CN105870260A - 一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 59
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 57
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 90
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 7
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 105
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 79
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 57
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 49
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 39
- 239000002077 nanosphere Substances 0.000 claims description 38
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 28
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 23
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 22
- GFLJTEHFZZNCTR-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enoyloxypropyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCCCOC(=O)C=C GFLJTEHFZZNCTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 21
- 229920000371 poly(diallyldimethylammonium chloride) polymer Polymers 0.000 claims description 21
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 21
- OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L copper(ii) acetate Chemical compound [Cu+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O OPQARKPSCNTWTJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 19
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 17
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 14
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N titanium dioxide Inorganic materials O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000032683 aging Effects 0.000 claims description 12
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 claims description 12
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 claims description 11
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N acetic acid;zinc Chemical compound [Zn].CC(O)=O.CC(O)=O ZOIORXHNWRGPMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004246 zinc acetate Substances 0.000 claims description 9
- FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N butan-1-ol;titanium Chemical compound [Ti].CCCCO.CCCCO.CCCCO.CCCCO FPCJKVGGYOAWIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 7
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 7
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims description 7
- 238000010992 reflux Methods 0.000 claims description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 7
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims description 7
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 Graphene compound Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 claims description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 claims description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical group C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 claims 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 abstract 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract 1
- 239000013049 sediment Substances 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 13
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 5
- 229940059939 kayexalate Drugs 0.000 description 5
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Natural products CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 3
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Chemical group 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000445 field-emission scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
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Abstract
本发明公开了一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，涉及材料化学领域。具体通过在基底材料上制备具有纳米结构的减反射结构，并通过铜颗粒远程催化化学气相沉积方法直接在减反结构上可控生长高质量石墨烯，获得减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜。通过此方法制备的新型复合透明导电薄膜，一方面保持了石墨烯本身的高导电性和高光学透过率、且化学性质稳定、柔韧好、导热性好、原料成本低等优势，另一方面通过与减反结构的复合，有效地减少太阳光在导电膜表面的反射损失，实现复合薄膜的高透光性和高导电性，制备的材料可用作太阳能电池窗口电极材料应用到光伏、导电等诸多领域。
Description
技术领域
本发明属于材料化学领域，具体涉及微纳多级减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法。
背景技术
透明导电薄膜作为石墨烯的一项重要应用方向，石墨烯基透明导电薄膜材料与目前广泛使用的氧化铟锡透明导电薄膜相比，从导电性、透光度、化学稳定性、柔韧性、导热性、原料成本等方面都被认为是最有前途的透明导电薄膜的材料之一，在许多方面都具有很大的潜在优势。[（1）Hiroshi Y, Kazushige U, Hiromichi O, et al. Solid StateCommunications, 2002, 121, 15.（2）Zhu Y, Murali S, Cai W, et al. Adv. Mater,2010, 22, 3906-3924. ]透明导电薄膜作为太阳能电池系统中必不可少的配件之一，其光谱透过率也是直接影响太阳能电池光电转换效率的重要因素。减少反射，增加透明导电薄膜表面太阳光的透过率是提高太阳能光伏电池转换效率的一种有效途径。为了实现对太阳光的充分利用，提高太阳能玻璃对光的透过率，科学家们在太阳能玻璃上镀制一层折射率合适的光学减反增透膜( AR膜)。[（3）W.H. Southwell, J Opt Soc Am A, 1991, 8, 549-553. ]。如何制备出高导电性、宽光谱高透光性功能协同的透明导电薄膜一直是透明导电薄膜领域的研究重点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法，要解决的技术问题是提高微纳多级减反结构在可见光波段内透光率，并利用铜颗粒远程催化直接在减反结构上生长连续高质量的石墨烯制备减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜。本发明分别制备了多种微纳多级减反结构，再用CVD法利用铜颗粒远程催化直接在所制备的减反结构上生长连续高质量的石墨烯，避免了复杂的转移工序，制备的减反结构与石墨烯复合的新型透明导电薄膜，实现复合薄膜的高透光性和高导电性，以及良好的界面调控性能。
本发明的目的是这样实现的：
一种减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜的制备方法，特点是该方法包括：设计并制备微纳多级减反结构（SiO2纳米多孔减反结构、SiO2纳米球减反结构、TiO2纳米薄膜减反结构、ZnO纳米薄膜减反结构），并利用铜颗粒远程催化直接在这些减反结构上生长连续的、大面积的、高质量的石墨烯制备减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜，具体步骤如下：
步骤1：SiO2纳米多孔减反结构的制备
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在0-50℃下陈化24-240h，将老化后的溶胶在80-95℃下回流1-15 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:20-80；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速（10-300 mm/min）提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min即可；
步骤2：SiO2纳米球减反结构的制备
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水(25-28%)及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:2-10:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2-20wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2-20wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS) xPDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍10-120min、匀速（10-300mm/min）提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min得到二氧化硅纳米球减反结构；
步骤3：TiO2纳米薄膜减反结构
将无水乙醇和乙酸混合搅拌均匀后，慢慢滴加钛酸四丁酯得到A液，将去离子水与乙醇混合搅拌得到B液，待A液搅拌30min后，将B液缓慢滴入A液中，搅拌2h后陈化1-100h得到TiO2溶胶。其中钛酸四丁酯、去离子水、乙酸、乙醇的摩尔比为1:0.5:5:10-80。再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入TiO2溶胶浸渍120s、匀速（10-300 mm/min）提拉镀制一层TiO2纳米薄膜减反结构，将制备的TiO2纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以2-20℃/min升到200-600℃煅烧10-120min即可；
步骤4：ZnO纳米薄膜减反结构
将二乙醇胺溶于乙二醇甲醚搅拌2h，再将乙酸锌加到二乙醇胺与乙二醇甲醚的混合溶液中，并在60℃下搅拌反应2h得到ZnO溶胶。其中二乙醇胺与乙酸锌的摩尔比为1:1，二乙醇胺与乙酸锌浓度为0.1-2M。再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入ZnO溶胶浸渍120s、匀速（10-300 mm/min）提拉镀制一层ZnO纳米薄膜减反结构，将制备的ZnO纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以2-20℃/min升到200-600℃煅烧10-120min即可；
步骤5：减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备
将步骤1-4制备好的减反结构（SiO2纳米多孔减反结构、SiO2纳米球减反结构、TiO2纳米薄膜减反结构、ZnO纳米薄膜减反结构）在0.01-0.3M的乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡5-30min，浸渍乙酸铜后分别置于CVD管式炉中央，通过化学气相沉积方法，利用乙酸铜高温分解生成的铜颗粒催化辅助碳源分解，直接在所述减反结构上生长石墨烯，分别得到所述减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜。
SiO2、TiO2、ZnO减反结构的引入，使石墨烯基复合透明导电薄膜的透光度较单独在石英片上生长的石墨烯的透过率有了很大提高。其中石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜的透光度较相同生长时间的单独石墨烯薄膜提高了6%。本发明的特征在于制备出多种基底减反结构，并利用化学气相沉积，通过非转移的方法，实现直接在减反结构上生长出连续高质量的石墨烯，制备减反结构/石墨烯复合纳米结构，并利用基底有效调控石墨烯生长过程及石墨烯的性能，实现高导电，高透光的协同。
本发明的有益效果：
用CVD法利用铜颗粒远程催化直接在所制备的减反结构上生长连续高质量的石墨烯，避免了复杂的转移工序。制备的减反结构与石墨烯复合的新型透明导电薄膜实现了复合薄膜的高透光性和高导电性，以及良好的界面调控性能。
附图说明
图1为本发明制备的SiO2纳米多孔减反结构SEM形貌图；
图2 为本发明制备的SiO2纳米球减反结构SEM形貌图；
图3为本发明石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜的TEM图；
图4 为本发明反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm时不同生长时间的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜的透光率曲线图；
图5为本发明反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm时不同生长时间的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜的拉曼光谱图。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步的说明，以增加对本发明的理解，但本发明绝非限于实施例。
实施例1
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在10℃下陈化150h，将老化后的溶胶在85℃下回流10 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:50；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速50 mm/min提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米多孔减反膜复合透明导电薄膜。SiO2纳米多孔减反结构形貌如图1所示。
实施例2
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在10℃下陈化150h，将老化后的溶胶在85℃下回流10 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:38；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速50 mm/min提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜。
实施例3
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在10℃下陈化150h，将老化后的溶胶在85℃下回流10 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:38；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速100 mm/min提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜。
实施例4
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在10℃下陈化150h，将老化后的溶胶在85℃下回流10 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:38；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速100 mm/min提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为20分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜。
实施例5
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓氨水（28%）溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在10℃下陈化150h，将老化后的溶胶在85℃下回流10 h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1:0.8:38；再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速100 mm/min提拉镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为900℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为20分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米多孔减反结构复合透明导电薄膜。
实施例6
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水25%及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:4:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS)5PDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍30min、匀速120mm/min提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜。SiO2纳米球减反膜形貌如图2所示；图3为石墨烯/SiO2纳米球反结构复合透明导电薄膜的TEM图。
实施例7
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水25%及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:10:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS) 5PDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍30min、匀速120mm/min提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜。
实施例8
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水25%及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:4:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS)5PDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍30min、匀速200mm/min提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜。
实施例9
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水25%及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:4:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS)5PDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍30min、匀速120mm/min提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为20分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜。
实施例10
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将氨水25%及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶。其中正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1:4:0.5。再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构的薄膜, 具体如下: 石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，然后通过提拉镀膜方法分别交替浸入2wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)溶液中2min, 每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 直到得到(PDDA/PSS)5PDDA涂层, 最后浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍30min、匀速120mm/min提拉镀制一层SiO2纳米球减反结构，60℃烘箱中干燥30min在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1050℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜。
实施例11
将无水乙醇和乙酸混合搅拌均匀后，慢慢滴加钛酸四丁酯得到A液，将去离子水与乙醇混合搅拌得到B液，待A液搅拌30min后，将B缓慢滴入A中，搅拌2h后陈化15h可得到TiO2溶胶。其中钛酸四丁酯、去离子水、乙酸、乙醇的摩尔比为1:0.5:5:25。再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入TiO2溶胶浸渍30min、匀速200mm/min提拉镀制一层TiO2纳米薄膜减反结构，将制备的TiO2纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以5℃/min升到450℃煅烧120min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/TiO2纳米薄膜减反结构复合透明导电薄膜。
实施例12
将无水乙醇和乙酸混合搅拌均匀后，慢慢滴加钛酸四丁酯得到A液，将去离子水与乙醇混合搅拌得到B液，待A液搅拌30min后，将B缓慢滴入A液中，搅拌2h后陈化30h可得到TiO2溶胶。其中钛酸四丁酯、去离子水、乙酸、乙醇的摩尔比为1:0.5:5:50。再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入TiO2溶胶浸渍30min、匀速100mm/min提拉镀制一层TiO2纳米薄膜减反结构，将制备的TiO2纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以5℃/min升到450℃煅烧60min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/TiO2纳米薄膜减反结构复合透明导电薄膜。
实施例13
将二乙醇胺溶于乙二醇甲醚搅拌2h，再将乙酸锌加到二乙醇胺与乙二醇甲醚的混合溶液中，并在60℃下搅拌反应2h可得到ZnO溶胶。其中二乙醇胺与乙酸锌的摩尔比为1:1，二乙醇胺与乙酸锌浓度为0.5M。再通过提拉镀膜方法将透光率为 93％的石英片竖直浸入ZnO溶胶浸渍120s、匀速50 mm/min提拉镀制一层ZnO纳米薄膜减反结构，将制备的ZnO纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以5℃/min升到550℃煅烧60min后在0.1M乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡10min，烘干后放入管式炉中，反应温度为1000℃，CH4、H2、Ar的流量分别15sccm、5sccm和230sccm，反应时间为30分钟。反应结束后自然冷却至室温即可得到所需的石墨烯/ZnO纳米薄膜减反结构复合透明导电薄膜。
实施例所得样品表征与性能评价
(1) 薄膜的形貌表征
对本发明所得薄膜样品通过场发射扫描电镜（FE-SEM, Hitachi S-4800）观察薄膜形貌；通过场发射透射电镜（TEM, JEM2100F）观察薄膜结构；利用拉曼光谱仪（Raman，ThermoDXR Raman microscope，激发波长为532nm）测定石墨烯的层数、晶体结构等信息。
(2)光学、电学性能表征
将本发明所得到的石墨烯与减反结构的复合薄膜用紫外－可见（Hitachi U4100）测试薄膜的透过率；采用四探针法测试薄膜的方块电阻。如图3本发明石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜的TEM图，可以看出该法能够有效的在SiO2纳米球减反膜上生长连续的石墨烯薄膜，且石墨烯能较为较好较紧密地全包覆纳米球。石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合透明导电薄膜在不同生长时间的透过率光谱图如图4所示，随着生长时间增加复合透明导电薄膜的透过率减小，550nm波长处的透过率从96.3%降到83%，测得其方块电阻从20.5 kΩ降到0.9 kΩ。图5为不同生长时间的石墨烯/SiO2纳米球减反结构复合薄膜样品的拉曼光谱图，总体上随着生长时间的增加ID/IG 的比值减小，I2D/IG比值从2.31减小到0.51，说明石墨烯层数随时间可控地从单层、双层变为多层。
Claims (2)
1.一种减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜的制备方法，其特征在于该方法包括以下具体步骤：
步骤1：SiO2纳米多孔减反结构的制备
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓度28%的氨水溶于无水乙醇得到B液；各自搅拌20min后将A液逐滴滴入B液中，搅拌反应2ｈ后放置在0℃-50℃下陈化24-240h，再在80-95℃下回流1-15 h，得到SiO2溶胶；通过提拉镀膜方式将透光率为 93％的石英片竖直浸入SiO2溶胶浸渍120s、匀速提拉，镀制一层SiO2纳米多孔减反结构，60℃烘箱中干燥30min即可；其中，正硅酸乙酯、氨水和无水乙醇摩尔比为1：0.8：20-80；匀速提拉速度为10-300 mm/min；
步骤2：SiO2纳米球减反结构的制备
将正硅酸乙酯溶于无水乙醇得到A液；将浓度25-28%的氨水及去离子水溶于无水乙醇得到B液；在45℃恒温水浴中，将A液快速倒入B液中，搅拌反应3h得到SiO2溶胶；再采用浸涂层状自组装方法制备SiO2纳米球减反结构， 60℃烘箱中干燥30min，得到二氧化硅纳米球减反结构；其中，正硅酸乙酯、去离子水、氨水摩尔比为0.1：2-10：0.5；其中，所述浸涂层状自组装方法是：石英片用8%NaOH溶液50℃处理2min并用超纯水洗净，通过提拉镀膜方式分别交替浸入2-20wt%的邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯(PDDA)和2-20wt%的聚苯乙烯磺酸钠(PSS)的溶液中2min,每次取出用蒸馏水冲洗掉物理吸附的聚电解质, 得到（PDDA/PSS)xPDDA涂层；再浸入SiO2纳米球溶胶中浸渍10-120min、匀速提拉，镀制一层SiO2纳米球减反结构；其中x=1-100；匀速提拉速度为10-300 mm/min；
步骤3：TiO2纳米薄膜减反结构
将乙醇和乙酸混合搅拌均匀后，慢慢滴加钛酸四丁酯得到A液，将去离子水与无水乙醇混合搅拌得到B液，待A液搅拌30min后，将B液缓慢滴入A液中，搅拌2h后陈化1-100h，得到TiO2溶胶；再通过提拉镀膜方式将透光率为 93％的石英片竖直浸入TiO2溶胶浸渍120s、匀速提拉，镀制一层TiO2纳米薄膜减反结构，将制备的TiO2纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以2-20℃ /min升到200-600°C煅烧10-120min；其中钛酸四丁酯、去离子水、乙酸、乙醇的摩尔比为1：0.5：5：10-80；匀速提拉速度为10-300 mm/min；
步骤4：ZnO纳米薄膜减反结构
将二乙醇胺溶于乙二醇甲醚搅拌2h，再将乙酸锌加到二乙醇胺与乙二醇甲醚的混合溶液中，并在60℃下搅拌反应2h得到ZnO溶胶；通过提拉镀膜方式将透光率为 93％的石英片竖直浸入ZnO溶胶浸渍120s、匀速提拉，镀制一层ZnO纳米薄膜减反结构，将制备的ZnO纳米薄膜减反结构置于马弗炉，以2-20℃ /min升到200-600℃煅烧10-120min；其中，二乙醇胺与乙酸锌的摩尔比为1:1，二乙醇胺与乙酸锌浓度为0.1-2M；匀速提拉速度为10-300 mm/min；
步骤5：减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备
将步骤1-4制备好的减反结构分别在0.01-0.3M的乙酸铜的无水乙醇溶液中浸泡5-30min，浸渍乙酸铜后分别置于CVD管式炉中央，通过化学气相沉积法，利用乙酸铜高温分解生成的铜颗粒催化辅助碳源分解，直接在减反结构上生长石墨烯，分别得到步骤1-4减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述化学气相沉积法包括：
(a) 通入保护气体及还原气体排除管内空气，排气时间为0-120分钟；并在保护气体及还原气体氛围下升温加热至反应温度600-1300℃，升温速率在0.5-20℃/分钟；保温0-120分钟；
(b) 然后通入碳源，气体流量为1-800sccm，反应时间为1-240分钟；
(c) 反应结束后，停止通入碳源，控制降温速率为10-50℃/分钟，冷却至室温；其中：
所述碳源为甲烷、乙烷、丙烷、乙烯、乙炔、乙醇或其混合气；所述保护气体为氩气、氮气、氦气或其混合气；所述还原气体为氢气。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610375797.2A CN105870260B (zh) | 2016-05-31 | 2016-05-31 | 一种减反结构与石墨烯复合透明导电薄膜的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105870260A true CN105870260A (zh) | 2016-08-17 |
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ID=56642856
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107555811A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-09 | 重庆市中光电显示技术有限公司 | 一种用于触摸屏的抗刮增透保护玻璃及其制备方法 |
| WO2018094806A1 (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置 |
| CN108648883A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-12 | 华东师范大学 | 一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法 |
| CN114262165A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-01 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种全向反射红色玻璃 |
| CN114394767A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-26 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070134496A1 (en) * | 2003-10-29 | 2007-06-14 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Carbon nanotube-dispersed composite material, method for producing same and article same is applied to |
| CN102064204A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-05-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法 |
| CN102874822A (zh) * | 2012-10-24 | 2013-01-16 | 河南安彩高科股份有限公司 | 一种二氧化硅溶胶、其制法和应用 |
| CN104944794A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-30 | 华东理工大学 | 一种制备石墨烯-SiO2增透薄膜的方法 |
-
2016
- 2016-05-31 CN CN201610375797.2A patent/CN105870260B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070134496A1 (en) * | 2003-10-29 | 2007-06-14 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Carbon nanotube-dispersed composite material, method for producing same and article same is applied to |
| CN102064204A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-05-18 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种宽带减反增透纳米结构及其制备方法 |
| CN102874822A (zh) * | 2012-10-24 | 2013-01-16 | 河南安彩高科股份有限公司 | 一种二氧化硅溶胶、其制法和应用 |
| CN104944794A (zh) * | 2015-06-04 | 2015-09-30 | 华东理工大学 | 一种制备石墨烯-SiO2增透薄膜的方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018094806A1 (zh) * | 2016-11-22 | 2018-05-31 | 武汉华星光电技术有限公司 | 一种微纳结构减反膜的制作方法及显示装置 |
| CN107555811A (zh) * | 2017-09-15 | 2018-01-09 | 重庆市中光电显示技术有限公司 | 一种用于触摸屏的抗刮增透保护玻璃及其制备方法 |
| CN108648883A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-10-12 | 华东师范大学 | 一种双层减反结构与石墨烯复合的透明导电薄膜制备方法 |
| CN114262165A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-01 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种全向反射红色玻璃 |
| CN114394767A (zh) * | 2021-12-27 | 2022-04-26 | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 | 一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法 |
| CN114262165B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-08-22 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种全向反射红色玻璃 |
| CN114394767B (zh) * | 2021-12-27 | 2023-08-22 | 中建材玻璃新材料研究院集团有限公司 | 一种降低观测角度影响的红色玻璃的制备方法 |
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