CN105764272B - Hdi板集中度回归对位制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于印刷电路板制造技术领域，涉及一种HDI板集中度回归对位制造方法，所有板件均采用空心的靶标，所述靶标包括被深色外环包围的浅色内圆；前两块板件具有图形全等的靶标，前两块板件利用两个靶标对齐叠压，然后在两个靶标的内圆重叠部分的中心钻出直径小于两个内圆内径的靶点；从第三板件开始利用前一次钻出靶点对位，然后以当前板件的靶标内圆中心为圆心钻出新靶点，所述新靶点的直径小于前次靶点的直径；以此类推，重复操作直到HDI板叠压完成。本发明每一步的靶标都是利用前一步获得的靶点进行对位，这样能更精确地表征相邻板件之间的位置关系，保证了HDI板的合格率。

Description

HDI板集中度回归对位制造方法
技术领域
本发明涉及印刷电路板制造技术领域，特别涉及一种HDI板集中度回归对位制造方法。
背景技术
HDI是高密度互联(High Density Interconnector)的英文简写，通常所说的HDI板就是一种具有多层结构的PCB板(印刷电路板)。电子设计在不断提高整机性能的同时，也在努力缩小其尺寸。从手机到智能武器的小型便携式产品中，“小”是永远不变的追求。高密度互联技术可以使终端产品设计更加小型化，同时满足电子性能和效率的更高标准。HDI目前广泛应用于手机、数码(摄)像机、MP3、MP4、笔记本电脑、汽车电子和其他数码产品等，其中以手机的应用最为广泛。
HDI板需要将板件通过多次高低温压合来制造，而不同板件之间的对位需要通过靶标来完成。HDI板的结构对其制造过程提出更高的要求，主要问题在于：多层线路板于叠合、高低温压合过程，各层别间会产生涨缩差异，但板间的线路需要精确对位才能实现导通功能，因此需要让集中度回归来保证HDI板合格。
现有技术中各层对位采用的通常是实心靶(简称“黑靶”)对位，即利用中部有色的靶标(实际通常是有一定透光度的灰色靶标)来进行对位，其使用原理为在前两块板件在压合后形成双层板，两者靶标的重叠部分会变深，然后在重叠影像的基础上进行集中度补偿钻出靶点，这样在图像检测时靶点就会呈现一个亮圆，继而给其后的板件对位提供参照，然后在双层板的两面继续压合其他板件。然而这种方法带来了一个明显的方法漏洞：对位的意义在于让相对贴合的线路层之间进行导通，而此法全部是依据第一次的靶点来对位，在后压合的板件以靶点为参照对线路对准价值会越来越低，这样就失去了集中度回归的意义。
因此，有必要提供一种新的方法来解决上述问题。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种HDI板集中度回归对位制造方法。
本发明通过如下技术方案实现上述目的：一种HDI板集中度回归对位制造方法，所有板件均采用空心的靶标，所述靶标包括被深色外环包围的浅色内圆；前两块板件具有图形全等的靶标，前两块板件利用两个靶标对齐叠压，然后在两个靶标的内圆重叠部分的中心钻出直径小于两个内圆内径的靶点；从第三板件开始利用前一次钻出靶点对位，然后以当前板件的靶标内圆中心为圆心钻出新靶点，所述新靶点的直径小于前次靶点的直径；以此类推，重复操作直到HDI板叠压完成。
具体的，每块板件均包括四个位于四角的靶标。
具体的，后压合板件的靶标内圆直径小于先压合板件的靶标内圆直径。
进一步的，每一步钻出的靶点直径比此时被钻板件的靶标内圆直径小0.1±0.01mm。
进一步的，后压合板件的靶标内圆直径比前一次生成的靶点直径小0.1±0.01mm。
采用上述技术方案，本发明技术方案的有益效果是：
1、本发明每一步的靶标都是利用前一步获得的靶点进行对位，这样能更精确地表征相邻板件之间的位置关系，保证了HDI板的合格率；
2、靶标对位位置为四个，当部分靶标因为涨缩而产生偏差时，可以依照多个位置进行偏差补偿微调；
3、提升涨缩范围的集中度50％，利于生产控制；
4、对位精度缩小至75μm以内，且90％导通点涨缩差异达到50μm以内。
附图说明
图1为靶标的主视图；
图2为第一板件与第二板件对位原理示意图；
图3为第一板件与第二板件钻靶时的结构示意图；
图4为第三板件对位原理示意图；
图5为在第三板件压合钻靶时靶标位置处的剖视示意图。
图中数字表示：
1a-第一板件，1b-第二板件，1c-第三板件；
2-靶标，21-外环，22-内圆，2a-第一靶标，2b-第二靶标，2c-第三靶标；
3a-第一靶点，3b-第二靶点。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
为了使说明更加清楚，图2至图4上用不同的阴影线表示不同靶标的外环21有色部分，实际图像与图1中相似；第三靶标2c图线整体加粗以与第一靶标2a、第二靶标2b加以区别；第一靶点3a和第二靶点3b的轮廓进一步加粗以与所有靶标2的轮廓区分。
如图1至图3所示，一种HDI板集中度回归对位制造方法，所有板件1a、1b、1c均采用空心的靶标2，靶标1包括被深色外环21包围的浅色内圆22；第一板件1a上的第一靶标2a与第二板件1b上的第二靶标2b图形全等，第一板件1a和第二板件1b利用两个靶标2a、2b对齐叠压，然后在两个靶标2a、2b的内圆22重叠部分的中心钻出直径小于两个内圆22内径的第一靶点3a；第三板件1c利用第一靶点3a对位，然后在第三板件1c的靶标2内圆22中心再钻出直径小于第一靶点3a的第二靶点3b；以此类推，重复操作直到HDI板叠压完成。每次钻靶以后，会形成小于此时所有内圆22的新靶点，靶点在成像的时候内侧明亮、外侧灰暗，具体如图2和图3所示，第一板件1a的第一靶标2a与第二板件1b的第二靶标2b在误差范围内对位贴合，然后钻出贯穿第一板件1a和第二板件1b的第一靶点3a，第一靶点3a直径小于第一靶标2a和第二靶标2b的内圆22直径，在第三板件3c就是利用第三靶标2c与第一靶点3a的对照来对位压合的。在这个过程中，钻出的靶点直径会不断减小，因此每一步靶标与前一步获得的靶点的对位都精确地表征了相邻板件之间的位置关系，保证了HDI板的合格率。
每块板件(1a、1b、1c等)均包括四个位于四角的靶标2。由于涨缩差异不定，因此需要通过多个靶标2来进行综合考虑，靶标2位于四角可以按照最大偏差来调整两块板件的相对位置，实现补偿为目的的微调。
后压合板件的靶标内圆直径小于先压合板件的靶标内圆直径，具体如图3和图4所示。第一板件1a上的第一靶标2a与第二板件1b上的第二靶标2b全等，第三板件1c上的第三靶标2c内圆直径小于第一靶标2a和第二靶标2b的内圆22直径。这样在对位的时候，第三靶标2c的内圆轮廓不会与第一靶标2a和第二靶标2b的内圆轮廓重叠而影响读靶。对第三板件1c以后的板件来说，按照压合顺序，靶标2内圆22的直径也是依次递减而起到相同的效果，综合效果能对HDI板能起到涨缩范围的集中度50％提升，利于生产控制。
每一步钻出的靶点直径比此时被钻板件的靶标内圆直径小0.1±0.01mm；后压合板件的靶标内圆直径比前一次生成的靶点直径小0.1±0.01mm。具体如图2至图4所示，第一靶点3a是贯穿第一板件1a和第二板件1b的靶点，第三靶标2c内圆直径比第一靶点3a的直径小0.1±0.01mm，压合时就利用两者形成的环宽均匀度来对位；在第三板件1c上钻靶形成的第二靶点3b又比第三靶标2c更小，这样钻靶不会影响靶标图形的保留。对第三板件1c以后的板件来说，按照压合顺序，靶点(3a、3b)的直径也是依次递减而起到相同的效果。综合效果能使HDI板对位精度缩小至75μm以内，且90％导通点涨缩差异达到50μm以内。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种HDI板集中度回归对位制造方法，其特征在于：所有板件均采用空心的靶标，所述靶标包括被深色外环包围的浅色内圆；前两块板件具有图形全等的靶标，前两块板件利用两个靶标对齐叠压，然后在两个靶标的内圆重叠部分的中心钻出直径小于两个内圆内径的靶点；从第三板件开始利用前一次钻出靶点对位，然后以当前板件的靶标内圆中心为圆心钻出新靶点，所述新靶点的直径小于前次靶点的直径；以此类推，重复操作直到HDI板叠压完成。
2.根据权利要求1所述的HDI板集中度回归对位制造方法，其特征在于：每块板件均包括四个位于四角的靶标。
3.根据权利要求1所述的HDI板集中度回归对位制造方法，其特征在于：后压合板件的靶标内圆直径小于先压合板件的靶标内圆直径。
4.根据权利要求3所述的HDI板集中度回归对位制造方法，其特征在于：每一步钻出的靶点直径比此时被钻板件的靶标内圆直径小0.1±0.01mm。
5.根据权利要求1或4所述的HDI板集中度回归对位制造方法，其特征在于：后压合板件的靶标内圆直径比前一次生成的靶点直径小0.1±0.01mm。
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