CN105827214A - 滤波器装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供滤波器装置，将低通滤波器(4)和高通滤波器(5)串联连接。低通滤波器(4)具有：有谐振频率以及反谐振频率的第1声谐振器(11a～11c)、连接在信号线与接地电位间的第1电感器(12a、12b)、和第1电容元件(13a、13b)。高通滤波器(5)具有：第2电感器(21a、21b)、第2电容元件(22a、22b)、和第2声谐振器(23a～23c)。在通频带的低频侧设置第1声谐振器(11a～11c)的反谐振频率所引起的第1衰减域(f1)。在通频带的高频侧设置第2声谐振器(23a～23c)的谐振频率所引起的第2衰减域。在比第1衰减域(f1)更低频侧设置LC皆振电路所引起的第3衰减域，在比第2衰减域更高频侧设置其他LC谐振电路所引起的第4的衰减域。

Description

滤波器装置
技术领域
本发明涉及具有通频带和多个衰减频带的滤波器装置。
背景技术
在下述的专利文献1所记载的滤波器装置中，在LC滤波器组合SAW谐振器。通过SAW谐振器设置陷波。
另一方面，在下述的专利文献2公开了将LiNbO3用在压电体层中的声表面波装置。记载了在将LiNbO3用在压电体层中的声表面波装置中，SH波的高阶模成为杂波而呈现在通频带内的意思。指出由此损耗变大这一情况。
专利文献
专利文献1：JP特开2012-257050号公报
专利文献2：WO2007/097186A1
例如如专利文献1记载的那样，在需要使用SAW谐振器在2个频段设置陷波的情况下，不得不将陷波电路级联连接。为此损耗变大，且滤波器装置的尺寸往往会变大。
另一方面，如专利文献2记载的那样，过去已知，SH波的高阶模成为使损耗增大的杂波。为此认为应当抑制SH波的高阶模。
发明内容
本发明的目的在于提供组合了集中常数元件和声谐振器、并且能谋求电路构成的简化、滤波器装置的小型化以及低损耗化的滤波器装置。
在本发明所涉及的滤波器装置中，具备：输入端子；输出端子；低通滤波器，其连接在所述输入端子与所述输出端子间；和高通滤波器，其在所述输入端子与所述输出端子间和所述低通滤波器串联连接，所述低通滤波器具有：第1声谐振器，其设于将所述输入端子和所述输出端子连结的信号线，有谐振频率以及反谐振频率；第1电感器，其连接在所述信号线与接地电位间；和第1电容元件，其与所述第1电感器串联连接，与所述第1电感器一起构成第1LC谐振电路，所述高通滤波器具有：第2电感器，其设于所述信号线；第2电容元件，其与所述第2电感器并联连接，与所述第2电感器一起构成第2LC谐振电路；和第2声谐振器，其连接在所述信号线与所述接地电位间，有谐振频率以及反谐振频率，在通频带的低频侧设置所述第1声谐振器的反谐振频率所引起的第1衰减域，在通频带的高频侧设置所述第2声谐振器的谐振频率所引起的第2衰减域，在比所述第1衰减域更低频侧设置所述第1LC谐振电路的谐振频率所引起的第3衰减域，在比所述第2衰减域更高频侧设置所述第2LC谐振电路的谐振频率所引起的第4的衰减域。
在本发明所涉及的滤波器装置的某特定的局面下，在所述第1衰减域与所述第3衰减域间设置第2通频带。在该情况下，能提供不仅有第1通频带还有第2通频带的滤波器装置。
在本发明所涉及的滤波器装置的其他特定的局面下，在所述第2衰减域与所述第4的衰减域间设置第3通频带。在该情况下，能提供进一步具有第3通频带的滤波器装置。
在本发明所涉及的滤波器装置的另外特定的局面下，所述第1声谐振器是弹性波谐振器。
在本发明所涉及的滤波器装置的其他特定的局面下，所述第1声谐振器是具有由LiNbO3构成的压电体层、和设于该压电体层的一面的IDT电极的声表面波谐振器。在该情况下，能减低比反谐振频率更高频侧的损耗(由于电容的Q高)。
在本发明所涉及的滤波器装置的其他特定的局面下，所述弹性波谐振器的SH波所引起的响应位于所述第1衰减域。在该情况下，能有效果地提高以第1声谐振器构成的陷波中的衰减量。另外，能扩大衰减频带的宽度。进而，能不增加电路数和谐振器地使衰减量较大。
在本发明所涉及的滤波器装置的另外的特定的局面下，所述弹性波谐振器的SH波的高次谐波所引起的杂波位于所述第2衰减域。在该情况下，能利用SH波的高次谐波所引起的杂波来更有效果地使第2衰减域的衰减量大。即，能利用不需要的SH波的高次谐波来谋求第2衰减域的衰减特性的改善。
在本发明所涉及的滤波器装置的其他特定的局面下，所述第2声谐振器是弹性波谐振器。
在本发明所涉及的滤波器装置的另外的特定的局面下，所述第2声谐振器是具有由LiTaO3构成的压电体层、和设于该压电体层的一方的面的IDT电极的声表面波谐振器。在该情况下，由于LiTaO3比LiNbO3廉价，因此能减低成本。另外，在使用LiTaO3的声表面波谐振器中，在比谐振频率更低频侧难以产生不需要波，损耗也小。因此能利用稳定的电容特性。因而能谋求更加进一步的低损耗化。
发明的效果
根据本发明，在具有4个衰减域的滤波器装置中，能谋求低损耗化、小型化以及电路构成的简化。
附图说明
图1是本发明的第1实施方式所涉及的滤波器装置的电路图。
图2是表示本发明的第1实施方式的滤波器装置的滤波器特性的图。
图3是作为第1声谐振器的具有由LiNbO3构成的压电体层的声表面波谐振器的概略主视截面图。
图4是作为第2声谐振器的具有由LiTaO3构成的压电体层的声表面波谐振器的概略主视截面图。
图5是表示在本发明的第1实施方式中作为第1声谐振器的具有由LiNbO3构成的压电体层的声表面波谐振器的阻抗-频率特性的图。
图6是表示在本发明的第1实施方式中作为第2声谐振器的具有由LiTaO3构成的压电体层的声表面波谐振器的阻抗-频率特性的图。
图7是表示在第1实施方式的滤波器特性中第1、第2声谐振器的谐振频率或反谐振频率、与衰减域关系的图。
图8是本发明的第2实施方式所涉及的滤波器装置的电路图。
图9是表示本发明的第3实施方式所涉及的滤波器装置的滤波器特性的图。
标号的说明
1滤波器装置
2输入端子
3输出端子
4低通滤波器
5高通滤波器
11a～11c第1声谐振器
12a、12b第1电感器
13a、13b第1电容元件
21a、21b第2电感器
22a、22b第2电容元件
23a～23c第2声谐振器
31压电体层
32IDT电极
33SiO2膜
34压电体层
35IDT电极
36SiO2膜
41滤波器装置
42a、42b、43a、43b声谐振器
f1～f4第1～第4的衰减域
P1～P3第1～第3通频带
具体实施方式
以下参考图面来说明本发明的具体的实施方式，由此使本发明得到明确。
另外指出，本说明书所记载的各实施方式都是例示，在不同的实施方式间能进行构成的部分的置换或组合。
图1是本发明的第1实施方式所涉及的滤波器装置的电路图。
滤波器装置1具有输入端子2和输出端子3。在输入端子2与输出端子3间串联连接低通滤波器4、和高通滤波器5。
低通滤波器4具有设于连结输入端子2和输出端子3的信号线上的第1声谐振器11a、11b、11c。第1声谐振器11a、11b、11c是具有谐振频率以及反谐振频率的声谐振器。在本实施方式中，第1声谐振器11a、11b、11c由声表面波谐振器构成。
在低通滤波器4中，在第1声谐振器11a与第1声谐振器11b间的连接点、与接地电位之间连接第1电感器12a。将第1电容元件13a与第1电感器12a串联连接。在第1声谐振器11b与第1声谐振器11c间的连接点、与接地电位之间，也连接第1电感器12b以及第1电容元件13b。
另一方面，高通滤波器5具有设于信号线上的第2电感器21a、21b。将第2电容元件22a、22b与第2电感器21a、21b并联连接。
另一方面，在高通滤波器5中，在信号线与接地电位间设置第2声谐振器23a～23c。更具体地，在第2电感器21a的输入端侧与接地电位间设置第2声谐振器23a。在第2电感器21a与第2电感器21b间的连接点、与接地电位之间连接第2声谐振器23b。在第2电感器21b的输出端侧与接地电位间连接第2声谐振器23c。第2声谐振器23a～23c是具有谐振频率以及反谐振频率的声谐振器，在本实施方式中由声表面波谐振器构成。
图2是表示第1实施方式的滤波器装置1的滤波器特性的图。如图2所示那样设置第1～第4的衰减域f1～f4。即，在通频带P的低频侧设置第1衰减域f1，在通频带P的高频侧设置第2衰减域f2。进而在比第1衰减域f1更低频侧设置第3衰减域f3。在比第2衰减域f2更高频侧设置第4的衰减域f4。滤波器装置1的特征在于，通过上述电路构成来设置第1～第4的衰减域f1～f4。
更具体地，第1声谐振器11a～11c的反谐振频率位于第1衰减域f1，由此确保了第1衰减域f1中的衰减量。
另一方面，第2声谐振器23a～23c的谐振频率位于第2衰减域f2。即，通过第2声谐振器23a～23c而使得第2衰减域f2中的衰减量足够大。
另一方面，由第1电感器12a、12b和第1电容元件13a、13b构成的LC谐振电路的谐振频率位于第3衰减域f3。
另外，具有第2电感器21a、21b和第2电容元件22a、22b的LC谐振电路的谐振频率位于第4的衰减域f4。由此在第1衰减域f1与第2衰减域f2间形成通频带，且形成上述第1～第4的衰减域f1～f4。
进而，在本实施方式中，利用第1声谐振器11a～11c中的SH波的高阶模来进一步提高第2衰减域f2的衰减量。以下对此进行更详细的说明。
图3是第1声谐振器11a的概略主视截面图。第1声谐振器11a具有：压电体层31、和设于压电体层31的单面的IDT电极32。压电体层31由LiNbO3构成。虽未特别图示，但在IDT电极32的声表面波传播方向两侧设置反射器。由此构成分别有1个输入和输出的声表面波谐振器。设置SiO2膜33来覆盖IDT电极32。由该SiO2膜33保护IDT电极32。
第1声谐振器11b、11c也同样构成第1声谐振器11a。
图5是表示该第1声谐振器11a的阻抗-频率特性的图。可知由于具有由LiNbO3构成的压电体层31，因此除了呈现箭头A所示的SH波的基模的响应以外，还呈现箭头B所示的基于SH波的高阶模的响应。通过改变SiO2膜33的膜厚，箭头B的SH波的高阶模的频率进行移位。
利用第1声谐振器11a的基模的反谐振频率的电阻值来设置前述的第1衰减域f1。另一方面，对于箭头B所示的SH波的高阶模，由于过去在弹性波滤波器中，如专利文献2记载的那样成为杂波，因此谋求其抑制。
与此相对，在本实施方式中，上述箭头B所示的SH波的高阶模位于第2衰减域f2。由此，不仅由于第2声谐振器23a～23c的谐振频率下的由第2声谐振器23a～23c的阻抗引起的弹性波滤波器的衰减量，还由于第1声谐振器11a、11b、11c的SH波的高阶模的响应，使得弹性波滤波器的衰减量较大。
由于能通过利用SH波的高阶模来谋求衰减量的扩大，因此能不增加电路的阶数和谐振器的数量地使衰减量较大。因而能推进小型化以及低损耗化。
另外，第1声谐振器11a～11c中的频率特性的调整能以IDT电极的材料以及膜厚进行调整。即，对于SH波的基模与高阶模的频率间隔，也能以IDT电极的材料、膜厚进行调整。进而，在压电体层31上形成SiO2等的电介质层，以该电介质层的膜厚也能调整高阶模的水平(level)的大小等。具体地，若使电介质层较厚，就能提高高阶模的水平。因而如图5所示那样，能使SH波的基模以及高阶模分别位于第1、第2衰减域f1、f2。
图4是表示第2声谐振器23a的概略主视截面图。第2声谐振器23b、23c和第2声谐振器23a同样地构成。
如图4所示那样，在压电体层34上形成IDT电极35。压电体层34由LiTaO3。设置SiO2膜36来覆盖IDT电极35。
在图6示出将LiTaO3用作压电体层的第2声谐振器23a的阻抗-频率特性。如从图6所明确的那样，可知在将LiTaO3用作压电体层的第2声谐振器23a中，虽然呈现出SH波的基模的响应，但未观察到高阶模所引起的响应。该第2声谐振器23a的谐振频率如前述那样构成第2衰减域f2。
参考图7来说明第1、第2声谐振器11a～11c、23a～23c的阻抗-频率特性、与上述滤波器特性的关系。
图7的D-E相当于以图5的D-E所示的频段。即，D表示反谐振频率下的频率位置。E表示SH波的高阶模中的反谐振频率的频率位置。
另一方面，图7的F表示图6的F的频率位置。即，F表示第2声谐振器23a的谐振频率的频率位置。
如从图7所明确的那样，通过第1声谐振器11a～11c形成了第1衰减域f1。通过第2声谐振器23a的谐振频率的阻抗、和图5所示的第1声谐振器11a的SH波的高阶模的反谐振频率的阻抗来实现第2衰减域f2。
因而在本实施方式的滤波器装置1中，例如适用为以中频蜂窝带(1710～2170MHz)为通频带的便携电话机用的滤波器。在蜂窝频带的紧靠蜂窝带的低频侧存在GPS带(1559～1608MHz)，在紧靠蜂窝带的高频侧存在ISM2.4GHz带(2400～2483MHz)。在低于GPS带的频段存在低频蜂窝带(699～960MHz)，在比ISM2.4GHz带更高频侧存在WLAN(IEEE802.11a)的通信频段(5150～5850MHz)。根据滤波器装置1，能由第1衰减域f1以及第2衰减域f2形成GPS带的陷波以及使ISM2.4GHz带的信号衰减的陷波。另外，通过上述第3衰减域f3以及第4的衰减域f4，能将上述低频蜂窝带以及WLAN带作为衰减域。
图8是表示第2实施方式的滤波器装置41的电路图。在滤波器装置41中，在低通滤波器4中取代第1电容元件13a、13b而使用声谐振器42a、42b。另外，在高通滤波器5中取代第2电容元件22a、22b而使用声谐振器43a、43b。第2实施方式的滤波器装置41的其他构成和第1实施方式的滤波器装置1同样。因此，对同一部分标注同一参考编号，从而将第1实施方式的说明作为援用。
声谐振器42a、42b是具有谐振频率和反谐振频率的声谐振器，声谐振器42a、42b由于谐振频率以及反谐振频率以外的频段中的声谐振器42a、42b所具有的电容而被用作第1电容元件。通过基于该声谐振器42a、42b的电容和第1电感器12a、12b的第1LC谐振电路的谐振频率来构成第3衰减域f3。另外，声谐振器42a、42b的谐振频率和第2声谐振器23a～23c同样位于第2衰减域f2。因此能使第2衰减域f2中的衰减量更加进一步增大。
同样地，作为第2电容元件的声谐振器43a、43b的反谐振频率和第1声谐振器11a～11c同样地位于第1衰减域f1。因此能使第1衰减域f1中的衰减量更加进一步大。
声谐振器43a、43b的电容、第2电感器21a、21b的LC谐振电路的谐振频率位于第4的衰减域f4。
也可以如滤波器装置41那样由具有谐振频率和反谐振频率的声谐振器来构成第1、第2电容元件。由此能如上述那样更加进一步谋求衰减域的衰减量的扩大。然而为了实现元件结构的简化，第1、第2电容元件期望由电容器构成，而不是由谐振器构成。
另外，在滤波器装置1中，第1声谐振器11a～11c使用LiNbO3基板而构成，第2声谐振器23a～23c使用LiTaO3而构成。但是，本发明并不限定于该组合。即，若在第2声谐振器23a～23c容许呈现出SH波的高阶模，则可以对第2声谐振器23a～23c也使用LiNbO3而构成。在该情况下，能使用LiNbO3基板来构成第1声谐振器11a～11c和第2声谐振器23a～23c。
另外，也可以使用由LiTaO3构成的压电体层来形成第1声谐振器11a～11c。在该情况下不能谋求SH波所引起的衰减量的扩大。然而，能使用单一的压电体层来构成第1声谐振器11a～11c、和第2声谐振器23a～23c的全部声谐振器。
在压电体层的材料中使用LiTaO3的情况下，由于和在压电体层的材料中使用LiNbO3的情况相比更廉价，因此能谋求滤波器装置的成本的减低。另外，在设于由LiTaO3构成的压电体层的第1声谐振器11a～11c的比谐振频率更低频侧难以产生不需要波。因此，由于具有比较稳定的电容特性，因而能谋求滤波器装置1的低损耗化。
另外，在第1以及第2实施方式中使用第1声谐振器11a～11c以及第2声谐振器23a～23c，但第1、第2声谐振器的数量并没有特别的限定。同样地，关于第1电感器12a、12b、第1电容元件13a、13b、第2电感器21a、21b以及第2电容元件22a、22b的数量也没有特别的限定。
另外，作为第1声谐振器11a～11c以及第2声谐振器23a～23c，也可以使用声表面波谐振器以外的弹性波谐振器。例如也可以使用声边界波谐振器。另外，也可以使用利用了在压电薄膜传播的体波的压电薄膜谐振器，该压电薄膜是在硅晶圆等的载体的一部分薄膜形成了压电体层。进而也可以使用单板型或层叠型的压电谐振器那样的各种压电谐振器。
另外，在滤波器装置1中形成1个通频带、和4个衰减域f1～f4，但也可以如图9所示的作为第3实施方式的滤波器装置的滤波器特性那样，设置第1～第3通频带P1～P3。即，可以在第1衰减域f1与第3衰减域f3间设置第2通频带P2，在第1衰减域f1与第2衰减域f2间配置第1通频带P1。也可以进一步在第2衰减域f2的高频侧设置第3通频带P3。

Claims (9)

1.一种滤波器装置，具备：
输入端子；
输出端子；
低通滤波器，其连接在所述输入端子与所述输出端子间；和
高通滤波器，在所述输入端子与所述输出端子间，该高通滤波器和所述低通滤波器串联连接，
所述低通滤波器具有：
第1声谐振器，其设于将所述输入端子和所述输出端子连结的信号线，并具有谐振频率以及反谐振频率；
第1电感器，其连接在所述信号线与接地电位间；和
第1电容元件，其和所述第1电感器串联连接，且与所述第1电感器一起构成第1LC谐振电路，
所述高通滤波器具有：
第2电感器，其设于所述信号线；
第2电容元件，其与所述第2电感器并联连接，且与所述第2电感器一起构成第2LC谐振电路；和
第2声谐振器，其连接在所述信号线与所述接地电位间，并具有谐振频率以及反谐振频率，
在通频带的低频侧设置所述第1声谐振器的反谐振频率所引起的第1衰减域，在通频带的高频侧设置所述第2声谐振器的谐振频率所引起的第2衰减域，
在比所述第1衰减域更低频侧设置所述第1LC谐振电路的谐振频率所引起的第3衰减域，
在比所述第2衰减域更高频侧设置所述第2LC谐振电路的谐振频率所引起的第4的衰减域。
2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，
在所述第1衰减域与所述第3衰减域间设置第2通频带。
3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，
在所述第2衰减域与所述第4的衰减域间设置第3通频带。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第1声谐振器是弹性波谐振器。
5.根据权利要求4所述的滤波器装置，其中，
所述第1声谐振器是具有由LiNbO3构成的压电体层、和设于该压电体层的一面的IDT电极的声表面波谐振器。
6.根据权利要求5所述的滤波器装置，其中，
所述弹性波谐振器的SH波所引起的响应位于所述第1衰减域。
7.根据权利要求5所述的滤波器装置，其中，
所述弹性波谐振器的SH波的高次谐波所引起的杂波位于所述第2衰减域。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的滤波器装置，其中，
所述第2声谐振器是弹性波谐振器。
9.根据权利要求8所述的滤波器装置，其中，
所述第2声谐振器足具有由LiTaO3构成的压电体层、和设于该压电体层的一方的面的IDT电极的声表面波谐振器。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400776A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 太阳诱电株式会社 滤波电路、复用器以及模块
CN111211752A (zh) * 2020-02-26 2020-05-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备
CN113630352A (zh) * 2021-04-27 2021-11-09 中国电子科技集团公司第三十研究所 一种基于相位相消的频率连续可调陷波电路

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10491193B2 (en) * 2016-05-13 2019-11-26 Qorvo Us, Inc. Circuit for suppressing signals adjacent to a passband
US10148249B2 (en) * 2016-08-05 2018-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. High frequency circuit and communication apparatus
JP6708177B2 (ja) * 2017-07-21 2020-06-10 株式会社村田製作所 高周波フィルタ、マルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置
CN108155883A (zh) * 2018-01-18 2018-06-12 北京中科飞鸿科技有限公司 一种高频带、高抑制的微型化带通lc滤波器
DE102018103642A1 (de) 2018-02-19 2019-08-22 RF360 Europe GmbH Electronic RF Filter
KR20190122493A (ko) 2018-04-20 2019-10-30 삼성전기주식회사 하이 패스 필터
KR20200031898A (ko) * 2018-09-17 2020-03-25 삼성전기주식회사 대역 통과 필터
US11082029B2 (en) * 2018-09-28 2021-08-03 Skyworks Solutions, Inc. Acoustic wave device with multi-layer interdigital transducer electrode
JP2020108066A (ja) 2018-12-28 2020-07-09 株式会社村田製作所 フィルタ回路及びフィルタ装置
KR20200131528A (ko) 2019-05-14 2020-11-24 삼성전기주식회사 체적 음향 공진기를 포함하는 필터
JP2022012383A (ja) * 2020-07-01 2022-01-17 株式会社村田製作所 フィルタ装置、マルチプレクサおよび通信装置
CN115051669A (zh) * 2022-05-30 2022-09-13 深圳振华富电子有限公司 一种无源低通滤波器及低通滤波电路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243966A (ja) * 2001-12-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp フィルタ回路
JP2011234191A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Kyocera Kinseki Corp バンドパスフィルタ装置
CN103201953A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04114505A (ja) * 1990-09-04 1992-04-15 Ikeda Takeshi 共振フィルタ
JP3720930B2 (ja) * 1996-11-18 2005-11-30 株式会社東芝 弾性表面波フィルタおよび通過周波数帯域の形成方法
US5854579A (en) * 1997-08-25 1998-12-29 Motorola Inc. Saw filter using low-pass configuration and method of providing the same
JP3482957B2 (ja) * 1998-11-13 2004-01-06 松下電器産業株式会社 弾性表面波フィルタ
US7061345B2 (en) * 2001-12-14 2006-06-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Filter circuit with series and parallel elements
JP2004129238A (ja) * 2002-09-10 2004-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 帯域阻止型フィルタ、フィルタ装置、アンテナ共用器、通信機器
US6879224B2 (en) 2002-09-12 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Integrated filter and impedance matching network
JP2006086871A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Kyocera Corp 複合型分波回路、並びにそれを用いたチップ部品、高周波モジュール及び無線通信機器
JP2007074698A (ja) 2005-08-08 2007-03-22 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びラダー型フィルタ
KR100799438B1 (ko) 2005-08-08 2008-01-30 후지쓰 메디아 데바이스 가부시키가이샤 분파기 및 래더형 필터
WO2007023643A1 (ja) 2005-08-23 2007-03-01 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性波フィルタ
US20070159274A1 (en) * 2005-12-26 2007-07-12 Tatsunori Onzuka SAW filter and portable terminal
CN101385240A (zh) 2006-02-20 2009-03-11 株式会社村田制作所 声表面波装置
JP4463262B2 (ja) * 2006-11-22 2010-05-19 富士通メディアデバイス株式会社 フィルタデバイス
DE102007033233B4 (de) * 2007-07-17 2011-03-31 Epcos Ag Hochpassfilter und Verwendung
KR101131287B1 (ko) * 2008-02-05 2012-03-30 니혼 덴파 고교 가부시끼가이샤 필터, 휴대 단말기 및 전자 부품
CN102077465B (zh) * 2008-06-30 2013-06-12 株式会社村田制作所 带阻滤波器
JP5237138B2 (ja) 2009-01-27 2013-07-17 太陽誘電株式会社 フィルタ、デュープレクサ、通信モジュール
KR101387447B1 (ko) 2010-01-28 2014-04-21 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성표면파 필터장치
JP5617936B2 (ja) * 2011-01-19 2014-11-05 株式会社村田製作所 弾性表面波装置
JP2012257050A (ja) 2011-06-08 2012-12-27 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd ハイパス型のノッチフィルタ及びこのフィルタを備えた電子機器
DE112012004229B4 (de) 2011-06-23 2019-05-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Splitter
JP2014033377A (ja) * 2012-08-06 2014-02-20 Panasonic Corp アンテナ共用器

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243966A (ja) * 2001-12-14 2003-08-29 Mitsubishi Electric Corp フィルタ回路
JP2011234191A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Kyocera Kinseki Corp バンドパスフィルタ装置
CN103201953A (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 株式会社村田制作所 弹性波滤波器装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108400776A (zh) * 2017-02-08 2018-08-14 太阳诱电株式会社 滤波电路、复用器以及模块
CN111211752A (zh) * 2020-02-26 2020-05-29 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备
CN111211752B (zh) * 2020-02-26 2021-04-16 诺思(天津)微系统有限责任公司 滤波器及其制造方法、多工器和通信设备
CN113630352A (zh) * 2021-04-27 2021-11-09 中国电子科技集团公司第三十研究所 一种基于相位相消的频率连续可调陷波电路
CN113630352B (zh) * 2021-04-27 2023-05-05 中国电子科技集团公司第三十研究所 一种基于相位相消的频率连续可调陷波电路

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