JPS63211774A - 化合物半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコン単結晶（以下シリコンをＳｉと称
す）を基板結晶材料として、ＧａＡｓ系結晶層を成長さ
せた化合物半導体装置に関するものである。
す）を基板結晶材料として、ＧａＡｓ系結晶層を成長さ
せた化合物半導体装置に関するものである。
〔従来の技術］
第４図は従来のＧａＡｓ太陽電池を示す断面図である。
この図において、１はｎ形ＧａＡｓ結晶基板、２〜５は
このｎ形ＧａＡｓ結晶基板１上に順次エピタキシャル成
長された各層で、２はｎ形Ｇ’ ａ Ａ ｓ層、３はｐ
形ＧａＡｓ層、４はｐ形ＡｌＧａＡｓ層、５はｐ形Ｇａ
Ａｓ層である。また、６は反射防止膜、７はグツリド状
のｐ電極、８は裏面ｎ電極である。
このｎ形ＧａＡｓ結晶基板１上に順次エピタキシャル成
長された各層で、２はｎ形Ｇ’ ａ Ａ ｓ層、３はｐ
形ＧａＡｓ層、４はｐ形ＡｌＧａＡｓ層、５はｐ形Ｇａ
Ａｓ層である。また、６は反射防止膜、７はグツリド状
のｐ電極、８は裏面ｎ電極である。
次に動作について説明する。
ｐ電極７側より入射した太陽光によって、ｐ形ＧａＡｓ
層３．ｎ形ＧａＡｓ層２の各半導体層中に光励起された
電子と正孔が発生し、電子はｎ形ＧａＡｓ層２の方へ、
正孔はｐ形ＧａＡｓ層３の方へそれぞれ逆方向に拡散し
、ｐｎ接合により正負の電荷が分離されて光起電力が発
生する。ここで、ｐ形ＡｌＧａＡｓ層４の役割はＧａＡ
ｓよりバンドギャップの大きい半導体をペテロ接合する
ことによりｐ形ＧａＡｓ層３で発生した電子が表面再結
合により消滅してしまうことを防ぐためのものであり、
ｐ形ＧａＡｓ層５はｐ電極７との良好なオーミック接触
を得るためのものである。また、反射防止膜６は太陽光
が半導体表面より反射されることを防いで有効に光を半
導体層中に入射させることを助けるためのものである。
層３．ｎ形ＧａＡｓ層２の各半導体層中に光励起された
電子と正孔が発生し、電子はｎ形ＧａＡｓ層２の方へ、
正孔はｐ形ＧａＡｓ層３の方へそれぞれ逆方向に拡散し
、ｐｎ接合により正負の電荷が分離されて光起電力が発
生する。ここで、ｐ形ＡｌＧａＡｓ層４の役割はＧａＡ
ｓよりバンドギャップの大きい半導体をペテロ接合する
ことによりｐ形ＧａＡｓ層３で発生した電子が表面再結
合により消滅してしまうことを防ぐためのものであり、
ｐ形ＧａＡｓ層５はｐ電極７との良好なオーミック接触
を得るためのものである。また、反射防止膜６は太陽光
が半導体表面より反射されることを防いで有効に光を半
導体層中に入射させることを助けるためのものである。
上記のＧａＡｓ太陽電池の典型的な変換効率は１７、’
５％である。“すなわち宇宙空間での太陽光エネルギー
密度１３５ 、３ ｍＷ／ｃｍ２に対して２３．７ｍＶ
／ｃｍ２の出力が得られる。ちなみにＳｔ太陽電池の変
換効率は１３％であり、ＧａＡｓのバンドギャップや直
接遷移型のバンド構造であるというＧａＡｓの材料特性
のすばらしさがデバイス特性に活かされている。
５％である。“すなわち宇宙空間での太陽光エネルギー
密度１３５ 、３ ｍＷ／ｃｍ２に対して２３．７ｍＶ
／ｃｍ２の出力が得られる。ちなみにＳｔ太陽電池の変
換効率は１３％であり、ＧａＡｓのバンドギャップや直
接遷移型のバンド構造であるというＧａＡｓの材料特性
のすばらしさがデバイス特性に活かされている。
上記のような従来のＧａＡｓ太陽電池は、衛星に搭載す
る宇宙用太陽電池として実用化の段階にあるが、このＧ
ａＡｓ太陽電池は重いという欠点がある。なぜなら、Ｇ
ａＡｓの比重は５゜３２であり、Ｓｉの比重の２．３３
と比べて２倍以上である。さらに、ＧａＡｓは襞間性が
あるため、ウェハ割れを生じ易い欠点がある。このＧａ
Ａｓ結晶の重さともろさのゆえにウェハの大口径化が難
しく、また、製造工程中のウェハ割れで歩留り向上が図
れない。さらに、ＧａＡｓ基板は高価で、Ｓｔ基板の１
０倍以上であり、コスト低減がなされない等多くの問題
点がある。
る宇宙用太陽電池として実用化の段階にあるが、このＧ
ａＡｓ太陽電池は重いという欠点がある。なぜなら、Ｇ
ａＡｓの比重は５゜３２であり、Ｓｉの比重の２．３３
と比べて２倍以上である。さらに、ＧａＡｓは襞間性が
あるため、ウェハ割れを生じ易い欠点がある。このＧａ
Ａｓ結晶の重さともろさのゆえにウェハの大口径化が難
しく、また、製造工程中のウェハ割れで歩留り向上が図
れない。さらに、ＧａＡｓ基板は高価で、Ｓｔ基板の１
０倍以上であり、コスト低減がなされない等多くの問題
点がある。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、Ｓｉを基板結晶材料として用い、このＳｉ
結晶基板上にＧａＡｓ系結晶層を形成することで、軽量
で高効率のＧａＡｓ太陽電池を歩留りよく、安価に得る
ことを目的とする。
れたもので、Ｓｉを基板結晶材料として用い、このＳｉ
結晶基板上にＧａＡｓ系結晶層を形成することで、軽量
で高効率のＧａＡｓ太陽電池を歩留りよく、安価に得る
ことを目的とする。
ところで、上記のようにＳｉ結晶基板上にＧａＡｓ層を
エピタキシャル成長して高品質のＧａＡｓ層を得ること
は容易ではない。なぜなら、ＳｌとＧａＡｓとは格子定
数が４％も違うため、高密度の結晶欠陥が導入されるた
めである。 −第３図は格子定数差の大きいヘテロエ
ピタキシーで、通常、用いられている二段階温度成長法
を用いてＳｔ基板上に成長したＧａＡｓ層の転位密度分
布を電子顕微鏡と溶融ＫＯＨのエツチングによるＥＰＤ
観察により測定した結果である。
エピタキシャル成長して高品質のＧａＡｓ層を得ること
は容易ではない。なぜなら、ＳｌとＧａＡｓとは格子定
数が４％も違うため、高密度の結晶欠陥が導入されるた
めである。 −第３図は格子定数差の大きいヘテロエ
ピタキシーで、通常、用いられている二段階温度成長法
を用いてＳｔ基板上に成長したＧａＡｓ層の転位密度分
布を電子顕微鏡と溶融ＫＯＨのエツチングによるＥＰＤ
観察により測定した結果である。
測定結果が示すようにＳｔ基板との界面で１０１２０、
−２もの高密度で存在する転位は成長するに従い著しく
減少するもののＧａＡｓ表面近くでは依然として１０
’ｃｍ−２の高密度で存在する。これに対してＧａＡｓ
基板の転位密度は１０’〜１０’ｃｍ”−２であり、両
者にはまだ相当なひらきがある。
−２もの高密度で存在する転位は成長するに従い著しく
減少するもののＧａＡｓ表面近くでは依然として１０
’ｃｍ−２の高密度で存在する。これに対してＧａＡｓ
基板の転位密度は１０’〜１０’ｃｍ”−２であり、両
者にはまだ相当なひらきがある。
この発明は、上記の点にかんがみて、Ｉｎドープのエピ
タキシャル成長により転位密度の低減を実現したＳｉ結
晶基板上へのＧａＡｓ系結晶層の形成を可能としたもの
である。
タキシャル成長により転位密度の低減を実現したＳｉ結
晶基板上へのＧａＡｓ系結晶層の形成を可能としたもの
である。
この発明に係る化合物半導体装置は、Ｓｉ結晶基板上に
ＧａＡｓのエピタキシャル成長の際にＩＩＩ族のＩｎを
Ｉ Ｘ １０”〜２Ｘ １０ｃｍ−’の濃度でドープす
ることにより、Ｓｉ結晶基板上にＧａＡｓ系結晶層を形
成したものである。
ＧａＡｓのエピタキシャル成長の際にＩＩＩ族のＩｎを
Ｉ Ｘ １０”〜２Ｘ １０ｃｍ−’の濃度でドープす
ることにより、Ｓｉ結晶基板上にＧａＡｓ系結晶層を形
成したものである。
この発明においては、Ｓｉ結晶基板上にＩｎをドープし
たＧａＡｓ系結晶層をエピタキシャル成長したことから
、ＩｎをドープしないＧａＡｓ層に比べ著しく転位密度
が低減される。
たＧａＡｓ系結晶層をエピタキシャル成長したことから
、ＩｎをドープしないＧａＡｓ層に比べ著しく転位密度
が低減される。
（実施例）
以下、この発明の一実施例を第１図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例を示すＧａＡｓ太陽電池の
断面図である。
断面図である。
第１図において、１１はｎ形Ｓｔ結晶基板で、この上に
Ｓｉ１．ｘＧｅ、のバッファ層１２を介してＧａＡｓの
各層が形成される。すなわち、１３はＩｎドープのｎ形
ＧａＡｓ層、１４はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層、１５
はＩｎドープのｐ形ＡｌＧａＡｓ層、１６はＩｎドープ
のｐ形ＧａＡｓ層であり、６は反射防止膜、７はグリッ
ド状のｐ電極、８は裏面ｎ電極である。
Ｓｉ１．ｘＧｅ、のバッファ層１２を介してＧａＡｓの
各層が形成される。すなわち、１３はＩｎドープのｎ形
ＧａＡｓ層、１４はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層、１５
はＩｎドープのｐ形ＡｌＧａＡｓ層、１６はＩｎドープ
のｐ形ＧａＡｓ層であり、６は反射防止膜、７はグリッ
ド状のｐ電極、８は裏面ｎ電極である。
次に動作について説明する。
ｐ電極７側より入射した太陽光により、Ｉｎドープのｐ
形ＧａＡｓ層１４．Ｉｎドープのｎ形ＧａＡｓ層１３の
各半導体層中に光励起された電子と正孔が発生し、電子
はＩｎドープのｎ形ＧａＡｓ層１３の方へ、正孔はＩｎ
ドープのｐ形ＧａＡｓ層１４の方へそれぞれ逆方向に拡
散し、ｐｎ接合により正負の電荷が分離されて光起電力
が発生する。ここでＩｎドープのｐ形ＡｌＧａＡｓ１５
の役割はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層１４で発生した電
子が表面再結合により消滅してしまうことを防ぐための
ものであり、Ｉｎドープのｐ形ＧａＡｓ層１６はｐ電極
７との良好なオーミック接触を得るためのものである。
形ＧａＡｓ層１４．Ｉｎドープのｎ形ＧａＡｓ層１３の
各半導体層中に光励起された電子と正孔が発生し、電子
はＩｎドープのｎ形ＧａＡｓ層１３の方へ、正孔はＩｎ
ドープのｐ形ＧａＡｓ層１４の方へそれぞれ逆方向に拡
散し、ｐｎ接合により正負の電荷が分離されて光起電力
が発生する。ここでＩｎドープのｐ形ＡｌＧａＡｓ１５
の役割はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層１４で発生した電
子が表面再結合により消滅してしまうことを防ぐための
ものであり、Ｉｎドープのｐ形ＧａＡｓ層１６はｐ電極
７との良好なオーミック接触を得るためのものである。
このｎ形Ｓｔ結晶基板１１上のＩｎドープのＧａＡｓ層
を用いて得たＧａＡｓ太陽電池の変換効率は従来のＧａ
Ａｓ基板上のＧａＡｓ太陽電池のそれと同等の性能であ
った。ｎ形Ｓｉ結晶基板１１上のＩｎドープをしないＧ
ａＡｓ層を用いて得たＧａＡｓ太陽電池の場合には、そ
の変換効率は１０％以下の極めて低い値であった。これ
らはＩｎをドープしない場合、１０８ｃｍ−２と極めて
高い転位密度がＩｎをドープすることで１０５〜１０
’ ｃｍ−２に転位密度が低減された結果、ＧａＡｓ基
板のものと性能が同等になつたものである。さらに軽く
て丈夫なｎ形Ｓｉ結晶基板１１を用いたことで軽量、効
高率なＧａＡｓ太陽電池が実現できた。
を用いて得たＧａＡｓ太陽電池の変換効率は従来のＧａ
Ａｓ基板上のＧａＡｓ太陽電池のそれと同等の性能であ
った。ｎ形Ｓｉ結晶基板１１上のＩｎドープをしないＧ
ａＡｓ層を用いて得たＧａＡｓ太陽電池の場合には、そ
の変換効率は１０％以下の極めて低い値であった。これ
らはＩｎをドープしない場合、１０８ｃｍ−２と極めて
高い転位密度がＩｎをドープすることで１０５〜１０
’ ｃｍ−２に転位密度が低減された結果、ＧａＡｓ基
板のものと性能が同等になつたものである。さらに軽く
て丈夫なｎ形Ｓｉ結晶基板１１を用いたことで軽量、効
高率なＧａＡｓ太陽電池が実現できた。
上記のようなｎ形Ｓｔ結晶基板１１上にＩｎドープのＧ
ａＡｓ層を形成した化合物半導体装置は、以下のように
して評価した。
ａＡｓ層を形成した化合物半導体装置は、以下のように
して評価した。
すなわち、（１００）面方位のｎ形Ｓｉ結晶基板１１上
にＩｎをドープしたＧａＡｓエピタキシャル成長層の成
長実験を有機金属を用いた気相成長法（Ｍ ＯＣＶ Ｄ
： Ｍｅｔｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏ−ｓｉｔｉｏｎ）で行い転位密度を評価した。
にＩｎをドープしたＧａＡｓエピタキシャル成長層の成
長実験を有機金属を用いた気相成長法（Ｍ ＯＣＶ Ｄ
： Ｍｅｔｅｌ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏ−ｓｉｔｉｏｎ）で行い転位密度を評価した。
ＭＯＣＶＤ法では、トリメチルガリウム（Ｇａ（Ｃ１（
ｓ）ｓ とアルシン（ＡｓＨ３）をＨ２ガスで輸送し
、清浄処理し°たｎ形Ｓｉ結晶基板１１上で熱分解させ
ＧａＡｓを堆積させる。反応式は、Ｇａ （ＣＨ３）
３ ＋ ＡＪ３ ””’ ＧａＡｓ層 ３
ＣＨ４↑である。ドーパントとしてトリメチルインジ
ウム（Ｉ ｎ （ＣＨ３）３）を昇華させ、ドーピング
の濃度は、Ｉ ｎ （ＣＨｓ ）ｓ）の容器の温度とこ
れを通過するＨ２ガスの流量で調整した。また、成長の
始めは通常の二段階温度成長法を採用した。
ｓ）ｓ とアルシン（ＡｓＨ３）をＨ２ガスで輸送し
、清浄処理し°たｎ形Ｓｉ結晶基板１１上で熱分解させ
ＧａＡｓを堆積させる。反応式は、Ｇａ （ＣＨ３）
３ ＋ ＡＪ３ ””’ ＧａＡｓ層 ３
ＣＨ４↑である。ドーパントとしてトリメチルインジ
ウム（Ｉ ｎ （ＣＨ３）３）を昇華させ、ドーピング
の濃度は、Ｉ ｎ （ＣＨｓ ）ｓ）の容器の温度とこ
れを通過するＨ２ガスの流量で調整した。また、成長の
始めは通常の二段階温度成長法を採用した。
得られたＧａＡｓ成長層の転位密度を溶融に０Ｈによる
ＥＰＤ測定で評価した。その結果を第２図に示す。縦軸
はｎ形Ｓｉ結晶基板１１より３μｍ＠れたＩｎドープの
ＧａＡｓ成長層の転位密度である。Ｉ Ｘ １０１９”
２Ｘ １０”ｃｍ−”のＩｎドープにより転位密度は１
０ ’ ｃｍ−’より１０！１〜１０ ’ｃｍ−”に
低減された。
ＥＰＤ測定で評価した。その結果を第２図に示す。縦軸
はｎ形Ｓｉ結晶基板１１より３μｍ＠れたＩｎドープの
ＧａＡｓ成長層の転位密度である。Ｉ Ｘ １０１９”
２Ｘ １０”ｃｍ−”のＩｎドープにより転位密度は１
０ ’ ｃｍ−’より１０！１〜１０ ’ｃｍ−”に
低減された。
近年、ＧａＡｓ Ｉ Ｃ用基板として知られるＧａＡｓ
の引き上げ（ＣＺ）結晶でもＩｎをドープしてＧａＡｓ
基板の低転位化が進められている。
の引き上げ（ＣＺ）結晶でもＩｎをドープしてＧａＡｓ
基板の低転位化が進められている。
ＧａＡｓの引き上げ結晶成長では１００℃／ｃｍもの大
きな温度勾配があり、このため結晶内の熱応力により、
すべり転位が発生するが、Ｉｎをドープすることで結晶
が硬くなり、転位発生が抑えられる。
きな温度勾配があり、このため結晶内の熱応力により、
すべり転位が発生するが、Ｉｎをドープすることで結晶
が硬くなり、転位発生が抑えられる。
ＧａＡｓ引き上げ結晶成長との類推では、気相−エピタ
キシャルでは温度勾配は少なく、また、成長温度も低い
ので、Ｉｎドープによる結晶硬化は転位低減には効果は
ないはずである。なぜＩｎドープのエピタキシャル成長
で転位が低減するか現在のところ解明されていない。
キシャルでは温度勾配は少なく、また、成長温度も低い
ので、Ｉｎドープによる結晶硬化は転位低減には効果は
ないはずである。なぜＩｎドープのエピタキシャル成長
で転位が低減するか現在のところ解明されていない。
なお、上記実施例ではｎ形Ｓｔ結晶基板１１とＩｎドー
プのｎ形ＧａＡｓ層との間にバッファ層１２を介在させ
た例をしめしたが、これは必ずしも必要ではなく：バッ
ファ層がない場合でも第２図に示すように低転位化は実
現できる。
プのｎ形ＧａＡｓ層との間にバッファ層１２を介在させ
た例をしめしたが、これは必ずしも必要ではなく：バッ
ファ層がない場合でも第２図に示すように低転位化は実
現できる。
また、上記実施例ではｎ形Ｓｔ結晶基板１１上にＩｎド
ープのＧａＡｓ層を形成し、ＧａＡｓ太陽電池を構成し
た化合物半導体装置の例を示したが、このｎ形Ｓｔ結晶
基板１１上の化合物半導体結晶のエピタキシャル結晶を
用いた化合物半導体装置として半導体レーザや発光ダイ
オードなどの光デバイスや高周波トランジスタ、超高速
ＧａＡｓＩＣ，さらには５ｉＬＳＩの電子デバイスと光
デバイスをモノリシックに集積した０ＥＩＣ（ｏｐｔｏ
−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＩＣ）でも良く、上記実施例
と同様、高性能で低価格の化合物半導体装置を提供でき
るものである。
ープのＧａＡｓ層を形成し、ＧａＡｓ太陽電池を構成し
た化合物半導体装置の例を示したが、このｎ形Ｓｔ結晶
基板１１上の化合物半導体結晶のエピタキシャル結晶を
用いた化合物半導体装置として半導体レーザや発光ダイ
オードなどの光デバイスや高周波トランジスタ、超高速
ＧａＡｓＩＣ，さらには５ｉＬＳＩの電子デバイスと光
デバイスをモノリシックに集積した０ＥＩＣ（ｏｐｔｏ
−ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ＩＣ）でも良く、上記実施例
と同様、高性能で低価格の化合物半導体装置を提供でき
るものである。
また、上記実施例におけるｐ、ｎの導電形はこれを入れ
替えても同様の効果を奏する。
替えても同様の効果を奏する。
以上説明したように、この発明は、Ｓｉ結晶基板上にＩ
ｎドープのＧａＡｓ系結晶層をエピタキシャル成長によ
り形成したので、低転位で高品質の化合物半導体が形成
でき、高性能の化合物半導体装置を安価に提供ヤきる効
果がある。
ｎドープのＧａＡｓ系結晶層をエピタキシャル成長によ
り形成したので、低転位で高品質の化合物半導体が形成
でき、高性能の化合物半導体装置を安価に提供ヤきる効
果がある。
また、Ｓｉ集積回路と化合物半導体装置をモノリシック
に集積化することでこれまでにない新しい機能を持った
半導体装置を提供でき、工業的に極めて大きな効果を有
するものである。
に集積化することでこれまでにない新しい機能を持った
半導体装置を提供でき、工業的に極めて大きな効果を有
するものである。
第１図はこの発明の一実施例を示すＧａＡｓ太陽電池の
断面図、第２図はこの発明によるＳｉ結晶基板上のＩｎ
ドープのＧａＡｓ系結晶層の転位密度の測定結果を示す
図、第３図はＳｉ結晶基板上に成長したＩｎをドープし
ないＧａＡｓ層の転位密度分布を示す図、第４図は従来
のＧａＡｓ太陽電池の断面図である。 図において、６は反射防止膜、７はｐ電極、８は裏面ｎ
電極、１１はｎ形Ｓｔ結晶基板、１２はバッファ層、１
３はＩｎドープのｎ形ＧａＡｓ層、１４はＩｎドープの
ｐ形ＧａＡｓ層、１５はＩｎドープのｐ形ＡＪｌＧａＡ
ｓ層、１６はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）１疼藝百− ど 第３図 第４図 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日
断面図、第２図はこの発明によるＳｉ結晶基板上のＩｎ
ドープのＧａＡｓ系結晶層の転位密度の測定結果を示す
図、第３図はＳｉ結晶基板上に成長したＩｎをドープし
ないＧａＡｓ層の転位密度分布を示す図、第４図は従来
のＧａＡｓ太陽電池の断面図である。 図において、６は反射防止膜、７はｐ電極、８は裏面ｎ
電極、１１はｎ形Ｓｔ結晶基板、１２はバッファ層、１
３はＩｎドープのｎ形ＧａＡｓ層、１４はＩｎドープの
ｐ形ＧａＡｓ層、１５はＩｎドープのｐ形ＡＪｌＧａＡ
ｓ層、１６はＩｎドープのｐ形ＧａＡｓ層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）１疼藝百− ど 第３図 第４図 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日
Claims (2)
- （１）シリコン結晶基板上に１×１０＾１＾９〜２×１
０＾２＾０ｃｍ＾−＾３の濃度のＩｎをドープしたＧａ
Ａｓ系結晶層をエピキタシャル成長により形成したこと
を特徴とする化合物半導体装置。 - （２）シリコン結晶基板とＧａＡｓ系結晶層との間にバ
ッファ層を介在させたことを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の化合物半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045637A JPS63211774A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 化合物半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62045637A JPS63211774A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 化合物半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63211774A true JPS63211774A (ja) | 1988-09-02 |
Family
ID=12724875
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62045637A Pending JPS63211774A (ja) | 1987-02-27 | 1987-02-27 | 化合物半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63211774A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145793A (en) * | 1990-04-13 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing a gallium arsenide solar cell on a silicon substrate |
| CN105938856A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 |
-
1987
- 1987-02-27 JP JP62045637A patent/JPS63211774A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5145793A (en) * | 1990-04-13 | 1992-09-08 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Manufacturing a gallium arsenide solar cell on a silicon substrate |
| CN105938856A (zh) * | 2016-06-27 | 2016-09-14 | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 | 一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法 |
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