CN105762234A - 一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是有关一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层掺杂的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。本发明由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池，特别是涉及一种隧穿氧化层钝化接触太阳电池及其制备方法。
背景技术
隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳能电池是近年来由德国弗兰霍夫太阳能研究所提出的一种新型硅太阳能电池。电池采用n型硅片，硅片背面覆盖一层2nm以下的氧化硅层作为钝化隧穿层，然后再覆盖一层掺杂的薄膜硅层，使电池的背面钝化，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的基本电池结构参见图1所示，太阳能电池的背面结构依次为n型硅片、钝化隧穿层、掺杂n型薄膜硅层、金属电极层，当电池工作时，电子从n型硅片隧穿通过氧化硅层进入掺杂n型薄膜硅层中。此外，该研究所还公布了正反两面的设计，采用p型浮区硅片(FloatZoneSilicon，FZ)，正反两面直接化学生长氧化层，之后分别沉积掺杂的薄膜硅层。
掺杂薄膜硅与金属电极之间的接触电阻很大程度上取决于掺杂薄膜硅中的掺杂，当与铝电极形成相同的接触电阻时，n型薄膜硅的掺杂浓度要比P型薄膜硅的掺杂浓度高出约两个数量级。例如，当接触电阻率低于0.001Ωcm2，那么p型硅中的硼浓度要高于1017cm-3，而n型硅中的磷浓度要高于1019cm3。在隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳能电池结构中，背面的金属电极与磷掺杂n型薄膜硅层接触，为了使得接触电阻尽可能的小，那么就势必提高多晶硅层中的磷掺杂浓度，其磷掺杂浓度要达到1019-1022cm-3或更高。然而高浓度的磷掺杂具有以下缺点：
首先，磷的浓度过高会加剧载流子的俄歇复合速率，同时可能诱导多晶硅层中形成磷化硅沉淀，这两者均会使载流子复合速度加剧，从而降低载流子的收集效率；
其次，必须制备高浓度磷掺杂非晶硅薄膜硅层，并通过后继退火使薄膜晶化形成高浓度磷掺杂多晶硅薄膜硅层。高浓度的磷掺杂将导致后继薄膜晶化、杂质激活等工艺变得复杂，同时引入更高的缺陷态，降低薄膜质量；
最后，高浓度的磷掺杂还可能在后继退火过程中使磷元素扩散进入氧化硅层，从而破坏钝化隧穿层的完整性，引起漏电流、表面复合加剧等问题，从而降低电池性能。
发明内容
基于此，本发明的目的在于，针对高浓度掺杂的薄膜硅层导致的工艺复杂、薄膜质量差及降低的载流子的收集效率问题，提供一种改进的隧穿氧化层钝化接触太阳电池及其制备方法。
本发明提供的一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。
在其中一个实施例中，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是梯度变化的，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度从邻近钝化隧穿层一侧向远离钝化隧穿层一侧梯度递增。
在其中一个实施例中，所述硅片为n型硅片，所述掺杂薄膜硅层为磷掺杂n型薄膜硅层，所述磷掺杂n型薄膜硅层邻近所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为0～1e16cm-3。
在其中一个实施例中，所述磷掺杂n型薄膜硅层远离所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为1e19～1e22cm-3。
在其中一个实施例中，所述的太阳能电池，其特征在于所述掺杂薄膜硅层的厚度为1-80nm。
本发明提供的一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧生成2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层的掺杂浓度低于远离钝化隧穿层的掺杂浓度，之后将得到的产品进行退火处理，得到掺杂浓度不均匀的掺杂薄膜硅层。
在其中一个实施例中，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的层数是2～5。
本发明提供的一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧通过化学气相沉积法制备掺杂薄膜硅层，通过控制通入的反应气体的流量以及比例实现制备的掺杂薄膜硅层中掺杂浓度的不均匀。
在其中一个实施例中，所述反应气体为硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比SiH4:PH3＝1:0.5～1:0.01。
在其中一个实施例中，所述反应气体可以通过氢气稀释，所述硅烷和氢气的流量比SiH4:H2＝1:0.1～1:200。
上述改进的隧穿氧化层钝化接触太阳电池，具有以下优点：
1.由于掺杂薄膜层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。相对于均匀掺杂的掺杂薄膜硅层，降低了掺杂薄膜硅层整体的掺杂浓度，从而有助于减少薄膜中的俄歇复合速率，避免产生磷化硅沉淀，增长少数载流子的寿命，进而增大太阳能电池的转换效率；
2.掺杂薄膜硅层与邻近钝化隧穿层侧的掺杂浓度较低，若存在后继高温退火处理则在后继退火处理过程中，可以有效降低了掺杂原子扩散进入钝化隧穿层的概率，有利于保持钝化隧穿层的完整性减少漏电流，进一步降低了复合速率，掺杂薄膜硅层远离钝化隧穿层侧的掺杂浓度较高，高浓度的掺杂有利于降低邻近层或电极间的接触电阻，使得接触电阻小于100mΩ·cm2。
3.掺杂薄膜硅层的制备方法可以在无需高温退火处理的前提下直接制备多晶硅、单晶硅掺杂型薄膜，避免了退火处理对已制备的结构的影响，提高了太阳能电池的转换效率。
4.掺杂薄膜硅层的制备工艺可采用现有太阳能电池制备工艺，无需新的工艺设备，便于应用推广。
附图说明
图1为现有隧穿氧化层钝化接触太阳电池结构示意图；
图2为本发明隧穿氧化层钝化接触太阳电池以n型硅片为衬底的实施例的结构示意图；
具体实施方式
为使本发明技术方案更佳清楚，以下结合附图及具体实施例对本发明作进一步详细的说明。
本发明提供的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，请参见图2，所述太阳能电池包括n型硅片，所述n型硅片作为衬底，在所述n型硅片正面依次层叠有p+扩散发射极、钝化层、减反射层及正面电极；在所述n型硅片背面依次层叠有钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层及背面电极。其中，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度，所述掺杂薄膜硅层为磷掺杂n型薄膜硅层。
在其他实施例中，也可以采用p型硅片作为衬底，其相应的太阳能电池的结构也根据其采用的衬底做相应的变化，不影响本发明目的的实现。
进一步的，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是梯度变化的，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度从邻近钝化隧穿层一侧向远离钝化隧穿层一侧梯度递增。
进一步的，所述磷掺杂n型薄膜硅层邻近所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为0～1e16cm-3。
进一步的，所述磷掺杂n型薄膜硅层远离所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为1e19～1e22cm-3。
进一步的，所述掺杂薄膜硅层的厚度为1-80nm。
进一步的，所述掺杂薄膜硅层可以选自非晶硅、微晶硅、纳米晶硅、多晶硅、单晶硅中的一种或几种。
进一步的，所述硅片和所述p+扩散发射极、钝化层、减反射层及正面电极，所述钝化隧穿层和所述背面电极可以采用现有技术中常规的材料通过常规的方法制备而成。
本发明提供的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括n型硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述n型硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述制备方法包括如下步骤，对n型硅片进行预处理，在预处理后的n型硅片一侧表面生成氧化硅层；在所述氧化硅层表面生成钝化隧穿层；在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧生成2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层的掺杂浓度低于远离钝化隧穿层的掺杂浓度，之后将得到的产品进行退火处理，使其中的磷从高浓度向低浓度方向扩散，得到掺杂浓度不均匀的掺杂薄膜硅层；在所述掺杂薄膜硅层的另一侧生成背面电极；在预处理后的n型硅片的另一层生成p+发射极；在p+发射极表面生成钝化层；在钝化层表面生成减反射层；在电池正面生成正面电极。
上述步骤中除必须在另一步骤的基础上实施的不限定其先后顺序。
进一步的，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是梯度变化的。
进一步的，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的层数是2～5。
进一步的，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的层数是2。
进一步的，在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成一层零掺杂或低磷掺杂的本征薄膜硅层或低磷掺杂薄膜硅层，然后在所述本征薄膜硅层或低磷掺杂薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品进行高温退火，磷会从高磷掺杂薄膜硅层向本征薄膜鬼层或低磷掺杂薄膜硅层方向扩散，最终得到掺杂浓度不均匀的磷掺杂薄膜硅层。
进一步的，在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成一层零掺杂或低磷掺杂的本征薄膜硅层或低磷掺杂薄膜硅层，然后在所述本征薄膜硅层或低磷掺杂薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成中度磷掺杂的中磷掺杂薄膜硅层，然后在所述中磷掺杂的中磷掺杂薄膜硅层远离本征薄膜硅层或低磷掺杂薄膜硅层的一层生成高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品进行高温退火，磷会从磷浓度高的方向向磷浓度低得方向扩散，最终得到掺杂浓度不均匀的磷掺杂薄膜硅层。
进一步的，所述低磷掺杂、低磷掺杂薄膜硅层、中磷掺杂、中磷掺杂薄膜硅层、高磷掺杂、高磷掺杂薄膜硅层中的低、中、高是指与其相邻磷掺杂薄膜硅层相比磷浓度为低、中、高。
进一步的，所述生成掺杂薄膜硅层的方法包括化学气相沉积法、反应溅射法，所述化学气相沉积法包括等离子增强化学气相沉积法、微波等离子增强化学气相沉积、射频等离子增强法、热丝等离子体气相沉积、低压化学气相沉积法、中压化学气相沉积法、射频辉光放电等离子增强化学气相沉积法、电感耦合等离子增强化学气相沉积法、光化学气相沉积法、热化学气相沉积法。
本发明提供的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括n型硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述n型硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述制备方法包括如下步骤，对n型硅片进行预处理，在预处理后的n型硅片一侧表面生成氧化硅层；在所述氧化硅层表面生成钝化隧穿层；在钝化隧穿层远离硅片的一侧通过化学气相沉积法制备掺杂薄膜硅层，通过控制通入的反应气体的流量以及比例实现制备的掺杂薄膜硅层中掺杂浓度的变化；在掺杂薄膜硅层的另一侧生成背面电极；在预处理后的n型硅片的另一层生成p+发射极；在p+发射极表面生成钝化层；在钝化层表面生成减反射层；在电池正面生成正面电极。
步骤中除必须在另一步骤的基础上实施的不限定其先后顺序。
进一步的，所述化学气相沉积法选用的反应气体为硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比SiH4:PH3＝1:0.5～1:0.01。
进一步的，所述反应气体可以通过氢气稀释，所述硅烷和氢气的流量比SiH4:H2＝1:0.1～1:200。
进一步的，可以通过化学气相沉积法直接制备掺杂的多晶薄膜硅层，无需采用后继高温结晶退火。
进一步的，可以通过中压化学气相沉积法直接制备、掺杂的单晶薄膜硅层无需采用后继高温结晶退火。
进一步的，通过热化学气相沉积(Chemicalvapordeposition，CVD)在温度高于400℃时通入氢气稀释的硅烷直接制备多晶硅薄膜，并通过引入磷烷实现磷的掺杂，所述硅烷(SiH4)与氢气(H2)的流量比为SiH4:H2<1:100，生成掺杂薄膜硅层。
进一步的，所述通过引入磷烷实现磷的掺杂是通过增大磷烷的流量实现磷掺杂浓度的逐渐增大。
进一步的，所述生成掺杂薄膜硅层的化学气相沉积法包括等离子增强化学气相沉积法、微波等离子增强化学气相沉积、射频等离子增强法、热丝等离子体气相沉积、低压化学气相沉积法、中压化学气相沉积法、射频辉光放电等离子增强化学气相沉积法、电感耦合等离子增强化学气相沉积法、光化学气相沉积法、热化学气相沉积法。
下面结合具体实施例对本发明进行进一步说明。
实施例1
本实施例以n型硅片为衬底，首先对n型硅片进行预处理，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)、氟化氢(HF)和RCA清洗液对作为衬底的n型硅片进行清洗制绒，以便去除机械损伤层、油污以及金属杂质，同时在表面形成起伏不平的绒面；在预处理后的n型硅片一侧上，通过68％的浓硝酸生长一层厚度为1.5nm的氧化硅(SiOx)层作为钝化隧穿层；将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为10Pa,温度为100℃，射频功率为50W条件，通入流量为1sccm的SiH4和流量为10sccm的H2反应1min，通入流量为1sccm的SiH4、流量为10sccm的H2、流量为0.5sccm的PH3反应15min，从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成一本征薄膜硅层，然后在所述本征薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成1e19cm-3磷掺杂浓度的高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品在惰性气体下进行750-950℃的高温退火，磷从高磷掺杂薄膜硅层向本征薄膜硅层方向扩散，生成磷掺杂n型薄膜硅层；通过磁控溅度的方法在所述磷掺杂n型薄膜硅层表面生成一层厚度为1000nm的Ag金属背面电极；在预处理后的硅片另一侧通过将溴化硼(BBr3)气体源扩散形成一层厚度为500nm生成p+发射极层；通过原子沉积方法在在p+发射极另一侧表面生成一层厚度为2nm氧化铝(Al2O3)钝化层；利用等离子体增强化学气相沉积法在氧化铝(Al2O3)钝化层另一侧表面生成一层厚度为50nm氮化硅(SiNx)减反射层；采用丝网印刷技术在电池正面生成正面电极；制得太阳能电池A1。
采用太阳能电池伏安特性测试系统(型号：SoliA，美国NewportOrie公司提供)测定太阳能电池A1的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率；采用椭偏仪(型号：M-1500DI,美国J.A.Woollam公司提供)测定太阳能电池A1的钝化隧穿层厚度；采用X射线荧光光谱法(型号：AXISUTLTRADLD，日本岛津公司提供)和二次离子质谱仪(型号：IMS1280，埃文斯公司提供)测定太阳能电池A1的钝化隧穿层组分。结果见表1。
实施例2
以实施例1相同的方法制备太阳能电池，区别在于将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为15Pa,温度为200℃，射频功率为10W条件，通入流量为15sccm的SiH4和流量为100sccm的H2反应1min，通入流量为15sccm的SiH4、流量为100sccm的H2、流量为1.5sccm的PH3反应4min，从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成一层本征薄膜硅层，然后在所述本征薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成1e20cm-3磷掺杂浓度的高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品载惰性气体下进行750-950℃的高温退火，磷从高磷掺杂薄膜硅层向本征薄膜硅层方向扩散，生成磷掺杂n型薄膜硅层。制得太阳能电池A2。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池A2的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池A2的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
实施例3
以实施例1相同的方法制备太阳能电池，区别在于将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为30Pa,温度为150℃，射频功率为100W条件，通入流量为1sccm的SiH4和流量为100sccm的H2反应1min，通入流量为1sccm的SiH4、流量为100sccm的H2、流量为1sccm的PH3反应3min，通入流量为1sccm的SiH4、流量为100sccm的H2、流量为0.05sccm的PH3反应2min，从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成一层本征薄膜硅层，然后在所述本征薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成1e19cm-3磷掺杂浓度的低磷掺杂的低磷掺杂薄膜硅层，然后在所述低磷掺杂薄膜硅层远离本征薄膜硅层的一侧生成1e21cm-3磷掺杂浓度的高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品在惰性气体下进行750-950℃的高温退火，磷从高磷掺杂薄膜硅层向本征薄膜硅层方向扩散，生成磷掺杂n型薄膜硅层。制得太阳能电池A3。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池A3的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池A3的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
实施例4
以实施例1相同的方法制备太阳能电池，区别在于将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为30Pa,温度为150℃，射频功率为100W条件，通入流量为1sccm的SiH4、流量为200sccm的H2、流量为0.01sccm的PH3反应3min，通入流量为1sccm的SiH4、流量为200sccm的H2、流量为0.5sccm的PH3反应2min，从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧首先生成1e15cm-3磷掺杂浓度的低磷掺杂的低磷掺杂薄膜硅层，然后在所述低磷掺杂薄膜硅层远离钝化隧穿层的一侧生成1e22cm-3磷掺杂浓度的高磷掺杂的高磷掺杂薄膜硅层，将上述得到的产品在惰性气体下进行750-950℃的高温退火，磷从高磷掺杂薄膜硅层向本征薄膜硅层方向扩散，生成磷掺杂n型薄膜硅层。制得太阳能电池A4。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池A4的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池A4的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
实施例5
本实施例以n型硅片为衬底，首先对n型硅片进行预处理，使用四甲基氢氧化铵(TMAH)、氟化氢(HF)和RCA清洗液对作为衬底的n型硅片进行清洗制绒，以便去除机械损伤层、油污以及金属杂质，同时在表面形成起伏不平的绒面；在预处理后的n型硅片一侧上，通过68％的浓硝酸生长一层厚度为1.5nm的氧化硅(SiOx)层作为钝化隧穿层；将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为10Pa,温度为100℃，射频功率为50W条件，通入流量为1sccm的SiH4、流量为10sccm的H2、流量为1×10-2tsccm的PH3反应10min，其中t表示通入气体的时间；从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧生成磷掺杂浓度梯度增大的磷掺杂n型薄膜硅层；通过磁控溅度的方法在所述磷掺杂n型薄膜硅层表面生成一层厚度为1000nm的Ag金属背面电极；在预处理后的硅片另一侧通过将溴化硼(BBr3)气体源扩散形成一层厚度为500nm生成p+发射极层；通过原子沉积方法在在p+发射极另一侧表面生成一层厚度为2nm氧化铝(Al2O3)钝化层；利用等离子体增强化学气相沉积法在氧化铝(Al2O3)钝化层另一侧表面生成一层厚度为50nm氮化硅(SiNx)减反射层；采用丝网印刷技术在电池正面生成正面电极；制得太阳能电池A5。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池A5的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池A5的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
实施例6
以实施例5相同的方法制备太阳能电池，区别在于将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为30Pa,温度为200℃，射频功率为10W条件，通入流量为1sccm的SiH4、流量为100sccm的H2、流量为2×10-2tsccm的PH3反应15min，其中t表示通入气体的时间；从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一侧生成磷掺杂浓度梯度增大的磷掺杂n型薄膜硅层。制得太阳能电池A6。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池A6的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池A6的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
对比例1
以实施例5相同的方法制备太阳能电池，区别在于将生成氧化硅层的n型硅片放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备中，在腔体气压为10Pa,温度为100℃，射频功率为50W条件，通入流量为1sccm的SiH4、流量为10sccm的H2、流量为0.5sccm的PH3反应15min，从而在钝化隧穿层远离n型硅片的一层生成磷掺杂浓度均匀的磷掺n型薄膜硅层。
以与实施例1相同的方法测定太阳能电池D1的表面饱和电流密度、开路电压、短路电流、填充因子、转换效率，太阳能电池D1的磷掺杂n型薄膜硅层厚度、组分，结果见表1。
表1实施例1-5、对比例1太阳能电池的测定结果。
从表1可以看出，本申请的太阳能电池与现有的隧穿氧化层钝化接触太阳能电池相比，开路电压有明显提高，转换效率也相应有所提高。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池，其中，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层介于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是不均匀的，所述掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层一侧的掺杂浓度小于远离钝化隧穿层一侧的掺杂浓度。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度是梯度变化的，所述掺杂薄膜硅层的掺杂浓度从邻近钝化隧穿层一侧向远离钝化隧穿层一侧梯度递增。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于所述硅片为n型硅片，所述掺杂薄膜硅层为磷掺杂n型薄膜硅层，所述磷掺杂n型薄膜硅层邻近所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为0～1e16cm-3。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于所述磷掺杂n型薄膜硅层远离所述钝化隧穿层一侧2nm深度范围内的磷掺杂浓度为1e19～1e22cm-3。
5.根据权利要求1至4任一项所述的太阳能电池，其特征在于所述掺杂薄膜硅层的厚度为1-80nm。
6.一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧生成2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层，所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层邻近钝化隧穿层的掺杂浓度低于远离钝化隧穿层的掺杂浓度，之后将得到的产品进行退火处理，得到掺杂浓度不均匀的掺杂薄膜硅层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于所述2层以上掺杂浓度不同的掺杂薄膜硅层的层数是2～5。
8.一种隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的制备方法，所述太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其特征在于，所述掺杂薄膜硅层的制备方法包括以下步骤：在钝化隧穿层远离硅片的一侧通过化学气相沉积法制备掺杂薄膜硅层，通过控制通入的反应气体的流量以及比例实现制备的掺杂薄膜硅层中掺杂浓度的不均匀。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于所述反应气体为硅烷和磷烷，所述硅烷和磷烷的流量比SiH4:PH3＝1:0.5～1:0.01。
10.根据权利要求8或9所述的制备方法，其特征在于所述反应气体可以通过氢气稀释，所述硅烷和氢气的流量比SiH4:H2＝1:0.1～1:200。
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Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784074A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | N型双面电池结构 |
| CN107275418A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN107863417A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-30 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | n型太阳能电池的制备方法 |
| CN108091711A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-05-29 | 中国科学院微电子研究所 | 晶体硅太阳能电池 |
| CN108447918A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-24 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种钝化接触多晶硅薄膜的掺杂结构及其制备方法 |
| TWI652832B (zh) | 2016-08-12 | 2019-03-01 | 英穩達科技股份有限公司 | ｎ型雙面太陽能電池 |
| CN109755330A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-14 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110459642A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-11-15 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 钝化接触电池及其制备方法 |
| CN110690324A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-14 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN110943136A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 一种p型硅薄膜和太阳能电池及制备方法 |
| CN112038444A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-04 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种n型晶体硅太阳能电池的制作方法及其背面钝化接触结构的制作方法 |
| CN112271237A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-01-26 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种TOPCon太阳能电池原位掺杂钝化层的制备方法和系统 |
| CN112420881A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 常州大学 | TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法 |
| CN112447867A (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-05 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 太阳能电池结构及其制作方法 |
| CN112466960A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池结构及其制备方法 |
| CN112599636A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 |
| CN113035969A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-25 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构及制备方法 |
| CN113130670A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 浙江师范大学 | 氧化铕/铂钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN113410334A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-17 | 河北大学 | 多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池 |
| CN114038928A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN114361295A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 |
| CN114373808A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-19 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN114497259A (zh) * | 2020-10-27 | 2022-05-13 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| CN114583016A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-06-03 | 正泰新能科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制备方法 |
| CN114649425A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-06-21 | 正泰新能科技有限公司 | 一种TopCon晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN114792744A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-26 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳电池及其制备方法和应用 |
| CN115274871A (zh) * | 2021-04-30 | 2022-11-01 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构、带有该接触结构的太阳能电池及其制造方法 |
| CN115376893A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-11-22 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种掺杂非晶硅层、制备方法、制备装置和太阳能电池 |
| CN115832069A (zh) * | 2023-02-13 | 2023-03-21 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 钝化接触结构、太阳电池及制备方法和光伏组件 |
| CN116093191A (zh) * | 2023-03-01 | 2023-05-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池和光伏组件 |
| CN116344377A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-06-27 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳电池的检测方法及检测装置 |
| CN116387409A (zh) * | 2023-06-06 | 2023-07-04 | 正泰新能科技有限公司 | 一种n型tbc太阳能电池及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070023081A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | General Electric Company | Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles |
| CN102446991A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN102446992A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制作方法 |
-
2016
- 2016-04-27 CN CN201610271978.0A patent/CN105762234B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070023081A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | General Electric Company | Compositionally-graded photovoltaic device and fabrication method, and related articles |
| CN102446991A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 基于晶硅的薄膜太阳能电池及其制造方法 |
| CN102446992A (zh) * | 2011-12-14 | 2012-05-09 | 杭州赛昂电力有限公司 | 薄膜太阳能电池及其制作方法 |
Cited By (46)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI652832B (zh) | 2016-08-12 | 2019-03-01 | 英穩達科技股份有限公司 | ｎ型雙面太陽能電池 |
| CN106784074A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-05-31 | 泰州乐叶光伏科技有限公司 | N型双面电池结构 |
| CN107275418A (zh) * | 2017-07-07 | 2017-10-20 | 常州亿晶光电科技有限公司 | 单面polo电池及其制备方法 |
| CN107863417A (zh) * | 2017-10-31 | 2018-03-30 | 泰州隆基乐叶光伏科技有限公司 | n型太阳能电池的制备方法 |
| CN108091711A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-05-29 | 中国科学院微电子研究所 | 晶体硅太阳能电池 |
| CN108447918A (zh) * | 2018-03-29 | 2018-08-24 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 一种钝化接触多晶硅薄膜的掺杂结构及其制备方法 |
| CN110943136A (zh) * | 2018-09-25 | 2020-03-31 | 君泰创新（北京）科技有限公司 | 一种p型硅薄膜和太阳能电池及制备方法 |
| CN110459642B (zh) * | 2018-11-06 | 2021-07-20 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 钝化接触电池及其制备方法 |
| CN110459642A (zh) * | 2018-11-06 | 2019-11-15 | 协鑫集成科技股份有限公司 | 钝化接触电池及其制备方法 |
| CN109755330A (zh) * | 2018-12-27 | 2019-05-14 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用 |
| CN110190156A (zh) * | 2019-07-08 | 2019-08-30 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN110190156B (zh) * | 2019-07-08 | 2024-06-11 | 无锡松煜科技有限公司 | TOPCon电池表面钝化设备及钝化方法 |
| CN112447867A (zh) * | 2019-09-02 | 2021-03-05 | 财团法人金属工业研究发展中心 | 太阳能电池结构及其制作方法 |
| WO2021068586A1 (zh) * | 2019-10-10 | 2021-04-15 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN110690324A (zh) * | 2019-10-10 | 2020-01-14 | 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 | 晶体硅太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN112038444A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-12-04 | 英利能源（中国）有限公司 | 一种n型晶体硅太阳能电池的制作方法及其背面钝化接触结构的制作方法 |
| CN114497259A (zh) * | 2020-10-27 | 2022-05-13 | 一道新能源科技(衢州)有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| CN114497259B (zh) * | 2020-10-27 | 2024-05-14 | 一道新能源科技股份有限公司 | 一种太阳能电池及其制备方法 |
| CN112271237A (zh) * | 2020-11-06 | 2021-01-26 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种TOPCon太阳能电池原位掺杂钝化层的制备方法和系统 |
| CN112466960A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池结构及其制备方法 |
| CN112420881A (zh) * | 2020-11-19 | 2021-02-26 | 常州大学 | TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法 |
| WO2022105193A1 (zh) * | 2020-11-19 | 2022-05-27 | 江苏大学 | TOPCon电池中氧化硅和掺杂非晶硅膜层的制备方法 |
| CN112599636A (zh) * | 2020-12-07 | 2021-04-02 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 |
| CN112599636B (zh) * | 2020-12-07 | 2023-08-01 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池 |
| CN113035969A (zh) * | 2021-02-04 | 2021-06-25 | 江苏杰太光电技术有限公司 | 一种TOPCon电池梯度掺杂非晶硅钝化结构及制备方法 |
| CN113130670A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-07-16 | 浙江师范大学 | 氧化铕/铂钝化接触晶体硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN115274871A (zh) * | 2021-04-30 | 2022-11-01 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构、带有该接触结构的太阳能电池及其制造方法 |
| CN115274871B (zh) * | 2021-04-30 | 2024-04-02 | 泰州中来光电科技有限公司 | 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构、带有该接触结构的太阳能电池及其制造方法 |
| CN113410334A (zh) * | 2021-06-17 | 2021-09-17 | 河北大学 | 多层薄膜钝化接触结构的制备方法及全钝化接触晶硅太阳电池 |
| CN114038928A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN114038928B (zh) * | 2021-11-25 | 2023-09-15 | 浙江晶科能源有限公司 | 太阳能电池及其制备方法、光伏组件 |
| CN114373808A (zh) * | 2021-11-26 | 2022-04-19 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN114373808B (zh) * | 2021-11-26 | 2023-11-10 | 江苏科来材料科技有限公司 | 一种高效晶硅电池 |
| CN114361295A (zh) * | 2021-12-31 | 2022-04-15 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 |
| WO2023124299A1 (zh) * | 2021-12-31 | 2023-07-06 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳能电池板、电池片及电池片的生产工艺 |
| CN114792744A (zh) * | 2022-05-07 | 2022-07-26 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳电池及其制备方法和应用 |
| CN114792744B (zh) * | 2022-05-07 | 2024-04-02 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 太阳电池及其制备方法和应用 |
| WO2023216628A1 (zh) * | 2022-05-07 | 2023-11-16 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 异质结太阳电池、其制备方法及发电装置 |
| CN114583016A (zh) * | 2022-05-09 | 2022-06-03 | 正泰新能科技有限公司 | 一种TOPCon电池及其制备方法 |
| CN114649425A (zh) * | 2022-05-20 | 2022-06-21 | 正泰新能科技有限公司 | 一种TopCon晶硅太阳能电池及其制备方法 |
| CN115376893B (zh) * | 2022-10-24 | 2024-05-14 | 拉普拉斯新能源科技股份有限公司 | 一种掺杂非晶硅层、制备方法、制备装置和太阳能电池 |
| CN115376893A (zh) * | 2022-10-24 | 2022-11-22 | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 | 一种掺杂非晶硅层、制备方法、制备装置和太阳能电池 |
| CN115832069A (zh) * | 2023-02-13 | 2023-03-21 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 钝化接触结构、太阳电池及制备方法和光伏组件 |
| CN116093191A (zh) * | 2023-03-01 | 2023-05-09 | 浙江晶科能源有限公司 | 一种太阳能电池和光伏组件 |
| CN116344377A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-06-27 | 通威太阳能(眉山)有限公司 | 太阳电池的检测方法及检测装置 |
| CN116387409A (zh) * | 2023-06-06 | 2023-07-04 | 正泰新能科技有限公司 | 一种n型tbc太阳能电池及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105762234B (zh) | 2017-12-29 |
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