CN102629038A - Tft阵列基板及其制作方法和显示装置 - Google Patents

Tft阵列基板及其制作方法和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法和显示装置，涉及显示装置制造领域，防止了电极狭缝边角产生的液晶反向旋转畴和向错线，从而提高了该区域的透光率。其方法包括：通过改变下层电极的形状，使上层电极的狭缝的边角与下层电极在竖直方向上不存在对应交叠，以削弱此区域的电场强度。本发明实施例用于TFT阵列基板制造。

Description

TFT阵列基板及其制作方法和显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置制造领域，尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法和显示装置。
背景技术
薄膜场效应晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
ADSDS(ADvanced Super Dimension Switch)，简称ADS，即高级超维场转换技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。
如图1所示，一般的ADS模式的TFT阵列基板上，具有上下两层电极，上层电极1具有狭缝，即狭缝电极，下层电极2为一整面，即为板状电极，上下电极之间产生多维电场，使液晶旋转。但在上层电极1的狭缝的小于或等于90度的边角区域A，由于电场的作用，该区域的一部分液晶分子将发生反向旋转，即反向旋转畴。在此区域液晶的透光率比正向旋转区域要差，因而在反向旋转区域和正向旋转区域的边界产生向错线，因此在此区域透光率非常低，基本为黑色。为了消除上述不良影响，对TFT基板的上层电极1的狭缝形状做出了改进，将原有的狭缝两端进行了尖角处理，处理后的狭缝形状为蟹腿形，如图2所示。但是改进后的TFT基板对于防止电极狭缝边角产生的液晶反向旋转畴和向错线的效果并不明显，无法明显提高该区域的透光率。
发明内容
本发明的实施例提供的TFT阵列基板及其制作方法和显示装置，防止了电极狭缝边角产生的液晶反向旋转畴和向错线，提高该区域的透光率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种TFT阵列基板，包括上下两层电极，其中，上层电极具有狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极。
所述下层电极具有缺损区域，所述缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角。
一方面，提供一种显示装置，包括上述的TFT阵列基板。
一方面，提供一种TFT阵列基板的制造方法，包括：
在基板上形成栅线、栅极和下层电极，其中，在所述基板上通过构图工艺处理形成下层电极的同时，在所述下层电极上形成缺损区域；
在所述栅线、栅极、下层电极及基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体有源层；
在所述基板上形成数据线、源极、漏极；
在所述数据线、源极、漏极、下层电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成具有狭缝的上层电极；其中，所述狭缝包括至少一对小于或等于90度的角，所述下层电极的所述缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角；
在所述上层电极上形成保护层。
本发明的实施例提供的TFT阵列基板及其制作方法和显示装置，包括上下两层电极，其中，上层电极具有狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极，下层电极具有缺损区域，该缺损区域对应上层电极狭缝的小于或等于90度的角。这样，在上层电极的狭缝的小于或等于90度的角的区域处，由于其下方没有对应的下层电极，因而削弱了此区域的电场强度，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中ADS模式的TFT阵列基板的电极结构示意图一；
图2为现有技术中ADS模式的TFT阵列基板的电极结构示意图二；
图3为本发明实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的电极结构示意图；
图4为本发明另一实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的电极结构示意图；
图5为本发明实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的剖面示意图；
图6为本发明实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的制造方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板，如图3所示，包括：具有狭缝11的上层电极1和整面的下层电极2。其中，上层电极1的狭缝11为平行四边形，且包括至少一对小于或等于90度的角∠α，在本实施例中∠α的顶端可以是圆角。下层电极2具有缺损区域21，缺损区域21对应上层电极1的狭缝11的角∠α。
以一个缺损区域为例，下层电极2的缺损区域21可以为三角形，其中，三角形的边211远离∠α的边111，三角形的边212远离∠α的边112，三角形的另一条边213交叠于角∠α，这样，下层电极2的缺损区域21对应上层电极1的狭缝11的小于或等于90度的角∠α。从而，在上层电极的狭缝的小于或等于90度的角的区域处，由于其下方没有对应的下层电极，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
在本实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板上，当采用正性液晶时，液晶分子可以如图3实线箭头4所示，在水平方向(图3中的左右方向)上排列；当采用负性液晶时，液晶分子可以如图3虚线箭头5所示，在竖直方向(图3中的上下方向)上排列。
本发明另一实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板，如图4所示，包括：具有狭缝12的上层电极1和整面的下层电极2。其中，上层电极1的狭缝12为蟹腿形，且包括至少一对小于或等于90度的角∠β，在本实施例中∠β的顶端可以是圆角。下层电极3具有缺损区域31，缺损区域31对应上层电极1狭缝12的小于或等于90度的角∠β。
以一个缺损区域为例，下层电极3的缺损区域31为三角形，其中，三角形的边311远离∠β的边121，三角形的边312远离∠β的边122，三角形的另一条边313交叠于角∠β，这样，下层电极3的缺损区域31对应上层电极1的狭缝12的小于或等于90度的角∠β。
这样，在上层电极的狭缝的小于或等于90度的角的区域处，由于其下方没有对应的下层电极，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
同样，在本实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板上，当采用正性液晶时，液晶分子可以如图4实线箭头4所示，在水平方向(图4中的左右方向)上排列；当采用负性液晶时，液晶分子可以如图4虚线箭头5所示，在竖直方向(图4中的上下方向)上排列。
如图5所示，为上述基板的剖面图，包括：具有狭缝12的上层电极1、具有缺损区域21的整面的下层电极2、栅极3、栅绝缘层4、有源层5、漏极6、源极7以及钝化层8。
本发明的实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板，包括上下两层电极，其中，上层电极具有狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极，下层电极具有缺损区域，该缺损区域对应上层电极狭缝的小于或等于90度的角。这样，在上层电极的狭缝的小于或等于90度的角的区域处，由于其下方没有对应的下层电极，因而削弱了此区域的电场强度，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
本发明实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的制造方法，如图6所示，其步骤包括：
S601、在基板上形成栅线、栅极和下层电极，其中，在基板上通过构图工艺处理形成下层电极的同时，在下层电极上形成缺损区域。
S602、在栅线、栅极、下层电极及基板上形成栅绝缘层。
S603、在栅绝缘层上形成半导体有源层。
S604、在基板上形成数据线、源极、漏极。
S605、在数据线、源极、漏极上形成钝化层。
S606、在钝化层上形成具有狭缝的上层电极；其中，狭缝包括至少一对小于或等于90度的角，在本实施例中这些小于或等于90度的角的顶端可以是圆角，下层电极的缺损区域对应上层电极狭缝的小于或等于90度的角。
S607、在上层电极上形成保护层。
示例性的，上层电极的狭缝可以为平行四边形或蟹腿形等。下层电极的缺损区域可以为三角形等，其中，三角形的两条边分别对应远离上层电极狭缝的小于或等于90度的角的两边，三角形的另一条边交叠于上层电极狭缝的小于或等于90度的角，以使下层电极的缺损区域对应上层电极狭缝的小于或等于90度的角。这样，上层电极的狭缝的小于或等于90度的角与下层电极在竖直方向上不存在对应交叠，因而削弱了此区域的电场强度，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
本发明的实施例提供的ADS模式的TFT阵列基板的制作方法，在基板的上层电极形成狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极，在下层电极上形成缺损区域，该缺损区域对应上层电极狭缝的小于或等于90度的角。这样，在上层电极的狭缝的小于或等于90度的角的区域处，由于其下方没有对应的下层电极，因而削弱了此区域的电场强度，因此该区域的部分液晶分子发生反向旋转畴的情况较少，进而不会产生较明显的向错线，提高了该区域的透光率。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例提供的TFT阵列基板，其阵列基板的结构与上述实施例相同，不再赘述。具体地，上述显示装置可以为液晶显示装置，例如液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器等，其包括彩膜基板、以及上述实施例中的阵列基板；除了液晶显示装置，上述显示装置还可以是其他类型的显示装置，比如电子阅读器等，其不包括彩膜基板，但是包括上述实施例中的阵列基板。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种TFT阵列基板，包括上下两层电极，其中，上层电极具有狭缝，该狭缝包括至少一对小于或等于90度的角；下层电极为一整面电极，其特征在于，
所述下层电极具有缺损区域，所述缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角。
2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述上层电极的狭缝为平行四边形或蟹腿形。
3.根据权利要求2所述的TFT阵列基板，其特征在于，
所述下层电极的缺损区域为三角形，其中，所述三角形的两边分别对应远离所述上层电极狭缝的小于或等于90度的角的两边，所述三角形的另一条边交叠于所述上层电极狭缝的小于或等于90度的角，以使所述下层电极的缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角。
4.根据权利要求1至3任一所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述小于或等于90度的角的顶端为圆角。
5.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1至4任一所述的TFT阵列基板。
6.一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：
在基板上形成栅线、栅极和下层电极，其中，在所述基板上通过构图工艺处理形成下层电极的同时，在所述下层电极上形成缺损区域；
在所述栅线、栅极、下层电极及基板上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成半导体有源层；
在所述基板上形成数据线、源极、漏极；
在所述数据线、源极、漏极、下层电极上形成钝化层；
在所述钝化层上形成具有狭缝的上层电极；其中，所述狭缝包括至少一对小于或等于90度的角，所述下层电极的所述缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角；
在所述上层电极上形成保护层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述上层电极的狭缝为平行四边形或蟹腿形。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述下层电极的缺损区域为三角形，其中，所述三角形的两边分别对应远离所述上层电极狭缝的小于或等于90度的角的两边，所述三角形的另一条边交叠于所述上层电极狭缝的小于或等于90度的角，以使所述下层电极的缺损区域对应所述上层电极狭缝的所述小于或等于90度的角。
9.根据权利要求6至8任一所述的TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，所述小于或等于90度的角的顶端为圆角。
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Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013086906A1 (zh) * 2011-12-15 2013-06-20 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置
CN103838041A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 上海天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置像素单元和阵列基板
CN103913908A (zh) * 2013-12-25 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 电极结构、显示面板和显示装置
WO2015006993A1 (zh) * 2013-07-19 2015-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
JP2015040881A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN104503163A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 上海中航光电子有限公司 一种像素结构、显示面板和显示装置
CN104698696A (zh) * 2015-03-26 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶面板及显示装置
CN105700254A (zh) * 2016-03-07 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 电极、阵列基板及显示面板
CN108020973A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 捷恩智株式会社 液晶显示元件、显示装置

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103943629B (zh) * 2013-12-23 2016-09-14 厦门天马微电子有限公司 Tft阵列基板、显示面板和显示装置
CN103915452B (zh) 2014-03-28 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658073B1 (ko) * 2001-05-07 2006-12-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
CN101075054A (zh) * 2007-07-06 2007-11-21 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN101614915A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 乐金显示有限公司 边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板
CN102902114A (zh) * 2011-09-29 2013-01-30 瀚宇彩晶股份有限公司 边缘电场切换液晶显示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008096840A (ja) 2006-10-13 2008-04-24 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP4600463B2 (ja) 2007-11-21 2010-12-15 ソニー株式会社 液晶表示装置
US8212954B2 (en) 2007-11-21 2012-07-03 Sony Corporation Liquid crystal display device
JP5143583B2 (ja) * 2008-02-08 2013-02-13 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶表示パネル
JP2010156960A (ja) * 2008-12-03 2010-07-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
KR20110066491A (ko) 2009-12-11 2011-06-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치
US8953134B2 (en) * 2011-01-20 2015-02-10 Japan Display West Inc. Liquid crystal display panel
CN102629038B (zh) * 2011-12-15 2014-12-24 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100658073B1 (ko) * 2001-05-07 2006-12-15 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치
CN101075054A (zh) * 2007-07-06 2007-11-21 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示装置的阵列基板及其制造方法
CN101614915A (zh) * 2008-06-25 2009-12-30 乐金显示有限公司 边缘场切换模式的液晶显示装置及其阵列基板
CN102902114A (zh) * 2011-09-29 2013-01-30 瀚宇彩晶股份有限公司 边缘电场切换液晶显示装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013086906A1 (zh) * 2011-12-15 2013-06-20 京东方科技集团股份有限公司 Tft阵列基板及其制作方法和显示装置
US9207508B2 (en) 2011-12-15 2015-12-08 Boe Technology Group Co., Ltd. TFT array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus
CN103838041A (zh) * 2012-11-23 2014-06-04 上海天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置像素单元和阵列基板
CN103838041B (zh) * 2012-11-23 2016-12-21 上海天马微电子有限公司 边缘场开关模式液晶显示装置像素单元和阵列基板
GB2529980A (en) * 2013-07-19 2016-03-09 Shenzhen China Star Optoelect Array substrate and display panel
GB2529980B (en) * 2013-07-19 2020-07-29 Shenzhen China Star Optoelect Array substrate and display panel
WO2015006993A1 (zh) * 2013-07-19 2015-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板及显示面板
RU2627938C1 (ru) * 2013-07-19 2017-08-14 Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд. Подложка матрицы и панель дисплея
JP2015040881A (ja) * 2013-08-20 2015-03-02 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CN103913908A (zh) * 2013-12-25 2014-07-09 厦门天马微电子有限公司 电极结构、显示面板和显示装置
CN104503163A (zh) * 2014-12-24 2015-04-08 上海中航光电子有限公司 一种像素结构、显示面板和显示装置
CN104698696A (zh) * 2015-03-26 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、液晶面板及显示装置
US10042228B2 (en) 2015-03-26 2018-08-07 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal panel and display device
CN105700254A (zh) * 2016-03-07 2016-06-22 京东方科技集团股份有限公司 电极、阵列基板及显示面板
CN108020973A (zh) * 2016-10-28 2018-05-11 捷恩智株式会社 液晶显示元件、显示装置
CN108020973B (zh) * 2016-10-28 2021-11-30 捷恩智株式会社 液晶显示元件、显示装置

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US9207508B2 (en) 2015-12-08

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