CN105938856A - 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 - Google Patents
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105938856A CN105938856A CN201610486170.4A CN201610486170A CN105938856A CN 105938856 A CN105938856 A CN 105938856A CN 201610486170 A CN201610486170 A CN 201610486170A CN 105938856 A CN105938856 A CN 105938856A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gaas
- layer
- substrate
- thickness
- atom
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 209
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 98
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 16
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 11
- 229910007264 Si2H6 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims description 6
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 239000002352 surface water Substances 0.000 claims description 5
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N tetrabromomethane Chemical compound BrC(Br)(Br)Br HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 abstract 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 148
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005926 GexSi1-x Inorganic materials 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004581 coalescence Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002574 poison Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0304—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
本发明涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本发明通过对Si衬底500‑850℃高温热处理，并且在500‑750℃生长GaAs低温缓冲层，在600‑750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。
Description
技术领域
本发明涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法，属于光电子技术领域。
背景技术
太阳能电池(Solar Cell)可大致分为三代，第一代为硅晶电池，又可大致分为单晶硅与多晶硅两种，商业应用之历史最悠久，已被广泛应用于家庭与消费性商品；第二代产品为薄膜太阳能电池，主要构成材料为非晶硅(Amorphous)与二六族化合物半导体，常被运用于建筑涂料；第三代即为砷化镓三五族太阳能电池，砷化镓(GaAs)被运用于太空作为发电用途已有很长的历史，主要因为砷化镓具有良好的耐热、耐辐射等特性，因此被广泛利用在太空发电用途，唯价格过于高昂，故过去未被使用于地面及家庭消费性用途。然而随着人类对半导体材料的认识益深，搭配上聚光光学组件，如今砷化镓电池之转换效率已可高达40％，制造成本亦大幅降低。在全球热切寻找永续替代能源的今日，高效率砷化镓太阳能电池将是光能发电的另一项重要选择。
太阳电池是一种能量转换的光电元件，它是经由太阳光照射后，把光的能量转换成电能，此种光电元件称为太阳电池(Solar Cell)。从物理学的角℃来看，有人称之为光伏电池(Photovoltaic，简称PV)，其中的photo就是光(light)，而voltaic就是电力(electricity)。太阳电池的种类繁多，若依材料的种类来区分，可分为单晶硅(single crystal silicon)、多晶硅(polycrystal silicon)、非晶硅(amorphous silicon，简称a-Si)、III-Ⅴ族[包括：砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)、磷化镓铟(InGaP)]、II-Ⅵ族[包括：碲化镉(CdTe)、硒化铟铜(CuInSe 2)]等。太阳能是人类取之不尽用之不竭的可再生能源。太阳能光电利用是近些年来发展最快、最具活力的研究领域，是其中最受瞩目的项目之一。
其原理是当P型和N型半导体结合在一起时，在两种半导体的交界面区域里会形成一个特殊的薄层，界面的P型一侧带负电，N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴，N型半导体多自由电子，出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区，P区的空穴会扩散到N区，一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”，从而阻止扩散进行。达到平衡后，就形成了这样一个特殊的薄层形成电势差，这就是PN结。
当晶片受光后，PN结中，N型半导体的空穴往P区移动，而P区中的电子往N区移动，从而形成从N区到P区的电流。然后在PN结中形成电势差，这就形成了电源。如图1所示。由于半导体不是电的良导体，电子在通过PN结后如果在半导体中流动，电阻非常大，损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属，阳光就不能通过，电流就不能产生，因此一般用金属网格覆盖PN结，以增加入射光的面积。
GaAs(砷化镓)光电池大多采用液相外延法或MOCVD技术制备。用GaAs作衬底的光电池效率高达29.5％(一般在19.5％左右)，产品耐高温和辐射，但生产成本高，产量受限，目前主要作空间电源用。使用Si衬底，用MOCVD技术制造GaAs电池是降低成本很有希望的方法。在Si衬底上进行生长GaAs太阳能电池具有极大的市场前景和技术潜力，Si衬底价格便宜面积大，并且对比其他太阳能常用衬底如Ge衬底资源丰富，对于GaAs衬底处理时不会产生毒类物质，实用意义更大。但是由于Si衬底与GaAs材料禁带系数、热膨胀系数等技术因素有关，目前的技术一直在进行研发探索。
中国专利文献CN101859814A公开了一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的GexSi1－x应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge薄膜层，接着在上述Ge/GexSi1－x/Si模板上，外延生长形成包括底部Ge子电池、中部GaAs子电池和顶部InGaP子电池的InGaP/GaAs/Ge三结高效太阳能电池。本专利主要是提供直接在Si衬底上通过变温生长GaAs过渡层然后进行生长单结太阳能电池的方法，两者目的一样，但是实现的手段与方法不尽相同。
中国专利文献CN103346190A公开了一种Si衬底的四结级联太阳能电池，包括从下至上依次设置在Si衬底上的第一键合层、InGaAsP/InGaAs双结电池、第二键合层、第三键合层、GaInP/GaAs双结电池，使所述InGaAsP/InGaAs双结电池、GaInP/GaAs双结电池在Si衬底上形成串联。本发明还提供这种太阳能电池的制备方法。本发明采用Si衬底作为支撑衬底具有良好的机械强度。同时，采用了键合后再正装生长薄层的双结电池的方式，且GaAs与InP薄层键合方法实现了四结电池的晶格匹配生长。但是，该专利存在以下缺陷：没有根本解决材料结构之间的禁带和热膨胀系数问题，多次键合后对材料质量和光电转换效率有一定影响。
中国专利文献CN103311354A公开了一种Si衬底三结级联太阳电池，包括按照远离Si衬底的方向依次在Si衬底上生长的第一过渡层、GeSi底电池、第二过渡层、第一隧道结、GaAs中间电池、第二隧道结、GaInP顶电池、GaAs接触层。本发明采用Si衬底制作的三结级联太阳能电池，实现带隙能量分别为1.89eV/1.42eV/1.0eV，获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，实现较高的光电转换效率。但是，该专利存在以下缺陷：该结构增加了生产制造成本，并且无法实现从Si衬底直接向GaAs材料过渡形成单结电池的优势，增加了产品的不稳定性。
综上所述，现有的单晶、多晶硅、有机物太阳能电池转化效率不高，而使用Ge衬底生长GaAs单结太阳能电池，由于Ge衬底自身价格较高且来源不丰富、成本较高。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构；
本发明还提供了上述Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法；
本发明利用MOCVD技术通过温度等手段直接在Si衬底上生长GaAs材料，通过热处理以及GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层解决Si衬底与GaAs单结太阳能电池的禁带和热膨胀系数问题，通过调整结构中Al组分实现最大光电转换效率，为实现大规模量产民用铺平了道路。
术语解释
1、MOCVD：金属有机化学气相沉积技术，MOCVD设备是半导体化合物生长的常用设备，广泛用于半导体电子器件制造行业。
2、掺杂浓度：单位1E19个原子/cm3就是指每单位立方厘米中有1*1019个原子。
3、AM0：AM为大气质量，AM0即大气质量为0，代表空间应用环境。
4、AM1：表示阳光垂直穿透大气，即0°入射。
5、AM1.5：表示阳光以45°入射。
本发明的技术方案为：
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述GaAs低温缓冲层的厚度为20-100nm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-3um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3。
通过对Si衬底500-850℃高温热处理，并且在500-750℃生长GaAs低温缓冲层，在600-750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。AlGaAs背场层因为其禁带宽度比较高，降低背面的电子复合，起到阻止电子流失的作用；GaAs基层为电子聚集提供了场所；GaAs发射层为空穴聚集提供了场所；AlGaAs窗口层，因为其禁带宽度最高，所以能起到钝化表面，降低非辐射复合，为空穴能在发射层聚集起到阻止作用；位于最上层的GaAs电极接触层，则是起到接通电极的作用。
采用Si衬底代替了传统的Ge衬底和GaAs衬底，其作用就是降低太阳能电池生产成本，提高生产的单片面积。
根据本发明优选的，AlGaAs背场层采用AlXGa1-XAs材料，X的取值范围为0-0.5；进一步优选的，X的取值范围为0.1-0.45；特别优选的，X＝0.35。
根据本发明优选的，AlGaAs窗口层采用AlYGa1-YAs材料，Y的取值范围为0.5-1；进一步优选的，Y的取值范围为0.45-0.95；特别优选的，Y＝0.65。
通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％以上。
根据本发明优选的，所述GaAs低温缓冲层的厚度为50-100nm，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-2um，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；
特别优选的，所述GaAs低温缓冲层的厚度为80nm，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.6um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3。
根据本发明优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为2-5um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；
所述GaAs发射层的厚度为0.05-1.0um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
所述AlGaAs窗口层的厚度为0.03-0.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
所述GaAs电极接触层的厚度为0.1-1.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
进一步优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.25-0.35μm，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3-5um，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.06-0.9um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.05-0.5um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；
所述GaAs电极接触层的厚度为0.2-1um，掺杂浓度为1E19-1E20个原子/cm3；
特别优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.27um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3.2um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.2um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.15um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述GaAs电极接触层的厚度为0.5um，掺杂浓度为8E19个原子/cm3。
根据本发明，一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，包括采用MOCVD方法在Si衬底上生长外延层，具体步骤包括：
(1)在500-850℃温度下，通入H2，对所述Si衬底高温清洗；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至500-750℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底上生长所述GaAs低温缓冲层；
(3)升温至600-750℃，在所述GaAs低温缓冲层上生长所述GaAs高温缓冲层；
(4)保持步骤(3)的温度，通入TMAl，在所述GaAs高温缓冲层上生长所述AlGaAs背场层；
(5)降温至550-700℃，在所述AlGaAs背场层上生长所述GaAs基层；
(6)在550-750℃温度下，在所述GaAs基层上依次生长所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层；
(7)降温至500-600℃，在所述AlGaAs窗口层上生长所述GaAs电极接触层。
根据本发明优选的，所述步骤(1)、(2)、(3)中，
(1)在800℃温度下，通入H2，对所述Si衬底高温清洗；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至550℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底上生长所述GaAs低温缓冲层；
(3)升温至700℃，在所述GaAs低温缓冲层上生长所述GaAs高温缓冲层。
根据本发明优选的，所述Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备过程中，MOCVD设备的压力为50-200mbar。
根据本发明优选的，所述GaAs低温缓冲层、所述GaAs高温缓冲层、所述AlGaAs背场层的N型掺杂源为Si2H6；所述GaAs基层、所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层、所述GaAs电极接触层的P型掺杂源为CBr4或DEZn。
根据本发明优选的，所述H2的流量为25000－40000sccm；所述TMGa的纯度大于等于99.99％，所述TMGa的恒温槽的温度为(-5)-15℃；所述TMAl的纯度大于等于99.99％，所述TMAl的恒温槽的温度为10-28℃；所述AsH3的纯度大于等于99.99％；所述Si2H6的纯度大于等于99.99％；所述CBr4的纯度大于等于99.99％，所述CBr4的恒温槽的温度为0-25℃；所述DEZn的纯度大于等于99.99％，所述DEZn的恒温槽的温度为0-25℃。
根据本发明优选的，所述TMGa的纯度为99.9999％，所述TMAl的纯度为99.9999％，所述AsH3的纯度为99.9999％，所述Si2H6的纯度为99.9999％，所述CBr4的纯度为99.9999％，所述DEZn的纯度为99.9999％。
本发明的有益效果为：
1、本发明通过对Si衬底500-850℃高温热处理，并且在500-750℃生长GaAs低温缓冲层，在600-750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。Si衬底的热导率(145.7W/m.K)是GaAs衬底热导率的3倍，极大地提高了电流工作能力。
2、本发明采用Si衬底代替了传统的Ge衬底和GaAs衬底，降低了太阳能电池生产成本，提高生产的单片面积。
3、通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％以上，达到了17％的转换效率，为使用Si衬底大规模量产提供了技术基础。
附图说明
图1为PN结的原理图。
图2为本发明Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的示意图。
1、太阳光，2、P区，3、N区，4、电流方向，5、Si衬底，6、GaAs低温缓冲层，7、GaAs高温缓冲层，8、AlGaAs背场层，9、GaAs基层，10、GaAs发射层，11、AlGaAs窗口层，12、GaAs电极接触层。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定，但不限于此。
实施例1
一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，包括依次从下到上设置的Si衬底5、GaAs低温缓冲层6、GaAs高温缓冲层7、AlGaAs背场层8、GaAs基层9、GaAs发射层10、AlGaAs窗口层11、GaAs电极接触层12。如图2所示。
所述GaAs低温缓冲层6的厚度为80nm，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层7的厚度为0.6um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3。
AlGaAs背场层8采用GaAs材料；AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.5。
通过调整AlXGa1-XAs材料和AlYGa1-YAs材料中各自Al的组分，实现对太阳光高低能态光子的吸收，极大地提高了太阳能光电转换效率，比普通的太阳能电池效率提高20％。
所述AlGaAs背场层8厚度为0.27um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs基层9的厚度为3.2um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs发射层10的厚度为0.2um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层11的厚度为0.15um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述GaAs电极接触层12的厚度为0.5um，掺杂浓度为8E19个原子/cm3。
实施例2
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.5。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝1。GaAs低温缓冲层6的厚度为100nm，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为3um，掺杂浓度为6E18个原子/cm3。
实施例3
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.1。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.45。GaAs低温缓冲层6的厚度为20nm，掺杂浓度为1E17个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为0.3um，掺杂浓度为1E17个原子/cm3。
实施例4
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.45。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.95。GaAs低温缓冲层6的厚度为100nm，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为2um，掺杂浓度为6E18个原子/cm3；
实施例5
根据实施例1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其区别在于，
AlGaAs背场层8采用AlXGa1-XAs材料，X＝0.35。AlGaAs窗口层11采用AlYGa1-YAs材料，Y＝0.65。GaAs低温缓冲层6的厚度为50nm，掺杂浓度为5E17个原子/cm3；GaAs高温缓冲层7的厚度为0.3um，掺杂浓度为5E17个原子/cm3；
实施例6
实施例1-5任一所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，包括采用MOCVD方法在Si衬底上生长外延层，工艺条件如下：反应室压力：50－200mbar，H2流量为25000－40000sccm；H2的纯度为99.9999％有机金属源TMAl的纯度为99.9999％，所述TMAl的恒温槽的温度为10-28℃；有机金属源TMGa的纯度为99.9999％，所述TMGa的恒温槽的温度为(-5)-15℃；有机化合物源CBr4的纯度为99.9999％，所述CBr4的恒温槽的温度为0-25℃；有机金属源DEZn的纯度为99.9999％，所述DEZn的恒温槽的温度为0-25℃；AsH3的纯度为99.9995％Si2H6的纯度为99.9995％；具体步骤包括：
(1)在850℃温度下，通入H2，对所述Si衬底5高温清洗12分钟；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至500℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底5上生长所述GaAs低温缓冲层6；
(3)升温至750℃，在所述GaAs低温缓冲层6上生长所述GaAs高温缓冲层7；
(4)保持步骤(3)的温度，通入TMAl，在所述GaAs高温缓冲层7上生长所述AlGaAs背场层8；
(5)降温至650℃，在所述AlGaAs背场层8上生长所述GaAs基层9；
(6)在650℃温度下，在所述GaAs基层9上依次生长所述GaAs发射层10、所述AlGaAs窗口层11；
(7)降温至500℃，在所述AlGaAs窗口层11上生长所述GaAs电极接触层12。
所述GaAs低温缓冲层6、所述GaAs高温缓冲层7、所述AlGaAs背场层8的N型掺杂源为Si2H6；所述GaAs基层9、所述GaAs发射层10、所述AlGaAs窗口层11、所述GaAs电极接触层12的P型掺杂源为CBr4或DEZn。
在制备的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构上经过金属蒸镀、光刻电极，并蒸镀TiO2/SiO2双层减反膜，在AMO、1sun、25℃条件下实现太阳能光电转换效率为17％。
实施例7
实施例1-5任一所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，包括采用MOCVD方法在Si衬底上生长外延层，具体步骤包括：
(1)在800℃温度下，通入H2，对所述Si衬底5高温清洗20分钟；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至550℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底5上生长所述GaAs低温缓冲层6；
(3)升温至700℃，在所述GaAs低温缓冲层6上生长所述GaAs高温缓冲层7；
(4)保持步骤(3)的温度，通入TMAl，在所述GaAs高温缓冲层7上生长所述AlGaAs背场层8；
(5)降温至600℃，在所述AlGaAs背场层8上生长所述GaAs基层9；
(6)在620℃温度下，在所述GaAs基层9上依次生长所述GaAs发射层10、所述AlGaAs窗口层11；
(7)降温至550℃，在所述AlGaAs窗口层11上生长所述GaAs电极接触层12。
所述GaAs低温缓冲层6、所述GaAs高温缓冲层7、所述AlGaAs背场层8的N型掺杂源为Si2H6；所述GaAs基层9、所述GaAs发射层10、所述AlGaAs窗口层11、所述GaAs电极接触层12的P型掺杂源为CBr4或DEZn。
在制备的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构上经过金属蒸镀、光刻电极，并蒸镀TiO2/SiO2双层减反膜，在AMO、1sun、25℃条件下实现太阳能光电转换效率为17％。
Claims (10)
1.一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层，所述GaAs低温缓冲层的厚度为20-100nm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3，所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-3um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3。
2.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述GaAs低温缓冲层的厚度为50-100nm，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.3-2um，掺杂浓度为5E17-6E18个原子/cm3；
进一步优选的，所述GaAs低温缓冲层的厚度为80nm，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs高温缓冲层的厚度为0.6um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3。
3.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs背场层采用AlXGa1-XAs材料，X的取值范围为0-0.5；进一步优选的，X的取值范围为0.1-0.45；特别优选的，X＝0.35。
4.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，AlGaAs窗口层采用AlYGa1-YAs材料，Y的取值范围为0.5-1；进一步优选的，Y的取值范围为0.45-0.95；特别优选的，Y＝0.65。
5.根据权利要求1所述的一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构，其特征在于，所述AlGaAs背场层厚度为0.1-0.5μm，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为2-5um，掺杂浓度为1E17-6E18个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.05-1.0um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.03-0.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；所述GaAs电极接触层的厚度为0.1-1.5um，掺杂浓度为1E18-1E20个原子/cm3；
进一步优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.25-0.35μm，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3-5um，掺杂浓度为5E17-1E18个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.06-0.9um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.05-0.5um，掺杂浓度为3E18-1E20个原子/cm3；所述GaAs电极接触层的厚度为0.2-1um，掺杂浓度为1E19-1E20个原子/cm3；
特别优选的，所述AlGaAs背场层厚度为0.27um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs基层的厚度为3.2um，掺杂浓度为7E17个原子/cm3；所述GaAs发射层的厚度为0.2um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述AlGaAs窗口层的厚度为0.15um，掺杂浓度为3E19个原子/cm3；所述GaAs电极接触层的厚度为0.5um，掺杂浓度为8E19个原子/cm3。
6.权利要求1-5任一所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，包括采用MOCVD方法在Si衬底上生长外延层，具体步骤包括：
(1)在500-850℃温度下，通入H2，对所述Si衬底高温清洗；
(2)降温至500-750℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底上生长所述GaAs低温缓冲层；
(3)升温至600-750℃，在所述GaAs低温缓冲层上生长所述GaAs高温缓冲层；
(4)保持步骤(3)的温度，通入TMAl，在所述GaAs高温缓冲层上生长所述AlGaAs背场层；
(5)降温至550-700℃，在所述AlGaAs背场层上生长所述GaAs基层；
(6)在550-750℃温度下，在所述GaAs基层上依次生长所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层；
(7)降温至500-600℃，在所述AlGaAs窗口层上生长所述GaAs电极接触层。
7.根据权利要求6所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)、(2)、(3)中：
(1)在800℃温度下，通入H2，对所述Si衬底高温清洗；去除所述Si衬底表面水氧并为步骤(2)做准备；
(2)降温至550℃，通入TMGa和AsH3，在所述Si衬底上生长所述GaAs低温缓冲层；
(3)升温至700℃，在所述GaAs低温缓冲层上生长所述GaAs高温缓冲层。
8.根据权利要求6所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，所述Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备过程中，MOCVD设备的压力为50-200mbar；所述GaAs低温缓冲层、所述GaAs高温缓冲层、所述AlGaAs背场层的N型掺杂源为Si2H6；所述GaAs基层、所述GaAs发射层、所述AlGaAs窗口层、所述GaAs电极接触层的P型掺杂源为CBr4或DEZn。
9.根据权利要求8所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，所述H2的流量为25000-40000sccm；所述TMGa的纯度大于等于99.99％，所述TMGa的恒温槽的温度为(-5)-15℃；所述TMAl的纯度大于等于99.99％，所述TMAl的恒温槽的温度为10-28℃；所述AsH3的纯度大于等于99.99％；所述Si2H6的纯度大于等于99.99％；所述CBr4的纯度大于等于99.99％，所述CBr4的恒温槽的温度为0-25℃；所述DEZn的纯度大于等于99.99％，所述DEZn的恒温槽的温度为0-25℃。
10.根据权利要求8所述的Si衬底GaAs单结太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，所述TMGa的纯度为99.9999％，所述TMAl的纯度为99.9999％，所述AsH3的纯度为99.9999％，所述Si2H6的纯度为99.9999％，所述CBr4的纯度为99.9999％，所述DEZn的纯度为99.9999％。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610486170.4A CN105938856B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610486170.4A CN105938856B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105938856A true CN105938856A (zh) | 2016-09-14 |
| CN105938856B CN105938856B (zh) | 2018-02-09 |
Family
ID=56873113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610486170.4A Active CN105938856B (zh) | 2016-06-27 | 2016-06-27 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105938856B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018152727A1 (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 海门黄海创业园服务有限公司 | 一种砷化镓太阳能电池 |
| CN111261494A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 东泰高科装备科技有限公司 | P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206272A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPS63211774A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体装置 |
| CN103489952A (zh) * | 2012-06-14 | 2014-01-01 | 山东华光光电子有限公司 | 一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法 |
| CN203536449U (zh) * | 2013-10-24 | 2014-04-09 | 广东瑞德兴阳光伏科技有限公司 | 一种多结聚光砷化镓太阳能电池 |
| CN105023962A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 华南理工大学 | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
-
2016
- 2016-06-27 CN CN201610486170.4A patent/CN105938856B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206272A (ja) * | 1985-03-08 | 1986-09-12 | Sharp Corp | 太陽電池 |
| JPS63211774A (ja) * | 1987-02-27 | 1988-09-02 | Mitsubishi Electric Corp | 化合物半導体装置 |
| CN103489952A (zh) * | 2012-06-14 | 2014-01-01 | 山东华光光电子有限公司 | 一种SiC衬底单节太阳能电池外延结构及其制备方法 |
| CN203536449U (zh) * | 2013-10-24 | 2014-04-09 | 广东瑞德兴阳光伏科技有限公司 | 一种多结聚光砷化镓太阳能电池 |
| CN105023962A (zh) * | 2015-07-30 | 2015-11-04 | 华南理工大学 | 一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018152727A1 (zh) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | 海门黄海创业园服务有限公司 | 一种砷化镓太阳能电池 |
| CN111261494A (zh) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 东泰高科装备科技有限公司 | P型GaAs层及其外延生长方法、GaAs太阳能电池及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105938856B (zh) | 2018-02-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mauk et al. | GaSb-related materials for TPV cells | |
| CN103107226B (zh) | 高效多结太阳能电池 | |
| CN101221992B (zh) | 多层膜-纳米线复合物、双面型和串联型太阳能电池 | |
| Feng et al. | Theoretical simulations of the effects of the indium content, thickness, and defect density of the i-layer on the performance of pin InGaN single homojunction solar cells | |
| CN106024924B (zh) | 一种含新型隧穿结的晶格失配太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103515462B (zh) | 一种含复合DBR的Ge基GaAs薄膜单结太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2012174952A1 (zh) | 一种高倍聚光多结太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2013152658A1 (zh) | 三结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN101859814B (zh) | 在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法 | |
| CN102412337A (zh) | 一种高效四结太阳能电池及其制作方法 | |
| Perl et al. | Development of a 2.0 eV AlGaInP solar cell grown by OMVPE | |
| CN105938856B (zh) | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN110911510B (zh) | 一种含超晶格结构的硅基氮化物五结太阳电池 | |
| CN103000740B (zh) | GaAs/GaInP双结太阳能电池及其制作方法 | |
| CN109148621B (zh) | 一种双面生长的高效六结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN205790002U (zh) | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构 | |
| CN110931593A (zh) | 一种晶格匹配的硅基无砷化合物四结太阳电池 | |
| CN103545389A (zh) | 一种多结聚光砷化镓太阳能电池及其制备方法 | |
| CN105355668A (zh) | 一种具有非晶态缓冲层结构的In0.3Ga0.7As电池及制备方法 | |
| CN103367480B (zh) | GaAs隧道结及其制备方法 | |
| CN105938855B (zh) | 一种蓝宝石衬底单结太阳能电池结构及其制备方法 | |
| CN104241416A (zh) | 一种含量子阱结构的三结太阳能电池 | |
| CN101459206A (zh) | 高效多结太阳能电池的制造方法 | |
| CN110556445A (zh) | 一种叠层并联太阳能电池 | |
| CN110797427B (zh) | 倒装生长的双异质结四结柔性太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |