CN105885872A - 液晶材料、液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种液晶材料、液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法。本发明的液晶材料包括液晶分子与混合于液晶分子之中的光敏性垂直取向材料,所述光敏性垂直取向材料包括头基A、中间基团Sp、光敏基团B、及尾基R,其中,头基A锚固于基板上,使得整个分子垂直于基板排列,光敏基团B在受到来自倾斜方向的紫外光照射时会发生光反应,导致整个分子的排列方向发生改变,根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于基板上,使得基板表面的液晶分子产生预倾角;本发明通过在液晶分子中掺杂光敏性垂直取向材料,起到液晶配向的作用,省去了配向膜,可降低生产成本。

Description

液晶材料、液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种液晶材料、液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法。
背景技术
随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。
通常液晶显示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT,Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。
在TN(Twisted nematic,扭曲向列)型或STN(Super twisted nematic,超扭曲向列)型液晶显示面板的CF基板和TFT基板上,分别有一层薄膜材料,其主要作用是使液晶分子按一定方向排列,我们称之为配向膜,通常所述配向膜的材料为聚酰亚胺(PI)材料,包括摩擦配向型PI材料或光配向型PI材料,但是,无论那种配向材料都会有各自的缺点。首先摩擦配向型PI材料容易造成粉尘颗粒、静电残留、刷痕等问题,从而降低工艺良率,而光配向型PI材料虽然可以避免这些问题,但由于材料特性受限,耐热性和耐老化性不佳,同时锚定LC分子的能力也较弱,从而影响面板的品质;其次,PI材料本身就具有高极性和高吸水性,存储和运送容易造成变质而导致配向不均,并且PI材料价格昂贵,在TFT-LCD上成膜的工艺也较为复杂,导致面板成本提高。
目前,常用的VA(Vertical Alignment,垂直配向)型显示面板为PSVA(Polymer stabilized vertical alignment,聚合物稳定垂直对齐)显示模式,该种模式的液晶显示面板需要在液晶材料中添加一种或几种可聚合的单体,并在紫外光照射下使其发生聚合反应,形成具有引导液晶导向的凸起物,沉积在基板表面,以利于液晶产生特定的预倾角(Pre-angle),使得液晶驱动时进行定向排列。但是,该技术存在的问题是,这种可聚合单体光聚合的均匀性、残留量等问题都会影响面板的品质;并且,在PSVA型液晶显示面板中,还需要在TFT侧的ITO进行曝光、显影、蚀刻等工艺,以产生具有鱼骨状的图案,工艺复杂;另外,PSVA型液晶显示面板中的可聚合单体需要经过两次紫外(UV)光照制程才能完成聚合,生产成本较高。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶材料,液晶分子中掺杂有光敏性垂直取向材料,能够起到液晶配向的作用,降低液晶显示面板的生产成本。
本发明的目的还在于提供一种液晶显示面板,不需要采用配向膜,结构简单,生产成本低。
本发明的目的又在于提供一种液晶显示面板的制作方法,省去了配向膜制程,制程简单,可降低生产成本,提升产能,且液晶分子的配向效果良好。
为实现上述目的,本发明首先提供一种液晶材料,包括液晶分子、及混合于液晶分子之中的光敏性垂直取向材料,所述光敏性垂直取向材料的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团。
所述基团A为-OH或-NH。
所述光敏性垂直取向材料在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料为以下化合物中的一种或多种:
本发明还提供一种液晶显示面板,包括相对设置的上基板与下基板、及设于所述上基板与下基板之间的液晶层;
所述液晶层的材料为上述的液晶材料。
本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法,包括如下步骤:
步骤1、提供一上基板、一下基板、及液晶材料;
所述液晶材料包括液晶分子、及混合于液晶分子之中的光敏性垂直取向材料,所述光敏性垂直取向材料的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团;
在所述上基板或者下基板上滴注液晶材料,在所述下基板或者上基板的周边位置涂布密封胶,之后将所述上基板与下基板组立贴合,并对所述密封胶进行固化,得到位于所述上基板与下基板之间的液晶层;
此时,所述光敏性垂直取向材料依靠自身的基团A吸附在上基板和下基板表面,并垂直于上基板和下基板表面排列,从而引导液晶分子垂直于上基板和下基板排列;
步骤2、从所述上基板或下基板一侧对所述液晶材料进行紫外光照射,且所述紫外光的照射方向与所述上基板和下基板之间呈一定的倾角,受到来自倾斜方向的紫外光照射后,所述光敏性垂直取向材料中的基团B发生光反应,使光敏性垂直取向材料的排列方向发生改变,根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于上基板和下基板上,从而使得靠近上基板和下基板表面的液晶分子产生预倾角,完成液晶显示面板的制作。
所述基团A为-OH或-NH。
所述光敏性垂直取向材料在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料为以下化合物中的一种或多种:
所述上基板为TFT基板,所述下基板为CF基板;所述步骤2中,从所述上基板一侧对所述液晶材料进行紫外光照射。
所述步骤2中,所述紫外光的波长为320~400nm,照度为1~100mW/cm2,照射时间为5~30min。
本发明的有益效果:本发明提供的一种液晶材料,在液晶分子中掺杂光敏性垂直取向材料,能够起到液晶配向的作用。本发明提供的一种液晶显示面板,采用上述的液晶材料,与TN型或STN型液晶显示面板相比,省去了配向膜,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板相比,省去了PSVA液晶中的可聚合单体,同时节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,降低生产成本。本发明提供的一种液晶显示面板的制作方法,制程简单,与TN型或STN型液晶显示面板的制程相比,省去了配向膜的制程,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板的制程相比,节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,可降低生产成本,且制得的液晶显示面板的液晶配向效果好。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,然而附图仅提供参考与说明用,并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图,通过对本发明的具体实施方式详细描述,将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中,
图1A为本发明的液晶材料中的光敏性垂直取向材料的一类化合物的结构示意图;
图1B为图1A的光敏性垂直取向材料在紫外光照射前垂直于基板排列的示意图;
图1C为图1A的光敏性垂直取向材料在紫外光照射后以一定的倾角排列于基板上的示意图;
图2A为本发明的液晶材料中的光敏性垂直取向材料的另一类化合物的结构示意图;
图2B为图2A的光敏性垂直取向材料在紫外光照射前垂直于基板排列的示意图;
图2C为图2A的光敏性垂直取向材料在紫外光照射后以一定的倾角排列于基板上的示意图;
图3为本发明的液晶显示面板的结构示意图;
图4为本发明的液晶显示面板的制作方法的示意流程图;
图5为本发明的液晶显示面板的制作方法的步骤1的示意图;
图6为本发明的液晶显示面板的制作方法的步骤2的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果,以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图3,本发明首先提供一种液晶材料,包括液晶分子31与混合于液晶分子31之中的光敏性垂直取向材料33,所述光敏性垂直取向材料33的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团,优选为-OH或-NH;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基(-CH2-)的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团。如图1A和图2A所示,本发明的光敏性垂直取向材料33包括偶氮类光异构小分子和可发生光聚合小分子两大类。
如图1A所示,为一种偶氮类光异构小分子,将该偶氮类光异构小分子混合于液晶之后,在UV光照射之前,所述偶氮类光异构小分子的结构为反式,可以依靠自身的头基A吸附在基板100表面,并垂直于基板100表面(如图1B所示),可引导液晶分子垂直排列,若在倾斜方向上以紫外(UV)光进行照射,会使得偶氮类光异构小分子的光敏基团发生光反应,如图1C所示,所述偶氮类光异构小分子的结构由反式变为顺式,排列方向发生改变,根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于基板100上,从而使得靠近基板100表面的液晶分子产生预倾角。
如图2A所示,为一种可发生光聚合小分子,将该可发生光聚合小分子混合于液晶之后,在UV光照射之前,所述可发生光聚合小分子依靠自身的头基A吸附在基板100表面,并垂直于基板100表面(如图2B所示),可引导液晶分子垂直排列,若在倾斜方向上以紫外(UV)光进行照射,会使得可发生光聚合小分子的光敏基团发生光反应,相邻的可发生光聚合小分子之间发生2+2环加成反应,使得可发生光聚合小分子的排列方向发生改变,转为根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于基板100上(如图2C所示),从而使得靠近基板100表面的液晶分子产生预倾角。
优选的,所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料33可以为以下化合物中的一种或多种:
具体的,所述光敏性垂直取向材料33在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
基于上述液晶材料,请参阅图3,本发明提供一种液晶显示面板,包括相对设置的上基板10与下基板20、及设于所述上基板10与下基板20之间的液晶层30;所述液晶层30的材料为上述的液晶材料,包括液晶分子31与混合于液晶分子31之中的光敏性垂直取向材料33,所述光敏性垂直取向材料33的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团,优选为-OH或-NH;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基(-CH2-)的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团。
具体的,所述光敏性垂直取向材料33中,A相当于头基,可以锚固于上、下基板10、20上,使得整个分子垂直于上、下基板10、20排列,起到垂直配向的作用;Sp为中间基团;B为光敏基团,在受到来自倾斜方向的UV光照射时,光敏基团会发生光反应,使得所述光敏性垂直取向材料33的自身结构发生变化或者分子之间发生反应,使得所述光敏性垂直取向材料33的整个分子的排列方向发生改变,根据UV光照射的方向以一定的倾角排列于上、下基板10、20上,使得上、下基板10、20表面的液晶分子31产生预倾角;R为尾基,起到类似于PI支链的作用以立体障碍的方式引导液晶分子31排列。
优选的,所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料33可以为以下化合物中的一种或多种:
具体的,所述光敏性垂直取向材料33在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
具体的,所述液晶显示面板还包括设于所述上基板10与下基板20之间的密封胶40。优选的,所述液晶显示面板还包括位于所述密封胶40的外围的导电胶(未图示)。
具体的,所述上基板10为TFT基板,所述下基板20为CF基板,所述上基板10上靠近液晶层30的一侧设有像素电极11,所述下基板20上靠近液晶层30的一侧设有公共电极21。
具体的,所述像素电极11与公共电极21的材料可以为金属氧化物、金属、或者导电的非金属材料。优选的,所述金属氧化物可以为氧化铟锡(In2O3:Sn,ITO)、氧化铟锌(ZnO:In,IZO)、氧化镓锌(ZnO:Ga,GZO)、或者氧化铝锌(ZnO:Al,AZO);所述金属可以为银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、铝(Al)、或铬(Cr);所述导电的非金属材料可以为石墨烯。
上述液晶显示面板,通过在液晶分子中掺杂光敏性垂直取向材料,起到液晶配向的作用,与TN型或STN型液晶显示面板相比,省去了配向膜,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板相比,省去PSVA液晶中的可聚合单体,同时节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,降低生产成本。
请参阅图4-6,同时参阅图3,本发明还提供一种液晶显示面板的制作方法,包括以下步骤:
步骤1、如图5所示,提供一上基板10、一下基板20、及液晶材料;
所述液晶材料包括液晶分子31与混合于液晶分子31之中的光敏性垂直取向材料33,所述光敏性垂直取向材料33的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团,优选为-OH或-NH;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团;
在所述上基板10或者下基板20上滴注液晶材料,在所述下基板20或者上基板10的周边位置涂布密封胶40,之后将所述上基板10与下基板20组立贴合,并对所述密封胶40进行固化,得到位于上基板10与下基板20之间的液晶层30;
此时,所述光敏性垂直取向材料33依靠自身的基团A吸附在上基板10和下基板20表面,并垂直于上基板10和下基板20表面(如图6所示)排列,从而引导液晶分子31垂直于上基板10和下基板20排列。
具体的,所述光敏性垂直取向材料33在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
优选的,所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料33可以为以下化合物中的一种或多种:
具体的,所述步骤1中,采用加热或紫外(UV)光照射的方法对所述密封胶40进行固化。
优选的,所述步骤1中,在所述下基板20或者上基板10的周边位置涂布密封胶40后,还在所述密封胶40的外围涂布导电胶(未图示)。
优选的,所述步骤1中,在真空环境下将所述上基板10与下基板20组立贴合。
具体的,所述上基板10为TFT基板,所述下基板20为CF基板,所述上基板10上靠近液晶层30的一侧设有像素电极11,所述下基板20上靠近液晶层30的一侧设有公共电极21。
具体的,所述像素电极11与公共电极21的材料可以为金属氧化物、金属、或者导电的非金属材料。优选的,所述金属氧化物可以为氧化铟锡(In2O3:Sn,ITO)、氧化铟锌(ZnO:In,IZO)、氧化镓锌(ZnO:Ga,GZO)、或者氧化铝锌(ZnO:Al,AZO);所述金属可以为银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、铝(Al)、或铬(Cr);所述导电的非金属材料可以为石墨烯。
步骤2、如图6所示,从所述上基板10或下基板20一侧对所述液晶材料进行紫外光照射,且紫外光的照射方向与所述上基板10和下基板20之间呈一定的倾角,受到来自倾斜方向的紫外光照射后,所述光敏性垂直取向材料33中的基团B发生光反应,使光敏性垂直取向材料33的排列方向发生改变,根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于上基板10和下基板20上,从而使得靠近上基板10和下基板20表面的液晶分子31产生预倾角(如图3所示),完成液晶显示面板的制作。
优选的,所述步骤2中,从所述上基板10(即TFT基板)一侧对所述液晶材料进行紫外光照射。这是因为TFT基板相较于CF基板具有更高的透光率,可提高紫外光的透过率,提升紫外光照射的效果。
具体的,所述步骤2中,所述紫外光的波长为320~400nm,照度为1~100mW/cm2,照射时间为5~30min。
上述液晶显示面板的制作方法,制程简单,通过在液晶分子中掺杂光敏性垂直取向材料,与TN型或STN型液晶显示面板的制程相比,省去了配向膜的制程,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板的制程相比,节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,可降低生产成本,且制得的液晶显示面板的配向效果好。
以下以具体实施例Ⅰ与具体实施例Ⅱ来展示两种具体结构的光敏性垂直取向材料33的制备方法:
具体实施例Ⅰ:
化合物的制备方法:
步骤1、将对胺基苯甲酸(I)、苯酚(II)、盐酸(HCl)、亚硝酸钠(NaNO2)按照对胺基苯甲酸(I):苯酚(II):HCl:NaNO2=1:1~2:1~5:1.01~1.10的摩尔比混合,在0~5℃的温度条件下反应3~5小时,得到化合物(III);
所述步骤1的反应式如下:
步骤2、将苯酸(IV)、亚硫酰氯(SOCl2)按照苯酸(IV):SOCl2=1:2~3的摩尔比混合,溶解于甲苯中,在100~200℃的温度条件下反应15~25小时,得到化合物(V);
所述步骤2的反应式如下:
步骤3、将1mmol化合物(III)溶解于8mLCH2Cl2中,冰浴条件下加入5mmol三乙胺,得到化合物(III)的CH2Cl2溶液;将1~1.5mmol化合物(V)溶解在4mLCH2Cl2中,得到化合物(V)的CH2Cl2溶液;将化合物(III)的CH2Cl2溶液与化合物(V)的CH2Cl2溶液混合后,室温下搅拌15~25小时,得到的产物用NaOH溶液和水洗涤分液后,再用无水Na2SO4干燥,再重结晶后得到化合物(VI);
所述步骤3的反应式如下:
化合物(VI)的H1-NMR数据如下:δ:0.96(3H,CH3),1.33(2H,CH2),1.29(2H,CH2),1.62(2H,CH2),2.55(2H,CH2),7.18(2H,benz),7.43(2H,benz),7.68(2H,benz),7.99(2H,benz),8.14(2H,benz),8.33(2H,benz),11.0(1H,OH);
具体实施例Ⅱ:
化合物的制备方法:
步骤1、将肉桂酸(Ⅶ)、对溴苯酚(Ⅷ)、4-二甲氨基吡啶(DMAP)按照肉桂酸(Ⅶ):对溴苯酚(Ⅷ):4-二甲氨基吡啶(DMAP)=1:1.1~1.2:0.05的摩尔比溶解在30倍(与肉桂酸(Ⅶ)比较,单位比为mmol:mL)的CH2Cl2中,冰浴搅拌10min,再加入与肉桂酸(Ⅶ)的摩尔量相同的二环己基碳二亚胺(DCC),冰浴搅拌10min后撤除冰浴,室温反应3~5h,分离提纯后,得化合物(Ⅸ)。
所述步骤1的反应式如下:
步骤2、将化合物(Ⅹ)、化合物(Ⅸ)按照化合物(Ⅸ):化合物(Ⅹ)=1:1.0~1.3的摩尔比溶解在10倍(与化合物(Ⅹ)比较,单位为mmol:mL)的甲苯中,然后加入5倍(与化合物(Ⅹ)比较,单位比为mmol:mL)的乙醇和2倍(与化合物(Ⅹ)比较,单位比为mmol:mL)的1mol/L的Na2CO3溶液,通氩气15~30min,再加入少量的四(三苯基膦)钯,反应温度为100~300℃,反应时间为1~2h;再进行分离提纯后,得到化合物(Ⅺ)。
所述步骤2的反应式如下:
化合物(Ⅺ)的H1-NMR数据如下:δ:0.96(3H,CH3),1.33(2H,CH2),1.29(2H,CH2),1.62(2H,CH2),2.55(2H,CH2),7.16(1H,benz),7.14(1H,benz),7.20(1H,benz),7.45(2H,benz),7.13(4H,benz),6.68(2H,benz),6.39(1H,CH),7.64(1H,CH),5.0(1H,OH);
综上所述,本发明提供一种液晶材料、液晶显示面板及液晶显示面板的制作方法。本发明的液晶材料,在液晶分子中掺杂有光敏性垂直取向材料,能够起到液晶配向的作用。本发明的液晶显示面板,采用上述的液晶材料,与TN型或STN型液晶显示面板相比,省去了配向膜,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板相比,省去了PSVA液晶中的可聚合单体,同时节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,降低生产成本。本发明的液晶显示面板的制作方法,制程简单,与TN型或STN型液晶显示面板的制程相比,省去了配向膜的制程,降低了生产成本,与PSVA型液晶显示面板的制程相比,节省了一道UV光照制程,并简化了像素电极的蚀刻工艺,可降低生产成本,且制得的液晶显示面板的液晶配向效果好。
以上所述,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形,而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种液晶材料,其特征在于,包括液晶分子(31)、及混合于液晶分子(31)之中的光敏性垂直取向材料(33),所述光敏性垂直取向材料(33)的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团。
2.如权利要求1所述的液晶材料,其特征在于,所述基团A为-OH或-NH。
3.如权利要求1所述的液晶材料,其特征在于,所述光敏性垂直取向材料(33)在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
4.如权利要求1所述的液晶材料,其特征在于,其中的光敏性垂直取向材料(33)为以下化合物中的一种或多种:
5.一种液晶显示面板,其特征在于,包括相对设置的上基板(10)与下基板(20)、及设于所述上基板(10)与下基板(20)之间的液晶层(30);
所述液晶层(30)的材料为如权利要求1所述的液晶材料。
6.一种液晶显示面板的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一上基板(10)、一下基板(20)、及液晶材料;
所述液晶材料包括液晶分子(31)、及混合于液晶分子(31)之中的光敏性垂直取向材料(33),所述光敏性垂直取向材料(33)的结构通式为A-Sp-B-Sp-R,其中,
A指的是含有N、S、O、和Si原子中的一个或多个的极性基团;
Sp指的是-CH=CH-、-C≡C-、苯基、环烷基、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-CH2S-、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-(CH2)n-、所述-(CH2)n-基团中某个C原子被苯基、环己基、或者一种或多种环烷基与亚烷基的组合取代后的基团、或者所述-(CH2)n-基团中某个H原子被F原子取代后的基团;所述-(CH2)n-基团中,n=1、2、3或4;
B指的是一个或多个光敏性基团,所述光敏性基团的结构式为
R指的是具有5~20个C原子的直链或支链化的烷基、该烷基中某个CH2基团被苯基、环烷基、-CONH-、-COO-、-O-CO-、-S-、-CO-、或-CH=CH-基团取代后得到的第一基团、该烷基中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第二基团、或者所述第一基团中某个H原子被F或Cl原子取代后得到的第三基团;
在所述上基板(10)或者下基板(20)上滴注液晶材料,在所述下基板(20)或者上基板(10)的周边位置涂布密封胶(40),之后将所述上基板(10)与下基板(20)组立贴合,并对所述密封胶(40)进行固化,得到位于所述上基板(10)与下基板(20)之间的液晶层(30);
此时,所述光敏性垂直取向材料(33)依靠自身的基团A吸附在上基板(10)和下基板(20)表面,并垂直于上基板(10)和下基板(20)表面排列,从而引导液晶分子(31)垂直于上基板(10)和下基板(20)排列;
步骤2、从所述上基板(10)或下基板(20)一侧对所述液晶材料进行紫外光照射,且所述紫外光的照射方向与所述上基板(10)和下基板(20)之间呈一定的倾角,受到来自倾斜方向的紫外光照射后,所述光敏性垂直取向材料(33)中的基团B发生光反应,使光敏性垂直取向材料(33)的排列方向发生改变,根据紫外光的照射方向以一定的倾角排列于上基板(10)和下基板(20)上,从而使得靠近上基板(10)和下基板(20)表面的液晶分子(31)产生预倾角,完成液晶显示面板的制作。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法,其特征在于,所述基团A为-OH或-NH;
所述光敏性垂直取向材料(33)在所述液晶材料中的质量百分比为1wt%~5wt%。
8.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法,其特征在于,所述液晶材料中的光敏性垂直取向材料(33)为以下化合物中的一种或多种:
9.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法,其特征在于,所述上基板(10)为TFT基板,所述下基板(20)为CF基板;所述步骤2中,从所述上基板(10)一侧对所述液晶材料进行紫外光照射。
10.如权利要求6所述的液晶显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤2中,所述紫外光的波长为320~400nm,照度为1~100mW/cm2,照射时间为5~30min。
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