CN105981162A - 碳化硅质复合体及其制造方法以及使用该复合体的散热零件 - Google Patents
碳化硅质复合体及其制造方法以及使用该复合体的散热零件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105981162A CN105981162A CN201580007131.5A CN201580007131A CN105981162A CN 105981162 A CN105981162 A CN 105981162A CN 201580007131 A CN201580007131 A CN 201580007131A CN 105981162 A CN105981162 A CN 105981162A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- complex
- silicon carbide
- thickness
- warpage
- heat radiation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 49
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 title abstract description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 36
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 67
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 44
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical group [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002521 compomer Substances 0.000 claims description 4
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 238000013001 point bending Methods 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 230000005484 gravity Effects 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 238000011160 research Methods 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 2
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000031481 Pathologic Constriction Diseases 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 210000001215 vagina Anatomy 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3738—Semiconductor materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P15/00—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass
- B23P15/26—Making specific metal objects by operations not covered by a single other subclass or a group in this subclass heat exchangers or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3731—Ceramic materials or glass
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3735—Laminates or multilayers, e.g. direct bond copper ceramic substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3736—Metallic materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23P—METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; COMBINED OPERATIONS; UNIVERSAL MACHINE TOOLS
- B23P2700/00—Indexing scheme relating to the articles being treated, e.g. manufactured, repaired, assembled, connected or other operations covered in the subgroups
- B23P2700/10—Heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
[课题]廉价地提供一种散热零件,其具有导热性,同时比重小,且热膨胀系数接近陶瓷基板,并且具有翘曲从而能够与散热零件等密合性良好地接合。[解决方法]一种碳化硅复合体以及使用该复合体而形成的散热零件,该碳化硅复合体是一种以铝为主要成分的金属含浸于多孔碳化硅成形体而形成的板状复合体,具有相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为250μm以下的翘曲,使用了上述板状复合体的功率模块的翘曲量具有250μm以下的翘曲。
Description
技术领域
本发明涉及一种碳化硅质复合材料及其制造方法以及使用了该复合材料的散热零件,所述碳化硅复合材料热传导特性优异,且重量轻,具有适于作为陶瓷基板或IC包装体等半导体零件的散热器等散热部件的高导热性。
背景技术
近年来,随着半导体领域中的半导体元件的大容量化、半导体元件的高集成化的推进,如何有效地将半导体元件产生的热能发散到外部成了一个重要的课题。半导体元件通常被搭载在陶瓷基板等绝缘性基板上使用。这种情况下,从半导体元件放出的热经设置在基板背面等的被称为散热器的散热零件发散到外部,以确保半导体元件的工作特性。
以前,作为这种散热器材料,主要使用铜(Cu)。虽然铜在室温附近的导热系数高达390W/mK,但是其热膨胀系数大到17×10-6/K,起因于陶瓷基板(热膨胀系数:7~8×10-6/K)与散热器之间的热膨胀差,有时由加热接合时或热循环的负荷等导致陶瓷基板上产生裂缝或裂纹。以前,在要求可靠性的领域中作为散热零件而使用陶瓷基板时,作为散热器一直使用与陶瓷基板的热膨胀系数之差较小的Mo或W等。
由如上所述的Mo或W制造的散热器的可靠性优异,但另一方面导热系数低至150W/mK,散热特性方面存在问题,并且这种散热器价格贵。基于这种情况,近年来,将铜或铝合金用无机质纤维或颗粒加强的、被简称为MMC(金属基复合材料(Metal Matrix Composite))的金属-陶瓷复合体受到了关注。这种复合体一般是通过事先让作为加强材料的无机质纤维或颗粒成形来形成预成型体,使作为基材的金属浸渗至该预成型体的纤维间或颗粒间的复合体。使用氧化铝、碳化硅、氮化铝、氮化硅、二氧化硅、碳等陶瓷作为加强材料。然而,作为加强材料的陶瓷与作为基材的合金的润湿性、界面的反应层等也对导热系数影响很大。
在所述的复合体中,当希望提高导热系数时,需要选择导热系数高的物质作为加强材料以及合金,为了降低热膨胀系数,需要选择热膨胀率低的加强材料。因此,主要对碳化硅-铝合金的复合体进行了研究。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利第3468358号
专利文献2:日本特表平5-507030号公报
专利文献3:日本特开平9-157773号公报
专利文献4:日本特开平10-335538号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,如上所述,在具备以往的陶瓷基板与散热器的接合结构的散热零件中使用Mo或W等重金属材料作为散热器时,存在散热零件的重量变重、同时散热性也不一定充分的问题。而使用重量较轻、散热性优异的Cu或Al等作为散热器时,与陶瓷基板之间的热膨胀差大,为了得到可靠性高的结构,接合结构本身将变得非常复杂,存在导致制造成本增加或作为散热零件的热阻增加等问题。基于这些情况,在具备以往的陶瓷基板与散热器的接合结构的散热零件中,希望实现简化接合结构,且提高可靠性以及散热性。
另一方面,为了解决上述问题,对金属-陶瓷复合体进行了研究,但若想得到接近陶瓷基板的热膨胀率,就需要提高热膨胀率低的加强材料即陶瓷的比例。为了提高陶瓷成分的比例,需要使用高的成形压力来成形预成型体,存在如下问题:导致成本的增加,并且存在之后的合金很难充分含浸的问题。因此,需要进行能够廉价提供热膨胀率接近陶瓷基板、具有高导热系数的金属-陶瓷复合体的技术开发。
进一步地,作为散热零件使用时,这种复合体是焊接到电路基板上使用的,因此,如果复合体的翘曲量过大则变得难以进行焊接。为此,在将这种复合体作为散热零件使用时,需要将翘曲量控制在规定量以下。另一方面,装配了这种散热零件的功率模块等零件,一般用螺钉固定在散热片上使用。此时,在功率模块等零件与散热片的接合面上为了使应力发挥作用,接合面呈凸型时螺钉固定后的紧固力大、从散热方面而言是优选的。但是,对于以往的金属-陶瓷复合体,如果想要像这样任意附加翘曲等形状时,只有通过后续加工进行调整的方法。这时,存在金属-陶瓷复合体非常硬、加工费用高、零件自身变得非常贵的问题。
本发明鉴于上述情况研发而成,其目的在于廉价地提供一种复合体以及使用该复合体的散热零件,所述复合体具有高导热性,同时比重小,且热膨胀系数接近陶瓷基板,具有翘曲从而与散热零件等密合性良好地接合。
用于解决问题的方案
本发明人等为了实现上述目的进行潜心研究,结果发现:通过调整复合体的组成及其结构,可以控制热膨胀系数等特性以及复合体的形状,从而完成了本发明。
即,本发明是一种碳化硅质复合体,其特征在于,其是将含铝金属加压含浸于多孔碳化硅成形体而形成的板状复合体,所述碳化硅质复合体的板厚t为2mm~6mm,面内的厚度偏差在t±0.3mm以内。
另外,本发明是一种碳化硅复合体,其特征在于,板状复合体的面内具有用于使所述板状复合体的凸面面向其他散热零件进行螺钉固定的四个以上的孔部,相对于孔间方向(X方向)的长度10cm的翘曲量(Cx;μm)与相对于其垂直方向(Y方向)的长度10cm的翘曲量(Cy;μm)的关系是50≤Cx≤250且0≤Cy≤200,使用了所述板状复合体的功率模块中的翘曲量是50≤Cx≤250且0≤Cy≤200。
进一步地,本发明是一种碳化硅质复合体,其特征在于,板状复合体的表面背面两面被平均厚度为10~110μm的以铝为主要成分的金属层覆盖,并且表面背面的金属层的平均厚度之差在100μm以下。
另外,本发明是一种碳化硅质复合体,其特征在于,板状复合体包括复合体部分(A)与设置在复合体的至少单面上的以铝为主要成分的金属层(B),复合体部分(A)的厚度的平均值(TA;μm)与金属层(B)的两面的厚度的平均值之和(TB;μm)的比(TA/TB)是10~30。
进一步地,本发明是一种碳化硅质复合体,其特征在于,相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为50~250μm,并且所述金属层(B)的表面侧的厚度的平均值(TB1;μm)和背面侧的厚度的平均值(TB2;μm)之差的绝对值(|TB1-TB2|)与复合体的最大长度(L;cm)之积在500以上2000以下。
另外,本发明是一种碳化硅质复合体的制造方法,其特征在于,通过在温度350℃以上对碳化硅质复合体施加应力使其塑性变形,从而进行翘曲加工。
进一步地,本发明是一种碳化硅质复合体,其特征在于,从室温(25℃)加热至150℃时的平均热膨胀系数在9×10-6/K以下,室温(25℃)的导热系数在150W/mK以上。
再有,本发明是一种散热零件,其特征在于,在板状复合体上接合用于搭载半导体的陶瓷基板而形成。
再有,本发明是一种散热零件,其特征在于,陶瓷基板是氮化铝和/或氮化硅。
进一步地,本发明是一种散热零件,其特征在于,将未接合陶瓷基板的一面介由散热膏安装于平面板时,在紧固扭矩为2N以上的条件下,所述面的90%以上密合。
发明的效果
由于本发明的复合体是含铝金属含浸于碳化硅质多孔体而形成的,因此具有如下特征,即,能够降低复合体的加工成本、导热系数高、平均热膨胀系数接近陶瓷基板、并且重量轻;作为一种与用于搭载半导体的陶瓷基板接合而使用的散热零件,可靠性优异且能够廉价提供适用于电动汽车等移动设备等的散热零件。再有,本发明的复合体具有特定量的翘曲,例如,作为散热板使用时,能够将陶瓷基板密合性良好地用螺钉固定在散热片等散热零件上,散热性稳定。因此,具有能够形成高可靠性的模块的效果,产业上非常有用。
具体实施方式
金属-陶瓷复合体的热膨胀率通常由作为加强材料的陶瓷与作为基材的金属的热膨胀率及其配比决定。陶瓷的热膨胀率与金属的热膨胀率相比小很多,为了降低复合体的热膨胀率,增加陶瓷的比率是有效的。另一方面,金属-陶瓷复合体的导热系数也基本上由作为加强材料的陶瓷与作为基材的金属的热膨胀率及其配比决定,但是导热系数的情况下,加强材料与基材之间的界面的结合状态影响很大。一般而言,对于陶瓷和金属而言,金属的导热系数高,但是碳化硅(SiC)、氮化铝(AlN)、氮化硼(BN)等具有等于或大于金属(300W/mK以上)的理论导热系数,从提高导热系数这一点出发,它们作为加强材料非常有前景。但是,在实际制造复合体的情况下,AlN或BN很贵,得到的复合体也很贵。另外,AlN或BN在大气环境中易被氧化,形成复合体时,作为加强材料的陶瓷与作为基材的金属之间容易形成热膨胀率极低的玻璃相,其结果是得到的复合体的导热系数降低。
本发明人等对加强材料进行各种研究,结果发现:以碳化硅为主要成分的陶瓷适合制造兼具高导热系数和低热膨胀率的金属-陶瓷复合体。
另一方面,制造这种复合体时,加强材料与金属之间的润湿性对得到致密的复合体而言很重要。如果含浸的金属的熔点高,则含浸时的温度变高,有时陶瓷被氧化,或陶瓷与金属反应而形成特性不理想的化合物。进一步地,如果作为基材的金属的熔点高,则因为含浸温度变高而导致模具材料等的材质受限,同时铸造成本本身也将增加,得到的复合体变昂贵。
本发明人等对作为基材的金属进行各种研究,结果发现:通过使用以铝为主要成分的合金,能够制造优异的复合体。即,本发明的复合体是以铝为主要成分的金属含浸于碳化硅粉末或碳化硅质多孔体而形成的。
金属-陶瓷复合体的热膨胀率、导热系数等特性由作为加强材料的陶瓷与作为基材的金属的特性及其配比决定。本发明的复合体中的碳化硅的含量优选为50~80体积%,更优选为60~70体积%。如果碳化硅的含量低于50体积%,则复合体的热膨胀率变高,无法得到作为本发明目的的可靠性高的散热零件。另外,对复合体的高导热系数、低热膨胀率这点而言,提高碳化硅的含量是有效的,但是,填充超过80体积%时,存在需要极高的成形压力等问题,得到的金属-陶瓷复合体的成本变得极高。
另一方面,本发明的碳化硅质复合体中的金属是以铝为主要成分的合金,优选含20质量%以下的硅、5质量%以下的镁。关于合金中的铝、硅、镁以外的金属成分,如果是在合金特性不发生极端变化的范围内,也可以含有铜等。通过调整合金中的铝以外的成分,能够改变合金本身的导热系数、热膨胀率,也能调整所得的复合体的导热系数、热膨胀率。另外,通过在铝金属中将硅、镁进行合金化,从而合金的熔点下降、高温下的熔融金属的粘性下降,使用高温铸造法等将容易得到致密的复合体。进一步地,通过将铝金属进行合金化,金属本身硬度将增加,其结果是获得的复合体的强度等的机械特性提高。
另外,本发明的碳化硅质复合体的特征在于,板厚t为2mm~6mm,面内的厚度偏差在t±0.3mm以内。如果板厚低于2mm,则作为散热零件使用时,碳化硅质复合体在面方向上的散热性下降,散热零件的散热性下降,因而是不优选的。另一方面,如果板厚超过6mm,则碳化硅质复合体自身的热阻变大,散热零件的散热性下降,因而是不优选的。另外,如果面内的厚度偏差在t±0.3mm的范围外,则装配了由该碳化硅质复合体构成的散热零件的功率模块等零件在用螺钉固定在散热片等上使用时,功率模块等零件与散热片的接合面上将产生气隙,散热性下降,因而是不优选的。所谓“面内的厚度偏差在t±0.3mm以内”的意思是在多处测量复合体的厚度,由其平均值算出复合体的平均厚度将其看作0时,最大值以及最小值的值在±0.3mm以内。
另外,本发明的本质在于相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量具有250μm以下的翘曲。如果相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量超过250μm,则产生如下问题:将本发明的复合体作为散热零件使用时,与电路基板等的接合不良;或者用螺钉固定在散热片等上时,施加过大的弯曲应力而造成复合体破损。另一方面,装配了由这种复合体构成的散热零件的功率模块等零件用螺钉固定在散热片等上使用。此时,为了在功率模块等零件与散热片的接合面上使应力发挥作用,接合面呈凸型时螺钉固定后的紧固力大,就散热方面而言是优选的。凸面可以利用在制造复合体时产生的翘曲来形成,或者通过使用图3所示的夹具强制进行翘曲加工而形成。
本发明的第二种实施方式是在板状复合体的主面内具备4个以上的孔部以用于螺钉固定在其他散热零件上。关于所述孔的形状,根据散热零件的大小进行合适的选择即可,一般而言,只要是M6~M10的螺钉能够穿过的尺寸就行。关于孔部的个数,可以根据散热板的大小可设置4个以上的多个,但3个以下时,也未必不会使散热板的整面与其他散热零件密合。孔的形成之处可以任意选择,例如可以在板状复合体的四个角落的角部上形成。
本发明的本质在于相对于孔间方向(X方向)的长度10cm的翘曲量(Cx;μm)与相对于所述X方向的垂直方向(Y方向)的长度10cm的翘曲量(Cy;μm)为0≤Cx≤250,且0≤Cy≤300。另外,当翘曲量(Cx;μm以及Cy;μm)在所述特定范围内时,使用了所述板状复合体的功率模块的翘曲量为50≤Cx≤250,且0≤Cy≤200。一般而言,此处所述孔间方向(X方向)表示如图1(a)~(d)所示例的散热板表面的一个方向,Y方向表示与所述表面内的X方向垂直的方向。
为了解决现有技术中的上述问题,本发明人等进行各种实验性的讨论,结果得到如下认识:翘曲量(Cx;μm以及Cy;μm)在所述特定范围内时,由复合体构成的散热板可以用螺钉密合性地固定在其他散热零件上,从而完成了本发明。当用螺钉将由本发明的复合体构成的散热板密合性良好地固定在其他散热零件上时,一般而言,在散热板与散热零件之间介由散热膏等进行固定。因此,关于Y方向的翘曲量(Cy),优选其绝对值小于散热膏的厚度。另外,考虑到紧固时的散热板的变形,优选Y方向的翘曲量(Cy)小于X方向的翘曲量(Cx)。当所述的翘曲量无法满足所述特定范围时,有时未必不能将散热板密合性良好地螺钉固定在其他散热零件上。
另外,本发明的第三种实施方式是在板状复合体(A)的两面上接合以铝为主要成分的合金层(B)而成的板状的复合体。通过用以铝为主要成分的合金层覆盖表面部,由此在对表面部进行加工时,只对该金属部分进行加工即可,可以大幅减少加工时的工作量。这是因为如果表面部有金属-陶瓷复合体,则只有该部分是硬的,加工变得不均匀,或者需要使用金刚石等昂贵的加工工具。另外,通过表面部为金属层,从而进行电镀处理时的均匀性得以提高。基于上述理由,金属层的平均厚度选择10μm以上。
另一方面,所述金属层由以铝为主要成分的金属构成,因此与金属-陶瓷复合体部分相比,热膨胀系数较大。因此,如果金属层的厚度增加,则复合体整体的热膨胀系数变大,因此金属层的平均厚度选择110μm以下。
另外,如果表面背面的金属层的平均厚度存在差别,则因金属层与金属-陶瓷复合体的热膨胀系数的区别,将导致复合体本身的表面背面产生热膨胀差,其结果是在复合体上发生翘曲。对于这种翘曲,如果不加以控制,则在复合体作为散热零件等使用时,将成为与电路基板等接合不良的原因。该翘曲量与表面背面的金属层的厚度差之间存在密切的关系。当厚度差超过110μm时,复合体的翘曲量过大,将不适合作为散热零件使用。另外,为了能够在板状复合体的主面内用螺钉固定在其他散热零件上而设置孔部的情况下,当该孔间距离为10cm以下的小型形状时,为了将散热板用螺钉密合性良好地固定在其他散热零件上,优选相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量在100μm以下。
进一步地,本发明的第四种实施方式是板状复合体(A)的厚度的平均值(TA)与表面背面的合金层的厚度的平均值之和(TB)的比(TA/TB)为5~30、优选为10~30的复合体。如果TA/TB小于5,则表面的该合金层的厚度过厚,热膨胀率、导热系数等特性下降。另一方面,如果TA/TB超过30,则表面的合金层过薄,对表面部进行机械加工等时,将产生一部分板状复合体露出而使加工工具破损的问题或电镀特性下降的问题。另外,由于调整表面的合金层的厚度从而调整复合体的形状、具体而言调整翘曲量时也需要一定程度的合金层厚,因此TA/TB在30以下是必要的。
另外,相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为50~250μm,合金层(B)的表面侧的厚度的平均值(TB1;μm)和背面侧的厚度的平均值(TB2;μm)之差与复合体的最大长度(L;cm)为500<(TB1-TB2)×L<2500,优选为500<(TB1-TB2)×L≤2000。如果相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量超过250μm,则产生如下问题:将本发明的复合体作为散热零件使用时,其与电路基板等的接合不良;或者用螺钉固定在散热片等上时,施加过大的弯曲应力,复合体破损。另一方面,装配了由这种复合体构成的散热零件的功率模块等零件用螺钉固定在散热片等上使用。此时,为了在功率模块等零件与散热片的接合面上使应力发挥作用,接合面呈凸型时螺钉固定后的紧固力大,就散热方面而言是优选的。因此,当相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量小于50μm时,作为散热零件使用时的翘曲量不充分,有时在散热特性上产生问题。
在这种结构的复合体中,当因合金层与板状复合体(金属-陶瓷复合体)的热膨胀系数的不同导致表面背面的合金层具有厚度差时,复合体本身的表面背面产生热膨胀差,其结果是在复合体中发生翘曲。这种翘曲与表面背面的合金层的厚度差以及板状复合体的尺寸存在密切关系。如果表面背面的合金层的厚度差变大或板状复合体的尺寸变大则这种翘曲变大。如果(TB1-TB2)×L超过2500,则复合体的翘曲量变得过大,另外,如果(TB1-TB2)×L小于500,则复合体的翘曲量变得过小。作为散热零件使用时,存在上述那样的问题,因而是不优选的。
作为复合体的翘曲量,优选相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量为50~250μm。如果相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量超过250μm,则产生如下问题:将本发明的复合体作为散热零件使用时,产生与电路基板等的接合不良;或者用螺钉固定在散热片等上时,施加过大的弯曲应力,复合体发生破损。另一方面,装配了由这种复合体构成的散热零件的功率模块等零件用螺钉固定在散热片等上使用。此时,为了在功率模块等零件与散热片的接合面上使应力发挥作用,接合面呈凸型时螺钉固定后的紧固力大,就散热方面而言是优选的。因此,当相对于复合体的主面的长度10cm的翘曲量小于50μm时,作为散热零件使用时的翘曲量不充分,有时无法实现本发明的目的。
另外,本发明是一种碳化硅质复合体的制造方法,其特征在于,通过在350℃以上的温度下对所述板状复合体施加与主面垂直的应力,使其塑性变形,从而进行翘曲加工。通过前述操作,能够容易得到具有所述期望的翘曲量的板状复合体。此时,事先在具有所希望形状的内面的模具中挤压复合体的方法再现性高、是优选的。此外,当温度低于350℃时,由于复合体中的以铝为主要成分的金属事实上没有塑性变形,因此难以实现本发明的目的。关于所述温度的上限,超过600℃时,有时一部分铝合金将形成液相,发生流动,而如果加热至发生流动的温度,则有时在其冷却时发生伴随凝固的变形,因而是不优选的。
进一步地,本发明的复合体的室温(25℃)的导热系数为150W/mK以上。当导热系数低于150W/mK时,作为散热零件等使用时,无法获得充分的散热特性,存在其用途受限的问题。
另外,本发明的复合体从室温(25℃)加热至150℃时的平均热膨胀系数在9×10-6/K以下。如果从室温(25℃)加热至150℃时的平均热膨胀系数超过9×10-6/K,作为功率模块等散热零件使用时,与陶瓷基板之间的热膨胀系数的差就变得过大,会因加热接合时、热循环负荷等导致陶瓷基板上产生裂缝或裂纹等,存在作为要求可靠性的散热零件使用时的用途受限的问题。
另外,对于本发明的复合体,如果密度为3g/cm3左右,则与铜等金属相比更轻,作为散热零件使用时,对于零件轻量化而言是有效的。另一方面,本发明的复合体的弯曲强度高达300Mpa以上,对作为散热零件使用而言具有充分的机械性能。
进一步地,本发明是一种散热零件,其特征在于使用所述复合体。本发明的散热零件的热传导特性优异,且具有充分的机械性能,适合用作散热器等。另外,如果本发明的散热零件的密度在3g/cm3左右,则其重量轻,适合作为用于移动用机器的散热零件。本发明的散热零件的热传导特性优异,平均热膨胀率低至9×10-6/K以下,因此作为散热器等的散热零件使用时,与以往使用铜等的情况相比,其与接合在散热零件上的陶瓷基板之间的热膨胀差小,能够抑制在基板上的半导体元件工作时发生的热循环等导致的陶瓷基板的裂缝或裂纹等。由此,适合作为需要高可靠性的电动汽车等移动用设备中使用的散热零件。
另外,随着半导体元件的集成化、大型化,对搭载该元件的陶瓷基板要求高散热特性。氮化铝以及氮化硅基板的绝缘特性优异、散热特性优异,通过与本发明的散热零件接合使用,能够获得极少发生由于施加热循环等而导致的裂缝、裂纹等的高可靠性。
另外,本发明的散热板具有以下特征,即,将未接合陶瓷基板的面介由散热膏安装于平面板时,在紧固扭矩为2N以上的条件下,所述面的90%以上密合,具有如下优点:能够迅速扩散陶瓷基板上的半导体元件工作时产生的热,能够形成高可靠性的模块。
本发明的复合体的制造方法是在碳化硅粉末中定量添加混合作为粘合剂的硅溶胶和/或铝溶胶等,成形为所希望的形状。成形方法可以使用干压成形、湿压成形、挤出成形、浇铸成形等,根据需要还可以添加用于保形的粘合剂。另外,关于碳化硅粉末,虽然可以使用一种粉末,但因为按适当粒度配混多种粉末能够容易地得到高密度的成形体,因此更加优选。接着,将得到的成形体放在空气或氮气等非活性气体环境中、在700~1600℃的温度下进行预焙烧来制造碳化硅质多孔体。另一方面,也可以在碳化硅粉末中添加混合作为结合材料的硅粉末,用同样的方法进行制造。进一步地,关于碳化硅质多孔体的制造方法,还可以将碳化硅粉末或硅粉末与碳粉末的混合粉末在非活性气体环境中、1600~2200℃的温度下焙烧进行制造。
得到的碳化硅质多孔体加工成规定形状后预先进行加热,以防止热冲击导致的裂纹等,在高压下含浸已被加热至熔点以上温度的以铝为主要成分的熔融金属而形成复合体。复合体的表面的金属层的厚度可以按照如下方式调整:对碳化硅质多孔体进行加工时,通过在其表面部增加沟槽等,调整含浸而得到的复合体的表面的合金层的厚度。另外,也可以通过将Al合金的薄板层叠于碳化硅质多孔体的表面进行含浸来调整。此时,不仅可以使用多孔体,还可以使用碳化硅粉末。进一步地,也可以通过对复合体的表面的金属层进行机械加工来调整复合体的表面的金属层的厚度。进一步地,也可以通过利用模具等将比该模具的空隙尺寸稍小的预成型体配置在所述空隙内、在该模具内的所述空隙内注入熔融金属的方法进行制造。
关于金属成分的含浸方法没有特别限定,可以利用高压铸造法、压铸法等。
实施例
以下,列举实施例、比较例对本发明进行进一步的详细说明,但本发明并不局限于此。
实施例1~8、比较例1~4
碳化硅粉末A(大平洋蓝登株式会社生产:NG-150、平均粒径:100μm),碳化硅粉末B(屋久岛电工株式会社生产:GC-1000F、平均粒径:10μm)以及硅溶胶(日产化学株式会社生产:SNOWTEX)以质量比60:40:10的组成进行配混,用搅拌混合机混合1小时后,在10MPa的压力下成形为187mm×137mm×7mm的形状。之后,将所述成形体在大气中,在960℃下加热2小时,制造碳化硅质多孔体。将得到的碳化硅质多孔体加工成的形状,根据该尺寸与质量算出相对密度,结果为65%。
接着,用金刚石加工工具将得到的碳化硅质多孔体加工成所希望的厚度,在12个各试样的试样之间用涂布了脱模剂的0.8mm厚的SUS板进行分隔,在两端配置厚度为12mm的铁板后,用的螺钉、螺母固定,形成一个组件。
接着,将所述两个组件作为一个组件,用电炉在650℃的温度下进行预热,将其放置在已经预先加热了的内部尺寸为320mm×260mm×440mm的、具有空隙的加压模具内之后,灌入已被加热至810℃温度的铝合金(ADC-12)的熔融金属,在500MPa的压力下加压13分钟以上,将铝金属含浸于碳化硅质多孔体。得到的含有复合体的金属块冷却至室温后,用湿式带锯切断,将碳化硅质复合体脱模。
对于得到的复合体,使用激光测厚仪(KEYENCE CORPORATION生产:VT2-10SB)用激光检测复合体的厚度方向的上下位置,测量图2所示的5点的厚度,由其平均值算出复合体的平均厚度,由最大值、最小值求出厚度偏差。另外,用辊式研磨机研磨复合体的表面,除去复合体表面的变质层后,通过三维激光测量仪(KEYENCE CORPORATION制:LK-GD500)向对象物照射激光,接受来自对象物的经漫反射的光而算出位移量,测出复合体的主面的翘曲量。对于使用各复合体的功率模块,通过三维激光测量仪测出复合体的主面的翘曲量(Cx、Cy)。将其结果示于表1。
[表1]
Cx、Cy:相对于试样长度10cm的翘曲量
另外,使用金刚石加工工具由得到的复合体研削加工成用于测量热膨胀率的试样(4×4×20mm)、用于测量室温的导热系数的试样(25mm×25mm×1mm)、用于评价三点抗弯强度的试样(3mm×30mm×厚度)。使用一部分用于评价三点抗弯强度的试样,用显微镜观察其截面,对9处复合体的表面背面的金属层的厚度进行测量,算出平均厚度。将得到的结果示于表2。
[表2]
接着,使用各个试样,利用热膨胀计测量从室温到250℃的热膨胀率,利用激光闪光法测量室温的导热系数以及利用弯曲试验机测量三点抗弯强度。进一步地,根据用于测量导热系数的试样的尺寸与重量,算出复合体的密度。将得到的结果示于表3。
[表3]
另外,在上述操作得到的各种复合体的单面侧,称量并涂布硅润滑脂(信越化学工业株式会社生产)使厚度为50μm,然后在厚度为30mm的亚克力板上利用6M的螺钉、以3N的紧固扭矩进行安装。放置1分钟后,取下螺钉紧固件,测量硅润滑脂涂抹面的密合率(面积比率)。将其结果示于表4。
[表4]
实施例9~11
将比较例1中制造的碳化硅质复合体安装在图3所示的由SUS-304制的夹具中,用M10的螺钉负载与主面垂直的应力后,在温度为500℃的电炉中加热30分钟之后,冷却至室温释放负载。将得到的复合体的翘曲量示于表5。接着,将得到的复合体用与实施例1~8同样的方法进行评价的结果示于表5。如表5所示,通过使用夹具形成凸面,能够提高密合率。
[表5]
附图说明
[图1]举例说明本发明的复合体的俯视图。
[图2]本发明的复合体厚度测量点代表图。
[图3]本发明实施例中使用的夹具的说明图。
Claims (9)
1.一种碳化硅复合体,其特征在于,其是含铝金属加压含浸于多孔碳化硅成形体而形成的板状复合体,板厚t为2mm~6mm,面内的厚度偏差在t±0.3mm以内,所述板状复合体的面内具有用于使所述板状复合体的凸面面向其他散热零件进行螺钉固定的四个以上的孔部,相对于孔间方向(X方向)的长度10cm的翘曲量(Cx;μm)与相对于其垂直方向(Y方向)的长度10cm的翘曲量(Cy;μm)的关系是50≤Cx≤250且0≤Cy≤200,使用了所述板状复合体的功率模块中的该复合体主面的翘曲量是50≤Cx≤250且0≤Cy≤200。
2.根据权利要求1所述的碳化硅复合体,其表面背面两面被平均厚度为10~110μm的含铝的金属层覆盖,表面背面的所述金属层的平均厚度之差在100μm以下。
3.根据权利要求1所述的碳化硅复合体,其包括复合体部分(A)与设置在复合体的至少单面上的含铝的金属层(B),所述复合体部分(A)的厚度的平均值(TA;μm)与所述金属层(B)的两面的厚度的平均值之和(TB;μm)的比(TA/TB)是10~30。
4.根据权利要求1或2所述的碳化硅质复合体,其中,所述金属层(B)的表面侧的厚度的平均值(TB1;μm)和背面侧的厚度的平均值(TB2;μm)之差的绝对值(|TB1-TB2|)与复合体的最大长度(L;cm)之积在500以上且2000以下。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的碳化硅质复合体,其中,温度为25℃时的导热系数在150W/mK以上,温度为25℃至300℃的线热膨胀系数是5×10-6~10×10-6/K,温度为25℃时的三点抗弯强度是150MPa~500MPa,温度为25℃时的弹性模量是150GPa~350GPa、密度是2.8~3.1g/cm3。
6.根据权利要求1~5中任意一项所述的碳化硅质复合体的制造方法,其特征在于,通过在温度350℃以上对碳化硅质复合体施加应力使其塑性变形,从而进行翘曲加工。
7.一种散热零件,其特征在于,在权利要求1~5中任意一项所述的板状的碳化硅质复合体上接合用于搭载半导体的陶瓷基板而形成。
8.根据权利要求7所述的散热零件,其中,陶瓷基板是氮化铝或氮化硅。
9.根据权利要求7或8所述的散热零件,将未接合所述用于搭载半导体的陶瓷基板的一面介由散热膏安装于平面板时,在紧固扭矩为2N以上的条件下,所述面的90%以上与平面板密合。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-018592 | 2014-02-03 | ||
JP2014018592 | 2014-02-03 | ||
PCT/JP2015/052880 WO2015115649A1 (ja) | 2014-02-03 | 2015-02-02 | 炭化珪素質複合体及びその製造方法並びにそれを用いた放熱部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105981162A true CN105981162A (zh) | 2016-09-28 |
Family
ID=53757214
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580007131.5A Pending CN105981162A (zh) | 2014-02-03 | 2015-02-02 | 碳化硅质复合体及其制造方法以及使用该复合体的散热零件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170162469A1 (zh) |
EP (1) | EP3104406B1 (zh) |
JP (1) | JPWO2015115649A1 (zh) |
CN (1) | CN105981162A (zh) |
WO (1) | WO2015115649A1 (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108615717A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-10-02 | 井敏 | 一种金属化陶瓷基板、基板制作方法及基板与芯片焊接方法 |
CN110383469A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-10-25 | 三菱综合材料株式会社 | 带散热片的功率模块用基板 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7116689B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
JP7116690B2 (ja) | 2019-01-30 | 2022-08-10 | デンカ株式会社 | 放熱部材およびその製造方法 |
JPWO2021200011A1 (zh) | 2020-03-31 | 2021-10-07 | ||
CN116393677B (zh) * | 2023-04-07 | 2023-11-03 | 哈尔滨工业大学 | 一种高通量近净成形制备金刚石/铝复合材料的方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1000915A2 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-17 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Silicon carbide composite, method for producing it and heat dissipation device employing it |
JP2001291809A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱部品 |
CN102815048A (zh) * | 2011-06-10 | 2012-12-12 | 比亚迪股份有限公司 | 一种AlSiC复合材料及其制备方法、一种镀镍AlSiC复合材料 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5119864A (en) | 1988-11-10 | 1992-06-09 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of forming a metal matrix composite through the use of a gating means |
JPH09157773A (ja) | 1995-10-03 | 1997-06-17 | Hitachi Metals Ltd | 低熱膨張・高熱伝導性アルミニウム複合材料及びその製造方法 |
JP4080030B2 (ja) | 1996-06-14 | 2008-04-23 | 住友電気工業株式会社 | 半導体基板材料、半導体基板、半導体装置、及びその製造方法 |
EP1973157B1 (en) * | 2006-01-13 | 2017-06-21 | Denka Company Limited | Aluminum/silicon carbide composite and heat dissipation device employing the same |
-
2015
- 2015-02-02 US US15/115,955 patent/US20170162469A1/en not_active Abandoned
- 2015-02-02 EP EP15743322.8A patent/EP3104406B1/en active Active
- 2015-02-02 CN CN201580007131.5A patent/CN105981162A/zh active Pending
- 2015-02-02 WO PCT/JP2015/052880 patent/WO2015115649A1/ja active Application Filing
- 2015-02-02 JP JP2015560068A patent/JPWO2015115649A1/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1000915A2 (en) * | 1998-11-12 | 2000-05-17 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Silicon carbide composite, method for producing it and heat dissipation device employing it |
JP2001291809A (ja) * | 2000-04-07 | 2001-10-19 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 放熱部品 |
CN102815048A (zh) * | 2011-06-10 | 2012-12-12 | 比亚迪股份有限公司 | 一种AlSiC复合材料及其制备方法、一种镀镍AlSiC复合材料 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110383469A (zh) * | 2017-03-07 | 2019-10-25 | 三菱综合材料株式会社 | 带散热片的功率模块用基板 |
CN110383469B (zh) * | 2017-03-07 | 2023-06-02 | 三菱综合材料株式会社 | 带散热片的功率模块用基板 |
CN108615717A (zh) * | 2018-07-20 | 2018-10-02 | 井敏 | 一种金属化陶瓷基板、基板制作方法及基板与芯片焊接方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2015115649A1 (ja) | 2015-08-06 |
US20170162469A1 (en) | 2017-06-08 |
JPWO2015115649A1 (ja) | 2017-03-23 |
EP3104406B1 (en) | 2019-04-03 |
EP3104406A1 (en) | 2016-12-14 |
EP3104406A4 (en) | 2017-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105981162A (zh) | 碳化硅质复合体及其制造方法以及使用该复合体的散热零件 | |
KR100637635B1 (ko) | 탄화규소질 복합체 및 그 제조 방법과 이를 사용한 방열부품 | |
JP5144279B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びそれを用いた放熱部品 | |
KR101344152B1 (ko) | 알루미늄-탄화규소질 복합체 및 그것을 사용한 방열 부품 | |
JP4761157B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体 | |
US20200335415A1 (en) | Heat dissipation component and method for manufacturing same | |
JP6636924B2 (ja) | アルミニウム‐炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
EP3121847A1 (en) | Aluminium-silicon carbide composite, and power-module base plate | |
WO2020013300A1 (ja) | 金属-炭化珪素質複合体、及び金属-炭化珪素質複合体の製造方法 | |
JP2007142126A (ja) | 複合材料及び半導体搭載用放熱基板、及びそれを用いたセラミックパッケージ | |
JP4864593B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体の製造方法 | |
JP5208616B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JP2008071845A (ja) | 放熱部品及びその製造方法 | |
JP3792180B2 (ja) | 放熱部品の製造方法 | |
JP2020012194A (ja) | 金属−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JP5368766B2 (ja) | アルミニウム−炭化珪素質複合体及びその製造方法 | |
JP4732430B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体及びその製造方法 | |
JP5457992B2 (ja) | アルミニウム−セラミックス複合体構造部品の製造方法 | |
JP2001291809A (ja) | 放熱部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160928 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |