CN105745919A - 对图像探测器的两列像素的池化 - Google Patents

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Abstract

根据本发明，一种图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，包括：传感器(101；111；121；131；201；301；401；501)，其在第一单片基板(12)上制成，包括：像素集(P(i,j))，其在矩阵(13)中以行(Li)和列(Cj)布置，并配置为根据撞击探测器(100；200；300；400)的辐射而生成信号；列导体(Yj)，其每一个链接同一列(Cj)的像素(Pi,j)，并意图传达由所述像素生成的信号；至少一个块形接触件(14，140)，其位于第一基板(12)的外围并在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部，且链接到列导体(Cj)上。在像素(P(i,j))的矩阵(13)的外部在第一基板(12)上，将至少两个列导体(Yj)连接到一起，并且连接到一起的列导体(Yj)朝向至少一个块形接触件(14，140)会聚。

Description

对图像探测器的两列像素的池化
技术领域
本发明涉及成像设备。本发明能够实施用于探测器中的图像捕捉。这类设备包括一般在矩阵或线性阵列中布置的被称作像素的大量敏感点。
背景技术
本发明用于产生可见图像，但是不限于该领域。在本发明的背景中，术语“成像”应该在广义上进行理解。例如，可以产生压力的或温度的映射或者甚至化学势或电势的二维表示。这些映射或表示形成物理量的图像。
在探测器中，像素表示探测器的基本敏感元件。每个像素将物理现象转换为其所经受的电信号。在矩阵读取阶段收集来自不同像素的电信号，并随后对所述电信号数字化以便能够被处理和存储，从而形成图像。像素是由对物理现象敏感的区域形成的，并递送电荷的电流。所述物理现象可以是电磁辐射，在后文将通过该类型的辐射解释本发明，并且充电电流是敏感区域所接收到的光子流的函数。对任意成像设备的一般化将是容易的。
光敏区域通常包括光敏元件或光探测器，例如，其能够是光电二极管、两个头对尾的二极管、光电阻器或光晶体管。存在能够具有几百万像素的大维度的光敏矩阵。每个像素包括光敏元件和电子电路，该电子电路例如包括开关、电容器、电阻器以及在它们下游的致动器。包括光敏元件和电子电路的组件可以生成并收集电荷。所述电子电路通常可以在电荷转移之后重置在每个像素中收集到的电荷。致动器的作用是将由电路所收集的电荷转移或复制到列导体(columnconductor)。在致动器接收到要这么做的指令时执行这种转移。致动器的输出对应于像素的输出。
在这类探测器中，像素根据两个阶段操作：图像捕捉阶段，在该阶段期间，像素的电子电路累积由光敏元件生成的电荷；以及，读取阶段，在该阶段期间，通过致动器将所收集到的电荷转移或复制到列导体。
在图像捕捉阶段期间，致动器是被动的，并且所收集到的电荷使得在光敏元件与致动器之间的连接点处的电势改变。该连接点被称作像素的电荷收集节点，或者简称为像素的节点。在读取阶段期间，致动器是主动的，以便释放在光敏点处累积的电荷，从而运输或复制这些电荷，甚至将像素的节点的电势复制到布置在致动器下游的探测器的读取电路。
被动致动器应该被理解为不与读取电路电接触的致动器。因此，当致动器是被动的时，在像素中收集到的电荷不被转移或复制到读取电路。
致动器能够是由时钟信号控制的开关。其通常是晶体管。致动器也能够是跟随电路或者可以将在像素中收集到的电荷携带或转移到读取电路的任何其它设备，例如已知为首字母缩写是CTIA(电容跨阻放大器)的设备。
这类像素能够用于医疗领域中的对电离辐射成像，并且显著的是X或γ辐射探测器，或工业领域中的无损检查，用于探测放射图像。在一些探测器中，光敏元件可以探测可见或近可见的电磁辐射。这些元件对探测器上的将被探测的入射辐射仅具有一点或没有敏感性。然后使用称作闪烁器的辐射转换器，其将入射辐射(例如X辐射)转换为像素中存在的光敏元件对其敏感的波长带中的辐射。
根据日益广泛使用的另一类型的探测器，探测器材料是半导体，其对将要被探测的例如X或γ的辐射敏感。在探测器中辐射的相互作用生成了电荷载流子。所生成的电荷在终端(称作像素的节点)处通过相互作用被收集。
在图像捕捉阶段期间，电磁辐射以由每个光敏元件接收到的光子的形式被转换为电荷(电子/空穴对)，并且每个像素通常包括电容，从而可以累积这些电荷以使得像素的节点的电压变化。该电容对于光敏元件是固有的，在这种情况下其被称作杂散电容，或者添加到与光敏元件并联连接的电容器形式中。
通常，像素是被单独读取的。矩阵例如能够包括与矩阵的像素的每列相关联的列导体。在这种情况下，将读取指令发送给矩阵的同一行的所有致动器，并且通过将该行的每个像素的电信息、电荷、电压、电流、频率等转移到其所关联的列导体来读取该行的每个像素。
需要将大量像素分组到一起，以便能够统一地进行读取。这种分组对于增加矩阵的读取速度是有用的，或者甚至可以改善读取的每个元素的信噪比。分组像素能够具有用于执行对来自分组像素的电信息项的加法或平均运算的单元，这些单元能够是模拟的或数字的。
随后，将描述电信息项在像素中以模拟形式可用、以存储在电容器上同一值的电荷量的形式可用的情况。自然可以理解的是，能够针对在每个像素中生成的电信息项的任何形式实现本发明。
图像探测器通常包括图像传感器。图像传感器包括：行导体，每个所述行导体链接相同行的像素；以及，列导体，每个所述列导体链接相同列的像素。列导体被连接到读取电路上，也被称作列读取块。
在列读取块与列导体之间的连接是在块形接触件(bumpcontact)处完成的。因此，在图像探测器的传统配置中，存在与列导体一样多的块形接触件，因此块形接触件与像素的列一样多。在两个列导体之间限定间隔。两个列导体之间的间隔对应于两个块形接触件之间的间隔。对于一些应用，可能需要减小两个列导体之间的间隔，同时维持两个块形接触件之间较大的间隔。这样的情况在通过X射线进行医疗成像的领域中是显著的，更具体地，对于需要高质量图像的乳房摄影的应用是显著的。像素可以占据50微米(μm)边长级别的方形表面面积，也就是说，小于在标准X放射学中使用的像素的通常尺寸。块形接触件之间的间隔则被减小。通过连接器模块来连接块形接触件与列读取块。现在，连接器模块并不适于在两个块形接触件之间的小间隔。
发明内容
本发明目的在于通过提出一种图像探测器的两列像素的池化来减小两个列导体之间的间隔，同时维持两个块形接触件之间较大的间隔。
为此，本发明的主题是一种图像探测器，包括：
·传感器，其在第一单片基板上制成，包括：
○像素集，其在矩阵中以行和列布置，并被配置为根据撞击所述探测器的辐射而生成信号；
○列导体，每个所述列导体链接同一列的像素，并意为传达由所述像素生成的信号；
○至少一个块形接触件，其位于所述第一基板的外围并在所述像素的矩阵的外部，且被链接到所述列导体上，
其特征在于，在所述像素的矩阵的外部的所述第一基板上，至少两个列导体被连接到一起，并且被连接到一起的列导体朝向块形接触件会聚。
附图说明
在阅读通过例子给出的实施例的详细描述后，可以更好地理解文发明并且本发明的其它优点将变得清晰，所述描述是通过附图进行说明的，在附图中：
-图1a和1b表示传统的图像探测器；
-图2a和2b表示根据本发明的图像探测器配置；
-图3表示根据本发明的第二图像探测器配置；
-图4表示根据本发明的第三图像探测器配置；
-图5表示根据本发明的第四图像探测器配置；
-图6表示根据本发明的第五图像探测器配置；
-图7表示根据本发明的第六图像探测器配置；
-图8表示根据本发明的图像探测器，其具有包括三个不同区域的传感器。
为了清晰起见，相同的附图标记将表示不同图中相同的元件。
具体实施方式
大体上，本发明涉及图像探测器，其包括传感器，所述传感器包括：在矩阵中以行和列布置的像素集；行寻址块；列读取块；将像素的行链接到行寻址块的行导体；以及，将像素的列链接到列读取块的列导体。应该注意的是，在本专利申请的背景下，列和行的概念仅具有相对的含义，像素的行和像素的列不过是彼此例如以直角布置的像素行。行导体和列导体分别被定义为分别与像素的行和像素的列平行取向的。
图1a表示传统的图像探测器10。图像探测器10包括在第一单片基板12上生产的传感器11。第一单片基板12包括在矩阵13中以行Li和列Cj布置的像素集P(i,j)。矩阵13可以包括任意数量的行和列，因此形成像素P(i,j)。矩阵13在第一基板12上形成地理区域。像素以通用形式P(i,j)表示，其中i和j是分别表示矩阵13中行的阶和列的阶的自然整数。像素集P(i,j)被配置为根据撞击探测器10的辐射来生成信号。传感器11包括列导体Yj，每个所述列导体链接同一列Cj的像素。列导体Yj意为传达由像素P(i,j)生成的信号。类似地，传感器11包括行导体Xi，每个所述行导体链接同一行Li的像素。像素P(i,j)的矩阵13包括偶数阶和奇数阶的列Cj。类似地，像素P(i,j)的矩阵13包括偶数阶和奇数阶的行Li。传感器10包括位于第一基板12外围且在像素P(i,j)的矩阵13外部的块形接触件14。块形接触件14被链接到列导体Yj。在传统的图像探测器10中，存在与列导体Yj一样多的块形接触件。在两个相邻块形接触件之间的间隔被表示为d。图像探测器10包括行寻址块15，其位于第一基板12附近并被链接到行导体Xi。包括至少一行寻址块的任意集合被称作行寻址块15。块15能够被并入到第一基板12，如图1b所示，或者被并入到不同的基板，如图1a所示。行寻址块15可以对每行像素Li单独寻址。图像探测器10包括在不同于第一基板12的第二基板17上制成的列读取块16。列读取块16包括将列读取块16链接到块形接触件14的连接点18。列读取块16可以读取由行寻址块选择的行的像素所生成的信号。
像素P(i,j)包括与电子开关T(i,j)相关联的光电二极管Dp(i,j)。光电二极管Dp(i,j)自然地能够被适于在经受光子辐射时生成电信号的任意光敏元件取代。在图1a中表示的像素结构被刻意简化，在本发明的背景下可以实现更复杂的结构。例如，可以根据具有三个晶体管的配置产生像素。第一晶体管可以重置光电二极管的阴极的电势，第二晶体管用作跟随器，并且第三晶体管完成电子开关的角色。这可以选择将要被读取的信号的像素P(i,j)的行Li。备选地，电子开关功能能够由开关二极管实现。
由晶体管形成的开关T(i,j)通过其栅极Gi被链接到行i的行导体Xi，通过其漏极Dj被链接到列导体Yj，并且通过其源极Sij被链接到光电二极管Dp(i,j)的阴极。所有的光电二极管Dp(i,j)的阳极被链接到共同电势上，例如接地。行寻址块15包括可以生成在要被注入到行导体Xi上以驱动打开和关闭晶体管T(i,j)的信号的元件。列读取块16能够包括可以处理在列导体Yj上接收到的信号的元件。具体地，这能够是放大器和/或模拟-数字转换器。
图像传感器11按如下操作。在图像捕捉阶段期间，光电二极管Dp(i,j)暴露于辐射而在源极Sij处生成电荷。在每个源极Sij处电荷量是所关心的像素P(i,j)接收到的辐射的强度的函数。图像捕捉阶段后跟着逐行执行的读取阶段。注入到不同行导体Xi上的信号连续切换到活动状态，从而每个列导体Yj的电势连续表示在列j的不同像素P(i,j)中累积的电荷量。
图2a表示根据本发明的图像探测器100的配置。所有的元件与在图1a和1b中表示的图像探测器10相同，除了列导体Yj到块形接触件14的连接。实际上，根据本发明，在像素P(i,j)的矩阵13外部第一基板12上将至少两个列导体Yj连接在一起，并且连接到一起的列导体Yj朝向同一块形接触件14会聚。这里，涉及一种将两个列导体链接到一起的配置。当然，可以将多于两个的列导体连接到一起，并使得它们朝向单个块形接触件会聚。在根据本发明的图像探测器100的配置中，两个相邻块形接触件之间的间隔则是在图像探测器10的传统配置中的两个相邻块形接触件之间的间隔的两倍。换言之，在根据本发明的图像探测器100的配置中，两个相邻块形接触件之间的间隔等于2d。
此外，在图2a中表示的图像探测器的配置要求每像素P(i,j)行Li两倍列导体。实际上，由于在块形接触件14处池化两个列j和j+1，因此列读取块16处理在块形接触件14处接收到的信号。换言之，列读取块16处理两个列j和j+1的不同像素P(i,j)中累积的电荷量。然而，目的在于能够读取与列j+1分离的列j。因此，除了行导体Xi外，还将另一行导体定义为Zi。Xi是对应于奇数阶的列的行导体，而Zi是对应于偶数阶的列的行导体。为了读取奇数列j的不同像素P(i,j)中累积的电荷量，在行导体Xi上注入的信号切换到活动状态，从而每个列导体Yj的电势表示在列j的不同像素P(i,j)中累积的电荷量。类似地，对于偶数列(j+1)，信号被注入到行导体Zi上。列读取块16能够处理在列j或列j+1的不同像素P(i,j)中累积的电荷量。
在像素P(i,j)的矩阵13外部第一基板12上两个两个地池化两个列导体以及朝向块形接触件14会聚提供了额外的优点。由于在矩阵13的外部进行连接，因此当像素P(i,j)的列Cj有缺陷时，与列Cj一起池化的相邻列仍可以被正确读取。
然而，由在块形接触件处连接到一起的两个列导体形成的电容电荷显著增加，这是因为其不再是单个列导体的电容电荷，而是两个列导体的电容电荷，这两个列导体也能够被认为是单个列导体但是有两倍长，因此具有更大的电容。目前，列导体的电容越大，则在图像探测器中的噪声越多，因此降低了图像质量。
图2b表示根据本发明的包括传感器111的图像探测器110，其对应于图像探测器100的相同配置。行寻址块151位于矩阵13的一个边134上，并且行寻址块152位于矩阵13的另一边133上。应该注意的是，在矩阵由四个边形成的情况下，行寻址块151位于矩阵13的一个边134上，并且行寻址块152位于矩阵的另一个边133上，在其对侧是行寻址块151所在之处。还可以存在具有多于四个边的矩阵，例如，六边形矩阵的六个边，或者八边形矩阵的八个边。在这种情况下，行寻址块152位于矩阵的另一边上，不必与行寻址块151所在之处相对。偶数阶的行的行导体Xi被链接到在矩阵13的边133上的行寻址块152上，并且奇数阶的行的行导体Zi被链接到矩阵13的另一边134上的第二行寻址块151上。
通常，在玻璃基板上的薄层中制成图像探测器。更具体地，能够在表示为a-Si的非晶硅的薄层中制成图像探测器。在文献中，术语“TFT”还用于a-Si薄膜晶体管。图像探测器还能够制成在多晶硅(在文献中常常将低温多晶硅称作LTP)的薄层中。还可以用金属氧化物制成图像探测器。能引用的例子是锌的氧化物IGZO，氧化铟镓锌或IZO，氧化铟锌。最后，能够利用有机材料(对于有机TFT也被称作OTFT)制成图像探测器。
近来，基板支撑薄膜技术通常由玻璃制成。图像探测器还能够在聚合物基板上制成。
还可以在CMOS(互补金属氧化物半导体)或BiCMOS(双极CMOS)类型的单晶硅中制成图像探测器。在这种情况下，基板由相同的材料组成，即，基板由硅制成。
图3表示根据本发明的具有传感器121的图像探测器120的另一配置。所有的元件都与在图2a中表示的图像探测器100的相同，除了列导体Yj的连接。在图3的配置中，两个列导体Yj之间的连接是在列Cj的不是彼此紧相邻的列导体Yj之间进行的。换言之，定义了连接导体的第一组25和连接导体的第二组26。两个列导体Yj属于连接导体的第一组25，并且两个其它列导体Yj属于连接导体的第二组26。第一组25和第二组26并不连接到一起，并且第一组25和第二组26是交错的。这种配置的优点在于，如果列是有缺陷的并没有进行修正时，一列的缺陷并不妨碍两个相邻的列被正确读取，但是会妨碍两个远离的列被正确读取。在图3中，两个列导体连接到一起。当然，可以连接多个其它列导体。
当在如图1a所示的传统探测器的情况下，像素P(i,j)的矩阵13包括偶数阶和奇数阶的列Cj。可以选择在偶数阶的列的导体Yj之间或是在奇数阶的列的导体Yj的两个列导体Yj之间进行连接。
图4表示根据本发明的具有传感器131的图像探测器130的另一配置。所有的元件与图3中表示的图像探测器120的相同，除了块形接触件14的定位以及列导体Cj的连接。在图4中，块形接触件14位于矩阵13的第一边132和第二边133上。在矩阵13的第一边132和第二边133上交替进行至少两个列导体Yj之间的连接。例如，可以在矩阵13的第一边132上将偶数阶的列的导体Yj连接到一起，并且在矩阵的第二边133上将奇数阶的列的导体Yj连接到一起。这一配置提供增加在同一边上两个块形接触件之间的间隔的优点。实际上，两个块形接触件间隔开距离4d。此外，与在图3中呈现的配置相比，在图4中呈现的配置减少了列导体交叉的数量，因此降低了由于列导体的交叉引起的电容电荷的增加。
图5表示根据本发明的图像探测器200的另一配置。图像探测器200包括传感器201。所有的元件与图2a中表示的图像探测器100的相同，除了行导体的数量以及列导体Yj与块形接触件14的连接。在图5中表示的配置包括用于两列像素的多路复用器。在两个列导体之间的连接是通过多路复用器进行的。在图5中，表示了两个多路复用器211、221。多路复用器是可以在同一传输路径上通过从特定数量的输入中选择一个输入而集中多个链路的电路。多路复用器211和221是所谓的“二合一”多路复用器，或者一位多路复用器。一位多路复用器可以从两个可用输入中选择一个输入，在输出处给出所述输入的值。多路复用器221包括两个可能的输入E1和E2以及一个输出S1。命令行222表示选择哪个输入。如果选择输入E1，则输出S1将采用E1的值。相反地，如果选择输入E2，则输出S1将采用E2的值。使用多路复用器来池化像素P(i,j)的两个列Cj可以不再如在图2a和2b的配置中那样每像素P(i,j)的行Li具有两倍行导体。图像探测器200包括每个多路复用器一个命令行。因此，由两两连接的两个列导体所表示的电容电荷将不像在图2a中所表示的配置的情况下那样增长。与图2的配置相比，对每多路复用器的两个列导体的池化可以减少图像探测器中的噪声。
图5表示对两个列导体池化，但是关于在先配置，优选的是可以将其多个连接在一起。
图6表示根据本发明的图像探测器300的配置。图像探测器300包括传感器301。所有的元件都与图5中表示的图像探测器200的相同，除了多路复用器的命令行。在图6中，探测器300包括用于多个多路复用器的一个单个命令行。示出了两个多路复用器311和321。关于在图5中表示的配置，每个多路复用器包括两个输入、一个输出和一个命令行322。对于每个多路复用器311和321，命令行322指示选择哪个输入来确定将由列读取块16处理的输出的值。因此，对于每个块形接触件18，根据命令行322，可以获得由块形接触件18的行中的奇数阶的像素所递送的信号，或者获得在块形接触件18的行中偶数阶的像素递送的信号。
图7表示根据本发明的图像探测器400的另一变型。图像探测器400包括传感器401。所有的元件都与图5中所示的图像探测器200的相同，除了多路复用器与块形接触件的连接。连接的列导体的组425包括连接到一起的至少两个列导体Yj。类似地，连接的列导体的组426包括连接到一起的至少两个列导体Yj。连接的列导体Yj的至少两组425、426在像素P(i,j)的矩阵13外部的第一基板12上被连接到一起。被连接到一起的列导体Yj的组425和426形成连接级427，并能够朝向块形接触件14会聚。类似地，定义另一连接级428。类似地，连接级427和428能够被连接到一起并形成更高级别的连接级429。最后，可以将所有级连接到一起，并在矩阵13的一边上朝向单个块形接触件140会聚。换言之，列导体Yj被连接到一起，并且通过不同连接级在矩阵13的一边上朝向单个块形接触件140会聚。
如图7所示，列导体之间的连接、导体组之间的连接以及连接级之间的连接都是通过多路复用器进行的。为了更好地辨认，在图7中没有表示多路复用器的命令行。多路复用器的特性和命令与图5中所示的那些相同。类似地，可以设想在列导体之间、导体组之间以及级之间具有简单的连接，如图3所示。另一配置是具有如图4所示的简单连接的配置，且具有交替地在像素的矩阵的一边或另一边上的连接。最后，另一配置将在于具有简单的连接以及通过多路复用器的连接。然而，涉及多个简单连接的这后三个配置是难以实现的，因为每个连接需要额外的命令行。
图8表示根据本发明的图像探测器500。图像探测器500包括传感器501和用于两个列导体的连接单元。在图8中，示出了两个多路复用器511和521。显然，这也可以是如图2a所示的简单连接。传感器501包括像素的矩阵13，不同于矩阵13的列导体Yj的连接的区域530，以及专用于修正不同于矩阵13和列导体Yj的连接的区域530的列导体Yj的区域540。专用于修正列导体Yj的区域540位于矩阵13和列导体Yj的连接的区域530之间。修正区域540显然可以通过激光进行修正。在像素列有缺陷的情况下，期望隔离有缺陷的列。可以利用激光束进行这种隔离，所述激光束被发送到修正区域540中有缺陷的列的列导体上。列导体可以是金属轨迹。在激光束的作用下，金属蒸发。然后切割轨迹并隔离有缺陷的列。

Claims (13)

1.一种图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，包括：
●传感器(101；111；121；131；201；301；401；501)，其在第一单片基板(12)上制成，包括：
○像素集(P(i,j))，其在矩阵(13)中以行(Li)和列(Cj)布置，并被配置为根据撞击所述探测器(100；200；300；400)的辐射而生成信号；
○列导体(Yj)，其每一个链接同一列(Cj)的像素(Pi,j)，并意图传达由所述像素生成的信号；
○至少一个块形接触件(14、140)，其位于所述第一基板(12)的外围并在像素(P(i,j))的所述矩阵(13)的外部，并且被链接到所述列导体(Cj)，
其特征在于，在像素(P(i,j))的所述矩阵(13)的外部在所述第一基板(12)上将至少两个列导体(Yj)连接到一起，并且被连接到一起的所述列导体(Yj)朝向所述至少一个块形接触件(14、140)会聚，并且所述图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)包括：行导体(Xi)，每个行导体(Xi)连接同一行的所述像素(P(i,j))；以及行寻址块(15)，其被链接到所述行导体(Xi)，从而能够单独对每行像素(P(i,j))进行寻址。
2.根据权利要求1所述的图像探测器(120；130；200；300；400；500)，其特征在于，两个列导体(Yj)属于第一组的连接导体(25)，并且两个其它列导体(Yj)属于第二组的不同的连接导体(26)，并且所述第一组和所述第二组是交错的。
3.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(130)，其特征在于，所述传感器包括多个块形接触件(14)，并且所述块形接触件(14)位于所述矩阵(13)的第一边(132)上以及第二边(133)上，并且在所述矩阵(13)的所述第一边(132)上和所述第二边(133)上交替进行至少两个列导体(Yj)之间的连接。
4.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，其特征在于，所述行寻址块(15)被并入到所述第一基板(12)中。
5.根据权利要求4所述的图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，其特征在于，其包括多个块，并且所述行寻址块中的第一个(151)位于所述矩阵(13)的一边(133)上，并且所述行寻址块中的第二个(152)位于所述矩阵(13)的另一边(134)上。
6.根据权利要求5所述的图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，其特征在于，所述矩阵(13)包括偶数阶和奇数阶的行(Li)，并且偶数阶的行的所述行导体(Xi)被链接在所述矩阵(13)的一边上的第一行寻址块(15)，并且奇数阶的行的所述行导体(Xi)被链接到在所述矩阵(13)的另一边上的第二行寻址块(15)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(200；300；400；500)，其特征在于，至少两个列导体(Yj)之间的连接是通过多路复用器(211，221；311，321；511，521)进行的。
8.根据权利要求7所述的图像探测器(200；400)，其特征在于，其包括每个多路复用器一个命令行(212、222)。
9.根据权利要求8所述的图像探测器(300；400；500)，其特征在于，其包括对多个多路复用器共用的命令行(322)。
10.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(400)，其特征在于，一组连接的列导体包括被连接到一起的至少两个列导体(Yj)，并且在像素(P(i,j))的所述矩阵(13)的外部在所述第一基板(12)上，至少两组(425、426)连接的列导体(Yj)被连接到一起，并且被连接到一起的至少两组(425、426)列导体(Yj)形成连接级(427、428)并朝向块形接触件(14、140)会聚。
11.根据权利要求10所述的图像探测器(400)，其特征在于，所述列导体(Yj)在所述矩阵(13)的一边上被通过不同的连接级(427、428)连接到一起并朝向单个块形接触件(140)会聚。
12.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(500)，其特征在于，所述传感器(501)包括：像素的所述矩阵(13)，不同于所述矩阵(13)的所述列导体(Yj)的连接的区域(530)，以及专用于修正不同于所述矩阵(13)和所述列导体(Yj)的连接的所述区域(530)的所述列导体(Yj)的区域(540)，并且专用于修正所述列导体(Yj)的所述区域(540)位于所述矩阵(13)与所述列导体(Yj)的连接的所述区域(530)之间。
13.根据前述权利要求中任一项所述的图像探测器(100；110；120；130；200；300；400；500)，其特征在于，其包括列读取块(16)，所述列读取块(16)在不同于所述第一基板(12)的第二基板(17)上制成，并被链接到所述至少一个块形接触件(14、140)，从而能够读取由所述像素(P(i,j))生成的所述信号。
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