CN105895557A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供加快在基板的主面上的第一流体的流速由此良好地除去在基板的主面附着的颗粒等异物的基板处理装置。基板处理装置使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，包括：基板保持单元，保持基板；喷嘴，具有第一筒体，在第一筒体的内部形成有第一流体流通的第一流路，在第一筒体的顶端缘与基板的主面之间划分形成用于将在第一流路内流动的流体沿着基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口；支撑构件，支撑喷嘴；喷嘴保持单元，将喷嘴以能够沿着基板的主面的法线方向进行相对位移的状态保持在支撑构件上；第一流体供给单元，向喷嘴的第一流路供给第一流体，通过从第一喷出口喷出第一流体，使离开基板的所述主面的方向的力作用于喷嘴。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及使用处理流体对基板进行处理的基板处理装置。在成为处理对象的基板的例子中，包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子体显示器用基板、FED(Field Emission Display：场发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳电池用基板等。
背景技术
在半导体装置和液晶显示装置的制造工序中，用于从半导体晶片和液晶显示面板用玻璃基板等的基板的表面除去颗粒等的异物的清洗处理必不可少。
例如，对基板一张一张进行处理的单张式的基板处理装置具有：旋转卡盘，利用多根卡盘销将基板保持为大致水平，并使该基板旋转；喷嘴，用于向由该旋转卡盘旋转的基板的表面供给处理液(参照日本特开平8-78368号公报)。
在处理基板时，通过旋转卡盘来旋转基板。并且，从喷嘴向旋转中的基板的表面供给清洗药液。供给到基板的表面上的清洗药液受到由基板的旋转产生的离心力，在基板的表面上向周缘流动。由此，清洗药液遍及基板的整个表面，对基板的表面实施清洗处理。在供给清洗药液后，进行利用冲洗液冲洗掉在基板附着的清洗药液的冲洗处理。即，从喷嘴向由旋转卡盘旋转的基板的表面供给冲洗液，该冲洗液受到由基板的旋转产生的离心力而扩展，冲洗掉在基板的表面附着的清洗药液。
本申请发明人发现，用于从基板的表面除去在该表面附着的颗粒的除去力矩(moment)依存于在基板W的表面(主面)附近的第一流体(清洗药液和冲洗液)的横向的流速。
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供一种能够加快在基板的主面上的第一流体的流速，由此良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物的基板处理装置。
本发明的第一局面提供一种基板处理装置，用于使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，该基板处理装置包括：
基板保持单元，用于保持基板；
喷嘴，具有第一筒体，在第一筒体的内部形成有用于第一流体流通的第一流路，在所述第一筒体的顶端缘与所述基板的主面之间划分形成用于将在所述第一流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口；
支撑构件，用于支撑所述喷嘴；
喷嘴保持单元，将所述喷嘴以能够沿着所述基板的所述主面的法线方向进行相对位移的状态保持在所述支撑构件上；
第一流体供给单元，向所述喷嘴的所述第一流路供给第一流体，通过从所述第一喷出口喷出第一流体，使离开所述基板的所述主面的方向的力作用于所述喷嘴。
根据该结构，从在基板的主面和喷嘴的顶端缘(第一筒体的顶端缘)之间形成的环状的第一喷出口沿着基板的主面呈放射状喷出第一流体。通过从第一喷出口喷出第一流体，离开基板的主面的方向的力(离开方向力)作用于喷嘴。喷嘴被支撑构件保持为能够沿基板的主面的法线方向进行相对位移。因此，受到因从第一喷出口喷出第一流体而产生的离开方向力，相对于支撑构件要向离开基板的主面的方向进行相对位移。基板的主面和喷嘴的顶端缘之间的间隔越窄，因从第一喷出口喷出第一流体而作用于喷嘴的离开方向力越大。因此，当使接近基板的主面的方向的力(接近方向力)作用于喷嘴时，喷嘴保持在该接近方向力和因从第一喷出口喷出第一流体产生的离开方向力平衡的位置。
因此，通过将从第一喷出口喷出的第一流体的流量设定为适当量，能够在喷嘴的顶端缘和基板的主面之间设置极微小间隔的间隙。即，能够将在环状的第一喷出口的法线方向的开口宽度设置为极微小的宽度。因此，能够加快从第一喷出口喷出的第一流体的流速。由此，能够加快在基板的主面上的第一流体的流速，从而良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
在本发明的一实施方式中，所述喷嘴保持单元包括：
负载赋予单元，对所述喷嘴赋予沿着所述法线方向的方向的负载；
负载调整单元，对从所述负载赋予单元向所述喷嘴赋予的负载的大小进行调整。
根据该结构，负载调整单元调整沿着基板的主面的法线方向的方向的负载的大小，由此能够调整第一喷出口的基板的主面的法线方向的开口宽度。因此，不仅通过调整从第一喷出口喷出的第一流体的流量，而且也通过调整对喷嘴赋予的法线方向的负载，来能够将所述法线方向的开口宽度设定为极微小的宽度。因而，无需为了调整所述法线方向的开口宽度而调整从喷嘴喷出的第一流体的流量。因此，也能够将从喷嘴喷出的第一流体流量抑制为小流量，在该情况下还能够实现第一流体的节约。
所述负载赋予单元包括：
第一负载赋予单元，对所述喷嘴赋予接近所述基板的主面的方向的负载，
第二负载赋予单元，对所述喷嘴赋予离开所述基板的主面的方向的负载。
在该情况下，所述负载调整单元对由所述第一负载赋予单元对所述喷嘴赋予的接近所述基板的主面的方向的所述负载进行调整。
根据该结构，由第一负载赋予单元以及第二负载赋予单元对喷嘴赋予相反的方向的负载。并且，负载调整单元对接近基板的主面的方向的负载进行调整。因此，能够高精度地调整第一喷出口的基板的主面的法线方向的开口宽度。
另外，当负载调整单元解除接近基板的主面的方向的负载时，受到由第二负载赋予单元赋予的负载，喷嘴向离开基板的主面的方向移动。由此，在不另外设置其他升降单元的情况下，能够良好从基板的主面的附近区域拉升喷嘴。
所述第一负载赋予单元例如包括缸体。另外，所述第二负载赋予单元例如包括悬挂在所述支撑构件上并安装在所述喷嘴和所述支撑构件之间的弹性构件。
所述第一筒体的顶端部分可以包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述主面的法线的方式扩径的扩径内壁。
根据该结构，所述第一筒体的顶端部分包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述法线的方式扩径的扩径内壁。因此，第一流体在第一流路向第一喷出口流动的过程中，形成沿着基板的主面的方向的液流。由此，能够使从环状的第一喷出口向沿着基板的主面的方向喷出的第一流体的流速更快，由此，能良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
所述第一筒体的所述顶端缘也可以包括沿所述基板的所述主面延伸的平面部。
根据该结构，在第一筒体的顶端缘设置的平面部沿着基板的主面延伸。平面部将从第一喷出口喷出的第一流体向沿着基板的主面的方向引导。因此，能够使从第一喷出口喷出的第一流体的沿着基板的主面的方向的流速更加快，由此，能够良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
在所述第一流路内流通的所述第一流体可以是液体。根据该结构，从在基板的主面和喷嘴的顶端缘(第一筒体的顶端缘)之间形成的环状的第一喷出口沿着基板的主面呈放射状喷出液体。通过将从第一喷出口喷出的液体的流量设定为适当量，能够在喷嘴的顶端缘和基板的主面之间设置极微小间隔的间隙。即，能够将环状的第一喷出口的法线方向的开口宽度设置为极微小的宽度。因此，能够使从第一喷出口喷出的液体的流速加快，由此，能够良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
所述基板处理装置可以是用于使用包括所述第一流体以及第二流体的处理液对基板实施处理的基板处理装置，
所述喷嘴还具有第二筒体，该第二筒体包围所述第一筒体，在该第二筒体与所述第一筒体之间划分形成用于流体流通的第二流路，
在所述第二筒体上，在比所述第一喷出口更远离所述基板的所述主面的方向侧，开有将在所述第二流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第二喷出口，
所述基板处理装置还包括向所述喷嘴的所述第二流路供给所述第二流体的第二流体供给单元。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的环状的第二喷出口，沿着基板的主面呈放射状喷出第二流体。从第二喷出口喷出的第二流体从离开基板的主面的方向侧覆盖从第一喷出口喷出的第一流体。从第一流体观察，在离开基板的主面的方向侧形成第二流体的液流。因此，能够阻止从第一喷出口喷出的第一流体向离开基板的主面的方向流动。由此，能够使第一流体沿着基板的主面流通。
所述第二喷出口划分形成在所述第二筒体的顶端缘和所述第一筒体的所述顶端部分之间。根据该结构，由于通过第二筒体的顶端缘和第一筒体的顶端部分划分形成环状的第二喷出口，所以能够以简单的结构设置环状的第二喷出口。
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一流体相同的液体。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的环状的第二喷出口呈放射状喷出液体。从第二喷出口喷出的液体从离开基板的主面的方向侧覆盖从第一喷出口喷出的液体。基于从第一喷出口喷出的液体观察，在远离基板的主面的方向侧形成从第二喷出口喷出的液体的液流。因此，能够阻止从第一喷出口喷出的液体向离开基板的主面的方向流动。由此，能够使从第一喷出口喷出的液体沿着基板的主面流通。
另外，在第一喷出口的开口宽度为极微小的宽度的情况下，从第一喷出口喷出的液体以强的喷出压喷射，向周围飞散，可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从第一喷出口喷出的液体被从第二喷出口喷出的液体覆盖，所以能够抑制或防止从第一喷出口喷出的液体的飞散。
另外，在所述第一流路内流通的所述第一流体可以是第一液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一液体不同的第二液体。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的第二喷出口呈放射状喷出第二液体。在第一喷出口的开口宽度为极微小的宽度的情况下，从第一喷出口喷出的第一液体以强的喷出压喷射，向周围飞散，可能成为产生颗粒的原因。但是，由于第一液体被第二液体覆盖，所以能够抑制或防止从第一喷出口喷出的第一液体的飞散。
另外，在所述第一流路内流通的所述第一流体可以是气体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是液体。
根据该结构，沿着基板的主面向从第二喷出口喷出的液体喷射高速的气体。由此，在刚要着落在基板的上表面之前，液体和气体碰撞，形成液体的液滴。所形成的液体的液滴向基板的主面供给。该液滴成为喷流，供给到基板的主面。能够利用该液体的液滴的动能，从基板的主面物理除去异物。
另外，本发明的第二局面提供一种基板处理装置，用于使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，包括：
基板保持单元，用于保持基板，
喷嘴，具有第一筒体，在该第一筒体的内部形成用于第一流体流通的第一流路，在所述第一筒体的顶端缘与所述基板的主面之间划分形成用于将在所述第一流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口，
喷嘴保持单元，将所述喷嘴以所述第一筒体的所述顶端缘与所述基板的所述主面隔开间隔相向的状态进行保持，
流体供给单元，向所述喷嘴的所述第一流路供给第一流体；
所述第一筒体的顶端部分包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述主面的法线的方式扩径的扩径内壁。
根据该结构，所述第一筒体的顶端部分包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述法线的方式扩径的扩径内壁。因此，第一流体在第一流路内向第一喷出口流动的过程中，形成沿着基板的主面的方向的液流。因此，能够使从第一喷出口喷出的第一流体的流速加快。由此，能够使在基板的主面上的第一流体的流速加快，因此能够良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
在本发明的一实施方式中，所述扩径内壁包括向所述基板的所述主面呈喇叭状扩展的凸弯曲壁。
根据该结构，由于扩径内壁包括呈喇叭状扩展的凸弯曲壁，所以从第一流路至第一喷出口的第一流体的液流不发生紊流，因此，能够向第一喷出口顺利地引导第一流体。
所述第一筒体的顶端部分可以包括向所述基板的所述主面扩展的喇叭状部。
所述扩径内壁可以包括向所述基板的所述主面扩展的锥形壁。
根据该结构，由于扩径内壁包括向基板的主面扩展的锥形壁，所以在从第一流路至第一喷出口的第一流体的液流几乎不会产生紊流，因此，能够向第一喷出口比较顺利地引导第一流体。
所述第一筒体的顶端部分可以具有向所述基板的所述主面扩展的锥形部。
所述第一筒体的所述顶端缘包括沿着所述基板的所述主面延伸的平面部。根据该结构，在第一筒体的顶端缘设置的平面部沿着基板的主面延伸。平面部将从第一喷出口喷出的第一流体向沿着基板的主面的方向引导。因此，能够使从第一喷出口喷出的第一流体的沿着基板的主面的方向的流速进一步加快，因而能够良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
在所述第一流路内流通的所述第一流体可以是液体。根据该结构，从在基板的主面和喷嘴的顶端缘之间形成的环状的第一喷出口沿着基板的主面呈放射状喷出液体。通过将从第一喷出口喷出的液体的流量设定为适当量，能够在喷嘴的顶端缘和基板的主面之间设置极微小间隔的间隙。即，能够将环状的第一喷出口的法线方向的开口宽度设置为极微小的宽度。因此，能够使从第一喷出口喷出的液体的流速加快，由此，能够良好地除去在基板的主面附着的颗粒等的异物。
所述基板处理装置可以是用于使用包括所述第一流体以及第二流体的处理流体对基板实施处理的基板处理装置，
所述喷嘴还具有第二筒体，该第二筒体包围所述第一筒体，在该第二筒体与所述第一筒体之间划分形成用于流体流通的第二流路，
在所述第二筒体上，在比所述第一喷出口更远离所述基板的所述主面的方向侧，开有将在所述第二流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第二喷出口，
所述基板处理装置还包括向所述喷嘴的所述第二流路供给第二流体的第二流体供给单元。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的环状的第二喷出口，沿着基板的主面呈放射状喷出第二流体。从第二喷出口喷出的第二流体从离开基板的主面的方向侧覆盖从第一喷出口喷出的第一流体。从第一流体观察，在离开基板的主面的方向侧形成有第二流体的液流。因此，能够阻止从第一喷出口喷出的第一流体向离开基板的主面的方向流动。由此，能够使第一流体沿着基板的主面流通。
在该情况下，所述第一筒体的顶端部分包括向所述基板的所述主面扩展的喇叭状部的情况下，具有下述的作用效果。即，由于第一筒体的顶端部分包括向基板的主面扩展的喇叭状部，所以第二流路的下游端部分由喇叭状的凹状壁构成。因此，在第二流体在第二流路内向第二喷出口流动的过程中，形成沿着基板的主面的方向的液流。此外，由于凹状壁呈喇叭状，所以从第二流路至第二喷出口的第二流体的液流不会发生紊流，由此，能够向第二喷出口顺利地引导第二流体。
另外，在前述的情况，在所述第一筒体的顶端部分具有向所述基板的所述主面扩展的锥形部的情况下，具有下述的作用效果。即，由于第一筒体的顶端部分包括向基板的主面扩展的喇叭状部，第二流路的下游端部分由锥形状的凹状壁构成。因此，在第二流体在第二流路内向第二喷出口流动的过程中，形成沿着基板的主面的方向的流动。此外，由于凹状壁呈锥形状，所以在从第二流路至第二喷出口的第二流体的液流几乎不发生紊流，由此，能够向第二喷出口顺利地引导第二流体。
所述第二喷出口可以划分形成在所述第二筒体的顶端缘和所述第一筒体的所述顶端部分之间。根据该结构，由于由第二筒体的顶端缘和第一筒体的顶端部分划分形成环状的第二喷出口，由此能够以简单的结构设置环状的第二喷出口。
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体，在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一流体相同的液体。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的环状的第二喷出口，呈放射状喷出液体。从第二喷出口喷出的液体从离开基板的主面的方向侧覆盖从第一喷出口喷出的液体。基于从第一喷出口喷出的液体观察，在离开基板的主面的方向侧，形成从第二喷出口喷出的液体的液流。因此，能够阻止从第一喷出口喷出的液体向离开基板的主面的方向流动。由此，能够使从第一喷出口喷出的液体沿着基板的主面流通。
另外，在第一喷出口的开口宽度为微小的宽度的情况下，从第一喷出口喷出的液体以强的喷出压喷射，向周围飞散，有可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从第一喷出口喷出的液体被从第二喷出口喷出的液体覆盖，所以能够抑制或防止从第一喷出口喷出的液体的飞散。
另外，在所述第一流路内流通的所述第一流体可以是第一液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一液体不同的第二液体。
根据该结构，从在比第一喷出口更远离基板的主面的方向侧形成的第二喷出口呈放射状喷出第二液体。在第一喷出口的开口宽度为极微小的宽度的情况下，从第一喷出口喷出的第一液体以强的喷出压喷射，向周围飞散，可能成为产生颗粒的原因。但是，由于第一液体被第二液体覆盖，所以能够抑制或防止从第一喷出口喷出的第一液体的飞散。
另外，在所述第一流路内流通的所述第一流体是气体，在所述第二流路内流通的所述第二流体可以是液体。
根据该结构，沿着基板的主面向从第二喷出口喷出的液体喷射高速的气体。由此，在刚要着落在基板的上表面之前，液体和气体碰撞，形成液体的液滴。所形成的液体的液滴向基板的主面供给。该液滴成为喷流，供给到基板的主面。能够利用该液体的液滴的动能，从基板的主面物理除去异物。
本发明的前述的、或其他目的、特征以及效果通过参照附图进行的下述的实施方式的说明就更加清楚。
附图说明
图1沿水平方向观察本发明的第一实施方式的基板处理装置的图。
图2是图解表示所述基板处理装置所具有的喷嘴保持单元以及喷嘴的结构的图。
图3是图解表示所述喷嘴所包含的第一筒体的结构的剖视图。
图4是放大表示喷出处理液的状态的所述喷嘴的剖视图。
图5是示意性地表示除去力矩和处理液的横向的流速的关系的图。
图6是表示下喷出口的开口宽度与从下喷出口的横向的喷出速度的关系的曲线图。
图7是用于对通过所述基板处理装置进行的清洗处理的处理例进行说明的流程图。
图8是用于对通过所述基板处理装置进行的清洗处理的处理例进行说明的流程图。
图9是表示所述第一筒体的第一变形例的剖视图。
图10是表示所述第一筒体的第二变形例的剖视图。
图11是表示所述第一筒体的第三变形例的剖视图。
图12是表示所述第一筒体的第四变形例的剖视图。
图13是表示所述第一筒体的第五变形例的剖视图。
图14是放大表示本发明的第二实施方式的基板处理装置所包含的喷嘴的剖视图。
图15是放大表示本发明的第三实施方式的基板处理装置所包含的喷嘴的剖视图。
图16是放大表示本发明的第四实施方式的基板处理装置所包含的的喷嘴的剖视图。
具体实施方式
图1是沿水平方向观察本发明的第一实施方式的基板处理装置1的图。
基板处理装置1是用于对圆形的半导体晶片等的基板W的器件形成区域侧的表面实施使用了处理液(处理流体)的药液处理(清洗处理和蚀刻处理等)的单张式的装置。基板处理装置1包括：箱形的腔室2，具有内部空间；旋转卡盘(基板保持单元)3，在腔室2内将一张基板W保持为水平姿势，并使基板W围绕通过基板W的中心的铅垂的旋转轴线A1旋转；喷嘴4，用于向由旋转卡盘3保持的基板W的上表面喷出处理液；处理流体供给单元5，用于向喷嘴4供给处理液；筒状的处理杯6，包围旋转卡盘3；控制装置7，对基板处理装置1所具有的装置的动作和阀的开闭进行控制。
腔室2包括：箱状的间隔壁8；作为送风单元的FFU(风扇过滤单元)9，从间隔壁8的上部向间隔壁8内(相当于腔室2内)输送清洁空气；排气装置10，从间隔壁8的下部排出腔室2内的气体。旋转卡盘3以及喷嘴4容纳配置在间隔壁8内。
FFU9配置在间隔壁8的上方，安装在间隔壁8的顶部。FFU9从间隔壁8的顶部向腔室2内输送清洁空气。排气装置10经由与处理杯6内连接的排气管11与处理杯6的底部连接，从处理杯6的底部对处理杯6的内部进行吸引。通过FFU9以及排气装置10在腔室2内形成下降流(Down flow)。
作为旋转卡盘3，采用在水平方向上夹持基板W来将基板W保持为水平的夹持式的卡盘。具体地说，旋转卡盘3包括：旋转马达(基板旋转单元)12；旋转轴13，与该旋转马达12的驱动轴一体化；圆板状的旋转基座14，大致水平地安装在旋转轴13的上端。
在旋转基座14的上表面的周缘部配置有多个(3个以上。例如6个)夹持构件15。多个夹持构件15在旋转基座14的上表面周缘部，在与基板W的外周形状对应的圆周上隔开适当的间隔配置。
另外，作为旋转卡盘3，并不限于夹持式的卡盘，例如也可以采用真空吸附式的卡盘(真空卡盘)，通过对基板W的背面进行真空吸附，将基板W保持为水平姿势，进而在该状态下围绕铅垂的旋转轴线进行旋转，使由旋转卡盘3保持的基板W旋转。
喷嘴4具有能够变更在基板W的上表面上的处理液的供给位置的作为扫描喷嘴的基本形式。喷嘴4安装于在旋转卡盘3的上方大致水平延伸的喷嘴臂(支撑构件)17的顶端部。喷嘴臂17被在旋转卡盘3的侧方大致铅垂延伸的臂支撑轴18支撑。臂支撑轴18与由马达等构成的臂摆动单元19结合。通过臂摆动单元19，使喷嘴臂17以在旋转卡盘3的侧方设定的铅垂的摆动轴线A2为中心在水平面内摆动，由此，能够使喷嘴4围绕摆动轴线A2转动。臂支撑轴18与由伺服马达以/或滚柱丝杠机构等构成的臂升降单元20结合。通过臂升降单元20，能够使臂支撑轴18升降，并与臂支撑轴18一体地使喷嘴臂17升降。由此，能够使喷嘴4在喷嘴4的下端缘与在旋转卡盘3保持的基板W的上表面隔开规定的间隔W2(例如5mm。参照图2)相向的下位置和向在旋转卡盘3上保持的基板W的上方显著退避的上位置之间升降。这样，臂升降单元20构成用于使喷嘴4相对于基板W接近/离开的接近离开驱动机构。
喷嘴4经由喷嘴保持单元(喷嘴保持单元)16支撑在喷嘴臂17上。
图2是图解表示喷嘴保持单元16以及喷嘴4的结构的图。
如图2所示，与喷嘴4的后述的内筒35连接的第一处理液配管52一体地包括：铅垂配管部21，在铅垂方向上延伸；水平配管部22，从铅垂配管部21的上端部弯曲并在水平方向上延伸。铅垂配管部21和水平配管部22之间的连接部分23贯通支架24的内部，由此，第一处理液配管52固定在支架24上。支架24具有上表面25。在喷嘴臂17的下表面和支架24的上表面25之间安装有气缸(第一负载赋予单元)26以及螺旋弹簧(第二负载赋予单元)27。在第一实施方式中，喷嘴保持单元16包括支架24、气缸26以及螺旋弹簧27。
如图2所示，螺旋弹簧27是拉力螺旋弹簧。螺旋弹簧27的上端以及下端分别固定在喷嘴臂17的下表面以及支架24的上表面25。螺旋弹簧27将喷嘴4以及支架24向上方拉动。即，螺旋弹簧27使向上的力(离开方向力)作用于喷嘴4。
如图2所示，气缸26是具有能够伸缩的伸缩部28的缸体。作为伸缩部28，例如能够例示出在长度方向可伸缩可能的伸缩杆。伸缩部28以铅垂姿势配置。伸缩部28的内部经由空气供给阀29与空气供给配管30连接。在空气供给配管30上安装有用于对空气供给配管30的开度进行调整的空气调整阀(负载调整单元)31。伸缩部28的内部经由释放阀(负载调整单元)32与释放配管33连接。伸缩部28通过向内部导入压缩空气而伸长，通过从内部释放压缩空气而缩短。在伸缩部28的最缩短状态下的伸缩部28的上下高度(与气缸26的上下高度大致相同)，设置为比在螺旋弹簧27上悬挂支架24的状态下的螺旋弹簧27的长度短。因此，在伸缩部28的最缩短状态下，伸缩部28的下端部分不与支架24的上表面25接触。当在伸缩部28处于最缩短状态的状态下，关闭释放阀32并打开空气供给阀29时，压缩空气通过空气供给配管30供给到伸缩部28的内部。由此，伸缩部28伸长，当伸缩部28的长度与螺旋弹簧27的长度一致时，伸缩部28的下端部分与支架24的上表面25抵接。通过进一步继续供给压缩空气，伸缩部28克服螺旋弹簧27的弹力从该状态进一步伸长。即，通过伸缩部28的下端部分将支架24向下方按压，来使支架24下降。由此，喷嘴臂17的下表面和支架24的上表面25之间的间隔扩大。
当在伸缩部28的伸长状态下，打开释放阀32时，从伸缩部28的内部释放压缩空气，伴随于此，伸缩部28缩短，恢复到最缩短状态。
另外，伸缩部28的周围由使用具有耐药性的树脂材料形成的波纹管34包围。波纹管34根据喷嘴臂17的下表面和支架24的上表面25之间的间隔的增减来进行伸缩。
图3是图解表示喷嘴4所包含的内筒35的结构的剖视图。图4是放大表示喷出处理液的状态的喷嘴4的剖视图。参照图2以及图4对喷嘴4的结构进行说明。对图3进行适当说明。
喷嘴4具有内筒(第一筒体)35和外套在内筒35上并包围内筒35的外筒(第二筒体)36。内筒35以及外筒36分别同轴配置在共用的铅垂轴线A3上。如图3所示，内筒35除了下端部分(顶端部分)37外呈圆筒状。内筒35的下端部分37包括向下方扩展的喇叭状部38。换言之，内筒35的下端部分37包括向下方呈喇叭状扩展的凸弯曲壁41。再换言之，内筒35的下端部分37包括以越接近下方则越远离铅垂轴线A3的方式扩径的扩径内壁。喇叭状部38的周缘部(顶端缘)39包括沿水平方向延伸的平板状部(平面部)40。喇叭状部38的周缘部39在俯视下比外筒36更向径向的外方突出。内筒35的内部空间成为后述的用于来自第一处理液配管52的处理液进行流通的直线状的第一流路42。
如图2以及图4所示，外筒36包括圆筒部43和对圆筒部43的上端部进行封闭的封闭部44。内筒35的外周和封闭部44的内周之间被密封构件(未图示)密封为液密状态(不漏液体)。在内筒35和外筒36的圆筒部43之间形成后述的用于来自第二处理液配管57的处理液进行流通的圆筒状的第二流路45。内筒35以及外筒36分别使用聚氯乙烯、PCTFE(聚三氟氯乙烯)、PVDF(聚偏氟乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)等的树脂材料来形成。
如图2以及图4所示，在外筒36的下端部分，通过外筒36的下端缘47(顶端缘)和内筒35的下端部分37划分形成环状的上喷出口(第二喷出口)48。上喷出口48是横向的喷出口，将在第二流路45内流通的处理液向水平方向呈放射状喷出。
由于内筒35的下端部分37包括向基板W的上表面扩展的喇叭状部38，所以第二流路45的下游端部分由喇叭状的凹弯曲壁62构成。因此，在处理液在第二流路45内向上喷出口48流动的过程中，形成水平方向的液流。此外，由于凹弯曲壁62呈喇叭状，从第二流路45至上喷出口48的处理液的液流不会产生紊流，由此，能够向上喷出口48顺利地引导处理液。
另外，通过使处理液在第二流路45内向上喷出口48流通，该处理液对喇叭状部38向下按压。即，利用在第二流路45内流通的处理液，对喷嘴4作用向下的力(接近方向力)。
在要利用基板处理装置1对基板W进行处理时，通过喷嘴臂17的摆动以及升降，将喷嘴4配置在下位置。在该状态下，从喷嘴4的喇叭状部38喷出处理液。在该状态下，当将喷嘴4向比下位置更靠下方的接近位置下降时，如图4所示，在喇叭状部38的周缘部39和基板W的上表面之间，划分形成环状的下喷出口(第一喷出口)49。
如图2以及图4所示，下喷出口49将在第一流路42内流动的处理液向水平方向呈放射状喷出。并且，喷嘴4的铅垂方向的高度位置保持在向下的力(由喷嘴4和支架24等的自重产生的向下的力、由气缸26产生的向下的力以及、后述的在第二流路45内流通的处理液对喇叭状部38向下按压的力的合力)和向上的力(由螺旋弹簧27的拉力产生的向上的力以及因从下喷出口49喷出第一流体产生的向上的力)平衡的位置。在该情况下，以喷嘴4的下端缘和基板W的上表面之间的间隔为极微小的间隔的方式，分别设定从下喷出口49喷出的处理液的流量以及向气缸26供给的压缩空气的流量。因此，将环状的下喷出口49的铅垂方向的开口宽度(以下仅称为“开口宽度”)W3设置为极微小的宽度。
从喷嘴保持单元16所包含的气缸26对喷嘴4赋予向下的负载，并从喷嘴保持单元16所包含的螺旋弹簧27对喷嘴4赋予向上的负载。并且，利用气缸26所包含的伸缩部28，来对从气缸26向喷嘴4赋予的向下的负载的大小进行调整。由此，能够更高精度地调整下喷出口49的开口宽度W3。
另外，能够通过调整从气缸26对喷嘴4赋予的负载的大小来调整下喷出口49的开口宽度W3。因此，不会为了调整下喷出口49的开口宽度W3，而对从喷嘴4喷出的处理液的流量进行制约。因此，也能将从喷嘴4喷出的处理液的流量抑制为小流量，在该情况下，还能实现处理液的节约。
如图1所示，处理流体供给单元5包括用于向喷嘴4的第一流路42供给处理液的第一处理液供给单元(第一流体供给单元)50和用于向喷嘴4的第二流路45供给处理液的第二处理液供给单元(第二流体供给单元)51。在该实施方式中，作为处理液，使用作为药液(清洗药液)的一例的SC1(氨水过氧化氢混合液：ammonia-hydrogen peroxide mixture)和冲洗液。第一处理液供给单元50包括向喷嘴4的第一流路42(参照图2)供给处理液的第一处理液配管52、将来自药液供给源的药液(SC1)向第一处理液配管52供给的第一药液配管53、对第一药液配管53进行开闭的第一药液阀54、将来自冲洗液供给源的冲洗液向第一处理液配管52供给的第一冲洗液配管55、对第一冲洗液配管55进行开闭的第一冲洗液阀56。
第二处理液供给单元51包括用于向第二流路45供给处理液的第二处理液配管57、供给来自药液供给源的药液(SC1)的第二药液配管58、对第二药液配管58进行开闭的第二药液阀59、将来自冲洗液供给源的冲洗液向第二处理液配管57供给的第二冲洗液配管60、对第二冲洗液配管60进行开闭的第二冲洗液阀61。
作为冲洗液，能采用DIW(去离子水)、碳酸水、电解离子水、臭氧水、稀释浓度(例如、10～100ppm左右)的盐酸水、还原水(含氢水)、脱气水等。
在第一冲洗液阀56以及第二冲洗液阀61被关闭的状态下，通过打开第一药液阀54以及第二药液阀59，向喷嘴4的第一流路42以及第二流路45双方供给药液(SC1)。由此，能够从下喷出口49以及上喷出口48双方同时喷出药液(SC1)。
另外，在第一药液阀54以及第二药液阀59被关闭的状态下，通过打开第一冲洗液阀56以及第二冲洗液阀61，向喷嘴4的第一流路42以及第二流路45双方供给冲洗液。由此，能够从下喷出口49以及上喷出口48双方同时喷出冲洗液。
如图1所示，处理杯6配置在由旋转卡盘3保持的基板W的外方(从旋转轴线A1离开的方向)。处理杯6包围旋转基座14。当在旋转卡盘3使基板W旋转的状态下向基板W供给处理液时，供给到基板W的处理液被甩到基板W的周围。在向基板W供给处理液时，向上开放的处理杯6的上端部6a配置在旋转基座14的上方。因此，向基板W的周围排出的药液和水等的处理液被处理杯6挡住。并且，被处理杯6挡住的处理液输送到未图示的回收装置或废液装置。
图5是示意性地表示除去力矩和处理液的横向的流速的关系的图。
本申请发明人发现，用于除去在基板W的上表面附着的颗粒P的除去力矩MR依存于作用于颗粒P的横向的力(以下称为“颗粒除去力FD”)。本申请发明人认为，在向基板W的上表面供给处理液(例如清洗药液)的情况下，颗粒除去力FD依存于在颗粒P的附近流动的处理液的流速。
颗粒除去力FD能够以下面的式(1)来表示。
FD＝32·μ/ρ·(r/v)2·2τ/ρ···式(1)
(其中，在式(1)中，μ表示处理液的粘度，ρ表示处理液的密度，r表示颗粒P的半径，v表示处理液的运动粘度，τ表示处理液的横向的流速。)
颗粒P附着在基板W的表面附近。即，能够认为，除去力矩MR依存于在基板W的表面附近的处理液的横向的流速τ。
图6是表示下喷出口49的开口宽度W3和从下喷出口49的横向的喷出速度的关系的曲线图。
当将环状的下喷出口49的半径、即喇叭状部38(参照图4)的半径设为R(参照图4)时，下喷出口49的开口面积S能够以下面的式(2)来表示。
S＝2·π·R·W3···式(2)
在该情况下，当将在第一流路42内流通的处理液的每单位时间的流量设为f(未图示)时，在下喷出口49的处理液的流速τ(未图示)能够以下面的式(3)来表示。
τ＝f/(2·π·R·W3)···式(3)
即使，随着使下喷出口49的开口宽度W3变小，能够加快在下喷出口49的处理液的流速。
从图5以及图6可知如下内容。在下喷出口49设定为极微小的间隔的情况下，从下喷出口49喷出的处理液直接作用于颗粒P。并且，通过提高从下喷出口49的横向的处理液的流速、即来自下喷出口49的处理液的喷出速度，能够提高作用于颗粒P的除去力矩MR。由此，能够从基板W的表面良好地除去颗粒P。
控制装置7例如使用微型计算机构成。控制装置7与作为控制对象的旋转马达12、臂摆动单元19、臂升降单元20、排气装置10、第一药液阀54、第一冲洗液阀56、第二药液阀59、第二冲洗液阀61等连接。控制装置7根据预定的程序，对旋转马达12、臂摆动单元19、臂升降单元20、排气装置10等的动作进行控制。进而，控制装置7对第一药液阀54、第一冲洗液阀56、第二药液阀59、第二冲洗液阀61等的开闭动作等进行控制。
图7以及图8是用于对利用基板处理装置1进行的清洗处理的处理例进行说明的流程图。
以下，参照图1、图2、图4、图7以及图8对清洗处理的一例进行说明。在该清洗处理中，作为药液(清洗药液)使用SC1。
在清洗处理时，向腔室2的内部搬入未清洗的基板W(步骤S1)。基板W在表面(器件形成面)朝向上方的状态被交给旋转卡盘3。具体地说，控制装置7在喷嘴4配置在从旋转卡盘3的上方退避的退避位置的状态下，使保持基板W的基板搬送机械手(未图示)的手部(未图示)进入腔室2的内部。由此，基板W在成为处理对象的主面朝向上方的状态下被交给旋转卡盘3，由旋转卡盘3保持(基板保持工序)。
在由旋转卡盘3保持基板后，控制装置7通过旋转马达12开始使基板W旋转(步骤S2)。基板W上升到预定的液体处理速度(例如约300rpm)，并维持在该液体处理速度。
当基板W达到液体处理速度时，接着，控制装置7控制臂摆动单元19，使喷嘴4从退避位置向基板W的上方引出(步骤S3)。
在喷嘴4配置在基板W的上方后，接着，控制装置7控制臂升降单元20，使喷嘴4下降到下位置(步骤S4)。
当喷嘴4配置在下位置时，控制装置7打开第一药液阀54以及第二药液阀59。由此，开始从喷嘴4喷出SC1(步骤S5)，从喷嘴4的下喷出口49以及上喷出口48双方喷出SC1。
接着，控制装置7打开空气供给阀29，向气缸26的内部供给压缩空气。由此，伸缩部28伸长，结果，喷嘴4从下位置进一步下降。并且，如图4所示，喷嘴4保持在向下的力(由喷嘴4和支架24等的自重产生的向下的力、由气缸26产生的向下的力、以及在第二流路45内流通的SC1对喇叭状部38向下按压的力的合力)和向上的力(由螺旋弹簧27的拉力产生的向上的力以及因从下喷出口49喷出SC1产生的向上的力)平衡的位置。
控制装置7控制空气调整阀31，预先对向气缸26的伸缩部28的内部供给的压缩空气的量进行调整(调整作用于喷嘴4的向下的力)，以使环状的下喷出口49的开口宽度W3变为极微小的宽度。由于开口宽度W3由从下喷出口49喷出的SC1的喷出压确保，所以基板W的上表面和喷嘴4的下端面之间的间隔(开口宽度W3)微小，但不会变为零。由于喇叭状部38的周缘部39包括沿水平方向延伸的平板状部40，所以从下喷出口49向水平方向喷出SC1。
下喷出口49的开口宽度W3设置为极微小的宽度。此外，内筒35的下端部分37包括以越接近下方则越远离铅垂轴线A3的方式扩径的扩径内壁，因此，在从第一流路42向下喷出口49流动的过程中，形成横向的液流。此外，前述的扩径内壁包括呈喇叭状扩展的凸弯曲壁41，因此，从第一流路42至下喷出口49的SC1的液流不会发生紊流，因此，能够向下喷出口49顺利地引导SC1。通过上述，从喷嘴4的环状的下喷出口49向水平方向喷出的SC1的流速极快。因此，能够更良好地除去在基板W的上表面附着的颗粒等的异物。
而且，在喇叭状部38的周缘部39设置的平板状部40将从下喷出口49喷出的SC1沿水平方向引导。因此，从下喷出口49喷出的SC1的水平方向的流速更被加速。
另外，从在下喷出口49的上方相邻配置的环状的上喷出口48向水平方向呈放射状喷出SC1。从上喷出口48喷出的SC1从上方侧覆盖从下喷出口49喷出的SC1，在从下喷出口49喷出的SC1的上方侧形成从上喷出口48喷出的SC1的液流。因此，能够阻止从下喷出口49喷出的SC1向上方流动。由此，能够使从下喷出口49喷出的SC1沿水平方向流通。
另外，在下喷出口49的开口宽度W3极微小的情况下，从下喷出口49喷出的SC1以强的喷出压喷射，向周围飞散，可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从下喷出口49喷出的SC1被从上喷出口48喷出的SC1覆盖，所以能够防止从下喷出口49喷出的SC1的飞散。
另外，控制装置7通过控制臂摆动单元19，使来自下喷出口49的SC1的在基板W的上表面上的供给位置在中央部和周缘部之间移动。由此，能够使来自下喷出口49的SC1的供给位置扫描基板W的整个上表面。由此，能够从基板W的整个上表面良好地除去颗粒。供给到基板W的上表面上的SC1从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
当从开始从喷嘴4喷出SC1起经过预定的期间时，控制装置7关闭第一药液阀54以及第二药液阀59。由此，停止从喷嘴4喷出SC1(步骤S7)。另外，控制装置7打开第一冲洗液阀56以及第二冲洗液阀61。由此，从喷嘴4的下喷出口49以及上喷出口48喷出的处理液从SC1切换成冲洗液。即，开始从喷嘴4喷出冲洗液(步骤S8)。如前述那样，下喷出口49的开口宽度W3设为极微小的宽度。因此，从喷嘴4的下喷出口49喷出的冲洗液的流速极快。因此，在下喷出口49附近，能够从基板W的上表面良好地冲洗掉在基板W的上表面残留的SC1。
另外，从在下喷出口49的上方相邻配置的环状的上喷出口48向水平方向呈放射状喷出冲洗液。从上喷出口48喷出的冲洗液从上方侧覆盖从下喷出口49喷出的冲洗液，在从下喷出口49喷出的冲洗液的上方侧形成从上喷出口48喷出的冲洗液的液流。因此，能够阻止从下喷出口49喷出的冲洗液向上方流动。由此，能够使从下喷出口49喷出的冲洗液沿水平方向流通。
另外，在下喷出口49的开口宽度W3极微小的情况下，从下喷出口49喷出的冲洗液以强的喷出压喷射，向周围飞散，可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从下喷出口49喷出的冲洗液被从上喷出口48喷出的冲洗液覆盖，所以能够防止从下喷出口49喷出的冲洗液的飞散。
控制装置7控制臂摆动单元19，使来自下喷出口49的冲洗液的在基板W的上表面上的供给位置在中央部和周缘部之间移动，由此，能够使来自下喷出口49的冲洗液的供给位置扫描基板W的整个上表面。由此，能够从基板W的整个上表面良好地除去颗粒。供给到基板W的上表面的冲洗液从基板W的周缘部向基板W的侧方飞散。
当从开始从喷嘴4喷出冲洗液起经过预定的期间时，控制装置7打开释放阀32，从气缸26的伸缩部28的内部释放压缩空气。由此，伸缩部28缩短而恢复到最缩短状态。由此，解除通过气缸26对喷嘴4赋予的向下的负载。喷嘴4受到由螺旋弹簧27赋予的向上的力而被拉升到下位置(步骤S9)。通过螺旋弹簧27的作用，在不另外设置其他升降单元的情况下，能够良好地拉升喷嘴4。通过对喷嘴4的拉升，在喇叭状部38的周缘部39和基板W的上表面之间形成的环状的下喷出口49消失。
接着，控制装置7关闭第一冲洗液阀56以及第二冲洗液阀61。由此，停止从下喷出口49以及上喷出口48喷出冲洗液(步骤S10)。
接着，控制装置7控制臂升降单元20，使喷嘴臂17上升(步骤S11)。通过喷嘴臂17的上升，喷嘴4从基板W的上表面显著上升到上方。
另外，控制装置摆动喷嘴臂17，使喷嘴4返回到旋转卡盘3的侧方的退避位置(步骤S12)。
另外，控制装置7控制旋转马达12，使基板W以高旋转速度(例如1000rpm以上)旋转。由此，在基板W的上表面附着的冲洗液甩到基板W的周围。这样一来，从基板W除去液体，基板W的上表面被干燥(S13：旋转干燥)。当旋转干燥处理进行预定的期间时，控制装置7控制旋转马达12，停止旋转卡盘3的旋转(基板W的旋转)(步骤S14)。由此，对一张基板W的清洗处理结束，由搬送机械手将处理完的基板W从腔室2搬出(步骤S15)。
如以上那样，根据第一实施方式，从在基板W的上表面和喷嘴4的下端缘之间形成的环状的下喷出口49向水平方向呈放射状喷出处理液。在对喷嘴4作用由喷嘴4的自重产生的向下的力以及由气缸26产生的向下的力的状态下，喷嘴4保持在这些向下的力和由螺旋弹簧27的拉力产生的向上的力、因从下喷出口49喷出处理液产生的向上的力平衡的位置。
分别设定从下喷出口49喷出的处理液的流量以及向气缸26供给的压缩空气的流量，以使喷嘴4的下端缘和基板W的上表面之间的间隔为极微小的间隔。因此，环状的下喷出口49的开口宽度W3设为极微小的宽度。因此，能够使从下喷出口49喷出的处理液的流速加快。由此，能够加快在基板W的上表面上的来自下喷出口49的处理液的供给位置的流速，因此，能够良好地除去在基板W的上表面附着的颗粒等的异物。
另外，内筒35的下端部分37包括以越接近下方则越远离铅垂轴线A3的方式扩径的扩径内壁，所以在从第一流路42向下喷出口49流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于所述的扩径内壁包括呈喇叭状扩展的凸弯曲壁41，所以从第一流路42至下喷出口49的处理液的液流不会产生紊流，因此，向下喷出口49顺利地引导处理液。进而，由于在喇叭状部38的周缘部39设置的平板状部40沿水平方向引导从下喷出口49喷出的处理液，所以从下喷出口49喷出的处理液的水平方向的流速进一步被加快。通过上述，从喷嘴4的环状的下喷出口49沿水平方向喷出的SC1的流速极快。因此，能够更良好地除去在基板W的上表面附着的颗粒等的异物。
另外，从在下喷出口49的上方相邻配置的环状的上喷出口48呈放射状喷出处理液。从上喷出口48喷出的处理液从上方侧覆盖从下喷出口49喷出的处理液。因此，由于在从下喷出口49喷出的处理液的上方侧形成从上喷出口48喷出的处理液的液流，所以能够阻止从下喷出口49喷出的处理液向上方流动。由此，能够使从下喷出口49喷出的处理液沿水平方向流通。
另外，在下喷出口49的开口宽度W3极微小的情况下，从下喷出口49喷出的处理液以强的喷出压喷射，向周围飞散，有可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从下喷出口49喷出的处理液被从上喷出口48喷出的处理液覆盖，所以能够防止从下喷出口49喷出的处理液的飞散。
在第一实施方式中，以由具有喇叭状部38的内筒35和外筒36构成的喷嘴4为例进行了说明。作为内筒35的形式，能够采用各种变形例。
图9所示的第一变形例的内筒(第一筒体)111外轮廓呈圆筒状。内筒111配置在铅垂轴线A3上。内筒111的内部空间成为用于来自第一处理液配管52(参照图1)的处理液进行流通的直线状的第一流路112。在内筒111的内壁的下端部分113，形成向下方呈喇叭状扩展的凸弯曲壁(扩径内壁)114。内筒111具有由水平的平坦面构成的下表面(平面部)115。凸弯曲壁114包括下表面115。在使内筒111接近由旋转卡盘3(参照图1)保持的基板W(参照图2)的情况下，在下表面115的外周缘和基板W的上表面之间形成横向的环状的下喷出口(相当于图4的下喷出口49)。
由于内筒111的下端部分113包含凸弯曲壁114，所以在从第一流路112向下喷出口流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于凸弯曲壁114呈喇叭状扩展，所以从第一流路112至下喷出口的处理液的液流不会产生紊流，因此，能够向下喷出口顺利地引导处理液。
图10所示的第二变形例的内筒(第一筒体)121外轮廓呈圆筒状。内筒121配置在铅垂轴线A3上。内筒121的内部空间成为用于来自第一处理液配管52(参照图1)的处理液进行流通的直线状的第一流路122。在内筒121的内壁的下端部分123形成有向下方扩展的锥形壁124。内筒121具有由水平的平坦面构成的下表面125。锥形壁124包含下表面125。在使内筒121接近由旋转卡盘3(参照图1)保持的基板W(参照图2)的情况下，在下表面125的外周缘和基板W的上表面之间形成横向的环状的下喷出口(相当于图4的下喷出口49)。
由于内筒121的下端部分123包含锥形壁124，所以在从第一流路122向下喷出口流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于锥形壁124呈锥形状扩展，所以从第一流路122至下喷出口的处理液的液流不会产生紊流，因此，能够向下喷出口顺利地引导处理液。
图11所示的第三变形例的内筒(第一筒体)131包括圆筒132和在圆筒132的下端安装的大致圆锥状(大致锥形状)的锥形部133。圆筒132配置在铅垂轴线A3上。圆筒132的内部空间成为用于来自第一处理液配管52(参照图1)的处理液进行流通的直线状的第一流路134。锥形部133以越接近下方则越扩径那样的铅垂姿势安装在圆筒132上。在锥形部133的内周形成向下方扩展的锥形壁135。在锥形部133的外周的下端部分形成有由水平的平坦面构成的下端面136。在使内筒131接近由旋转卡盘3(参照图2)保持的基板W(参照图2)的情况下，在锥形部133的下端面136和基板W的上表面之间形成横向的环状的下喷出口(相当于图4的下喷出口49)。
在锥形部133内向下喷出口流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于锥形壁135呈锥形状扩展，所以能够比较顺利地向下喷出口引导处理液。
图12所示的第四变形例的内筒(第一筒体)141的下端部分呈伞状。换言之，内筒141除了下端部分外，呈圆筒状。内筒141配置在铅垂轴线A3上。内筒141的内部空间成为用于来自第一处理液配管52(参照图1)的处理液进行流通的直线状的第一流路142。在内筒141的下端部分143形成向下方扩展的圆锥台状(锥形状)的锥形部144。在锥形部144的内周形成有向下方扩展的锥形壁145。在使内筒141接近由旋转卡盘3(参照图2)保持的基板W(参照图2)的情况下，在锥形部144的外周缘(下端缘)和基板W的上表面之间形成横向的环状的下喷出口(相当于图4的下喷出口49)。
在锥形部144内向下喷出口流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于锥形壁145呈锥形状扩展，所以能够比较顺利地向下喷出口引导处理液。
说明了图3以及图9～图12所示的内筒35、111、121、131、141呈大致圆筒状，但是也可以呈在水平方向的一个方向上长的大致方形筒状。
例如，图13所示的第五变形例的内筒(第一筒体)151呈在水平方向的一个方向上长的大致方形筒状。内筒151的沿水平方向的剖面形状为圆角长方形(Rounded Rectangle)。内筒151配置在铅垂轴线A3(参照图1等)上。
内筒151除了下端部分(顶端部分)152外，呈方形筒状。内筒151的下端部分152包含向下方扩展的凸弯曲部153。凸弯曲部153的沿铅垂方向的剖面形状呈向下方的喇叭状。凸弯曲部153的内壁包含向下方呈喇叭状扩展的凸弯曲壁154。内筒151的内部空间成为后述的用于来自第一处理液配管52的处理液进行流通的直线状的第一流路155。凸弯曲部153的周缘部(顶端缘)156包含沿水平方向延伸的平板状部(平面部)157。通过使内筒151接近由旋转卡盘3(参照图2)保持的基板W(参照图2)的情况下，在平板状部157和基板W的上表面之间形成横向的环状的下喷出口(相当于图4的下喷出口49)。
在第一实施方式中，以作为药液(清洗药液)使用SC1的情况为例进行了说明，但是也能使用SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture：盐酸过氧化氢)、SPM(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：硫酸过氧化氢)、O3和NH4OH的混合液等。
图14是放大表示本发明的第二实施方式的基板处理装置201所包含的喷嘴202的剖视图。
在第二实施方式中，对与第一实施方式所示的各部分对应的部分标注与图1～图13的情况相同的附图标记来表示，而省略说明。
第二实施方式的基板处理装置201所包含的喷嘴202与第一实施方式的基板处理装置1所包含的喷嘴4不同之处在于，使向第一流路42供给的液体的种类和向第二流路45供给的液体的种类相互不同。
如图1所示，处理流体供给单元5包括用于向喷嘴4的第一流路42供给第一液体的第一液体供给单元(第一流体供给单元)203和用于向喷嘴4的第二流路45供给与第一液体不同的第二液体的第二液体供给单元(第二流体供给单元)204。第一液体供给单元203包括向第一流路42供给第一液体的第一液体配管205和对第一液体配管205进行开闭的第一液体阀206。第二液体供给单元204包括向第二流路45供给第二液体的第二液体配管207和对第二液体配管207进行开闭的第二液体阀208。通过打开第一液体阀206，向第一流路42供给第一液体，在第一流路42内流通的第一液体从下喷出口49喷出。通过打开第二液体阀208，向第二流路45供给第二液体，在第二流路45内流通的第二液体从上喷出口48喷出。即，来自下喷出口49的第一液体的喷出和来自上喷出口48的第二液体的喷出并行进行。环状的上喷出口48以及环状的下喷出口49上下相邻，因此，从上喷出口48喷出的第二液体从上方侧覆盖从下喷出口49喷出的第一液体。因此，能够使第一液体以及第二液体在刚要着落在基板W的上表面之前混合。由于上喷出口48以及下喷出口49上下相邻，所以能够提高第一液体和第二液体的接触效率，由此，能够高效混合第一液体和第二液体。
作为第一液体以及第二液体的组合，能够例示如通过彼此混合进行反应来生成混合液那样的组合。作为这样的第一液体和第二液体的组合([第一液体；第二液体])，能够例示出[H2O2；H2O2]的组合、[HCL；H2O2]的组合、[H2SO4；H2O2]的组合等。在该情况下，通过使第一液体以及第二液体在刚要着落在基板W的上表面之前混合，能够将刚生成后的新鲜的混合液供给到基板W的上表面。
另外，作为第一液体以及第二液体的组合，也可以采用使第一液体为药液(清洗药液)而使第二液体为H2O(DIW)那样的组合。
在该情况下，从下喷出口49喷出药液，从上喷出口48喷出H2O。在下喷出口49的开口宽度W3极微小的情况下，从下喷出口49喷出的药液以强的喷出压喷射，向周围飞散，而可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从下喷出口49喷出的药液由从上喷出口48喷出的药液覆盖，所以能够防止从下喷出口49喷出的药液的飞散。
另外，在流速最快的下喷出口49的附近，仅存在药液。因此，能够通过药液对基板W的上表面良好地进行处理(清洗)。因此，能够在不使药液的处理效率(清洗效率)下降的情况下，实现药液的使用量的下降。
作为这样的第一液体和第二液体的组合([第一液体；第二液体])，能够例示出[SC1；DIW]的组合、[HOT SC1(高温(例如60℃～80℃)的SC1；HOT DIW(高温(例如60℃～80℃)的DIW]的组合、[H2O2；NH4OH+H2O]的组合、[SC2；DIW]的组合、[HOT SC2(高温(例如60℃～80℃)的SC2；HOT DIW(高温(例如60℃～80℃)的DIW]的组合等。
图15是放大表示本发明的第三实施方式的基板处理装置301所包含的喷嘴302的剖视图。
在第三实施方式中，对与第一实施方式所示的各部分对应的部分标注与图1～图13的情况相同的附图标记来表示，而省略说明。
第三实施方式的基板处理装置301所包含的喷嘴302与第一实施方式的基板处理装置1所包含的喷嘴4不同之处在于，向第一流路42供给气体且向第二流路45供给处理液(液体)。
如图1所示，处理流体供给单元5包括用于向喷嘴4的第一流路42供给气体的气体供给单元(第一流体供给单元)303和用于向喷嘴4的第二流路45供给处理液的处理液供给单元(第二流体供给单元)304。气体供给单元303包括向第一流路42供给气体的气体配管305和对气体配管305进行开闭的气体阀306。处理液供给单元304包括向第二流路45供给处理液的处理液配管307和对处理液配管307进行开闭的处理液阀308。通过打开气体阀306，向第一流路42供给气体，在第一流路42内流通的气体从下喷出口49喷出。通过打开处理液阀308，向第二流路45供给处理液，在第二流路45内流通的处理液从上喷出口48喷出。即，来自下喷出口49的气体的喷出和来自上喷出口48的处理液的喷出并行进行。环状的上喷出口48以及环状的下喷出口49上下相邻，因此，从水平方向向从上喷出口48喷出的处理液，喷射高速的气体。由此，在刚要着落在基板W的上表面上之前，处理液和气体碰撞，形成处理液的液滴。所形成的处理液的液滴供给到基板W的上表面。该液滴成为喷流，被供给到基板W的上表面。利用该处理液的液滴的动能，物理除去在基板W的上表面附着的颗粒等的异物。
作为这样的气体和处理液的组合([气体；处理液])的一例，能够例示[N2；DIW]的组合、[N2；SC1]的组合、[N2；SC2]的组合等。
另外，作为气体和处理液的组合([气体；处理液])的其他例，能够例示[O3；NH4OH+H2O]的组合。在该情况下，能够使(NH4OH+H2O)和高速度的O3在刚要着落在基板W的上表面之前混合，刚混合了O3后的(NH4OH+H2O)供给到基板W的上表面。在O3和(NH4OH+H2O)的混合后，伴随着时间的经过，O3因NH4OH而分解，但是通过使(NH4OH+H2O)和O3在刚要着落在基板W的上表面之前混合，能够将分解未进行的新鲜的(NH4OH+H2O+O3)向基板W的上表面供给。
图16是放大表示本发明的第四实施方式的基板处理装置401所包含的喷嘴402的剖视图。
在第四实施方式中，对与第一实施方式所示的各部分对应的部分标注与图1～图13的情况相同的附图标记来表示，而省略说明。
第四实施方式的基板处理装置401所包含的喷嘴402与第一实施方式的基板处理装置1所包含的喷嘴4不同之处在于，在内部除了第一流路409以及第二流路413外还设置有第三流路422。
喷嘴402具有内筒(第一筒体)403、外套在内筒403并包围内筒403的中筒(第一筒体)404和外套在中筒404并包围中筒404的外筒(第二筒体)405。内筒403、中筒404以及外筒405分别同轴配置在共用的铅垂轴线A4上。
内筒403除了下端部分(顶端部分)406外，呈圆筒状。内筒403的下端部分406包括向下方扩展的第一喇叭状部407。换言之，内筒403的下端部分406包括向下方呈喇叭状扩展的第一凸弯曲壁412。进而，换言之，内筒403的下端部分406包含以越接近下方则越远离铅垂轴线A4的方式扩径的扩径内壁。第一喇叭状部407的周缘部(顶端缘)408包含沿水平方向延伸的平板状部(平面部)439。第一喇叭状部407的周缘部408在俯视下比中筒404的筒状部410更向径向的外方突出。内筒403的内部空间成为后述的用于来自第三液体配管430的第一液体进行流通的直线状的第一流路409。
中筒404包括筒状部410和对筒状部410的上端部进行封闭的第一封闭部411。内筒403的外周和第一封闭部411的内周之间被密封构件(未图示)密封为液密状态。在内筒403和中筒404的筒状部410之间，形成后述的用于来自第四液体配管432的第二液体进行流通的圆筒状的第二流路413。
中筒404的筒状部410除了下端部分(顶端部分)414外呈圆筒状。筒状部410的下端部分414包括向下方扩展的第二喇叭状部415。换言之，筒状部410的下端部分414包括向下方呈喇叭状扩展的第二凸弯曲壁416。再换言之，筒状部410的下端部分414包含以越接近下方则越远离铅垂轴线A4的方式扩径的扩径内壁。第二喇叭状部415的周缘部(顶端缘)417包含沿水平方向延伸的平板状部(平面部)418。第二喇叭状部415的周缘部417在俯视下比外筒405更向径向的外方突出。
外筒405包括圆筒部419和对圆筒部419的上端部进行封闭的第二封闭部420。中筒404的筒状部410的外周和第一封闭部411的内周之间被密封构件(未图示)密封为液密状态。在中筒404的筒状部410和外筒405的圆筒部419之间，形成有后述的用于来自第五液体配管434的第三液体进行流通的圆筒状的第三流路422。
内筒403、中筒404以及外筒405分别使用聚氯乙烯、PCTFE(聚三氟氯乙烯)、PVDF(聚偏氟乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PFA(perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer：四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)等的树脂材料来形成。
由于内筒403的下端部分406包括向下方扩展的第一喇叭状部407，所以第二流路413的下游端部分由喇叭状的第一凹弯曲壁424和喇叭状的第二凸弯曲壁416划分出来。因此，在第二液体在第二流路413内向后述的第二下喷出口437流动的过程中，形成水平方向的液流。此外，由于第一凹弯曲壁424以及第二凸弯曲壁416呈喇叭状，所以从第二流路413至第二下喷出口437的第二液体的液流不会发生紊流，由此，能够向第二下喷出口437顺利地引导第二液体。
在外筒405的下端部分，通过外筒405的下端缘421(顶端缘)和中筒404的筒状部410的下端部分423，划分形成环状的上喷出口(第二喷出口)424。上喷出口438是横向的喷出口，将在第三流路422内流通的第三液体向水平方向呈放射状喷出。
由于中筒404的筒状部410的下端部分423包括向基板W的上表面扩展的第二喇叭状部415，所以第三流路422的下游端部分由喇叭状的第二凹弯曲壁426构成。因此，在第三液体在第三流路422内向上喷出口438流动的过程中，形成水平方向的液流。此外，由于第二凹弯曲壁426呈喇叭状，所以在从第三流路422至上喷出口438的第三液体的液流不会产生紊流，由此，能够向上喷出口438顺利地引导第三液体。
处理流体供给单元5包括用于向喷嘴402的第一流路409供给第一液体的第三液体供给单元(第一流体供给单元)427、用于向喷嘴402的第二流路413供给与第一液体不同的第二液体的第四液体供给单元(第一流体供给单元)428、用于向喷嘴402的第三流路422供给与第一液体以及第二液体分别不同的第三液体的第五液体供给单元(第二流体供给单元)429。第三液体供给单元427包括向第一流路409供给第一液体的第三液体配管430、对第三液体配管430进行开闭的第三液体阀431。第四液体供给单元428包括向第二流路413供给第二液体的第四液体配管432和对第四液体配管432进行开闭的第四液体阀433。第五液体供给单元429包括向第三流路422供给第三液体的第五液体配管434和对第五液体配管434进行开闭的第五液体阀435。
通过打开第三液体阀431，向第一流路409供给第一液体。通过打开第四液体阀433，向第二流路413供给第二液体。通过打开第五液体阀435，向第三流路422供给第三液体。
在通过基板处理装置401对基板W进行处理时，通过喷嘴臂17的摆动以及升降，喷嘴402配置在喷嘴402的下端缘与基板W的上表面隔开间隔(与图2的间隔W2相同程度的间隔)相向的下位置。此时，内筒403的下端缘(第一喇叭状部407的周缘部408)和中筒404的下端缘(第二喇叭状部415的周缘部417)在铅垂方向的高度一致。在该状态下，分别打开第三液体阀431、第四液体阀433以及第五液体阀435。由此，向第一流路409供给第一液体，向第二流路413供给第二液体且向第三流路422供给第三液体。当在该状态下喷嘴402向比下位置更靠下方的接近位置下降时，在第一喇叭状部407的周缘部408和基板W的上表面之间，划分形成环状的第一下喷出口(第一喷出口)436，并且，在第二喇叭状部415的周缘部417和基板W的上表面之间，划分形成环状的第二下喷出口(第一喷出口)437。
第一下喷出口436将在第一流路409内流动的第一液体向水平方向呈放射状喷出。第二下喷出口437在比第一下喷出口436更从铅垂轴线A4离开的位置，将在第二流路413内流动的第一液体向水平方向呈放射状喷出。
通过使第二液体在第二流路413内向第二下喷出口437流通，该第二液对第一喇叭状部407向下按压。另外，通过使第三液体在第三流路422内向上喷出口438流通，该第三液体对第二喇叭状部415向下按压。即，通过在第二流路413内流通的第二液体以及在第三流路422内流通的第三液体向喷嘴402作用向下的力。
并且，喷嘴402的铅垂方向的高度位置保持在向下的力(由喷嘴402和支架24等的自重产生的向下的力、由气缸26产生的向下的力、由在第二流路413内流通的第二液体以及在第三流路422内流通的第三液体进行按压的力的合力)和向上的力(由螺旋弹簧27的拉力产生的向上的力、因从第一下喷出口436喷出第一液体产生的向上的力、以及因从第二下喷出口437喷出第二液体产生的向上的力的合力)平衡的位置。在该情况下，以喷嘴4的下端缘和基板W的上表面之间的间隔为极微小的间隔的方式，分别设定来自第一下喷出口436的第一液体的喷出流量、以及来自第二下喷出口437的第二液体的喷出流量、和向气缸26供给的压缩空气的流量。因此，第一下喷出口436的开口宽度W4、以及在第二下喷出口437的开口宽度W5分别设置为极微小的宽度。
第一下喷出口436的开口宽度W4设置为极微小的宽度。由于内筒403的下端部分406包括以越接近下方则越远离铅垂轴线A4的方式扩径的扩径内壁，所以在从第一流路409向第一下喷出口436流动的过程中，形成横向的液流。此外，由于所述的扩径内壁包括呈喇叭状扩展的第一凸弯曲壁412，所以从第一流路409至第一下喷出口436的第一液体的液流不会产生紊流，因此，能够向第一下喷出口436顺利地引导第一液体。通过以上，从环状的第一下喷出口436沿水平方向喷出的第一液体的流速极快。
另外，从第一下喷出口436喷出的第一液体被在第二流路413内流通的第二液体从上方侧覆盖。因此，能够使第一液体以及第二液体在刚着落在基板W的上表面之前混合。第一液体以及第二液体的混合液向第二下喷出口437沿水平方向以高速流动。从第二下喷出口437喷出第一液体以及第二液体的混合液。另外，在第一液体和第二液体的混合液通过作为窄空间的第二下喷出口437的过程中，第一液体和第二液体得以混合。由此，能够使第一液体和第二液体均匀地混合在一起。
第二下喷出口437的开口宽度W5设置为极微小的宽度。由于第二流路413的下游端部分由喇叭状的第一凹弯曲壁424和喇叭状的第二凸弯曲壁416划分出来，所以第二液体在第二流路413内向后述的第二下喷出口437流动的过程中，形成水平方向的液流。此外，由于第一凹弯曲壁424以及第二凸弯曲壁416呈喇叭状，所以从第二流路413至第二下喷出口437的第二液体的液流不会发生紊流，因此，能够向第二下喷出口437顺利地引导第二液体。通过上述，从环状的第二下喷出口437向水平方向喷出的第一液体以及第二液体的混合液的流速极快。因此，能够更良好地除去在基板W的上表面附着的颗粒等的异物。
另外，从在第二下喷出口437的上方相邻配置的环状的上喷出口438呈放射状喷出第三液体。从上喷出口438喷出的第一液体从上方侧覆盖从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液。因此，在从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液的上方侧形成从上喷出口438喷出的第三液体的液流，因此，能够阻止从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液向上方流动。由此，能够使从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液沿水平方向流通。
另外，第二下喷出口437的开口宽度W5为极微小的情况下，从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液以强的喷出压喷射，向周围飞散，有可能成为产生颗粒的原因。但是，由于从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液被从上喷出口438喷出的第三液体覆盖，所以能够防止从第二下喷出口437喷出的第一液体和第二液体的混合液的飞散。
作为这样的第一液体、第二液体和第三液体的组合([第一液体；第二液体；第三液体])，能够例示出[H2O2；NH4OH+H2O；SC1]的组合、[H2O2；HCL+H2O；SC2]的组合等。在该情况下，通过使第一液体以及第二液体在刚要着落在基板W的上表面之前混合，能够将刚生成后的新鲜的混合液向基板W的上表面供给。另外，作为第三液体，能够使用已经混合完的处理液(SC1、SC2等)。在该情况下，第三液体发挥防止液体飞散的效果以及保温效果。
以上，对本发明的4个实施方式进行了说明，但是本发明也能以其他实施方式实施。
例如，在前述的各实施方式中，说明了如下情况，即，作为负载赋予单元，设置有赋予向下的负载的气缸(第一负载赋予单元)26以及保持向上的负载的螺旋弹簧(第二负载赋予单元)27，但是也可以废除螺旋弹簧(第二负载赋予单元)。
另外，以设置有气缸(第一负载赋予单元)26并通过阀31、32调整向下的负载为例进行了说明，但是作为第一负载赋予单元，也可以采用不能进行负载调整的结构。在该情况下，喷嘴4的高度位置的调整可以通过喷嘴臂17的升降来进行。
另外，作为第二～第四实施方式的内筒，也可以采用第一实施方式的第一～第五变形例的内筒111、121、131、141、151。
另外，在第一～第四实施方式中，说明了喷嘴4、202、302、402是扫描喷嘴，但是也可以是喷出位置固定的固定喷嘴。
另外，说明了喷嘴4、202、302、402由内筒35、111、121、131、141、151、403和外筒36、405(以及中筒404)构成，但是，也可以废除外筒36、405和中筒404的结构。即，也可以是喷嘴4、202、302、402仅具有内筒35、111、121、131、141、151、403的结构。
另外，在第一～第四实施方式中，以如下结构为例进行了说明，即，喷嘴4、202、302、402以能够在上下方向上进行相对位移的状态保持在喷嘴臂17上，但是，喷嘴4、202、302、402也可以以不经由喷嘴保持单元16安装的状态、即不允许在上下方向上位移的状态保持在喷嘴臂17上。在该情况下，通过臂升降单元20对喷嘴臂17进行升降或驱动用于使喷嘴4、202、302、402相对于喷嘴臂17升降的喷嘴升降单元，来将喷嘴4、202、302、402的下端缘和由旋转卡盘3保持的基板W的上表面之间的间隔设定为微小间隔。
另外，在第一～第四实施方式中，对基板处理装置1、201、301、401是对圆板状的基板W进行处理的装置的情况进行了说明，基板处理装置1、201、301、401也可以是对液晶显示装置用玻璃基板等的多边形的基板进行处理的装置。
对本发明的实施方式进行了详细说明，但这些只不过是用于使本发明的技术的内容更加清楚的具体例，本发明并不应该限定于这些具体例来解释，本发明的精神以及范围仅由权利要求书限定。
本申请对应于2015年2月16日向日本国特许厅提出的特愿2015-27959号以及特愿2015-27960号，该申请的全部内容通过引用而编入于此。

Claims (23)

1.一种基板处理装置，用于使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，其特征在于，包括：
基板保持单元，用于保持基板；
喷嘴，具有第一筒体，在第一筒体的内部形成有用于第一流体流通的第一流路，在所述第一筒体的顶端缘与所述基板的主面之间划分形成用于将在所述第一流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口；
支撑构件，用于支撑所述喷嘴；
喷嘴保持单元，将所述喷嘴以能够沿着所述基板的所述主面的法线方向进行相对位移的状态保持在所述支撑构件上；
第一流体供给单元，向所述喷嘴的所述第一流路供给第一流体，通过从所述第一喷出口喷出第一流体，使离开所述基板的所述主面的方向的力作用于所述喷嘴。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷嘴保持单元包括：
负载赋予单元，对所述喷嘴赋予沿着所述法线方向的方向的负载；
负载调整单元，对从所述负载赋予单元向所述喷嘴赋予的负载的大小进行调整。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述负载赋予单元包括：
第一负载赋予单元，对所述喷嘴赋予接近所述基板的主面的方向的负载，
第二负载赋予单元，对所述喷嘴赋予离开所述基板的主面的方向的负载；
所述负载调整单元对由所述第一负载赋予单元对所述喷嘴赋予的接近所述基板的主面的方向的所述负载进行调整。
4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一筒体的顶端部分包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述主面的法线的方式扩径的扩径内壁。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一筒体的所述顶端缘包括沿所述基板的所述主面延伸的平面部。
6.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体。
7.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置是用于使用包括所述第一流体以及第二流体的处理液对基板实施处理的基板处理装置，
所述喷嘴还具有第二筒体，该第二筒体包围所述第一筒体，在该第二筒体与所述第一筒体之间划分形成用于流体流通的第二流路，
在所述第二筒体上，在比所述第一喷出口更远离所述基板的所述主面的方向侧，开有将在所述第二流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第二喷出口，
所述基板处理装置还包括向所述喷嘴的所述第二流路供给所述第二流体的第二流体供给单元。
8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二喷出口划分形成在所述第二筒体的顶端缘和所述第一筒体的所述顶端部分之间。
9.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一流体相同的液体。
10.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是第一液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一液体不同的第二液体。
11.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是气体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是液体。
12.一种基板处理装置，用于使用包括第一流体的处理流体对基板实施处理，其特征在于，包括：
基板保持单元，用于保持基板，
喷嘴，具有第一筒体，在该第一筒体的内部形成用于第一流体流通的第一流路，在所述第一筒体的顶端缘与所述基板的主面之间划分形成用于将在所述第一流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第一喷出口，
喷嘴保持单元，将所述喷嘴以所述第一筒体的所述顶端缘与所述基板的所述主面隔开间隔相向的状态进行保持，
流体供给单元，向所述喷嘴的所述第一流路供给第一流体；
所述第一筒体的顶端部分包括以越接近所述基板的所述主面则越远离所述主面的法线的方式扩径的扩径内壁。
13.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述扩径内壁包括向所述基板的所述主面呈喇叭状扩展的凸弯曲壁。
14.如权利要求13所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一筒体的顶端部分包括向所述基板的所述主面扩展的喇叭状部。
15.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述扩径内壁包括向所述基板的所述主面扩展的锥形壁。
16.如权利要求15所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一筒体的顶端部分具有向所述基板的所述主面扩展的锥形部。
17.如权利要求12～16中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第一筒体的所述顶端缘包括沿着所述基板的所述主面延伸的平面部。
18.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体。
19.如权利要求12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置是用于使用包括所述第一流体以及第二流体的处理流体对基板实施处理的基板处理装置，
所述喷嘴还具有第二筒体，该第二筒体包围所述第一筒体，在该第二筒体与所述第一筒体之间划分形成用于流体流通的第二流路，
在所述第二筒体上，在比所述第一喷出口更远离所述基板的所述主面的方向侧，开有将在所述第二流路内流动的流体沿着所述基板的所述主面呈放射状喷出的环状的第二喷出口，
所述基板处理装置还包括向所述喷嘴的所述第二流路供给第二流体的第二流体供给单元。
20.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二喷出口划分形成在所述第二筒体的顶端缘和所述第一筒体的所述顶端部分之间。
21.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一流体相同的液体。
22.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是第一液体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是种类与所述第一液体不同的第二液体。
23.如权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一流路内流通的所述第一流体是气体，
在所述第二流路内流通的所述第二流体是液体。
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