CN108233881A - 紧凑型f类芯片和接线匹配拓扑结构 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构。放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。输出阻抗匹配网络将第一输出端子电耦合至RF输出端口。第一电感器串联电连接在第一输出端子和RF输出端口之间，第一LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间，以及第二LC谐振器直接电连接在第一输出端子和参考电势端口之间。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。

Description

紧凑型F类芯片和接线匹配拓扑结构
技术领域
本申请涉及RF(射频)放大器，具体地，涉及用于RF放大器的阻抗匹配网络。
背景技术
RF功率放大器用于各种应用，诸如用于无线通信系统的基站等。由RF功率放大器所放大的信号经常包括具有在400兆赫兹(MHz)至60吉赫兹(GHz)范围中频率的高频调制载波的信号。调制载波的基带信号通常处于相对较低的频率，并且取决于应用，可以高达300MHz或更高。
RF功率放大器被设计为提供没有失真的线性操作。使用输入和输出阻抗匹配电路以将可以具有低输入和输出阻抗(例如对于高功率器件大约1欧姆或更小)的RF晶体管与诸如电路板之类的外部装置的阻抗匹配网络相匹配。
F类放大器配置因其在现代RF应用中高效操作而越来越受欢迎。F类放大器设计要求较高阶谐波的小心调谐。可以通过在阻抗匹配电路拓扑结构中包括谐波调谐电路而改进功率效率。提供这些谐波调谐电路的一种方式是将图形刻蚀至RF专用的低损耗PCB(印刷电路板)中。这些匹配网络的分布式本质以及金属化层和电介质的高品质产生高效的配置。不幸地，这些网络在物理上是大的，并且元件的精确尺寸取决于PCB的介电常数、PCB的厚度，并且与操作频率反向相关。其他阻抗匹配技术采用以空间高效方式实施谐波端接的高介电常数材料、与用于剩余匹配网络的低介电常数材料的混合。这些实施方式由于热机械问题而往往昂贵且难以制造。另一阻抗匹配技术出现在封装层级并且包括使用接合接线和芯片电容器以形成提供谐波调谐的集总元件。这些配置往往在DC和RF时呈现高损耗，但是由于它们“集总”的特性可以极其紧凑的形成。封装与裸片之间串联接合接线的DC电阻是不可忽略的，尤其是在其中功率密度可以极高且可以安装在焊盘上接合接线数目有限的高功率GaN应用中。
发明内容
公开了一种放大器电路。根据一个实施例，放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、以及具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。RF放大器被配置为放大跨RF频率范围的RF信号。放大器电路进一步包括将第一输出端子电耦合至RF输出端口的输出阻抗匹配网络。输出阻抗匹配网络具有在第一输出端子和RF输出端口之间串联电连接的第一电感器、在第一输出端子和参考电势端口之间直接电连接的第一LC谐振器、以及在第一输出端子和参考电势端口之间直接电连接并且与第一LC谐振器并联的第二LC谐振器。第一LC谐振器被配置为在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置为补偿RF信号的二阶谐波。
根据另一实施例，放大器电路包括RF输入端口、RF输出端口、参考电势端口、具有输入端子和第一输出端子的RF放大器。RF放大器被配置为放大跨RF频率范围的RF信号。放大器电路进一步包括将RF输入端口电耦合至输入端子的输入阻抗匹配网络。输入阻抗匹配网络包括串联电连接在RF输入端口和第一输入端子之间的第四电感器、直接电连接在第一输入端子和参考电势端口之间的第三LC谐振器、以及直接电连接在第一输入端子和参考电势端口之间并与第三LC谐振器并联的第四LC谐振器。第三LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输入电容。第四LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
公开了一种经封装的放大器电路。根据一个实施例，经封装的放大器电路包括RF输入引线、RF输出引线、具有导电源极焊盘的金属衬底、源极焊盘连接至参考电势引线、以及RF晶体管。RF晶体管具有栅极、源极和漏极端子。RF晶体管被配置用于放大跨RF频率范围的RF信号。RF晶体管安装在衬底上使得源极端子直接面对并电连接至源极焊盘。经封装的放大器电路进一步包括将RF输入引线电耦合至栅极端子的输入阻抗匹配网络、以及将漏极端子电耦合至RF输出引线的输出阻抗匹配网络。输出阻抗匹配网络包括与源极和漏极端子均并联连接的第一和第二LC谐振器、以及串联连接在漏极端子和RF输出引线之间的第一电感器。第一LC谐振器被配置用于在RF信号的中心频率处补偿RF放大器的输出电容。第二LC谐振器被配置用于补偿RF信号的二阶谐波。
本领域技术人员在阅读以下详细说明以及查看附图之后将认识到额外的特征和优点。
附图说明
附图的元件不必按照相对比例。相似的参考数字标志对应的相似部件。可以组合各个所示实施例的特征，除非它们互斥。在附图中示出并在以下说明书中详述实施例。
包括图1A和图1B的图1示出了两个电路示意图。图1A示出了根据一个实施例的单谐振器调谐电路的电路图。图1B示出了根据一个实施例的双谐振器调谐电路的电路图。
包括图2A和图2B的图2示出了根据一个实施例的图1A和图1B的谐振器调谐电路的阻抗响应比较。
图3示出了根据一个实施例的包括双谐振器输入匹配网络和双谐振器输出匹配网络的放大器电路的电路图。
图4示出了根据一个实施例的具有输入和输出匹配网络的经封装的放大器电路。
具体实施方式
在此描述了一种用于阻抗匹配网络的电路拓扑结构的实施例。该电路拓扑结构可以用于诸如GaN基晶体管之类的高频RF功率放大器器件的输出阻抗匹配网络和/或输入阻抗匹配网络。电路拓扑结构包括双谐振器配置。该配置包括相互电气并联并且连接在RF功率放大器器件的输出端子与参考电势(例如接地)之间的两个LC谐振器。第一LC谐振器被配置用于在基频补偿放大器的输入或输出电容(视情况而定)。第二LC谐振器被配置用于分流基频的二阶谐波分量。双谐振器方案的仿真显示：该配置提供在基频与二阶谐波阻抗响应之间的良好权衡以及对于部件阻抗变化的更大容差。
参照图1，示出了两个LC电路。图1A的LC电路包括谐振器100，谐振器100包括串联连接在第一节点106和接地之间的电感器102和电容器104。图1B的LC电路包括相互并联连接并且串联在第一节点106和接地之间的两个谐振器100。如本领域已知的那样，LC谐振器具有谐振频率，总阻抗的电感性和电抗性分量在谐振频率处抵消。结果，从RF观点看，LC谐振器表现出电短路。在图1B的LC电路中，每个谐振器100的电感器102设置在相互电感性配置中。也即，由一个电感器102所产生的电场在另一个中感应产生电流，并且反之亦然。
参照图2，提供了对于图1中所述的两个LC电路S参数与频率的史密斯圆图比较。图2A示出了图1A的单谐振器电路的阻抗响应。曲线A示出跨1.8GHz至2.2GHz的扫频的电路的阻抗。这些频率值可以对应于用于放大器电路的典型基础RF频率操作范围。曲线B示出了跨3.6GHz至4.4GHz的扫频的电路的阻抗。这些频率值可以对应于1.8GHz至2.2GHz范围的二阶谐波。图2B描述了图1B的双谐振器电路的对应阻抗响应，其中曲线C对应于1.8GHz至2.2GHz频率范围并且曲线D对应于3.6GHz至4.4GHz频率范围。两个仿真均在部件的参数值中应用高斯变化以考虑部件的典型制造变化。在图2A的情形中，建模了237.47pH(皮亨)的额定电感和6.00pF(皮法)的电容，对于每个部件具有+/-4％的电感变化和+/-5％的电容变化。在图2B的情形中，建模了253.3pH的额定电感和30.00pF的电容，对于每个部件具有+/-4％的电感变化和+/-5％的电容变化。
如图可见，双谐振器配置基本上收紧了电路在二阶频率范围中的阻抗响应。也即，与单谐振器相比，由双谐振器所展示的阻抗保持更靠近跨二阶扫频的实轴。结果，与单谐振器相比，双谐振器提供更好的谐波终止并因此提供跨宽带频率范围的更高效率。此外，与单谐振器方案相比，双谐振器可以吸收电感和电容的更大分量变化。
双谐振器配置的一个缺点是在基频处的阻抗响应的更大变化，如通过曲线A和C比较明显可见。如图可见，单谐振器方案示出比双谐振器方案更收紧的阻抗响应。因此，在基频性能和二阶频率性能之间存在权衡。然而，该权衡在许多应用中是优选的。例如，在经封装的放大器电路的情形中，二阶谐波效应可以非常难或者无法在电路板层解调。相对而言，可以在电路板层级容易地补偿基频阻抗失配。因此，双谐振器方案在封装层级阻抗匹配电路的情形中是高度有利的，因为其减缓了在封装层级之外无法校正的阻抗失配问题。
参照图3，示出了利用上述双谐振器电路拓扑结构的放大器电路300。放大器电路300包括接收RF信号的RF输入端口302、提供RF信号的已放大版本的RF输出端口304、以及被设置为参考电势的参考电势端口306。参考电势可以是任何固定电势，诸如接地电势。
放大器电路300进一步包括RF放大器308。RF放大器308被配置用于放大跨RF频率范围的RF信号。根据一个实施例，RF频率范围在1.8GHz和2.2GHz之间，中心频率为2.0GHz。RF放大器308包括接收RF信号的输入端子310、以及提供RF信号的放大版本的输出端子312。在各种实施例中，RF放大器308可以是功率晶体管，诸如MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管)、DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管、GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、GaN MESFET(氮化镓金属半导体场效应晶体管)、LDMOS晶体管等，并且更通常是任何类型RF晶体管器件。RF放大器308和整个放大器电路300可以是多载波放大器、多频段放大器、LTE(长期演进)顺应放大器、WCDMA(宽带码分多址)顺应放大器、802.11(x)顺应放大器等。
RF放大器308被配置用于在宽带频率范围中操作。与窄带相反，宽带涉及对于RF信号的频率值范围超过单个信道的相干带宽的事实。宽带频率范围可以跨越中心频率的至少10％(例如1.8GHz至2.2GHz，其中中心频率是2.0GHz)，并且可以跨越中心频率的20％或更多。这些数值仅表示一个示例，并且宽带频率范围对于其他频率是可缩放的。
放大器包括将第一输出端子312电耦合至RF输出端口304的输出阻抗匹配网络314。
输出阻抗匹配网络314包括串联电连接在第一输出端子312和RF输出端口304之间的第一电感器316。
输出阻抗匹配网络314额外地包括直接电连接在第一输出端子312和参考电势端口306之间的第一LC谐振器318。根据一个实施例，第一LC谐振器318包括第二电感器320和第一电容器322。第二电感器320可以直接地电连接至第一输出端子312和第一电容器322。第一电感器322可以直接地电连接至第二电感器320和参考电势端口306。
输出阻抗匹配网络314额外地包括直接地电连接在第一输出端子312和参考电势端口306之间的第二LC谐振器324。第二LC谐振器324与第一谐振器318电气并联。根据一个实施例，第二LC谐振器324包括第三电感器326和第二电容器328。第三电感器326可以电连接至第一输出端子312和第二电容器328。第二电容器328可以直接电连接至第三电感器326和参考电势端口306。
第一LC谐振器318的参数(也即电感和电容)被选择为补偿在基频处的输出阻抗匹配网络314中的其他阻抗。更特别地，如果RF放大器308是MOSFET器件，则该器件具有固有的漏极-源极电容，该固有的漏极-源极电容在放大器电路300的输出端侧上引入阻抗。第二电感器320的电感值可以被选择为使得第二电感器320与晶体管漏极-源极电容以及第二LC谐振器324的有效电容在基准(中心)频率处谐振。在该情形中，第一LC谐振器318(从电抗角度)与在中心频率处的RF放大器308的输出电容和第二LC谐振器324的有效电容完全相反。此外，第一电容器322的电容值可以被选择为与输出阻抗匹配网络314的其他电感性元件谐振，输出阻抗匹配网络314包括第一电感器316以及第三电感器326的互感部件。
第二LC谐振器324的参数(也即电感和电容)被选择为补偿RF信号的二阶谐波。例如，第二LC谐振器324可以被配置为在RF信号的二阶谐波处呈现短路(从RF角度)。也即，可以调谐第二LC谐振器324以在两倍于基准操作频率的频率处谐振。
可以将第二电感器320和第三电感器326之间的互感因子分解成参数值。在利用电感性接合接线的封装层级阻抗匹配电路的情形中，由于接合接线的邻近性，因此互感通常难以或者无法避免。可以通过调节第一电感器320的电感值而补偿第三电感器326在第一LC谐振器318上的互感效应以呈现在基频处的所需补偿效应。对应地，可以通过调节第二电感器324的电感值而补偿第二电感器320在第二LC谐振器324上的互感效应。通常，互感是不希望的寄生现象。然而，由于第一谐振器318和第二LC谐振器324的并联配置所致，互感设置有利地缓解与额定电感值的偏离，这是因为较高的电感出现在串联节点处，这由谐振器中电容补偿。
第一电感器316的电感值被选择为使得第一电感器316对于基频的三阶谐波(例如在2.0GHz基频的情形中的6GHz)呈现高阻抗。根据一个实施例，第一电感器316直接电连接至第一输出端子312和RF输出端口304。可选地，如图3中所示，第四电容器330可以串联电连接在第一电感器316和RF输出端口304之间。在电路中包括第四电容器330提供了DC阻挡，并且允许RF放大器308在独立DC偏置点处。第四电容器330的电容值可以被选择为结合第一电感器316共同地形成谐振电路，其在基频处呈现短路(从RF角度)。此外，第四电容器330的电容值可以被选择为结合第一电感器316在基频的三阶谐波处呈现较高阻抗。
作为另一选项，第三电容器332可以电连接在将第一电容器322连接至第二电感器320的节点与参考电势端口306之间。第三电容器332可以配置作为所谓的DC分流电容器。在该情形中，第三电容器332的电容值被选择为对于低频信号(例如在1.8GHz-2.2GHz操作范围的情形中低于100MHz的信号)和DC信号提供短路路径。该修改提供了在放大器的低频操作处的高效线性放大的益处。
可选地，放大器包括将RF输入端口302电耦合至输入端子310的输入阻抗匹配网络334。输入阻抗匹配网络334可以具有与输出阻抗网络对应的电路拓扑结构。例如输入阻抗匹配网络334可以包括串联电连接在RF输入端口302和第一输入端子310之间的第四电感器336、直接电连接在第一输入端子310和参考电势端口306之间的第三LC谐振器338、直接电连接在第一输入端子310和参考电势端口306之间并且与第三LC谐振器338并联的第四LC谐振器340。第三LC谐振器338包括第五电感器342和第五电容器344，其中第五电感器342直接电连接至第一输入端子310，并且第五电容器344直接电连接至第五电感器342和参考电势端口306。同样的，第四LC谐振器340包括第六电感器346和第六电容器348，其中第六电感器346直接电连接至第一输入端子310和第六电容器348，并且第六电容器348直接电连接至第六电感器346和参考电势端口306。
可以以与输出阻抗匹配网络314的上述定制对应的方式定制输入阻抗匹配网络334的参数值。在该情形中，替代于RF放大器308的输出电容，考虑RF放大器308的输入电容。例如，第三LC谐振器338可以被配置为在中心频率处补偿RF放大器308的输入阻抗。这可以通过选择在中心频率处与输入电容谐振的第五电感器342的电感值而完成。同样，第四LC谐振器340可以被配置为在二阶谐波处呈现短路，并且第四电感器336可以被配置以之前所述方式在中心频率的三阶谐波处呈现高阻抗。最终，可以提取这些数值以之前所述方式考虑各个部件相互之间的相互作用。
参照图4，描绘了根据一个实施例的经封装的放大器电路400。经封装的放大器电路400被配置为与诸如印刷电路板之类的外部电路对接。封装包括导电RF输入引线402、导电RF输出引线406、以及导电参考电势引线(未示出)。封装进一步包括衬底408，衬底408具有适用于在其上安装许多集成电路部件的平坦表面。根据一个实施例，平坦表面包括被连接至参考电势引线的导电源极焊盘410。
RF晶体管安装在衬底408上。RF晶体管412被配置为跨例如在1.8GHz和2.2GHz之间的RF频率范围放大RF信号。RF晶体管412可以是功率晶体管，诸如MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、DMOS(双扩散金属氧化物半导体)晶体管、GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)、GaN MESFET(氮化镓金属半导体场效应晶体管)、LDMOS晶体管等，以及更通常任何类型的RF晶体管器件。根据一个实施例，RF晶体管412是GaN基HEMT器件。
RF晶体管412包括导电栅极、源极和漏极端子。在所示实施例中，源极端子(未示出)布置在RF晶体管412的底侧上。源极端子直接面对源极焊盘410并且例如由导电胶膏电连接至源极焊盘410。栅极端子414和漏极端子416被布置在RF晶体管412的与漏极端子相对的顶侧上。
经封装的放大器电路400具有将漏极端子416电耦合至RF输出引线406的输出阻抗匹配网络314、以及将RF输入引线402电耦合至栅极端子414的输入阻抗匹配网络334。输出阻抗匹配网络314和输入阻抗匹配网络334可以具有在此所述的双谐振器电路拓扑结构。也即，如参照图3所述的完整放大器电路300可以集成至装置封装中。
在图4的实施例中，输入阻抗匹配网络334和输出阻抗匹配网络314的电容器由直接安装在源极焊盘410上的芯片电容器提供。这些芯片电容器可以被配置具有在相对面对侧边上的导电端子。芯片电容器的下端子直接面对源极焊盘410并电连接至源极焊盘410。芯片电容器的第二端子被布置在芯片电容器的顶侧上并且可用于例如由接合接线的电连接访问。
在所示的示例中，第一电容器322由第一芯片电容器418提供，第二电容器328由第二芯片电容器420提供，第五电容器344由第三芯片电容器422提供，以及第六电容器348由第四芯片电容器424提供。替代于对于匹配电路中每个电容器使用分立的芯片电容器，两个或更多电容器可以集成在单个电容器中。例如，第一电容器418和第二电容器420可以提供在具有分段电容器的单个芯片电容器中。
阻抗匹配网络的电感器由连接在合适的节点之间的导电接合接线提供。如本领域技术人员应该知晓，存在与任何接线连接相关联的某一电感。因此，延伸在两个导电端子之间的接合接线的每个跨距提供了限定的电感。可以通过定制接合接线的跨距的物理参数而调节该电感值。例如，可以定制以实现所需电感的示例性物理参数包括接合接线的高度、接合接线之间的分离距离、接合接线的跨距长度。
在所示的示例中，第一电感器316由直接电连接至RF晶体管412的漏极端子416和RF输出引线406的第一组接合接线426提供，第一LC谐振器318的第二电感器320由直接电连接至RF晶体管412的漏极端子416和第一芯片电容器418的第二组接合接线428提供，以及第二LC谐振器324的第三电感器326由直接电连接至RF晶体管412的漏极端子416和第二芯片电容器420的第三组接合接线430提供。根据一个实施例，第二组接合接线426和第三组接合接线430相互交错配置。也即，每组的接合接线相互平行延伸并且往复交替。结果，引起了两组接合接线之间的互感。在输入侧上，第四电感器336由直接电连接至栅极端子414和RF输入引线402的第四组接合接线432提供，第三LC谐振器338的第五电感器342由直接电连接至栅极端子414和第三芯片电容器422的第五组接合接线434提供，以及第四LC谐振器340的第六电感器346由直接电连接至栅极端子414和第四芯片电容器424的第六组接合接线436提供。
第三电容器322和第四电容器330可以由分立电容器(未示出)提供，或者可以备选地包括至第一芯片电容器418或第二芯片电容器420中。
术语“电连接”描述了在电连接的元件之间固定的低欧姆连接，例如在有关元件之间的接线连接。电连接名义上是零阻抗连接。相反地，术语“电耦合”设计了其中在耦合的元件之间不必存在名义上零阻抗连接的连接。例如，诸如晶体管之类有源元件以及诸如电感器、电容器、二极管、电阻器等之类的无源元件可以将两个元件电耦合在一起。
术语“直接电连接”、“直接电接触”等等描述了其中两个元件物理地接合在一起而并未具有布置在元件之间适用于信号传输的任何插入元件的连接。例如，当接合接线例如由导电接合胶膏物理地粘附至接合焊盘时接合接线直接连接至接合焊盘。相反的，电连接至无源或有源电路元件、接着电连接至接合焊盘的结合接线在本说明书的含义内并未“直接电连接”至接合焊盘。
如在此所使用的那样，当补偿元件的电抗性阻抗至少部分地抵消了被补偿元件的电抗性阻抗时发生步长。在包括电容和电感的LC谐振器电路的情形中，每个元件的电抗性分量在谐振频率处完全地相互抵消。在该情形中，LC谐振器电路从RF角度看呈现电短路。当至少一些电抗性阻抗保持时发生部分补偿，但是比缺乏补偿元件时呈现的情形电抗性较小。
如在此使用的术语诸如“相同”、“匹配”有意设计为等同、近似或几乎等同的含义，因此预期了一些合理量的变化而并未脱离本发明的精神。术语“恒定”意味着不改变或变化，或者此外稍微改变或变化，因此预期了一些合理量变化而并未脱离本发明的精神。进一步，术语诸如“第一”、“第二”等等用于描述各种元件、区域、区段等，并且也并非意在是限制性的。相同的术语遍及说明书涉及相同的元件。
空间相对性术语诸如“之下”、“低于”、“下”、“之上”、“上”等等为了便于说明而用于解释一个元件相对于第二元件的定位。这些术语意在除了附图中所述那些不同朝向之外包括装置的不同朝向。进一步，术语诸如“第一”、“第二”等等也用于描述各个元件、区域、区段等，并且也并非意在是限制性的。相同的术语遍及说明书涉及相同的元件。
如在此所使用，术语“具有”、“包含”、“含有”、“包括”等等是开放式术语，指示了所述元件或特征的存在，但是并未排除额外的元件或特征。冠词“一”、“某”和“该”意在包括复数以及单数形式，除非上下文明确给出相反指示。
考虑到以上变化和应用范围，应该理解的是本发明并未由前述说明书所限制，也不受限于附图。替代的，本发明仅由以下权利要求和它们法律等价形式而限制。

Claims (20)

1.一种放大器电路，包括：
RF输入端口；
RF输出端口；
参考电势端口；
RF放大器，具有输入端子和第一输出端子，所述RF放大器被配置用于跨RF频率范围放大RF信号；
输出阻抗匹配网络，将所述第一输出端子电耦合至所述RF输出端口，其中所述输出阻抗匹配网络包括：
第一电感器，串联电连接在所述第一输出端子和所述RF输出端口之间；
第一LC谐振器，直接电连接在所述第一输出端子和所述参考电势端口之间；
第二LC谐振器，直接电连接在所述第一输出端子和所述参考电势端口之间并且与所述第一LC谐振器并联；
其中所述第一LC谐振器被配置用于在所述RF信号的中心频率处补偿所述RF放大器的输出电容，以及其中所述第二LC谐振器被配置用于补偿所述RF信号的二阶谐波。
2.根据权利要求1所述的放大器电路，其中，所述第一LC谐振器被配置用于在所述中心频率处抵消所述RF放大器的输出电容，以及其中所述第二LC谐振器被配置用于在所述RF信号的二阶谐波处呈现短路。
3.根据权利要求2所述的放大器电路，其中，所述第一电感器被配置用于在所述中心频率的三阶谐波处呈现高阻抗。
4.根据权利要求3所述的放大器电路，其中，所述第一LC谐振器包括第二电感器和第一电容器，其中所述第二LC谐振器包括第三电感器和第二电容器，其中所述第二电感器直接电连接至所述第一输出端子和所述第一电容器，其中所述第一电容器直接电连接至所述第二电感器和所述参考电势端口，其中所述第三电感器直接电连接至所述第一输出端子和所述第二电容器，其中所述第二电容器直接电连接至所述第三电感器和所述参考电势端口，以及其中所述第一电感器直接电连接至所述第一输出端子。
5.根据权利要求4所述的放大器电路，其中，所述第二电感器和所述第三电感器被设置为互感配置。
6.根据权利要求4所述的放大器电路，进一步包括：
第三电容器，电连接在将所述第一电容器连接至所述第二电感器的节点与所述参考电势端口之间，
其中所述第三电容器被配置用于在低于所述RF频率范围的非常低频率值处呈现短路。
7.根据权利要求4所述的放大器电路，进一步包括：
第四电容器，串联电连接在所述第一电感器和所述RF输出端口之间，
其中所述第四电容器和所述第三电感器共同地被配置用于在所述中心频率处呈现短路。
8.根据权利要求1所述的放大器电路，进一步包括：
输入阻抗匹配网络，将所述RF输入端口电耦合至所述输入端子，其中所述输入阻抗匹配网络包括：
第四电感器，串联电连接在所述RF输入端口和所述第一输入端子之间；
第三LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间；
第四LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间并且与所述第三LC谐振器并联，
其中所述第三LC谐振器被配置用于在所述中心频率处补偿所述RF放大器的输入电容，以及
其中所述第四LC谐振器被配置用于补偿所述RF信号的二阶谐波。
9.根据权利要求8所述的放大器电路，其中，所述第三LC谐振器被配置用于在所述中心频率处抵消所述RF放大器的输入电容，其中所述第四LC谐振器被配置用于在所述二阶谐波处呈现短路，以及其中所述第四电感器被配置用于在所述中心频率的三阶谐波处呈现高阻抗。
10.一种放大器电路，包括：
RF输入端口；
RF输出端口；
参考电势端口；
RF放大器，具有输入端子和第一输出端子，所述RF放大器被配置用于放大跨RF频率范围的RF信号；
输入阻抗匹配网络，将所述RF输入端口电耦合至所述输入端子，其中所述输入阻抗匹配网络包括：
第四电感器，串联电连接在所述RF输入端口和所述第一输入端子之间；
第三LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间；
第四LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间，并且与所述第三LC谐振器并联；
其中所述第三LC谐振器被配置用于在所述RF信号的中心频率处补偿所述RF放大器的输入电容，以及其中所述第四LC谐振器被配置用于补偿所述RF信号的二阶谐波。
11.根据权利要求10所述的放大器电路，其中，所述第三LC谐振器被配置用于在所述中心频率处抵消所述RF放大器的输入电容，其中所述第四LC谐振器被配置用于在所述二阶谐波处呈现短路，以及其中所述第四电感器被配置用于在所述中心频率的三阶谐波处呈现高阻抗。
12.一种经封装的放大器电路，包括：
RF输入引线；
RF输出引线；
衬底，具有导电源极焊盘，所述源极焊盘连接至参考电势引线；
RF晶体管，具有栅极端子、源极端子和漏极端子，所述RF晶体管被配置用于跨RF频率范围放大RF信号，所述RF晶体管被安装在所述衬底上，其中所述源极端子直接面对所述源极焊盘并且电连接至所述源极焊盘；
输入阻抗匹配网络，将所述RF输入引线电耦合至所述栅极端子；
输出阻抗匹配网络，将所述漏极端子电耦合至所述RF输出引线；
其中所述输出阻抗匹配网络包括：
第一LC谐振器和第二LC谐振器，均与所述源极端子和所述漏极端子并联连接；以及
第一电感器，串联连接在所述漏极端子和所述RF输出引线之间，
其中所述第一LC谐振器被配置用于在所述RF信号的中心频率处补偿所述RF放大器的输出电容，以及
其中所述第二LC谐振器被配置用于补偿所述RF信号的二阶谐波。
13.根据权利要求12所述的放大器电路，其中，所述第一LC谐振器被配置用于在所述中心频率处抵消所述RF晶体管的漏极-源极电容，以及其中所述第二LC谐振器被配置用于在所述二阶谐波处呈现短路。
14.根据权利要求13所述的放大器电路，其中，所述第一电感器被配置用于在所述中心频率的三阶谐波处呈现高阻抗。
15.根据权利要求14所述的放大器电路，其中，所述第一LC谐振器包括第二电感器和第一电容器，其中所述第二LC谐振器包括第三电感器和第二电容器，其中所述第二电感器直接电连接至所述第一输出端子和所述第一电容器，其中所述第一电容器直接电连接至所述第二电感器和所述源极焊盘，其中所述第三电感器直接电连接至所述第一输出端子和所述第二电容器，其中所述第二电容器直接电连接至所述第三电感器和所述源极焊盘，以及其中所述第一电感器直接电连接至所述第一输出端子。
16.根据权利要求15所述的放大器电路，其中，所述第一电感器、所述第二电感器和所述第三电感器均由一个或多个导电接合接线形成，其中所述第一电容器和所述第二电容器分别由第一芯片电容器和第二芯片电容器提供，所述第一芯片电容器安装在所述衬底上，其中下端子直接面对所述源极焊盘并且电连接至所述源极焊盘，以及上端子电连接至所述第二电感器的接合接线，所述第二芯片电容器安装在所述衬底上，其中第一端子直接面对所述源极焊盘并且第一端子电连接至所述源极焊盘，以及上端子电连接至所述第三电感器的接合接线。
17.根据权利要求16所述的放大器电路，其中，所述第二电感器和所述第三电感器的接合接线相互交错以在所述第二电感器和所述第三电感器之间提供互感关系。
18.根据权利要求16所述的放大器电路，进一步包括：
第三电容器，安装在所述衬底上，其中下端子面对所述源极焊盘并直接连接至所述源极焊盘，以及上端子直接电连接至将所述第二电感器连接至所述第一电容器的节点，
其中所述第三电容器被配置用于在低于所述RF频率范围的非常低频率值处呈现短路。
19.根据权利要求16所述的放大器电路，进一步包括：
第四电容器，安装在所述衬底上并且串联连接在所述第一电感器和所述RF输出端口之间，
其中所述第四电容器和所述第三电感器共同地被配置用于在所述中心频率处呈现短路。
20.根据权利要求12所述的放大器电路，进一步包括：
输入阻抗匹配网络，将所述RF输入端口电耦合至所述输入端子，其中所述输入阻抗匹配网络包括：
第四电感器，串联电连接在所述RF输入端口和所述第一输入端子之间；
第三LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间；
第四LC谐振器，直接电连接在所述第一输入端子和所述参考电势端口之间并且与所述第三LC谐振器并联，
其中所述第三LC谐振器被配置用于补偿所述RF放大器的输入电容，以及
其中所述第四LC谐振器被配置用于补偿所述RF信号的二阶谐波。
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