CN105929862A - 高纯度旋转靶材杂质控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及旋转靶材的制备领域,具体涉及一种高纯度旋转靶材杂质控制方法;高纯度旋转靶材杂质控制方法包括以下步骤:S1、采用粉体原料,且每批体原料需取样经ICP检测纯度并符合要求后再入库;S2、生产控制:在喷涂房内采用密封式混粉机混粉,混粉机使用前用惰性气体喷洗混粉机的混粉腔及周边区域;S3、清洗控制:靶材表面抛光精磨加工后,对靶材进行清洗;S4、包装控制和运输控制:靶材清洗过后,进行真空包装,靶材密封好后装入运输箱中,同时在运输箱中采用缓冲块加以固定;采用本发明技术方案的高纯度旋转靶材杂质控制方法,旋转靶材的纯度可达99.9%以上。
Description
技术领域
本发明涉及旋转靶材的制备领域,具体涉及一种高纯度旋转靶材杂质控制方法。
背景技术
在靶材的制备过程中,靶材杂质来源广泛,包括原材料本身带有的杂质、混粉时从空气引入的杂质、混粉机中残留的上一批次的粉体杂质、喷涂房密封不严或开关喷涂房从空气引入的杂质、工作气体的杂质、成品包装和储存不当从空气引入的杂质、安装使用不当人手上的油污和汗水等。然而,靶材的纯度直接影响到靶材的品质,靶材产品的品质直接影响企业终端产品的性能和质量,因此企业对靶材的品质要求越来越高,企业对靶材的纯度要求已达到99.9%(3N)、99.99%(4N)、99.999(5N)%甚至更高。
然而,现有技术制备靶材的过程中,旋转靶材杂质含量控制难、整管一致性难以保证,因此,难以获得高品质、低杂质、整管高度一致的靶材产品。
发明内容
本发明的目的是提供一种高纯度旋转靶材杂质控制方法,以克服现有技术难以获得高品质、低杂质、整管高度一致的靶材产品的问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供一种高纯度旋转靶材杂质控制方法,包括以下步骤:
S1、原料控制:采用粉体原料,且每批体原料需取样经ICP检测纯度并符合要求后再入库;
S2、生产控制:在喷涂房内采用密封式混粉机混粉,混粉机使用前用惰性气体喷洗混粉机的混粉腔及周边区域;
S3、清洗控制:靶材表面抛光精磨加工后,对靶材进行清洗;
S4、包装控制和运输控制:靶材清洗过后,进行真空包装,靶材密封好后装入运输箱中,同时在运输箱中采用缓冲块加以固定。
作为优选方案,在S1步骤中,粉体原料的选用及其纯度为:Si≥99.93wt%,Al≥99.9wt%。
作为优选方案,在S2步骤中,喷涂房使用前,开启喷涂房内的过滤和排气系统,并用惰性气体喷洗喷涂房内的基管及周边区域。
作为优选方案,开启过滤和排气系统的时间控制在1-5min。
作为优选方案,所述惰性气体采用氦气。
作为优选方案,在步骤S3中,清洗时采用无水乙醇或者纯净水。
作为优选方案,在步骤S4中,密封好的靶材外面再用气泡膜包裹后装入运输箱中。
作为优选方案,在步骤S4中,进行真空包装时,采用PE尼龙复合塑料袋进行包装。
作为优选方案,在步骤S4之后还包括:S5、安装使用控制:在靶材使用的时候,采用胶手套对靶材进行安装。
本发明所提供的一种高纯度旋转靶材杂质控制方法,其具有以下技术效果:通过原料控制、生产控制、清洗控制、包装和运输控制,对靶材产品严格控制了来自原料和生产过程的杂质引入,克服了现有技术的旋转靶材杂质含量控制难、整管一致性难以保证的技术问题,从而获得高品质、低杂质、整管高度一致的靶材产品,采用本方法生产的旋转靶材纯度可达到99.9%以上。
附图说明
图1为本发明的实施例的高纯度旋转靶材杂质控制方法的流程示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明技术方案进一步说明:
如图1所示:本发明提供一种高纯度旋转靶材杂质控制方法,包括以下步骤:
S1、原料控制:采用粉体原料,且每批体原料需取样经ICP检测纯度并符合要求后再入库;
S2、生产控制:在喷涂房内采用密封式混粉机混粉,混粉机使用前用惰性气体喷洗混粉机的混粉腔及周边区域;
S3、清洗控制:靶材表面抛光精磨加工后,对靶材进行清洗;
S4、包装控制和运输控制:靶材清洗过后,进行真空包装,靶材密封好后装入运输箱中,同时在运输箱中采用缓冲块加以固定。
通过上述的原料控制、生产控制、清洗控制、包装和运输控制的控制,严格控制了来自原料和生产过程的杂质引入,从而获得高品质、低杂质、整管高度一致的靶材产品。
具体地,在S1步骤中,粉体原料的选用及其纯度为:Si≥99.93wt%,Al≥99.9wt%。此外,在S2步骤中,喷涂房使用前,开启喷涂房内的过滤和排气系统,并用惰性气体喷洗喷涂房内的基管及周边区域。另外,在在S2步骤中,开启过滤和排气系统的时间控制在1-5min,便于清洗和排出喷涂房内的杂质。具体地,喷射的时候可以采用热喷涂和冷喷涂的主气进行喷涂,便于有效地进行喷涂并去掉生产时的杂质。且在生产控制的过程中还可以采用放大镜观察判断是否有杂质粉末残留。此外,喷涂房在中途开启过后,也可用喷涂机喷射惰性气体喷洗喷涂房内的基管及周边区域,并开启过滤和排气系统,进一步有效在生产过程中控制靶材的杂质。
具体地,在S2步骤中,混粉机和喷洗房内的喷洗时的惰性气体均采用氦气,便于杂质的控制。另外,在步骤S3中,清洗时采用无水乙醇或者纯净水,有效防止靶材表面加工后留存的杂质。此外,在步骤S4中,密封好的靶材外面再用气泡膜包裹后装入运输箱中,防止在运输的过程中进行碰撞损坏。进一步,进行真空包装时,采用PE尼龙复合塑料袋进行包装,在进行真空包装放入PE尼龙复合塑料袋时,通过抽真空、封口可以进一步防止污染以及损坏靶材。具体地,缓冲块优选设置为泡沫块,便于起到缓冲作用,防止靶材损坏。值得说明的是,ICP(Inductive Coupled Plasma Emission Spectrometer)为现有检测纯度的仪器。靶材在生产的过程中,在喷涂房内通过密封式混粉机混粉后,需要再进行表面抛光精磨加工的处理。因此,在靶材表面抛光精磨加工后,对靶材进行清洗。
作为优选,在步骤S4之后还包括:S5、安装使用控制:在靶材使用的时候,采用胶手套对靶材进行安装,进一步在安装使用的过程中进行杂质的控制。
具体地,本实施例以旋转硅铝靶材为例具体说明旋转靶材杂质的控制方法:
S1、原材料杂质控制,原料粉末取样ICP检测需符合以下要求:纯度:Si≥99.93wt%,Al≥99.9wt%。杂质含量需符合以下要求:
S2、生产控制:混粉机使用前,用高压氦气喷洗混粉腔及周边区域,用肉眼或放大镜观察无杂质粉末残留,同时,在喷涂房使用前或中途开启过后用喷涂机喷射惰性气体喷洗喷涂房内的基管及周边区域,并开启过滤和排气系统,开启5min后关闭过滤和排气系统;
S3、清洗控制:靶材表面抛光精磨加工后,采用无水乙醇对靶材进行清洗;
S4、包装控制和运输控制:将每根靶材清洗过后,都将进行真空包装,放入PE尼龙复合塑料袋中,抽真空、封口,密封好的靶管外面再用气泡膜包裹后装入木箱中,用泡沫块加以固定;
S5、安装使用控制:采用胶手套进行安装使用。
另外,值得说明的是,开启过滤和排气系统的时间可根据实际需要设置为1-5min中的任意一值,优选设置为5min。此外,本高纯度旋转靶材杂质控制方法还适用于旋转锌锡靶材、旋转锡镉靶材、旋转铜铟靶材和旋转铜镓靶材等其他金属材质的靶材产品的生产加工,优选适用于旋转硅铝靶材。
采用本发明技术方案的高纯度旋转靶材杂质控制方法,通过原料控制、生产控制、清洗控制、包装和运输控制、安装使用控制,由于对靶材产品全生命周期管理,即从“原料—加工—包装储存—使用”全过程进行杂质控制,严格控制了来自原料和生产过程的杂质引入,可获得高品质、低杂质、整管高度一致的靶材产品,采用本方法生产的旋转硅铝靶材纯度可达到99.9%以上。
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明技术原理的前提下,还可以做出若干改进和替换,这些改进和替换也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1、原料控制:采用粉体原料,且每批体原料需取样经ICP检测纯度并符合要求后再入库;
S2、生产控制:在喷涂房内采用密封式混粉机混粉,混粉机使用前用的惰性气体喷洗混粉机的混粉腔及周边区域;
S3、清洗控制:靶材表面抛光精磨加工后,对靶材进行清洗;
S4、包装控制和运输控制:靶材清洗过后,进行真空包装,靶材密封好后装入运输箱中,同时在运输箱中采缓冲块加以固定。
2.根据权利要求1所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:在S1步骤中,粉体原料的选用及其纯度为:Si≥99.93wt%,Al≥99.9wt%。
3.根据权利要求1所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:
在S2步骤中,喷涂房使用前,开启喷涂房内的过滤和排气系统,并用惰性气体喷洗喷涂房内的基管及周边区域。
4.根据权利要求3所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:开启过滤和排气系统的时间控制在1-5min。
5.根据权利要求3所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:所述惰性气体采用氦气。
6.根据权利要求1所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:在步骤S3中,清洗时采用无水乙醇或者纯净水。
7.根据权利要求6所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:在步骤S4中,密封好的靶材外面再用气泡膜包裹后装入运输箱中。
8.根据权利要求6所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特 征在于:在步骤S4中,进行真空包装时,采用PE尼龙复合塑料袋进行包装。
9.根据权利要求1所述的高纯度旋转靶材杂质控制方法,其特征在于:在步骤S4之后还包括:S5、安装使用控制:在靶材使用的时候,采用胶手套对靶材进行安装。
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