CN102998859A - 一种阵列基板及其制备方法和显示装置 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，其中阵列基板包括：包括多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管；所述公共电极包括：独立进行供电的第一公共电极和所述第二公共电极，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。本发明的方案可以避免数据线与公共电极之间的交叠电容，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象。

Description

一种阵列基板及其制备方法和显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是指一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
背景技术
如图1所示，为现有技术中阵列基板的平面图，阵列基板包括：衬底基板上的栅线10，与所述栅线10垂直排列的数据线20，栅线10和数据线20限定出像素区域，像素区域中包括并排排列的像素电极40、公共电极30以及薄膜晶体管（TFT）50；该种结构的阵列基板的像素区域的长边是数据线20，短边是栅线10；数据线40与其上方的公共电极30之间存在交叠电容C2。
如图2所示，为上述结构的阵列基板中，公共电极30与数据线20、栅线10以及像素电极40之间的电路关系示意图。
目前大尺寸TV（电视）产品及3D产品是目前电视制造领域的发展趋势。然而要想实现大尺寸产品及3D产品的顺利开发，如产品驱动频率从60Hz提高至120Hz甚至是240Hz。
然而上述结构图1所示的阵列基板，由于数据线20与公共电极30之间的交叠电容的存在，像素充电时间短，在高频率驱动时，会引起公共电极的电压受影响，从而使产品的画面产生Greenish（绿附）问题，即使使用SVC电路，也很难克服这样的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，避免数据线与公共电极之间的交叠电容，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管；所述公共电极包括：独立进行供电的第一公共电极和所述第二公共电极，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。
其中，所述第一公共电极通过外围电路中的公共电极供电电路连接，并通过所述公共电极供电电路供电；
所述第二公共电极通过公共电极线供电。
其中，所述第二公共电极位于所述像素电极的上方且与所述数据线不交叠，且所述第二公共电极为狭缝结构，所述像素电极为板状。
其中，所述第二公共电极位于所述像素电极的下方且与所述数据线不交叠，且所述第二公共电极为板状，所述像素电极为狭缝结构。
其中，所述公共电极线与所述第二公共电极处于不同层时，所述第二公共电极通过过孔与所述公共电极线连接；
所述公共电极线与所述第二公共电极处于同一层时，所述第二公共电极与所述公共电极线直接连接。
其中，所述栅线与所述数据线垂直交叠，所述像素区域为长方形，所述栅线构成所述像素区域的短边，所述数据线构成所述像素区域的长边。
其中，所述栅线与所述数据线垂直交叠的位置具有薄膜晶体管，所述数据线通过所述薄膜晶体管与所述像素电极连接。
本发明的实施例还提供一种阵列基板的制备方法，包括形成包括数据线、像素电极图形的步骤，还包括：
形成包括第一公共电极和第二公共电极的图形，所述第一公共电极和所述第二公共电极独立进行供电，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。
其中，在形成所述第一公共电极的图形时，所述第一公共电极与外围电路中的公共电极供电电路连接。
其中，上述方法还包括：
形成公共电极线的图形的步骤；
在形成所述第二公共电极的图形时，所述第二公共电极与所述公共电极线连接。
本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
上述方案中，通过形成独立进行供电的第一公共电极和与所述第二公共电极，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上；由于数据线被第一公共电极屏蔽，从而可以避免数据线与第二公共电极的交叠电容的产生，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象的发生。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的平面示意图；
图2为图1所示的阵列基板的公共电极与数据线、栅线以及像素电极之间的电路关系示意图；
图3为本发明的阵列基板的平面示意图；
图4－图7为本发明的阵列基板的制作过程示意图；
图8为本发明的阵列基板的剖面示意图；
图9为本发明的阵列基板的公共电极与数据线、栅线以及像素电极之间的电路关系示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
如图3所示，本发明的实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板（图中未示出），多条栅线1、多条数据线2、每两条彼此相邻的栅线1和每两条彼此相邻的数据线2限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极4和薄膜晶体管5；其中，所述公共电极包括：独立进行供电的第一公共电极6和所述第二公共电极7，所述第一公共电极6在所述数据线2所在层的投影覆盖所述数据线2，作为所述数据线的屏蔽线，所述第二公共电极7在所述像素电极4所在层的投影落在所述像素电极4上。
本发明的上述实施例通过形成独立进行供电的第一公共电极6和与所述第二公共电极7，所述第一公共电极6在所述数据线2所在层的投影覆盖所述数据线2，作为所述数据线2的屏蔽线，从而使所述数据线2对所述第二公共电极7不交叠，避免了数据线2的电压信号对所述第二公共电极7的电压信号的影响，从而避免了数据线2与所述第二公共电极7之间的交叠电容；另外，所述第二公共电极7在所述像素电极4所在层的投影落在所述像素电极4上，保证了正常电容的产生，确保了电场的产生；由于数据线2的电压信号对第二公共电极7的电压信号产生的影响被第一公共电极6屏蔽，从而可以在高频率驱动下，大大降低Greenish现象的发生。
在上述实施例中，所述第一公共电极6通过外围电路中的公共电极供电电路9连接，并通过所述公共电极供电电路9供电；当然还可以通过其它方式供电。
在上述实施例中，本发明的实施例阵列基板还可包括：与所述第二公共电极7连接的公共电极线3，所述第二公共电极7通过所述公共电极线3供电。其中，所述公共电极线3与所述第二公共电极7处于不同层时，所述第二公共电极通过过孔与所述公共电极线连接；如图3所示，公共电极线3与所述栅线1处于同一层，其中所述公共电极线3与所述栅线1不相交；第二公共电极7在形成时，通过穿过栅线上方各层的过孔8与公共电极3连接；公共电极线3与第二公共电极7处于不同层时，不限于图3所示的方式，公共电极线3如还可以与源漏电极处于同层，制作源漏电极时一同制作。
当然，所述公共电极线3还可以与所述第二公共电极7处于同一层，当处于同一层时，所述第二公共电极7与所述公共电极线3直接连接。
当第二公共电极7处于像素电极上方，且为狭缝结构时，第二公共电极可以不需要公共自己线3，通过自身供电。
本发明的上述实施例中，所述第二公共电极7可以位于所述像素电极4的上方且与所述数据线2不交叠，且所述第二公共电极7为狭缝结构，所述像素电极4为板状。
进一步的，所述第二公共电极7位于所述像素电极4的上方时，具体可以是如下方案：第二公共电极7位于钝化层的下方或者阵列基板的最上层，像素电极4位于第二公共电极7的下方，且像素电极4和第二公共电极7之间具有绝缘层；具体的，第二公共电极7若位于钝化层的下方或者最上层时，可以直接延伸至外围电路中，由外围电路进行供电，当然，也可以通过公共电极线供电。
本发明的上述实施例中，所述第二公共电极7还可以位于所述像素电极4的下方且与所述数据线2不交叠，且所述第二公共电极7为板状，所述像素电极4为狭缝结构。
进一步的，第二公共电极7具体可以位于与阵列基板的衬底基板上的第一层，像素电极4位于第二公共电极7的上方，通过过孔与阵列基板的漏极相连。
当然，本发明的上述实施例中的第二公共电极7与像素电极4之间的位置关系，并不限于上述列出的阵列基板的结构，还可以适用于其它结构的阵列基板。本领域技术人员应该可以理解，像素电极可以为板状或者狭缝状，公共电极也是如此，像素电极和公共电极的上下顺序可颠倒，但是在上的电极必须是狭缝状的，在下的电极是板状的。
在本发明的上述实施例中，所述栅线1与所述数据线2垂直交叠，所述像素区域为长方形，所述栅线1构成所述像素区域的短边，所述数据线2构成所述像素区域的长边。所述栅线1与所述数据线2垂直交叠的位置具有薄膜晶体管5，所述数据线1通过所述薄膜晶体管5与所述像素电极4连接。
本发明的上述实施例以分别单独供电电的方式分离像素区域的对应第二公共电极7以及用于保护数据线的第一公共电极6，从而可以改善基于数据线2与第二公共电极7之间的耦合电容引起的Greenish现象，且上述结构可以保证形成边缘电场的同时，由此产生的存储电容大大降低，有利于高频驱动产品达到充电率要求。
另外，本发明的上述实施例的方案高充电率的大尺寸液晶显示装置。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，具体可以包括形成包括数据线、像素电极图形的步骤，进一步可以包括：
形成包括第一公共电极和第二公共电极的图形，所述第一公共电极和所述第二公共电极独立进行供电，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。
如图4－图8所示，本发明的实施例还提供一种如图2所述的阵列基板的制备方法，可以包括：提供一衬底基板11；在所述衬底基板上形成包括数据线的图形2；形成包括像素电极4的图形；形成包括第一公共电极6和第二公共电极7的图形，所述第一公共电极6和所述第二公共电极7独立进行供电，所述第一公共电极6在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线2，所述第二公共电极7在所述像素电极4所在层的投影落在所述像素电极4上。
上述实施例中，在形成所述第一公共电极6时，所述第一公共电极6与外围电路中的公共电极供电电路9连接。
在形成所述第二公共电极7时，所述第二公共电极7与公共电极线3连接；其中，公共电极线3与第二公共电极7不同层制作时，所述第二公共电极通过过孔与所述公共电极线3连接；当所述公共电极线3与所述第二公共电极7处于同一层时，所述第二公共电极7可以与所述公共电极线3直接连接。
下面介绍公共电极线3与第二公共电极7不同层制作时的一具体实施例，在所述衬底基板11上形成栅线1以及公共电极线3，且所述栅线1与所述公共电极线3不相交（如图4所示，具体的，在衬底基板上沉积第一层氧化铟锡ITO时，经过曝光显影后，得到如图4所示的栅线1以及公共电极线3）；在形成有所述栅线1和所述公共电极线3的衬底基板上，形成栅绝缘层12；在形成有所述栅绝缘层12的衬底基板上形成数据线2（如图5所示，该步骤中还可以同时在栅线1与所述数据线2垂直交叠的位置形成薄膜晶体管5）；在形成有数据线2的衬底基板上形成像素电极4（如图6所示，数据线2通过薄膜晶体管5与像素电极4连接）；在形成有所述像素电极4的衬底基板上形成钝化层13及所述钝化层13上的过孔8（如图7所示）；在形成有所述钝化层13的衬底基板上形成第一公共电极6和第二公共电极7（如图3所示），所述第一公共电极6和所述第二公共电极7独立进行供电。
当然，上述只是其中一种实现方式，公共电极线3与第二公共电极7不同层制作时还有其它的实施例，如；公共电极线3还可以与源漏同层制作。
本发明的该方法实施例同样通过以分别单独供电的方式分离像素区域的对应第二公共电极7以及用于保护数据线的第一公共电极6，从而可以改善基于数据线2与第二公共电极7之间的耦合电容C2引起的Greenish现象，且上述结构可以保证形成边缘电场的同时，由此产生的存储电容大大降低，有利于高频驱动产品达到充电率要求。
如图9所示，为本发明的上述阵列基板的公共电极与数据线、栅线以及像素电极之间的电路关系示意图；由于第一公共电极6位于数据线2的上方，且覆盖所述数据线2，并且与像素电极4上方的第二公共电极7分离，且单独供电，从而避免了数据线2与第二公共电极7之间的耦合电容C2，从而可以避免由此引起的画面的Greenish现象。
本发明实施例还提供了一种显示装置，其包括上述任意一种阵列基板。所述显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，包括多条栅线、多条数据线、每两条彼此相邻的栅线和每两条彼此相邻的数据线限定出像素区域，其中所述像素区域设有公共电极，像素电极和薄膜晶体管；其特征在于，
所述公共电极包括：独立进行供电的第一公共电极和所述第二公共电极，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极通过外围电路中的公共电极供电电路连接，并通过所述公共电极供电电路供电；
所述第二公共电极通过公共电极线供电。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极位于所述像素电极的上方且与所述数据线不交叠，且所述第二公共电极为狭缝结构，所述像素电极为板状。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第二公共电极位于所述像素电极的下方且与所述数据线不交叠，且所述第二公共电极为板状，所述像素电极为狭缝结构。
5.根据权利要求2或3或4所述的阵列基板，其特征在于，
所述公共电极线与所述第二公共电极处于不同层时，所述第二公共电极通过过孔与所述公共电极线连接；
所述公共电极线与所述第二公共电极处于同一层时，所述第二公共电极与所述公共电极线直接连接。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述数据线垂直交叠，所述像素区域为长方形，所述栅线构成所述像素区域的短边，所述数据线构成所述像素区域的长边。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述栅线与所述数据线垂直交叠的位置具有薄膜晶体管，所述数据线通过所述薄膜晶体管与所述像素电极连接。
8.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括形成包括数据线、像素电极图形的步骤，还包括：
形成包括第一公共电极和第二公共电极的图形，所述第一公共电极和所述第二公共电极独立进行供电，所述第一公共电极在所述数据线所在层的投影覆盖所述数据线，所述第二公共电极在所述像素电极所在层的投影落在所述像素电极上。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成所述第一公共电极的图形时，所述第一公共电极与外围电路中的公共电极供电电路连接。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：
形成公共电极线的图形的步骤；
在形成所述第二公共电极的图形时，所述第二公共电极与所述公共电极线连接。
11.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7中任一项所述阵列基板。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2843467A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
EP2846185A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-11 Samsung Display Co., Ltd. FFS-type active-matrix LCD
CN104503163A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 上海中航光电子有限公司 一种像素结构、显示面板和显示装置
CN104880871A (zh) * 2015-06-23 2015-09-02 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板和显示装置
CN105068340A (zh) * 2015-09-21 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制作方法
WO2016008196A1 (zh) * 2014-07-17 2016-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其彩色滤光片基板
CN106019733A (zh) * 2016-08-01 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN106200171A (zh) * 2016-07-13 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板、制作方法及显示装置
WO2017133095A1 (zh) * 2016-02-02 2017-08-10 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
CN107219702A (zh) * 2017-07-20 2017-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置
CN107346080A (zh) * 2016-05-04 2017-11-14 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
CN107885402A (zh) * 2017-12-15 2018-04-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种自容式触控面板及显示装置
CN109445646A (zh) * 2018-12-29 2019-03-08 上海中航光电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN112684645A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
WO2021082062A1 (zh) * 2019-10-30 2021-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
US11360593B2 (en) 2020-02-18 2022-06-14 Au Optronics Corporation Touch panel
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104142591B (zh) * 2014-07-11 2017-07-18 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板及制作方法、一种显示装置
KR102446004B1 (ko) * 2015-12-31 2022-09-22 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
CN107422547A (zh) * 2017-08-22 2017-12-01 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN115128873B (zh) * 2021-03-29 2023-12-05 株式会社日本显示器 显示装置及显示装置的阵列基板

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020159016A1 (en) * 2001-02-23 2002-10-31 Nec Corporation In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN1410958A (zh) * 2001-09-25 2003-04-16 夏普株式会社 图像显示装置及显示驱动方法
JP2007164198A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Lg Philips Lcd Co Ltd 液晶表示装置
CN101075054A (zh) * 2007-07-06 2007-11-21 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN101217131A (zh) * 2008-01-14 2008-07-09 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
US20090225250A1 (en) * 2008-02-22 2009-09-10 Ki-Hyun Lyu Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
WO2012118513A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Apple Inc. Display screen shield line system

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8305507B2 (en) * 2005-02-25 2012-11-06 Samsung Display Co., Ltd. Thin film transistor array panel having improved storage capacitance and manufacturing method thereof
KR101177593B1 (ko) * 2005-12-29 2012-08-27 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
JP4421639B2 (ja) * 2007-08-03 2010-02-24 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
JP2010122572A (ja) * 2008-11-21 2010-06-03 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法、および電子機器
TWI392946B (zh) * 2009-12-18 2013-04-11 Au Optronics Corp 畫素結構

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020159016A1 (en) * 2001-02-23 2002-10-31 Nec Corporation In-plane switching mode active matrix type liquid crystal display device and method of fabricating the same
CN1410958A (zh) * 2001-09-25 2003-04-16 夏普株式会社 图像显示装置及显示驱动方法
JP2007164198A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Lg Philips Lcd Co Ltd 液晶表示装置
CN101075054A (zh) * 2007-07-06 2007-11-21 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN101217131A (zh) * 2008-01-14 2008-07-09 友达光电股份有限公司 像素结构及其制造方法
US20090225250A1 (en) * 2008-02-22 2009-09-10 Ki-Hyun Lyu Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same
WO2012118513A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Apple Inc. Display screen shield line system

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2843467A1 (en) * 2013-09-02 2015-03-04 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
EP2846185A1 (en) * 2013-09-03 2015-03-11 Samsung Display Co., Ltd. FFS-type active-matrix LCD
CN104423113A (zh) * 2013-09-03 2015-03-18 三星显示有限公司 液晶显示器
US10663813B2 (en) 2013-09-03 2020-05-26 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US9405158B2 (en) 2013-09-03 2016-08-02 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display
US9740064B2 (en) 2014-07-17 2017-08-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and color filter substrate thereof
WO2016008196A1 (zh) * 2014-07-17 2016-01-21 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其彩色滤光片基板
US9625768B2 (en) 2014-12-24 2017-04-18 Shanghai Avic Optoelectronics Co., Ltd. Pixel structure, display panel and display device
CN104503163A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 上海中航光电子有限公司 一种像素结构、显示面板和显示装置
CN104880871B (zh) * 2015-06-23 2018-05-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板和显示装置
US9964823B2 (en) 2015-06-23 2018-05-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Display panel and display device
WO2016206449A1 (zh) * 2015-06-23 2016-12-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN104880871A (zh) * 2015-06-23 2015-09-02 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示面板和显示装置
CN105068340B (zh) * 2015-09-21 2018-11-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制作方法
CN105068340A (zh) * 2015-09-21 2015-11-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示装置及其制作方法
US10495930B2 (en) 2015-09-21 2019-12-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display device and manufacturing method of the array substrate
US11906864B2 (en) 2016-02-02 2024-02-20 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
US11442318B2 (en) 2016-02-02 2022-09-13 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
WO2017133095A1 (zh) * 2016-02-02 2017-08-10 京东方科技集团股份有限公司 一种双栅极阵列基板及显示装置
US10488718B2 (en) 2016-02-02 2019-11-26 Boe Technology Group Co., Ltd. Dual-gate array substrate and display device
CN107346080A (zh) * 2016-05-04 2017-11-14 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
CN107346080B (zh) * 2016-05-04 2020-06-23 群创光电股份有限公司 液晶显示装置
CN106200171A (zh) * 2016-07-13 2016-12-07 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板、制作方法及显示装置
CN106200171B (zh) * 2016-07-13 2020-02-28 深圳市华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板、制作方法及显示装置
CN106019733A (zh) * 2016-08-01 2016-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN107219702A (zh) * 2017-07-20 2017-09-29 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及其制造方法、液晶显示装置
CN107885402B (zh) * 2017-12-15 2020-11-24 合肥京东方光电科技有限公司 一种自容式触控面板及显示装置
CN107885402A (zh) * 2017-12-15 2018-04-06 合肥京东方光电科技有限公司 一种自容式触控面板及显示装置
CN109445646A (zh) * 2018-12-29 2019-03-08 上海中航光电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN109445646B (zh) * 2018-12-29 2022-07-05 上海中航光电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN112684645A (zh) * 2019-10-18 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
CN112684645B (zh) * 2019-10-18 2023-02-03 京东方科技集团股份有限公司 双栅极阵列基板及显示装置
WO2021082062A1 (zh) * 2019-10-30 2021-05-06 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板和液晶显示装置
US11360593B2 (en) 2020-02-18 2022-06-14 Au Optronics Corporation Touch panel

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