵列基板 11、基底 12、数据线 13、栅线
14、像素电极 15、公共电极 16、第一保护层 17、连接电极
18、栅绝缘层 19、第二保护层 20、彩膜基板 21、黑矩阵
具体实施方式
下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例1
结合图2a和2b所示,本发明实施例1提供一种阵列基板10,包括基底11、形成在基底11上的数据线12和栅线13,数据线12和栅线13交叉形成像素区域。具体的,栅线13的上方形成有栅绝缘层18,数据线12形成在栅绝缘层18上。
所述阵列基板10还包括形成在基底11上的公共电极15和连接电极17,公共电极15位于像素区域,并未覆盖数据线12对应的区域。连接电极17连接相邻像素区域的公共电极15,且连接电极17在基底11上的投影与数据线12在基底11上的投影交叉且不完全重合。
如图2b所示,为本发明实施例1提供的图2a阵列基板A-A方向的剖视图,所述阵列基板还包括第一保护层16和像素电极14,像素电极14与数据线12同层设置,第一保护层16位于公共电极15和像素电极14之间,公共电极15形成在第一保护层16上。
如图2a所示,连接电极17的宽度远小于数据线12的长度,而且,公共电极15只覆盖像素区域,并未覆盖数据线12所在区域(即两相邻像素区域之间的区域),因此,在数据线12所在区域,相邻像素区域的公共电极15只通过宽度较小的连接电极17相连。如图2c所示,为本发明实施例1提供的图2a阵列基板B-B方向的剖视图,第一保护层16通过化学气象成膜,在对第一保护层16图案化时,利用光刻技术实现,在光刻胶涂覆过程中,即使光刻胶中存在气泡(该气泡恰好对应数据线12的位置),导致刻蚀后相应位置处的第一保护层16缺失,形成光刻胶孔洞,当在第一保护层16上形成公共电极15时,由于公共电极15并未覆盖数据线12对应的区域,因此,公共电极15就不会与第一保护层16下方的数据线12短接。
本发明通过去除数据线上方的公共电极,使得公共电极只位于像素区域内,并通过连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且连接电极在基底上的投影不完全覆盖数据线对应的区域,减少数据线上方的电极的面积,即设置一条面积相对较小的连接电极连通相邻像素区域的公共电极,从而降低公共电极与数据线短路的概率。
优选的,连接电极17与公共电极15同层设置且材料相同,这样,可以通过一次构图工艺同时形成连接电极17和公共电极15,节省工艺步骤、降低制造成本。
需要说明的是,连接电极17与公共电极15也可以设置在不同层上,二者通过过孔连接。连接电极17的材料和公共电极15的材料可以相同也可以不同,只要二者能够电连接,以使整个阵列基板上的公共电极的电压一致即可。
在本发明实施例中,去除了数据线12上方的公共电极,利用彩膜基板20上的黑矩阵21起到屏蔽数据线12电场的作用。为了保证黑矩阵21的屏蔽效果,避免紊乱电场造成漏光,影响显示效果,相邻像素区域的公共电极15之间的最短距离d小于或等于黑矩阵21的宽度w,即黑矩阵21完全覆盖相邻像素区域的公共电极15之间的缝隙。
需要说明的是,即使相邻像素区域的公共电极15之间的最短距离d小于黑矩阵21的宽度w,也要保证公共电极15不覆盖数据线12对应的区域,即公共电极15在基底11上的投影与数据线12在基底11上的投影不能重叠,否则存在公共电极15与数据线12短路的风险。
因此,如图2b所示,优选的,相邻像素区域的公共电极15之间的最短距离d与黑矩阵21的宽度w相等,这样,黑矩阵21的宽度w最小,阵列基板10的开口率最大。
如图2b所示,公共电极15呈条状(即狭缝电极),像素电极14可以呈板状(即板状电极),从而形成ADS(Advanced SuperDimension Switch,高级超维场转换)模式。在ADS模式下,通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高液晶工作效率并增大透光率。
需要说明的是,像素电极14也可以呈条状(公共电极15仍呈条状),从而形成FFS(Fringe Field Switching,边缘场开关)模式。
实施例2
本发明实施例2提供一种阵列基板10,实施例2与实施例1的区别在于,公共电极15和像素电极14与第一保护层16的相对位置不同,且实施例2相对实施例1增加了第二保护层19。在实施例1中,像素电极14和数据线12同层设置,公共电极15形成在第一保护层16上。而在实施例2中,无论是像素电极14还是公共电极15均与数据线12设置在不同层中,像素电极14形成在第一保护层16上,第二保护层形成在数据线12上,公共电极15设置在第二保护层19上。实施例2的阵列基板中的其他结构与实施例1相同,在此不再赘述。
具体的,如图3所示,实施例2的阵列基板10还包括形成在数据线12上的第二保护层19,以及形成在第二保护层19上的第一保护层16,公共电极15形成在第二保护层19上,像素电极14形成在第一保护层16上,第一保护层16位于公共电极15和像素电极14之间。
如图3所示,公共电极15呈板状,像素电极14呈条状。需要说明的是,公共电极15也可以呈条状。
实施例3
本发明实施例3还提供一种显示面板,所述显示面板包括如前所述的阵列基板10,进一步的,所述显示面板还可以包括彩膜基板20,彩膜基板20上设置有黑矩阵21。
通过去除数据线上方的公共电极,使得公共电极只位于像素区域内,并通过连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且连接电极在基底上的投影不完全覆盖数据线对应的区域,减少数据线上方的电极的面积,即设置一条面积相对较小的连接电极连通相邻像素区域的公共电极,从而降低公共电极与数据线短路的概率。
实施例4
本发明实施例4还提供一种显示装置,所述显示装置包括实施例3的显示面板。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,包括基底、形成在所述基底上的数据线和栅线,所述数据线和栅线交叉形成像素区域,其特征在于,还包括形成在所述基底上的公共电极和连接电极;
所述公共电极位于所述像素区域;
所述连接电极连接相邻像素区域的公共电极,且所述连接电极在所述基底上的投影与所述数据线在所述基底上的投影交叉且不完全重合。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接电极与所述公共电极同层设置且材料相同。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述连接电极与所述公共电极通过过孔连接。
4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括第一保护层和像素电极,所述像素电极与数据线同层设置,所述第一保护层位于所述公共电极和像素电极之间,所述公共电极形成在所述第一保护层上。
5.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极呈条状,像素电极呈条状或板状。
6.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括形成在所述数据线上的第二保护层,所述公共电极形成在所述第二保护层上,和形成在所述公共电极上的第一保护层,所述第一保护层位于所述公共电极和像素电极之间。
7.如权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述公共电极呈条状或板状,像素电极呈条状。
8.如权利要求1-7任一项所述的阵列基板,其特征在于,所述相邻像素区域的公共电极之间的最短距离小于或等于黑矩阵的宽度。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的阵列基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的阵列基板。
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---|---|
CN (1) | CN106019733A (zh) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106886108A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN108873500A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板结构 |
CN108919571A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-30 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示面板 |
CN108931866A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN109445175A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-03-08 | 惠科股份有限公司 | 显示装置、彩色滤光片及彩色滤光片制备方法 |
CN110456580A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其控制方法、显示面板、显示装置 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060031332A (ko) * | 2004-10-08 | 2006-04-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Tn 모드 액정표시장치 |
KR20070014668A (ko) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN101520579A (zh) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器及其公共电极的驱动方法 |
KR20110071036A (ko) * | 2009-12-20 | 2011-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN102789088A (zh) * | 2012-08-03 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
CN102998859A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN103941453A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-07-23 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN104914639A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及显示装置 |
CN104932128A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-09-23 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法 |
CN105068339A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Hva型液晶显示面板 |
-
2016
- 2016-08-01 CN CN201610622137.XA patent/CN106019733A/zh active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060031332A (ko) * | 2004-10-08 | 2006-04-12 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | Tn 모드 액정표시장치 |
KR20070014668A (ko) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN101520579A (zh) * | 2008-02-28 | 2009-09-02 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管液晶显示器及其公共电极的驱动方法 |
KR20110071036A (ko) * | 2009-12-20 | 2011-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN102789088A (zh) * | 2012-08-03 | 2012-11-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种液晶显示面板及显示装置 |
CN102998859A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 |
CN103941453A (zh) * | 2014-04-09 | 2014-07-23 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN104914639A (zh) * | 2015-06-26 | 2015-09-16 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种tft基板及显示装置 |
CN104932128A (zh) * | 2015-07-14 | 2015-09-23 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法 |
CN105068339A (zh) * | 2015-09-01 | 2015-11-18 | 深圳市华星光电技术有限公司 | Hva型液晶显示面板 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106886108A (zh) * | 2017-04-28 | 2017-06-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示面板及其制作方法、显示装置 |
CN108873500A (zh) * | 2018-06-01 | 2018-11-23 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板结构 |
CN108931866A (zh) * | 2018-06-29 | 2018-12-04 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板 |
CN108919571A (zh) * | 2018-07-11 | 2018-11-30 | 业成科技(成都)有限公司 | 显示面板 |
CN109445175A (zh) * | 2019-01-10 | 2019-03-08 | 惠科股份有限公司 | 显示装置、彩色滤光片及彩色滤光片制备方法 |
CN110456580A (zh) * | 2019-08-26 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其控制方法、显示面板、显示装置 |
CN110456580B (zh) * | 2019-08-26 | 2022-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其控制方法、显示面板、显示装置 |
US11435608B2 (en) | 2019-08-26 | 2022-09-06 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display substrate and control method therefor, display panel and display device |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161012 |
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RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |