CN105762250A - 一种发光二极管及其制作方法 - Google Patents
一种发光二极管及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105762250A CN105762250A CN201610108046.4A CN201610108046A CN105762250A CN 105762250 A CN105762250 A CN 105762250A CN 201610108046 A CN201610108046 A CN 201610108046A CN 105762250 A CN105762250 A CN 105762250A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- epitaxial layer
- type layer
- substrate
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 23
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 15
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括衬底、设置在衬底的第一表面上的外延层、设置在衬底的第二表面上的分布式布拉格反射镜，第二表面为与第一表面相反的表面，外延层包括依次层叠在衬底上的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层，P型层上设有从P型层延伸至N型层的凹槽，N型层上设有N型电极，P型层上设有透明导电薄膜TCO和P型电极，外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，外延层的底面为AlN缓冲层中与衬底接触的表面，外延层的侧面为外延层的底面的相邻表面。本发明提高了发光二极管的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管及其制作方法。
背景技术
发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)是一种能发光的半导体电子元件，具有体积小、亮度高、能耗小的特点，被广泛地应用于显示屏、背光源和照明领域。
现有的发光二极管包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在蓝宝石衬底上的缓冲层、N型层、发光层、P型层，P型层上设有延伸至N型层的凹槽，N型层上设有N型电极，P型层上设有P型电极。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
缓冲层、N型层、发光层、P型层组成的外延层的侧壁垂直于外延层的底面，发光层产生的光射向侧壁时，容易受制于GaN与空气较小的临界角而局限在发光二极管内部来回反射，造成发光二极管的出光效率较低。
发明内容
为了解决现有技术发光二极管出光效率较低的问题，本发明实施例提供了一种发光二极管及其制作方法。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、设置在所述衬底的第一表面上的外延层、设置在所述衬底的第二表面上的分布式布拉格反射镜，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽，所述N型层上设有N型电极，所述P型层上设有透明导电薄膜TCO和P型电极，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，所述外延层的底面为所述AlN缓冲层中与所述衬底接触的表面，所述外延层的侧面为所述外延层的底面的相邻表面。
可选地，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角为135°。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：
在衬底的第一表面形成外延层，所述外延层包括依次生长的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层；
在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽；
通过所述隔离槽对所述外延层进行腐蚀，使所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，所述外延层的底面为所述AlN缓冲层中与所述衬底接触的表面，所述外延层的侧面为所述外延层的底面的相邻表面；
在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成透明导电薄膜TCO；
在所述TCO上设置P型电极，在所述N型层上形成N型电极；
在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；
沿所述隔离槽的延伸方向进行劈裂，得到若干独立的发光二极管芯片。
可选地，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角为135°。
可选地，所述通过所述隔离槽对所述外延层进行腐蚀，包括：
采用腐蚀溶液在所述隔离槽内对所述外延层进行腐蚀。
优选地，所述腐蚀溶液为H2PO3溶液、H2SO4溶液、H2PO3和H2SO4的混合溶液、NaOH溶液、HCl溶液中的一种。
优选地，所述腐蚀溶液的温度为25～350℃。
可选地，所述在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽，包括：
在所述P型层上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光和显影，形成设定图形的光刻胶；
在所述光刻胶的保护下，刻蚀所述P型层、所述发光层、所述N型层、以及所述AlN缓冲层，形成从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽；
去除所述光刻胶。
可选地，所述隔离槽的宽度为5～50μm。
可选地，在所述沿所述隔离槽的延伸方向进行劈裂之前，所述制作方法还包括：
采用隐形切割技术在所述衬底内形成裂缝。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层组成的外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，外延层呈倒梯形结构，发光层产生的光射向侧壁时，入射角度发生变化，容易满足临界角的要求而从发光二极管中射出，提高了发光二极管的出光效率和发光亮度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例一提供的一种发光二极管的结构示意图；
图2是本发明实施例二提供的一种发光二极管的制作方法的流程图；
图3a-图3h是本发明实施例二提供的发光二极管制作过程中的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
实施例一
本发明实施例提供了一种发光二极管，参见图2，该发光二极管包括衬底1、设置在衬底1的第一表面上的外延层2、设置在衬底1的第二表面上的分布式布拉格反射镜(DistributedBraggReflection，简称DBR)3，第二表面为与第一表面相反的表面。外延层2包括依次层叠在衬底1上的AlN缓冲层21、N型层22、发光层23、P型层24，P型层24上设有从P型层24延伸至N型层22的凹槽20，N型层22上设有N型电极4，P型层上设有透明导电薄膜(TCO)5和P型电极6。外延层2的侧面与外延层2的底面的夹角大于90°且小于180°，外延层2的底面为AlN缓冲层21中与衬底1接触的表面，外延层2的侧面为外延层2的底面的相邻表面。
在本实施例中，AlN缓冲层21可以有效减缓蓝宝石与GaN之间的晶格失配。
具体地，N型层22为GaN层，发光层23为交替层叠的InGaN层和GaN层，P型层24为GaN层。
优选地，外延层2的侧面与外延层2的底面的夹角可以为135°，此时出光效率可达到最高。
可选地，衬底1可以为表面平整的蓝宝石衬底、图形化蓝宝石衬底(PatternedSapphireSubstrate，简称PSS)、Si衬底、GaN衬底、SiN衬底、SiC衬底、玻璃衬底中的一种，适用面广。优选地，衬底1可以为PSS，利用PSS凹凸不平的表面进一步提高发光二极管的出光效率。
可选地，AlN缓冲层21的厚度可以为0.5nm～5μm。当AlN缓冲层21的厚度小于0.5nm时，无法起到晶格失配的减缓作用；当AlN缓冲层21的厚度大于5μm时，造成材料浪费，提高实现成本。
可选地，凹槽20的深度可以为0.5～5μm，使凹槽20延伸到N型层22。
可选地，TCO5可以为氧化铟锡(IndiumTinOxides，简称ITO)、铝掺杂的氧化锌透明导电玻璃(AZO)、镓掺杂的氧化锌透明导电玻璃(GZO)、铟镓锌氧化物(IndiumGalliumZincOxide，简称IGZO)、NiAu、石墨烯中的一种，适用面广。
可选地，P型电极6可以为Cr、Pt、Au、Ti、Ni、Al、Mo、Pd中的一种或多种，N型电极4可以为Cr、Pt、Au、Ti、Ni、Al、Mo、Pd，适用面广。
本发明实施例通过AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层组成的外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，外延层呈倒梯形结构，发光层产生的光射向侧壁时，入射角度发生变化，容易满足临界角的要求而从发光二极管中射出，提高了发光二极管的出光效率和发光亮度。
实施例二
本发明实施例提供了一种发光二极管的制作方法，参见图2，该制作方法包括：
步骤201：在衬底的第一表面形成外延层。
在本实施例中，外延层包括依次生长的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层。
图3a为执行步骤201后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层。
具体地，N型层为GaN层，发光层为交替层叠的InGaN层和GaN层，P型层为GaN层。
可选地，衬底可以为表面平整的蓝宝石衬底、PSS、Si衬底、GaN衬底、SiN衬底、SiC衬底、玻璃衬底中的一种，适用面广。优选地，衬底可以为PSS，利用PSS凹凸不平的表面进一步提高发光二极管的出光效率。
可选地，AlN缓冲层的厚度可以为0.5nm～5μm。当AlN缓冲层的厚度小于0.5nm时，无法起到晶格失配的减缓作用；当AlN缓冲层的厚度大于5μm时，造成材料浪费，提高实现成本。
步骤202：在P型层上开设从P型层延伸至衬底的隔离槽。
图3b为执行步骤202后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽。
可选地，隔离槽的宽度可以为5～50μm。当隔离槽的宽度小于5μm时，对后续隔离槽内的腐蚀造成不便；当隔离槽的宽度大于50μm时，会造成材料的浪费，提高生产成本。
可选地，该步骤202可以包括：
在P型层上涂覆光刻胶；
对光刻胶进行曝光和显影，形成设定图形的光刻胶；
在光刻胶的保护下，刻蚀P型层、发光层、N型层、以及AlN缓冲层，形成从P型层延伸至衬底的隔离槽；
去除光刻胶。
步骤203：通过隔离槽对外延层进行腐蚀，使外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°。
在本实施例中，外延层的底面为AlN缓冲层中与衬底接触的表面，外延层的侧面为外延层的底面的相邻表面。
图3c为执行步骤203后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽。
优选地，外延层的侧面与外延层的底面的夹角可以为135°，此时出光效率可达到最高。
可选地，该步骤203可以包括：
采用腐蚀溶液在隔离槽内对外延层进行腐蚀。
具体地，腐蚀溶液可以为H2PO3溶液、H2SO4溶液、H2PO3和H2SO4的混合溶液、NaOH溶液、HCl溶液中的一种。利用腐蚀溶液腐蚀AlN的速度快于腐蚀GaN的速度，实现外延层呈倒梯形结构，即外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°。
可选地，腐蚀溶液的温度为25～350℃，达到较好的腐蚀效果。
步骤204：在P型层上开设从P型层延伸至N型层的凹槽。
图3d为执行步骤204后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽，20为凹槽。
可选地，凹槽的深度可以为0.5～5μm，使凹槽延伸到N型层。
步骤205：在P型层上形成TCO。
图3e为执行步骤205后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽，20为凹槽，5为TCO。
可选地，TCO可以为ITO、AZO、GZO、IGZO、NiAu、石墨烯中的一种，适用面广。
步骤206：在TCO上设置P型电极，在N型层上形成N型电极。
图3f为执行步骤206后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽，20为凹槽，5为TCO，6为P型电极，4为N型电极。
可选地，P型电极可以为Cr、Pt、Au、Ti、Ni、Al、Mo、Pd中的一种或多种，N型电极可以为Cr、Pt、Au、Ti、Ni、Al、Mo、Pd，适用面广。
步骤207：在衬底的第二表面形成DBR。
在本实施例中，第二表面为与第一表面相反的表面。
图3g为执行步骤207后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，10为隔离槽，20为凹槽，5为TCO，6为P型电极，4为N型电极，3为DBR。
步骤208：沿隔离槽的延伸方向进行劈裂，得到若干独立的发光二极管芯片。
图3h为执行步骤208后的发光二极管的结构示意图。其中，1为衬底，2为外延层，21为AlN缓冲层，22为N型层，23为发光层，24为P型层，20为凹槽，5为TCO，6为P型电极，4为N型电极，3为DBR。
在本实施例的一种实现方式中，在步骤208之前，该制作方法还可以包括：
采用隐形切割技术在衬底内形成裂缝。
可以理解地，在衬底内形成裂缝，可以方便劈裂的进行。
本发明实施例通过AlN的腐蚀速率快于GaN，在对AlN和GaN进行腐蚀之后，AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层组成的外延层的侧面与外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，外延层呈倒梯形结构，发光层产生的光射向侧壁时，入射角度发生变化，容易满足临界角的要求而从发光二极管中射出，提高了发光二极管的出光效率和发光亮度。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光二极管，所述发光二极管包括衬底、设置在所述衬底的第一表面上的外延层、设置在所述衬底的第二表面上的分布式布拉格反射镜，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面，所述外延层包括依次层叠在所述衬底上的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层，所述P型层上设有从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽，所述N型层上设有N型电极，所述P型层上设有透明导电薄膜TCO和P型电极，其特征在于，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，所述外延层的底面为所述AlN缓冲层中与所述衬底接触的表面，所述外延层的侧面为所述外延层的底面的相邻表面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角为135°。
3.一种发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底的第一表面形成外延层，所述外延层包括依次生长的AlN缓冲层、N型层、发光层、P型层；
在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽；
通过所述隔离槽对所述外延层进行腐蚀，使所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角大于90°且小于180°，所述外延层的底面为所述AlN缓冲层中与所述衬底接触的表面，所述外延层的侧面为所述外延层的底面的相邻表面；
在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述N型层的凹槽；
在所述P型层上形成透明导电薄膜TCO；
在所述TCO上设置P型电极，在所述N型层上形成N型电极；
在所述衬底的第二表面形成分布式布拉格反射镜DBR，所述第二表面为与所述第一表面相反的表面；
沿所述隔离槽的延伸方向进行劈裂，得到若干独立的发光二极管芯片。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述外延层的侧面与所述外延层的底面的夹角为135°。
5.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述通过所述隔离槽对所述外延层进行腐蚀，包括：
采用腐蚀溶液在所述隔离槽内对所述外延层进行腐蚀。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀溶液为H2PO3溶液、H2SO4溶液、H2PO3和H2SO4的混合溶液、NaOH溶液、HCl溶液中的一种。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述腐蚀溶液的温度为25～350℃。
8.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型层上开设从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽，包括：
在所述P型层上涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行曝光和显影，形成设定图形的光刻胶；
在所述光刻胶的保护下，刻蚀所述P型层、所述发光层、所述N型层、以及所述AlN缓冲层，形成从所述P型层延伸至所述衬底的隔离槽；
去除所述光刻胶。
9.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，所述隔离槽的宽度为5～50μm。
10.根据权利要求3或4所述的制作方法，其特征在于，在所述沿所述隔离槽的延伸方向进行劈裂之前，所述制作方法还包括：
采用隐形切割技术在所述衬底内形成裂缝。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610108046.4A CN105762250A (zh) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610108046.4A CN105762250A (zh) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105762250A true CN105762250A (zh) | 2016-07-13 |
Family
ID=56331396
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610108046.4A Pending CN105762250A (zh) | 2016-02-26 | 2016-02-26 | 一种发光二极管及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105762250A (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106340571A (zh) * | 2016-09-12 | 2017-01-18 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN106848029A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 |
| CN108198923A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-06-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN113990991A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-28 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制作方法 |
| CN115579442A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-06 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 一种深紫外led芯片结构的制备方法 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101268562A (zh) * | 2005-09-20 | 2008-09-17 | 昭和电工株式会社 | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 |
| CN101345281A (zh) * | 2008-08-28 | 2009-01-14 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片制造方法 |
| CN102130253A (zh) * | 2011-01-27 | 2011-07-20 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片及其制造方法 |
| CN102569541A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光芯片制造方法 |
| CN202363508U (zh) * | 2011-11-14 | 2012-08-01 | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 | 具有梯形侧边斜面的发光二极管结构 |
| CN103094444A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 广镓光电股份有限公司 | 半导体发光二极管结构 |
| CN103904180A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led芯片结构及其制备方法 |
| CN104465902A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-03-25 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管结构的制备方法 |
-
2016
- 2016-02-26 CN CN201610108046.4A patent/CN105762250A/zh active Pending
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101268562A (zh) * | 2005-09-20 | 2008-09-17 | 昭和电工株式会社 | Ⅲ族氮化物半导体发光器件 |
| CN101345281A (zh) * | 2008-08-28 | 2009-01-14 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种发光二极管芯片制造方法 |
| CN102569541A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 半导体发光芯片制造方法 |
| CN102130253A (zh) * | 2011-01-27 | 2011-07-20 | 广东银雨芯片半导体有限公司 | 一种高出光效率的led晶片及其制造方法 |
| CN103094444A (zh) * | 2011-10-27 | 2013-05-08 | 广镓光电股份有限公司 | 半导体发光二极管结构 |
| CN202363508U (zh) * | 2011-11-14 | 2012-08-01 | 鼎元光电科技股份有限公司竹南分公司 | 具有梯形侧边斜面的发光二极管结构 |
| CN103904180A (zh) * | 2012-12-25 | 2014-07-02 | 比亚迪股份有限公司 | 一种led芯片结构及其制备方法 |
| CN104465902A (zh) * | 2014-12-12 | 2015-03-25 | 天津三安光电有限公司 | 一种发光二极管结构的制备方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106340571A (zh) * | 2016-09-12 | 2017-01-18 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN106340571B (zh) * | 2016-09-12 | 2019-05-14 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| CN106848029A (zh) * | 2016-12-07 | 2017-06-13 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 |
| CN108198923A (zh) * | 2017-11-23 | 2018-06-22 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管芯片及其制作方法 |
| CN113990991A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-01-28 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及制作方法 |
| CN115579442A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-01-06 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 一种深紫外led芯片结构的制备方法 |
| CN115579442B (zh) * | 2022-12-12 | 2024-01-26 | 至芯半导体(杭州)有限公司 | 一种深紫外led芯片结构的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105762250A (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| US8928017B2 (en) | Semiconductor light emitting devices having an uneven emission pattern layer and methods of manufacturing the same | |
| CN106340571B (zh) | 一种发光二极管及其制作方法 | |
| US8455276B2 (en) | Light emitting element and a production method therefor | |
| TWI430475B (zh) | 發光二極體的製造方法 | |
| JP2011187736A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
| CN101887938B (zh) | 发光二极管芯片及其制造方法 | |
| CN105742455A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| TWI623115B (zh) | 具粗化表面之薄膜式覆晶發光二極體及其製造方法 | |
| CN106848029B (zh) | 一种高亮发光二极管的芯片及其制作方法 | |
| CN105514230A (zh) | GaN基LED垂直芯片结构及其制备方法 | |
| CN108198923A (zh) | 一种发光二极管芯片及其制作方法 | |
| CN101587831B (zh) | 半导体元件结构及半导体元件的制造方法 | |
| US20140361245A1 (en) | Led chip and method of manufacturing the same | |
| TW201308667A (zh) | Led磊晶粗化製造方法 | |
| CN102270714A (zh) | 发光二极管芯片的制备方法 | |
| US20120161100A1 (en) | Light emitting diode and making method thereof | |
| KR102402480B1 (ko) | 투명 도전층 및 그 제조방법, 발광 다이오드 | |
| CN103117343B (zh) | 具有反射镜结构的led发光器件及其制备方法 | |
| KR20100044403A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN103165780A (zh) | 提高亮度的GaN基LED芯片的制作方法 | |
| CN104300057A (zh) | 一种高亮度GaN发光二极管器件的制作方法 | |
| CN203434185U (zh) | 一种led芯片 | |
| CN103346230A (zh) | 铜氧化物/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法 | |
| KR101360882B1 (ko) | 질화물 반도체 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160713 |