CN105871343B - 具有可调谐的阻抗匹配网络的电感耦合的变压器 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种封装的射频功率晶体管，包括射频输入引线、直流栅极偏置引线、包括栅极端子、源极和漏极端子的射频功率晶体管和输入匹配网络。输入匹配网络包括电连接到射频输入引线的初级电感器、电连接到栅极端子和直流栅极偏置引线的次级电感器、电连接到射频输入引线并与栅极端子物理断开连接的调谐电容器。输入匹配网络配置为阻断射频输入引线和栅极端子之间的直流电压，并在从射频输入引线到栅极端子的限定频率范围内传播交流电压。调谐电容器配置为基于施加到射频输入引线的直流电压变化调节输入匹配网络的电容。
Description
技术领域
本即时申请涉及射频功率晶体管，更具体地涉及射频功率晶体管的输入匹配。
背景技术
高功率射频晶体管如LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)晶体管具有显著低于50欧姆(高品质因数阻抗)的输入和输出阻抗，然而功能射频电路必须被匹配至50欧姆。为了促进阻抗匹配50欧姆，射频晶体管通常设计有在晶体管的输入端和输出端上的匹配电路，其集成到封装的晶体管。匹配网络有助于减少封装的晶体管的品质因数，以使其更易于匹配50欧姆。通常，只能在很小的频率范围内实现阻抗改善。此外，匹配网络有助于形成晶体管和放大器的频率响应，从而在所需工作频率具有高增益，并且在该频率之外抑制增益。
用于封装高功率射频晶体管的已知技术包括提供低通L-C-L网络，以匹配射频晶体管的输入。该低通L-C-L网络使晶体管的输入阻抗与特定频率范围内的低品质因数相匹配。该低通L-C-L网络包括分立元件和电连接件。通常，设计低通L-C-L网络时会假设适合特定频率范围的额定电抗值。该额定电抗值假设分立元件和电连接件的额定组件值(即电容、电感和电阻)。但是，由于各种因素如制程变差，实际组件值和额定组件值之间可能存在偏差。实际上，组件值的微小变化如电容增加+/-5％可能对输入阻抗网络的性能产生实质影响。在许多应用中，该偏差可能产生重要影响，甚至导致部件不在规格范围内而必须丢弃。而且，该偏差会导致器件的效率和功率输出下降。解决此问题的一种已知技术是在制造过程中测试器件并随后执行纠正措施以补偿与额定值之间的偏差。然而，这些技术会带来附加成本和复杂性，而且也不能够补偿与额定值之间的所有可能影响。
发明内容
根据一个实施例，公开了一种封装的射频功率晶体管。所述封装的射频功率晶体管包括射频输入引线、直流栅极偏置引线、带有栅极端子、源极端子和漏极端子的射频功率晶体管以及输入匹配网络。所述输入匹配网络包括电连接到射频输入引线的初级电感器、电连接到所述栅极端子和所述直流栅极偏置引线的次级电感器、电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器。所述输入匹配网络配置为阻断所述射频输入引线和所述栅极端子之间的直流电压，并在从所述射频输入引线到所述栅极端子的限定频率范围内传播交流电压。所述调谐电容器配置为基于施加到所述射频输入引线的直流电压的变化，调节所述输入匹配网络的电容。
根据另一个实施例，公开了一种封装射频功率晶体管。所述封装的射频功率晶体管具有射频输入引线、直流栅极偏置引线、带有栅极端子、源极端子和漏极端子的射频功率晶体管以及输入匹配网络。所述输入匹配网络包括电连接到射频输入引线的初级电感器、电连接到所述栅极端子和所述直流栅极偏置引线的次级电感器、电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器。所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的额定组件值被优化，从而能够在所述限定频率范围内的中心频率实现最大增益。所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的实际组件值与所述额定组件值之间的偏差为一个百分点。基于施加到所述射频输入引线的直流电压的变化，可以调节所述调谐电容器的电容值，从而补偿所述额定组件值与所述实际组件值之间的偏差。
根据另一个实施例，公开了一种封装射频功率晶体管的方法。所述方法包括提供一种封装射频功率晶体管，所述封装射频功率晶体管具有射频输入引线、直流栅极偏置引线、带有栅极端子、源极端子和漏极端子的射频功率晶体管以及输入匹配网络。所述输入匹配网络包括在所述射频输入引线和所述栅极端子之间耦合的变压器，其配置为阻断所述射频输入引线和所述栅极端子之间的直流电压，并在从所述射频输入引线到所述栅极端子的限定范围内传播交流电压，以及电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器。所述方法进一步包括测试封装射频功率晶体管的所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的额定组件值与所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的实际组件值之间的偏差。所述方法进一步包括确定经由射频输入引线施加到所述调谐电容器的直流偏压，其用于补偿额定组件值与实际组件值之间的偏差。
附图说明
附图中的元件并不一定是按比例绘制。相同的附图标记指示对应的相似部件。示出的各个实施例的特征可以组合，除非它们彼此排斥。各个实施例都配有附图，并在下面发明内容中详细描述。
图1示出了根据一个实施例的封装的射频功率晶体管的电气原理图。
图2示出了根据一个实施例的封装的射频功率晶体管的物理配置。
图3示出了根据另一个实施例的封装的射频功率晶体管的电气原理图。
图4示出了根据另一个实施例的封装的射频功率晶体管的电气原理图。
图5示出了根据一个实施例的封装的射频功率晶体管的物理配置。
图6示出了根据一个实施例的具有额定组件值的封装的射频功率晶体管的频率响应。
图7示出了根据一个实施例的具有补偿之前和补偿之后的实际组件值的封装的射频功率晶体管的频率响应。
具体实施方式
根据本文所述的实施例，射频功率晶体管100与输入匹配网络102封装在一起，输入匹配网络102包括位于射频输入引线和射频功率晶体管100的栅极106之间变压器104。变压器104包括彼此电感耦合但物理断开连接的初级电感器108和次级电感器110。因而，变压器104阻断射频输入引线和栅极端子106之间的直流电压，并在从射频输入引线到栅极端子106的限定频率范围内传播交流电压。
输入匹配网络102包括电连接到射频输入引线并与栅极端子106物理断开连接的调谐电容器112。也就是说，调谐电容器112位于变压器104的初级侧。通过改变施加到射频输入引线的直流偏压，可以调节调谐电容器112的电容值。因此，调谐电容器112可用于调节输入匹配网络102的电容，进而调节封装器件101的电气特性。这些电气特性的示例包括正向电压增益(S21)、输入端口电压反射系数(S11)和三阶互调(IM3)。
射频功率晶体管100和调谐电容器112在不同直流电压范围内工作。例如，适合功率放大的射频功率晶体管100可以在3V直流电压下工作。相比之下，调谐电容器112可以在10V和30V之间的电压下工作。这些高直流电压可能会损坏射频功率晶体管100。有益的是，因为调谐电容器112位于变压器104的初级侧，所以调谐电容器112和射频功率晶体管100的栅极106之间没有直接电连接。因而，提供到调谐电容器112的直流电压与射频功率晶体管100的栅极106隔离。同时，交流信号可以在从射频输入引线到射频功率晶体管100的栅极106的输入匹配网络102中传播。
参考图1，描绘了封装器件101的电气原理图。封装器件101包括两个输入端子：射频输入引线和直流栅极偏置引线。射频输入引线通过输入匹配网络102与射频功率晶体管100的栅极端子106电气耦合。直流栅极偏置引线通过输入匹配网络102与射频功率晶体管100的栅极端子106电气耦合。此外，封装器件101包括与射频功率晶体管100的漏极端子耦合的输出端子。根据一个实施例，射频功率晶体管100的源极端子电接地。
输入匹配网络102额定地配置为提供在限定频率范围内匹配射频功率晶体管100的阻抗，所述限定频率范围包括器件增益最大化的中心频率。根据一个实施例，输入匹配网络102包括电连接到射频输入引线的初级电感器108和电连接到直流栅极偏置引线的栅极端子106的次级电感器110。在变压器配置中，初级电感器108和次级电感器110彼此电感耦合。也就是说，初级电感器108和次级电感器110之间没有物理连接。但是，初级电感器108和次级电感器110彼此邻近，以使一个电感器生成的磁场会在另一个电感器中产生电流，反之亦然。申请人为Marbell的美国专利申请14/069,867提供了具有变压器配置的输入匹配网络102的更详细说明，所述专利申请的全部内容通过引用合并于此。由于初级电感器108和次级电感器110的变压器配置，变压器104阻断直流电压和从射频输入引线到栅极端子106的特定低频交流信号，而允许在限定频率范围内高频交流电压从射频输入引线传播到栅极端子106。例如，变压器104可以阻断频率低于100MHz的信号，但传送频率在1.9-2.1GHz范围内的交流信号。
输入匹配网络102进一步包括电连接到射频输入引线的调谐电容器112。调谐电容器112是可变电容器(即“变抗器”或“变容二极管”)，可以基于施加到调谐电容器112的一个端子(另一个端子接地)的直流信号调节其电容值。通过导电接合线(本质感应线)，可以在调谐电容器112和射频输入引线之间提供电连接。调谐电容器112电气联接到初级电感器，并与射频功率晶体管100的栅极端子106物理断开连接。也就是说，没有导电结构，即没有提供使得调谐电容器112两端的直流电压与栅极端子106的直流电压始终相同的单一节点。因而，施加到射频输入引线并存在于调谐电容器112的非接地端子的直流电压被从栅极端子106阻断。但是，施加到射频输入引线并存在于调谐电容器112的非接地端子的任何交流信号分量将经由变压器104中的初级电感器108和次级电感器110的电感耦合而传送到栅极端子106。
调谐电容器112配置为基于施加到射频输入引线的直流电压变化调节输入匹配网络102的电容。例如，调谐电容器112在28V直流偏压下电容为28pF，而在15V直流偏压下电容为34pF。因此，可以调节输入匹配网络102的频率响应。
输入匹配网络102包括第一初级侧电容器114和第二初级侧电容器116。初级侧电容器114、116电连接到初级电感器108。进一步地，初级侧电容器114、116与次级电感器110和射频晶体管的栅极端子106物理断开连接。在图1的实施例中，第一初级侧电容器114配置为可变电容器，并提供输入匹配网络102的调谐电容器112。此外，输入匹配网络102包括第一次级侧电容器118和第二次级侧电容器120。次级侧电容器118、120电连接到次级电感器110。进一步地，次级侧电容器118、120与初级侧电感器108和射频输入引线物理断开连接。
根据一个实施例，调谐电容器112配置为在0V和40V之间的直流偏压下工作。在该工作范围内，调谐电容器112提供C-V特性电容器。进一步地，射频功率晶体管100配置为在0V和4V之间的直流偏压下工作。在该工作范围内，射频功率晶体管100提供I-V特性晶体管。在这些工作范围之外，这些器件容易发生故障并且不一定提供I-V特性电容器或晶体管。例如，在栅极电压为10V时，射频功率晶体管100容易由于各种高电场现象如雪崩击穿和电解质击穿而发生故障。有益的是，输入匹配网络102的变压器配置允许调谐电容器112在0-40V全范围内工作，而不会将损坏射频功率晶体管100的电压(即4-40V)施加到射频功率晶体管100。
图2描绘了根据一个实施例的封装器件101的结构配置。图2A描绘了封装器件101的俯视图，图2B示出了封装器件101的对角线视图，而图2C描绘了封装器件101中接合线和分段电容器阵列124的放大视图。
封装器件101的封装包括为封装器件101提供接地端子的导电基板122。封装上贴装的每个元件都有表面端子，其可以通过电连接到基板122而接地。例如，射频功率晶体管100为所谓的源极击穿配置，以使器件的源极端子通过连接到基板122而接地。
如图2所示，输入匹配网络102包括布置在射频输入引线和射频功率晶体管100之间的第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126。根据一个实施例，第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126是半导体器件。第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126包括在纵向上彼此紧邻布置的多个分立电容器。也就是说，第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126配置在一个单元体中，这样通过将多个分立电容器连接在一起可以提供所需的电容。结果，第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126的长度决定了可以连接的分立电容器数量，从而决定了由第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126形成的电容器的最大电容。
封装器件101输入匹配网络102包括第一组接合线128和第二组接合线130。第一组接合线128和第二组接合线130由彼此相邻平行配置的多条单独接合线提供。第一组接合线128电连接到射频输入引线，并电连接到第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126。但是，第一组接合线128与射频功率晶体管100的栅极端子106物理断开连接。第二组接合线130电连接到栅极端子106，并电连接到第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126。但是，第二组接合线130与射频输入引线物理断开连接。
输入匹配网络102的变压器104由彼此交错的各段第一组接合线128和第二组接合线130形成。更具体地，初级电感器108由在第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126之间延伸的各段第一组接合线128形成，而次级电感器110由在第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126之间延伸的各段第二组接合线130形成。变压器104的耦合系数由各段接合线的各种物理参数如接合线高度、接合线之间的分隔距离、各段长度等决定。
根据图2的实施例，第一分段电容器阵列124包括与多个静电电容器交替布置的多个可变电容器。第一组接合线128电连接到第一分段电容器阵列124中的可变电容器，以形成第一初级侧电容器114，如图1所示。因而，输入匹配网络102的调谐电容器112由第一分段电容器阵列124中的可变电容器形成。此外，第二组接合线130电连接到第一分段电容器阵列124中的静电电容器，以形成第一次级侧电容器118，如图1所示。
根据一个实施例，第二分段电容器阵列126仅由静电电容器形成。第一组接合线128电连接到第二分段电容器阵列126中的静电电容器，以形成第二初级侧电容器116，如图1所示。此外，第二组接合线130电连接到第二分段电容器阵列126中的静电电容器，以形成第二次级侧电容器120，如图1所示。
图3描绘了根据另一个实施例的封装器件101的电气原理图。图3的电路配置为与图1的电路相同，除了第二初级侧电容器116不是静电电容器。而是，第二初级侧电容器116配置为可变电容器。因而，输入匹配网络102包括两个调谐电容器112。两个调谐电容器112都可用于使用直流信号调节输入匹配网络102的电抗，从而按照前述方式补偿分量变化。因为两个调谐电容器112都连接在变压器104的初级侧，并且经由第一组接合线128直接连接到射频输入引线，所以施加到射频输入引线的直流信号会传播到两个调谐电容器112。因而，图3的电路具有适于输入匹配网络102的宽范围可调节电容值，而不会将破坏性直流电压提供到射频功率晶体管100的栅极端子106。
图3的封装器件101可以具有图2所描绘的结构配置。通过配置第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126，其中多个可变电容器与多个静电电容器交替布置，可以提供两个调谐电容器112。也就是说，第二分段电容器阵列126可以配置为与图2所示的第一分段电容器阵列124相同。在此配置中，第一组接合线128电连接到第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126中的可变电容器。第二组接合线130电连接到第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126中的静电电容器。
图4描绘了根据另一个实施例的封装器件101的电气原理图。在图4的实施例中，调谐电容器112与第一初级侧电容器114和第二初级侧电容器116分离。在此配置中，第一初级侧电容器114和第二初级侧电容器116是静电电容器。调谐电容器112电连接到射频输入引线并位于变压器104的初级侧，以使施加到射频输入引线的直流电压存在于调谐电容器112而非射频功率晶体管100的栅极端子106。
图5描绘了图4所示原理图的封装器件101的结构配置。图5A示出了封装器件101的俯视图，图5B示出了封装器件101的对角线视图。与图3的配置相比，图5的封装器件101包括第三电容器块132。第三电容器块132布置在射频输入引线和第一分段电容器阵列124之间。第一组接合线128电连接到第三电容器块132以及第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126。第三电容器块132配置为可变电容器。因而，调谐电容器112由第三电容器块132的可变电容器形成。进一步地，在此配置中，第一分段电容器阵列124和第二分段电容器阵列126可以由静电电容器形成。
现在详述调谐电容器112的补偿效应。本文所述的封装器件101是根据额定组件值设计和制造的。额定组件值是理论电气参数即制造过程的理想目标。相比之下，实际组件值是制造过程实际实现的电气参数，它可能与额定组件值之间存在偏差。因而，特定制造过程的工艺窗口描述了实际组件值与额定组件值之间存在偏差的可能性。与额定值之间可能存在偏差的此类组件值的示例包括但不限于：射频功率晶体管100的输入电容、射频功率晶体管100的输出电容、输入匹配网络102中的静电电容器的电容和输入匹配网络102中的接合线的电感。这些偏差的产生源于各种原因。例如，用于形成第一组接合线128和第二组接合线130的加工技术可能难以完全控制。相应地，接合线128、130的高度容易产生偏差。这些偏差会导致接合线128、130的电感发生变化。此外，用于形成第一分段电容器阵列124、第二分段电容器阵列126和射频功率晶体管100的半导体工艺容易发生变化。结果，初级侧电容器114、116和次级侧电容器118、120及射频功率晶体管100的电容可能发生变化。
参考图6，示出了封装器件101的典型额定响应。图6中的图表假设输入匹配网络102和PCB匹配网络共同将射频功率晶体管100的输入阻抗变换为50欧姆负载。射频功率晶体管100和输入匹配网络102的额定组件值被优化，从而在限定频率范围1.97-2.03GHz内的中心频率2.00GHz实现最大增益。超出此限定频率范围，封装器件101的增益和效率都会下降。
图6A示出了根据一个实施例的射频封装功率晶体管的额定正向电压增益(S21)和额定输入端口电压反射系数(S11)。图6B示出了射频封装功率晶体管的额定插入相移，即延迟(S21)。
参考图7，其中包括图7A和图7B，描绘了在所示补偿之前和之后封装器件101的典型实际参数。射频功率晶体管100和输入匹配网络102的实际组件值可能与额定特性之间存在各种百分比如+/-1％、+/-5％、+/-10％等偏差。在图7的示例中，射频功率晶体管100的实际输入电容高于额定值5％，而将射频功率晶体管100的栅极106连接到变压器104的栅极引线部134的电感高于额定值5％。线200、202、204示出了这些偏差对封装器件101的电气参数的影响。线206、208、210示出了通过施加到射频输入引线的直流电压对调谐电容器112的电容进行调节之后，对封装器件101的电气参数的影响。
参考图7A，线200描绘了射频封装功率晶体管的实际正向电压增益(S21)，线202示出了调谐电容器112具有35pF电容时的实际额定输入端口电压反射系数(S11)。可以看到，这些参数由于组件值偏差而发生偏斜，以致于它们并不相对于中心频率2.00GHz完美对称。对于给定的应用，该偏斜可能是不可接受的，从而在缺少校正措施的情况下必须丢弃部件。但是，通过调谐电容器112的电容变化，能够有效消除该偏斜。线206示出了射频封装功率晶体管的实际正向电压增益(S21)，而线208示出了调谐电容器112的电容向下调节到32.7pF时的实际额定输入端口电压反射系数(S11)。通过按照前述方式适当偏置射频输入引线可实现该调节。可以看到，对调谐电容器112的电容调节完全补偿了额定参数值和实际参数值之间的偏差。因而，封装器件101的电气特性可以与图6所描绘的额定正向电压增益(S21)和额定输入端口电压反射系数(S11)接近或精确地一致。
参考图7B，线204示出了调谐电容器112具有35pF电容时封装器件101的实际插入相移，即延迟(S21)。可以看到，组件值偏差在封装器件101的额定组件值和实际组件值之间产生大约11度相移。对于给定的应用，该相移可能是不可接受的，从而在缺少校正措施的情况下必须丢弃部件。线210示出了已经按照前述方式(即通过调节射频输入引线的直流电压)将调谐电容器112的电容调节到32.7pF之后封装器件101的实际插入相移，即延迟(S21)。可以看到，对调谐电容器112的该调节完全补偿了额定参数值和实际参数值之间的偏差。相应地，通过调节射频输入引线的直流电压，射频封装功率晶体管可以与封装器件101的额定插入相移，即延迟(S21)接近或精确地一致。
图6至图7示出了封装器件101的一个示例性配置，其中封装器件101被优化为特定频率，但是补偿原理可以应用到各种组件值。进一步地，如果封装包括按照前述方式隔离调谐电容器112的电压器，则补偿原理可以应用到不同的封装配置。例如，封装器件101可以包括与申请人为Marbell的美国专利申请14/069,867的图9所示的输出匹配电路大致类似或相同的输出匹配电路。
现在将描述提供封装器件101的方法。根据一个实施例，所述方法包括提供根据本文所述的任一实施例的封装器件101。随后，对器件进行测试以检测射频功率晶体管100和输入匹配网络102的额定组件值与射频功率晶体管100和输入匹配网络102的实际组件值之间的偏差。该测试过程可以通过单独测试各个元件来实现。例如，测试过程可以包括测量至少以下参数之一：射频功率晶体管100的输入电容、射频功率晶体管100的输出电容、输入匹配网络102中至少一个静电电容器的电容、输入匹配网络102中至少一条接合线的电感。可选地，测试过程可以在封装器件101的输入/输出端子上执行。例如，测试过程可以包括测量至少以下参数之一：封装器件101的插入相移、封装器件101的实际正向电压增益和输入端口电压反射系数。
测试后，即可确定经由射频输入引线施加到调谐电容器112的直流偏压，以补偿额定组件值和实际组件值之间的偏差。该确定过程可以用实验方法(即，通过调节直流偏压并测量封装器件101中的响应)或理论方法(即，通过计算调谐的适当电容)完成。
有益的是，本文公开的方法允许在封装器件101的生产过程中提供产量并降低成本。因为调谐电容器112被制成器件的一部分，例如使用分段电容器阵列，所以与传统技术相比，补偿额定值和实际值之间的偏差所需的时间和成本极大地降低。用于补偿额定组件值和实际组件值之间的偏差的传统技术示例包括：测试后调节接合线环的高度；以及从相同晶片的附近位置选择在单一封装中使用的元件(即晶体管和电容器)，它们更可能彼此一致。这两种技术都不是完全有效，并且会增加成本和延迟生产过程。有益的是，本文所述方法不需要应用这些技术，因为可以使用直流电压简单而有效地补偿器件。可以根据常见的技术设计驱动封装器件101的电路，以使施加到射频输入引线的直流电压可编程且可调节。
术语“电连接”描述电连接元件之间的永久低电阻连接，例如连接元件之间的直接接触或经由金属和/或高掺杂的半导体的低电阻连接。术语“电气耦合”包括在电气耦合元件之间提供适于信号传输的一个或多个中介件，例如变压器和/或晶体管。两个元件之间的电连接形成尽管有寄生效应但保持恒定交流和直流电压的节点。相比之下，当两个元件彼此电气耦合时，交流或直流电压会在电气耦合过程中变化。
空间相对位置术语如“在…之下”、“在…下面”、“下面”、“在…之上”、“上面”等用于说明一个元件相对于另一个元件的定位。这些术语旨在包含除了图中所示元件的不同方位之外的器件的不同方位。进一步地，术语如“第一”、“第二”等也用于描述各种元件、区域、部分等，而不旨在进行限制。在本文描述中，相同术语表示相同元件。
本文使用的术语“具有”、“包含”、“包括”、“由…组成”等是表明存在所述元件或特征的开放性术语，而并不排除附加元件或特征。
除了变型和应用的上述范围外，应该理解的是，本发明不受前述内容限制，也不受附图限制。本发明仅受权利要求及其同等法律效应的限制。
Claims (13)
1.一种封装的射频功率晶体管，包括：
射频输入引线；
直流栅极偏置引线；
射频功率晶体管，包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及
输入匹配网络，包括：
电连接到所述射频输入引线的初级电感器；
电连接到所述栅极端子和所述直流栅极偏置引线的次级电感器；以及
电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器；
布置在所述射频输入引线和所述射频功率晶体管之间的第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列；
电连接到所述射频输入引线及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第一组接合线；
电连接到所述栅极端子及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第二组接合线，
其中所述输入匹配网络被配置为阻断在所述射频输入引线和所述栅极端子之间的直流电压，并在从所述射频输入引线到所述栅极端子的限定频率范围内传播交流电压，
其中所述调谐电容器被配置为基于施加到所述射频输入引线的直流电压变化调节所述输入匹配网络的电容，
其中所述初级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第一组接合线的各段形成，以及
其中所述次级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第二组接合线的各段形成。
2.根据权利要求1所述的封装的射频功率晶体管，其中在变压器配置中所述初级电感器和所述次级电感器彼此电感耦合，所述变压器被配置为阻断直流电压并传播交流电压，并且其中所述调谐电容器被电连接到所述初级电感器。
3.根据权利要求1所述的封装的射频功率晶体管，其中所述第一分段电容器阵列包括与多个静电电容器交替布置的多个可变电容器，其中所述第一组接合线电连接到所述第一分段电容器阵列中的所述可变电容器，其中所述第二组接合线电连接到所述第一分段电容器阵列中的所述静电电容器，并且其中所述调谐电容器由所述第一分段电容器阵列中的所述可变电容器形成。
4.根据权利要求3所述的封装的射频功率晶体管，其中所述第二分段电容器阵列包括与多个静电电容器交替布置的多个可变电容器，其中所述第一组接合线电连接到所述第二分段电容器阵列中的所述可变电容器，其中所述第二组接合线电连接到所述第二分段电容器阵列中的所述静电电容器，并且进一步包括由所述第一分段电容器阵列和所述第二分段电容器阵列中的所述可变电容器形成的第二调谐电容器。
5.根据权利要求1所述的封装的射频功率晶体管，其中所述输入匹配网络进一步包括被布置所述射频输入引线和所述射频功率晶体管之间并包括可变电容器的第三电容器块，其中所述第一组接合线电连接到所述第三电容器块，并且其中所述调谐电容器包括所述第三电容器块的所述可变电容器。
6.根据权利要求5所述的封装的射频功率晶体管，其中所述第一分段电容器阵列和所述第二分段电容器阵列中的每个电容器都是静电电容器。
7.根据权利要求1所述的封装的射频功率晶体管，其中所述调谐电容器被配置为在0V和40V之间的直流偏压下工作，并且其中所述射频功率晶体管被配置为在0V和4V之间的直流偏压下工作。
8.一种封装的射频功率晶体管，包括：
射频输入引线；
直流栅极偏置引线；
射频功率晶体管，其包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及输入匹配网络，包括：
电连接到所述射频输入引线的初级电感器；
电连接到所述栅极端子和所述直流栅极偏置引线的次级电感器；以及
电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器；
布置在所述射频输入引线和所述射频功率晶体管之间的第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列；
电连接到所述射频输入引线及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第一组接合线；
电连接到所述栅极端子及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第二组接合线，
其中所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的额定组件值被优化，使得在限定频率范围的中心频率处实现最大增益，
其中所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的实际组件值与所述额定组件值之间的偏差为一个百分点，以及
其中所述调谐电容器的电容值是基于施加到所述射频输入引线的直流电压变化可调节的，从而补偿所述额定组件值和所述实际组件值之间的偏差，
其中所述初级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第一组接合线的各段形成，以及
其中所述次级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第二组接合线的各段形成。
9.根据权利要求8所述的封装的射频功率晶体管，其中所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的额定组件值包括以下参数中的至少一个：所述射频功率晶体管的输入电容、所述射频功率晶体管的输出电容、所述输入匹配网络中静电电容器的电容、所述输入匹配网络中接合线的电感，并且其中所述实际组件值与所述额定组件值之间的偏差为+/-5％。
10.根据权利要求9所述的封装的射频功率晶体管，其中所述射频功率晶体管的实际输入电容比所述额定组件值高5％，其中所述输入匹配网络中的一条接合线的电感比所述额定组件值高5％，其中所述实际组件值和所述额定组件值之间的偏差使所述封装的射频功率晶体管的插入相位的移位为11％，并且其中所述调谐电容器的电容值是可调节的以完全地补偿所述插入相位的移位。
11.一种封装射频功率晶体管的方法，所述方法包括：
提供一种封装的射频功率晶体管，其包括射频输入引线、直流栅极偏置引线、包括栅极端子、源极端子和漏极端子的射频功率晶体管及输入匹配网络，所述输入匹配网络包括：
在所述射频输入引线和所述栅极端子之间耦合的变压器，被配置为阻断所述射频输入引线和所述栅极端子之间的直流电压并在从所述射频输入引线到所述栅极端子的限定频率范围内传播交流电压；以及
电连接到所述射频输入引线并与所述栅极端子物理断开连接的调谐电容器；
布置在所述射频输入引线和所述射频功率晶体管之间的第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列；
电连接到所述射频输入引线及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第一组接合线；
电连接到所述栅极端子及所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列的第二组接合线，
测试所述封装的射频功率晶体管，以检测所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的额定组件值与所述射频功率晶体管和所述输入匹配网络的实际组件值之间的偏差；以及
确定要经由所述射频输入引线施加到所述调谐电容器的直流偏压，所述直流偏压补偿额定组件值和实际组件值之间的偏差，
其中所述变压器的初级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第一组接合线的各段形成，以及
其中所述变压器的次级电感器由在所述第一分段电容器阵列和第二分段电容器阵列之间延伸的所述第二组接合线的各段形成。
12.根据权利要求11所述的方法，其中测试所述封装的射频功率晶体管包括测量以下项中的至少一项：所述射频功率晶体管的输入电容、所述射频功率晶体管的输出电容、所述输入匹配网络中的静电电容器中的至少一个静电电容器的电容、所述输入匹配网络中至少一条接合线的电感。
13.根据权利要求11所述的方法，其中测试所述封装的射频功率晶体管包括测量所述封装的射频功率晶体管的插入相位，并且其中确定直流偏压包括确定所述调谐电容器的电容值，所述调谐电容器将所述插入相位移位以更接近额定插入相位。
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