CN105904357A - 真空镊子及半导体装置的制造方法 - Google Patents

真空镊子及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

得到一种能够使吸附前端部容易地接近所希望的吸附对象物、能够抑制产品的成品率降低的真空镊子及半导体装置的制造方法。真空镊子(1)具有镊子主体(2)和激光指示器(8)(光源)。镊子主体(2)具有对半导体芯片(5)(吸附对象物)进行真空吸附的吸附前端部(6)。激光指示器(8)使激光(11)(光)在吸附前端部(6)的延长线(10)上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。

Description

真空镊子及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及拾取半导体芯片等吸附对象物的真空镊子及使用了该真空镊子的半导体装置的制造方法。
背景技术
在利用人手拾取半导体芯片的情况下，使真空镊子的吸附前端部接近半导体芯片，利用真空吸引力进行吸附，移动至芯片托盘、封装件等。真空镊子具有镊子部、控制器部、压缩空气供给软管或真空软管(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本实开平2-35677号公报
在使用真空镊子拾取半导体芯片时，需要使真空镊子的吸附前端部接近半导体芯片直至真空吸附力可及的距离。此时，有时会过度接近而不小心接触到半导体芯片，损坏芯片表面而成为不合格品。因此，对于该作业需要选用熟练的作业员。另外，由于要拾取的半导体芯片排列有多个，因此存在误拾取与所希望的芯片不同的芯片等的问题。
发明内容
本发明就是为了解决如上述的课题而提出的，其目的在于得到一种能够使吸附前端部容易地接近所希望的吸附对象物、能够抑制产品的成品率降低的真空镊子及半导体装置的制造方法。
本发明涉及的真空镊子的特征在于，具有：镊子主体，其具有对吸附对象物进行真空吸附的吸附前端部；以及光源，其使光在所述吸附前端部的延长线上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。
发明的效果
根据本发明，能够使吸附前端部容易地接近所希望的吸附对象物，能够抑制产品的成品率降低。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1涉及的使用了真空镊子的半导体装置的制造方法的斜视图。
图2是表示本发明的实施方式1涉及的掌握真空镊子的吸附前端部至半导体芯片的距离的方法的示意图。
图3是表示本发明的实施方式2涉及的掌握真空镊子的吸附前端部至半导体芯片的距离的方法的示意图。
标号的说明
1真空镊子，2镊子主体，5半导体芯片(吸附对象物)，6吸附前端部，8激光指示器(光源)，11激光(光)
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式涉及的真空镊子及半导体装置的制造方法进行说明。对相同或相应的结构要素标注相同的标号，有时省略重复说明。
实施方式1.
图1是表示本发明的实施方式1涉及的使用了真空镊子的半导体装置的制造方法的斜视图。真空泵4经由真空软管3与真空镊子1的镊子主体2相连接。镊子主体2具有对吸附对象物即半导体芯片5进行真空吸附的吸附前端部6。在镊子主体2设置有对吸附动作进行切换的吸附切换按钮7。激光指示器8由固定夹具9固定在镊子主体部2。激光指示器8利用透镜使激光11在吸附前端部6的延长线10上聚光。
粘贴在切割片12上的晶圆被分割为各个半导体芯片5。使真空镊子1的吸附前端部6接近，利用真空吸附力吸引并拾取所希望的半导体芯片5，移动至托盘(未图示)。之后，在将半导体芯片5转移至其他托盘的工序等中也使用真空镊子1。
图2是表示本发明的实施方式1涉及的掌握真空镊子的吸附前端部至半导体芯片的距离的方法的示意图。随着从吸附前端部6至半导体芯片5的距离变近而成为a、b、c，激光11的反射光13的大小发生变化。因此，设定为使激光11在吸附前端部6的延长线10上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。由此，作业者能够容易地掌握使真空镊子1的吸附前端部6在哪个位置接近至何种程度就能够进行吸附。从而，由于能够使吸附前端部6容易地接近所希望的半导体芯片5，因此由真空镊子1损坏半导体芯片5的表面而产生不合格品的可能性大幅地降低，能够抑制产品的成品率降低。另外，作业的熟练变得容易，不是熟练者也能够进行作业。
另外，在图1中将激光指示器8外置于镊子主体2，但激光指示器8也可以配置在吸附前端部6的内部，从吸附前端部6的前端口照射激光11。这种情况下，由于照射光轴与吸附前端部6的前端口对齐，因此即使在离要吸附的半导体芯片5较远的距离，也能够进行对位。
实施方式2.
图3是表示本发明的实施方式2涉及的掌握真空镊子的吸附前端部至半导体芯片的距离的方法的示意图。在本实施方式中使2束激光11a、11b在吸附前端部6的延长线10上交叉。随着距离变近而成为a、b、c，2个反射光13a、13b接近而在交叉位置处成为1个。因此，设定为使2束激光11a、11b在吸附前端部6的延长线10上的、真空吸附力起作用的位置处交叉。由此，由于作业者能够容易地掌握使真空镊子1的吸附前端部6在哪个位置接近至何种程度就能够进行吸附，因此能够实现与实施方式1同样的效果。
另外，在本实施方式中使用了2束激光11a、11b，但优选使用3束激光。由此，不仅是与半导体芯片5的吸附面的距离，根据激光反射光的重合，还可知晓接触角度，能够提高拾取作业的稳定性。
另外，优选2束激光11a、11b彼此颜色不同。例如，如果为红色和绿色的激光，则能够利用颜色的变化确认重合情况。
另外，在本实施方式中为了得到多束激光而设置多个激光指示器，但不限于此，也可以将从1个激光指示器8照射出的1束激光利用光纤而分支成多束激光。
另外，在实施方式1、2中，在镊子主体2安装有激光指示器8，但不限于此，也可以是激光指示器8与镊子主体2分离，从激光指示器8照射出的激光经由光纤而被引导至镊子主体2。由此，镊子自身的重量减轻，作业性提高。另外，在实施方式1、2中使用了激光指示器8，但不限于此，也可以使用LED等其他光源。

Claims (8)

1.一种真空镊子，其特征在于，具有：
镊子主体，其具有对吸附对象物进行真空吸附的吸附前端部；以及
光源，其使光在所述吸附前端部的延长线上的、真空吸附力起作用的位置处聚光。
2.根据权利要求1所述的真空镊子，其特征在于，
所述光源配置在所述吸附前端部的内部，从所述吸附前端部的前端口照射所述光。
3.一种真空镊子，其特征在于，具有：
镊子主体，其具有对吸附对象物进行真空吸附的吸附前端部；以及
光源，其使多束光在所述吸附前端部的延长线上的、真空吸附力起作用的位置处交叉。
4.根据权利要求3所述的真空镊子，其特征在于，
所述多束光为3束光。
5.根据权利要求3或4所述的真空镊子，其特征在于，
所述多束光彼此颜色不同。
6.根据权利要求3或4所述的真空镊子，其特征在于，
还具有光纤，该光纤将从所述光源照射出的1束光分支成所述多束光。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的真空镊子，其特征在于，
所述光源与所述镊子主体分离，
从所述光源照射出的所述光经由光纤而被引导至所述镊子主体。
8.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
使用权利要求1～4中任一项所述的真空镊子使半导体芯片移动。
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