CN104503163A - 一种像素结构、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种像素结构、显示面板和显示装置，其中，所述像素结构包括：第一电极和位于所述第一电极上方的第二电极，通过在第一电极和端部电极交界处使第一电极和端部电极中至少一者具有凹型结构，该凹型结构可以增大第一电极和端部电极在交界处的距离，这样可以减弱端部电极和第一电极之间形成的非需要电场，即减弱了不利于像素显示白态的电场，进而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率，从而可以改善显示面板和显示装置的显示效果。

Description

一种像素结构、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素结构、显示面板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示面板的应用越来越广泛，且显示效果不断地得到改善。现有的液晶显示面板有很多种，其中，FFS(Fringe FieldSwitching，边缘场开关)型显示面板是很常见的一种液晶显示面板，该型显示面板具有大尺寸、可视角度宽、响应速度快、色彩还原准确以及轻薄化等优点。
如图1所示，现有技术中FFS型显示面板的像素结构包括：公共电极11和位于公共电极11下方的像素电极12，其中，公共电极11上设置有狭缝111、位于狭缝111平行的支电极112以及用于连接支电极端部的端部电极113。在给显示面板加电的情况下，公共电极11和像素电极12上被施加电压，在公共电极11和像素电极12之间形成电场，控制显示面板中的液晶分子旋转以显示白态。
在图1中，由于公共电极11包括支电极112和端部电极113，因此，公共电极11和像素电极12之间形成的电场由支电极112和端部电极113分别与像素电极12形成的电场构成。支电极112与像素电极12之间形成的电场沿X1方向，该电场将使液晶分子改变初始状态(未给显示面板加电时液晶分子所处的状态)并使其发生旋转，光通过旋转的液晶分子使得像素显示白态；然而，由于端部电极113与像素电极12靠近端部电极113一侧的边缘平行，且端部电极113与像素电极12之间形成的电场还包括沿X2方向的电场(在图中为水平方向)，因此，该电场有使得液晶分子保持其初始状态的趋势，不利于液晶分子发生旋转产生偏光现象，这样会降低像素处于白态显示时的透光率，从而降低了显示面板的显示效果。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种像素结构、显示面板和显示装置，以解决现有技术中公共电极的端部电极和像素电极之间形成的电场降低像素白态的光透过率的技术问题。
第一方面，本发明实施例提供一种像素结构，包括：
第一电极和位于所述第一电极上方的第二电极,所述第二电极包括狭缝、与所述狭缝平行的支电极和用于连接支电极端部的端部电极；以及
在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述端部电极和所述第一电极中至少一者具有凹型结构，以增大所述端部电极和所述第一电极之间的距离。
第二方面，本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述第一方面所述的像素结构。
第三方面，本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述第二方面所述的显示面板。
本发明实施例提供的像素结构、显示面板和显示装置，通过在像素结构中的第一电极和第二电极的端部电极交界处使第一电极和端部电极中至少一者具有凹型结构，该凹型结构可以增大第一电极和端部电极在交界处水平方向上的距离，这样可以减弱端部电极和第一电极之间形成的非需要电场，即减弱了不利于像素显示白态的电场，进而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率，从而可以改善显示面板和显示装置的显示效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是现有技术的像素结构的结构示意图；
图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图；
图2b是本发明实施例提供的另一种像素结构的结构示意图；
图2c是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图3a是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图3b是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图3c是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图3d是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图4a是图2a中B1区域的放大示意图；
图4b是图2b中B2区域的放大示意图；
图4c是图2c中B3区域的放大示意图；
图5a是图3a中C1区域的放大示意图；
图5b是图3b中C2区域的放大示意图；
图5c是图3c中C3区域的放大示意图；
图5d是图3d中C4区域的放大示意图；
图6a是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图6b是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图6c是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图6d是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图6e是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图7a是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图7b是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图8a是图7a中D1区域的放大示意图；
图8b是图7b中D2区域的放大示意图；
图9a是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图9b是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图9c是本发明实施例提供的又一种像素结构的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
本发明实施例提供一种像素结构。图2a是本发明实施例提供的一种像素结构的结构示意图。如图2a所示，所述像素结构包括：第一电极21和位于所述第一电极21上方的第二电极22，所述第二电极22包括狭缝221、与所述狭缝221平行的支电极222和用于连接支电极端部的端部电极223；以及在所述端部电极223和所述第一电极21交界处，所述端部电极223和所述第一电极21中至少一者具有凹型区域，以增大所述端部电极223和所述第一电极21之间的距离。
具体地，在给第一电极21和第二电极22施加电压的情况下，第一电极21和第二电极22之间形成电场，即支电极222和端部电极223与第一电极21之间分别形成电场，其中，支电极222和第一电极21之间形成的电场有利于像素显示白态，而端部电极222和第一电极21之间形成的电场不利于像素显示白态。在端部电极223和第一电极21交界处，通过使端部电极223和第一电极21中至少一者具有凹型结构23a，该凹型结构23a增大了端部电极223和第一电极21之间距离，从而减弱了端部电极223和第一电极21之间形成的非需要电场，即减弱了不利于像素显示白态的电场，因此，本发明实施例的提供的上述技术方案可以提高像素处于白态显示时的透光率。
在图2a中，第一电极21为像素电极，第二电极22为公共电极。其中，图2a仅示出像素结构中一个像素所对应的第一电极21和第二电极22，然而在包括多个像素的像素结构中，与多个像素对应的第二电极22直接连接起来并构成面状电极，且与多个像素一一对应设置有多个第一电极21，每个第一电极21相互独立设置，且每个第一电极21为条状电极。
如图2a所示，在端部电极223和第一电极21交界处，仅第一电极21具有凹型结构23a；除此之外，如图2b所示，在端部电极223和第一电极21交界处，也可以仅端部电极223具有凹型结构23a；或者如图2c所示，在端部电极223和第一电极21交界处，也可以端部电极223和第一电极21均具有凹型结构23a。通过图2a-图2c可以看出，在凹型结构23a的形状和大小相同的情况下，与仅第一电极21具有凹型结构23a或者仅端部电极223具有凹型结构23a相比，端部电极223和第一电极21均具有凹型结构23a更能够增大端部电极223和第一电极21之间的距离，进而可以更好地减弱端部电极223和第一电极21之间形成的非需要电场，从而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在图2a-图2c中，在支电极222和与其连接的端部电极223的相交处，端部电极223靠近支电极222一侧的边缘和第一电极21的边缘重合。除此之外，如图3a所示，在支电极222和与其连接的端部电极223的相交处，端部电极223靠近支电极22一侧的边缘和第一电极21的边缘之间具有第一预设距离A且端部电极223和第一电极21未交叠。与在支电极222和端部电极223的相交处端部电极223靠近支电极222一侧的边缘和第一电极21的边缘重合相比，如图3a所示，在支电极222和端部电极223的相交处端部电极223靠近支电极222一侧的边缘和第一电极21的边缘之间具有第一预设距离A可以进一步地增大端部电极223和第一电极21之间的距离，进而可以更好地减弱端部电极223和第一电极21之间形成的非需要电场，从而可以进一步地提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在图3a中，在端部电极223和第一电极21交界处，仅第一电极21具有凹型结构23b。除此之外，如图3b所示，在端部电极223和第一电极21交界处，也可以仅端部电极223具有凹型结构23b；或者如图3c所示，在端部电极223和第一电极21交界处，也可以端部电极223和第一电极21均具有凹型结构23b。通过图3a-图3c可以看出，在凹型结构23b的形状和大小相同的情况下，与仅第一电极21具有凹型结构23b或者仅端部电极223具有凹型结构23b相比，端部电极223和第一电极21均具有凹型结构23b更能够增大端部电极223和第一电极21之间的距离，进而可以更好地减弱端部电极223和第一电极21之间形成的非需要电场，从而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在图3a的基础上，如图3d所示，作为一个实施方式，对于第一电极21具有凹型结构23b，凹型结构23b的边缘和与该凹型结构23b相邻的且靠近该凹型结构23b一侧的支电极222的边缘交叉。与图3a所示的像素结构相比，图3d中的像素结构通过在第一电极21和端部电极223交界处的第一电极21上进一步增大凹型结构23b，使得第一电极21和端部电极223之间形成的非需要电场可以进一步减弱，从而可以进一步提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在本发明实施例中，作为一种实施方式，如图3a-3d所示，所述第一预设距离A为大于0μm且小于等于3μm。根据像素结构的设计原理可知，如果第一预设距离A设置得比较大，则会影响像素的开口率，因此，在像素的开口率允许的情况下，可以在上述第一预设距离A的范围内适当设置第一预设距离A，这样可以适当地增大端部电极223和第一电极21之间的距离，进而可以适当地减弱端部电极223和第一电极之间形成的非需要电场，从而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在本发明实施例中，进一步地，参见图4a(对应图2a中B1区域的放大示意图)、图5a(对应图3a中C1区域的放大示意图)和图5d(对应图3d中C4区域的放大示意图)所示，对于仅第一电极21具有凹型结构(图4a中用23a表示，图5a和图5d中用23b表示)的情况，有凹型结构的第一电极21一侧的边缘包括第一直线边缘24a和第一凹型边缘24b，其中，第一凹型边缘24b到第一直线边缘24b所在直线的最大距离A1为大于0μm且小于等于6μm。需要说明的是，上述第一凹型边缘24到第一直线边缘24b所在直线的最大距离A1等价于第一电极21具有的凹型结构的最大深度。
在本发明实施例中，进一步地，参见图4b(对应图2b中B2区域的放大示意图)和图5b(对应图3b中C2区域的放大示意图)，对于仅端部电极223具有凹型结构(图4b中用23a表示，图5b中用23b表示)的情况，有凹型结构的的端部电极223一侧的边缘包括第二直线边缘25a和第二凹型边缘25b，其中，第二凹型边缘25b到第二直线边缘25a所在直线的最大距离A2为大于0μm且小于等于6μm。需要说明的是，上述第二凹型边缘25b到第二直线边缘25a所在直线的最大距离A2等价于端部电极223具有的凹型结构的最大深度。
在本发明实施例中，进一步地，参见图4c(对应图2c中B3区域的放大示意图)和图5c(对应图3c中C3区域的放大示意图)，对于端部电极223和第一电极21均具有凹型结构(图4c中用23a表示，图5c中用23b表示)的情况，有凹型结构的第一电极21一侧的边缘包括第三直线边缘26a和第三凹型边缘26b，有凹型结构的端部电极223一侧的边缘包括第四直线边缘27a和第四凹型边缘27b，其中，第三凹型边缘26b到第三直线边缘26a所在直线的最大距离A3以及第四凹型边缘27b到第四直线边缘27a所在直线的最大距离A4均为0μm且小于等于6μm。需要说明的是，在端部电极223和第一电极21均具有凹型结构的情况下，第三凹型边缘26b到第三直线边缘26a所在直线的最大距离A3等价于第一电极21具有的凹型结构的最大深度；第四凹型边缘27b到第四直线边缘27a所在直线的最大距离A4等价于端部电极223具有的凹型结构的最大深度。
需要说明的是，上述所有的最大距离可以根据设计和需要进行选取和设定，只要能够减弱第一电极和端部电极在两者交界处的电场，并能够提高像素处于白态显示时的透光率即可。
在图2a-图2c以及图3a-图3d中，所述凹型结构的形状均为折线形。除此之外，凹型结构的形状也可以为弧线形。例如，如图6a所示，与图2a不同的是，在端部电极223和第一电极21交界处，第一电极21具有的凹型结构23a的形状为弧线形；或者如图6b所示，与图3b不同的是，在端部电极223和第一电极21交界处，端部电极223具有凹型结构23b的形状为弧线形；或者如图6c所示，在端部电极223和第一电极21交界处，第一电极21和端部电极223具有的凹型结构23a均是折线形，但是在图2c中第一电极21和端部电极223具有的凹型结构23a的折线形一同形成菱形，而在图6c中第一电极21和端部电极223具有的凹型结构23a的折线形一同形成长方形；或者如图6d所示，在端部电极223和第一电极21交界处，第一电极21和端部电极223上具有的凹型结构23a均为弧线形，且两个凹型结构23a的弧线形一同形成圆形；或者如图6e所示，在端部电极223和第一电极21交界处，第一电极21和端部电极223具有的凹型结构23a均为弧线形，且两个凹型结构23a的弧线形一同形成椭圆形。当然凹型结构也可以采用其他形状，在此不作限定。由于凹型结构的形状使得第一电极21和端部电极223的边缘不再平行，因此，通过在端部电极223和第一电极21交界处使第一电极21具有凹型结构，或者端部电极223具有凹型结构，或者第一电极21和端部电极223均具有凹型结构，这样可以使第一电极21和端部电极223之间的电场方向变得比较复杂，进而可以减弱不利于像素显示白态的电场，从而可以进一步地提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
上述各实施例给出了第一电极为像素电极，第二电极为公共电极的情况，即像素结构采用公共电极在上而像素电极在下的结构，这是在FFS显示模式中像素结构的常见类型。接下来的实施例给出第一电极为公共电极，第二电极为像素电极的情况，即像素结构采用像素电极在上而公共电极在下的结构。其中，上述的“上”和“下”为像素电极和公共电极两者之间的相对位置。
如图7a所示，像素结构包括：第一电极31和位于所述第一电极31上方的第二电极32，所述第二电极32包括狭缝321、与狭缝321平行的支电极322和用于连接支电极端部的端部电极323；以及所述端部电极323和所述第一电极31交界处，第一电极31和端部电极323均具有凹型结构33，以增大所述端部电极323和所述第一电极31之间的距离。
具体地，在图7a中，第一电极31为公共电极，第二电极32为像素电极。其中，图7a仅示出像素结构中一个像素所对应的第一电极31和第二电极32，然而在包括多个像素的像素结构中，与多个像素对应的第一电极31直接连接起来并构成面状电极，且与多个像素一一对应设置有多个第二电极32，每个第二电极32相互独立设置，且每个第二电极32为条状电极。
在图7a中，在端部电极323和第一电极31交界处，端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33。除此之外，如图7b所示，也可以仅第一电极31具有凹型结构33。通过图7a和图7b可以看出，在凹型结构33的形状和大小相同的情况下，与仅第一电极31具有凹型结构33相比，端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33更能够增大端部电极323和第一电极31之间的距离，进而能够更好地减弱端部电极223和第一电极21之间形成的非需要电场，从而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
在本发明实施例中，进一步地，参见图8a(对应图7a中D1区域的放大示意图)对于端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33的情况或者参见图8b(对应图7b中D2区域的放大示意图)对于仅第一电极31具有凹型结构33的情况，靠近第一电极31具有的凹型结构33的端部电极323一侧，端部电极323的边缘至少包括第五直线边缘34a，第一电极31具有的凹型结构33的边缘到第五直线边缘34a所在直线的最大距离A5为大于0μm且小于等于6μm。需要说明的是，对于端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33或者仅第一电极31具有凹型结构33的情况，在第五直线边缘34a一侧的凹型结构33的边缘到第五直线边缘34a所在直线的最大距离A5等价于该凹型结构的最大深度。
在本发明实施例中，进一步地，参见图8a，对于端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33的情况，端部电极323的边缘还包括第五凹型边缘34b，第五凹型边缘34b到第五直线边缘34a所在直线的最大距离A6为大于0μm且小于等于6μm。需要说明的是，第五凹型边缘34b到第五直线边缘34a所在直线的最大距离A6等价于端部电极323具有的凹型结构33的最大深度。
需要说明的是，上述所有的最大距离可以根据设计和需要进行选取和设定，只要能够减弱第一电极和端部电极在两者交界处的电场，并能够提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率即可。
如图7a和图7b所示，第一电极31具有的凹型结构33的形状为菱形。此外，第一电极31具有的凹型结构33的形状也可以为长方形、圆形和椭圆形等。例如：如图9a所示，第一电极31具有的凹型结构33的形状为长方形；或者如图9b所示，第一电极31具有的凹型结构33的形状为圆形；或者如图9c所示，第一电极31具有的凹型结构33的形状为椭圆形。
如图7a和图9a所示，对于端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33的情况，端部电极323具有的凹型结构33的形状为折线形，除此之外，如图9b和图9c所示，端部电极323具有的凹型结构的形状也可以为弧线形。当然端部电极323具有的凹型结构的形状也可以为其他形状，在此不作限定。
通过使端部电极323和第一电极31均具有凹型结构33或者仅使第一电极31具有凹型结构33，由于凹型结构33的形状使得在第一电极31和端部电极323交界处，第一电极31和端部电极323之间的电场方向变得比较复杂，进而可以减弱不利于像素显示白态的电场，从而可以进一步地提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率。
需要说明的是，在上述像素结构的各个实施例中，以像素结构为双畴结构为例进行了描述。除此之外，像素结构也可以采用单畴结构或者其他多畴结构，而本发明的技术方案对于这些像素结构同样适用，这些像素结构同样属于本发明的保护范围。
另需说明的是：上述像素结构可以应用于FFS(Fringe Field Switch，边缘电场转换)显示模式中。
本发明实施例还提供一种显示面板。图10是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。参见图10，所述显示面板包括阵列基板41、与阵列基板41相对设置的彩膜基板42以及位于阵列基板41和彩膜基板42之间的液晶层43，其中，液晶层43包括液晶分子431，阵列基板41包括基板411和设置在基板411上的像素结构412，所述基板411通常采用玻璃基板，所述像素结构412为上述各实施例中所述的像素结构。该显示面板为FFS型液晶显示面板。
本发明实施例的显示面板通过采用上述各实施例中的像素结构，该像素结构在端部电极和第一电极交界处使得端部电极和第一电极中至少一者具有凹型结构，且该凹型结构可以增大端部电极和第一电极之间的距离，这样可以减小端部电极和第一电极之间形成的不利于像素显示白态的电场对液晶分子431旋转的影响，相应地增大了在端部电极和第一电极交界处液晶分子431的透光率，进而提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率，从而可以改善显示面板的显示效果。
需要说明的是，上述显示面板可以具有触控功能，也可以不具有触控功能，在实际制作时，可以根据具体的需要进行选择和设计。其中，触控功能可以为电磁触控功能、电容触控功能或者电磁电容触控功能等。
本发明实施例还提供一种显示装置。图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。参见图11，显示装置50包括显示面板51，还可以包括驱动电路和其他用于支持显示装置50正常工作的器件。其中，所述显示面板51为上述实施例中所述的显示面板。上述的显示装置50可以为手机、台式电脑、笔记本、平板电脑、电子相册和电子纸等。
本发明实施例提供的像素结构、显示面板和显示装置，通过在像素结构中的第一电极和第二电极的端部电极交界处使第一电极和端部电极中至少一者具有凹型结构，该凹型结构可以增大第一电极和端部电极在交界处的距离，这样可以减弱端部电极和第一电极之间形成的非需要电场，即减弱了不利于像素显示白态的电场，进而可以提高在FFS显示模式中像素处于白态显示时的透光率，从而可以改善显示面板和显示装置的显示效果。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (18)

1.一种像素结构，其特征在于，包括：
第一电极和位于所述第一电极上方的第二电极,所述第二电极包括狭缝、与所述狭缝平行的支电极和用于连接支电极端部的端部电极；以及
在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述端部电极和所述第一电极中至少一者具有凹型结构，以增大所述端部电极和所述第一电极之间的距离。
2.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极。
3.根据权利要求2所述像素结构，其特征在于，在所述支电极和与其连接的所述端部电极的相交处，所述端部电极靠近所述支电极一侧的边缘和所述第一电极的边缘重合。
4.根据权利要求2所述像素结构，其特征在于，在所述支电极和与其连接的所述端部电极的相交处，所述端部电极靠近所述支电极一侧的边缘和所述第一电极的边缘之间具有第一预设距离且所述端部电极和所述第一电极未交叠。
5.根据权利要求4所述像素结构，其特征在于，所述第一预设距离为大于0μm且小于等于3μm。
6.根据权利要求3或4所述像素结构，其特征在于，在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述第一电极具有凹型结构，所述凹型结构的最大深度为大于0μm且小于等于6μm。
7.根据权利要求3或4所述像素结构，其特征在于，在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述端部电极具有凹型结构，所述凹型结构的最大深度为大于0μm且小于等于6μm。
8.根据权利要求3或4所述像素结构，其特征在于，在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述端部电极和所述第一电极均具有凹型结构，所述端部电极上的凹型结构和所述第一电极上的凹型结构的最大深度均为0μm且小于等于6μm。
9.根据权利要求7所述像素结构，其特征在于，对于所述第一电极具有凹型结构，所述凹型结构的边缘和与所述凹型结构相邻的且靠近其一侧的所述支电极的边缘交叉。
10.根据权利要求7所述像素结构，其特征在于，所述凹型结构的形状为弧线形或者折线形。
11.根据权利要求1所述像素结构，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极。
12.根据权利要求11所述像素结构，其特征在于，在所述端部电极和所述第一电极交界处，所述第一电极具有凹型结构；或者所述端部电极和所述第一电极均具有凹型结构。
13.根据权利要求12所述像素结构，其特征在于，对于所述第一电极具有凹型结构或者所述第一电极和所述端部电极均具有凹型结构，所述第一电极上的凹型结构的最大深度为大于0μm且小于等于6μm。
14.根据权利要求13所述像素结构，其特征在于，对于所述端部电极和所述第一电极均具有凹型结构，所述端部电极上的凹型结构的最大距离均为大于0μm且小于等于6μm。
15.根据权利要求12所述像素结构，其特征在于，所述第一电极上的凹型结构的形状为圆形、椭圆形、菱形或者长方形。
16.根据权利要求12所述像素结构，其特征在于，对于所述端部电极和所述第一电极均具有凹型结构，所述端部电极上的凹型结构的形状为弧线形或者折线形。
17.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-16所述的像素结构。
18.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求17所述的显示面板。
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