CN105742315B - 发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

提供了一种发光显示设备。发光显示设备包括衬底、平面化图案、第一电极、像素限定层、有机层以及第二电极，其中衬底包括设置在第一方向和与第一方向相交的第二方向的多个像素，该多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；平面化图案设置在衬底上；对于多个像素的每个像素，第一电极位于平面化图案上；像素限定层在衬底上划分各像素并且具有用于暴露第一电极的开口；有机层位于第一电极上；以及第二电极位于有机层上，其中第二主像素块中的像素的平面化图案的厚度大于第一主像素块中的像素的平面化图案的厚度。

Description

发光显示设备
相关申请的交叉引用
本发明要求于2014年12月31日向韩国知识产权局提交的第10-2014-0195544号韩国专利申请的优先权及权益，该申请的公开通过引用整体并入本文中。
技术领域
本发明涉及发光显示设备。
背景技术
在发光显示设备中，有机发光显示设备是一种自发光显示设备，其具有宽视角、超对比度及高响应速度的特性，因此作为下一代显示设备已经被广泛关注。
有机发光显示设备具有有机发光层，有机发光层由布置在阳极电极和阴极电极之间的有机发光材料制成。当阳极电压和阴极电压被分别施加到这些电极时，从阳极电极注入的空穴通过空穴注入层和空穴传输层移到有机发光层，并且电子通过电子注入层和电子传输层移到有机发光层。在有机发光层中，电子和空穴重新结合，并且通过该重新结合，生成了激子。随着生成的激子从激发态转换到基态，有机发光层发光以显示图像。
该有机发光显示设备包括像素限定层，像素限定层具有用于暴露形成于以矩阵形式设置在衬底上的像素的每个上的阳极电极的开口，并且空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极电极形成在通过像素限定层的开口而暴露的阳极电极上。可以使用喷墨印刷方法或喷嘴印刷方法通过具有至少一个喷嘴的排放头将墨水排入像素限定层的开口，来形成薄膜形式的空穴注入层、空穴传输层和有机发光层。
发明内容
在将墨水排入像素限定层的开口中时，墨水可以通过不同的墨水排放时间排至各像素上，并且这可以使排至各像素上的墨水以不同的时间干燥。例如，在衬底包括墨水以第一时间点排至其上的第一像素和墨水以晚于第一时间点的第二时间点排至其上的第二像素的情况下，排至第一像素上的墨水的干燥时间可长于排至第二像素上的墨水的干燥时间。
当如上所述像素具有不同的墨水干燥时间时，通过干燥排至各像素上的墨水而形成的薄膜可以具有不同的厚度。有机发光显示设备的发光特性可能变得不一致并且使显示质量恶化。
因此，本发明的实施方式提供一种发光显示设备，其可以通过制造具有一致发光特性的各像素来改进显示质量。
本发明的其他特征和方面将在接下来的说明中部分地进行描述，并且将对阅读了以下的本领域的普通技术人员部分地变得清楚，或者可以从本发明的实践中得知。
在本发明的一个方面中，提供了一种发光显示设备，包括衬底、平面化图案以及第一电极，其中衬底包括设置在第一方向和与第一方向相交的第二方向的多个像素，该多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；平面化图案设置在衬底上；以及对于多个像素的每个像素，第一电极位于平面化图案上。该发光显示设备还包括像素限定层、有机层以及第二电极，其中像素限定层在衬底上划分各像素并且具有用于暴露第一电极的开口；有机层位于第一电极上；以及第二电极位于有机层上，其中第二主像素块中像素的平面化图案的厚度大于第一主像素块中像素的平面化图案的厚度。
在第一主像素块的像素中和在第二主像素块的像素中，从衬底的上表面至像素限定层的上表面测量的高度可以彼此相等。
第二主像素块的像素中的像素限定层的开口的深度可以小于第一主像素块的像素中的像素限定层的开口的深度。
第二主像素块的像素中的有机层的位置可以高于第一主像素块的像素中的有机层的位置。
平面化图案可以包括光敏材料。
多个像素可以包括设置在第二方向的多个像素排组，以及第一主像素块可以包括第一数量的连续像素排组，并且第二主像素块包括第二数量的连续像素排组。
第一数量可以等于第二数量。
第二数量可以小于第一数量。
第一主像素块可以包括第一子像素块和第二子像素块，其中第一子像素块包括第一数量的连续像素排组中的第三数量的连续像素列组，第二子像素块包括第一数量的连续像素排组中的第四数量的连续像素列组。
第三数量可以等于第四数量。
第四数量可以小于第三数量。
第二主像素块可以包括第三子像素块和第四子像素块，其中第三子像素块包括第二数量的连续像素排组中的第五数量的连续像素列组，第四子像素块包括第二数量的连续像素排组中的第六数量的连续像素列组。
第五数量可以等于第六数量。
第六数量可以小于第五数量。
在本发明的另一方面中，提供了一种发光显示设备，其包括衬底、平面化图案以及第一电极，其中衬底包括设置在第一方向和与第一方向相交的第二方向的多个像素，该多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；平面化图案设置在衬底上；以及对于多个像素的每个像素，第一电极位于平面化图案上。该发光显示设备还包括像素限定层、有机层以及第二电极，其中像素限定层在衬底上划分各像素并且具有用于暴露第一电极的开口；有机层位于第一电极上；以及第二电极位于有机层上，其中，第二主像素块中的像素的像素限定层的开口的内壁和第一电极之间角度大于第一主像素块中的像素的像素限定层的开口的内壁和第一电极之间的角度。
在第一主像素块的像素中和在第二主像素块的像素中，从衬底的上表面至像素限定层的上表面测量的高度可以彼此相等。
在第一主像素块的像素中和第二主像素块的像素中，平面化图案的厚度可以彼此相等。
第二主像素块的像素中的像素限定层的开口的上部的面积可以大于第一主像素块的像素中的像素限定层的开口的上部的面积。
像素限定层可以包括光敏材料。
多个像素可以包括设置在第二方向的多个像素排组，并且第一主像素块包括第一数量的连续像素排组，并且第二主像素块包括第二数量的连续像素排组。
因为根据本发明实施方式的发光显示设备包括对于主像素块具有不同厚度的平面化图案，所以像素限定层的开口对于各主像素块可以具有不同深度。
根据本发明实施方式的发光显示设备，因为排入像素限定层的开口的墨水的表面面积对于各主像素块是彼此不同的，因此即使当对于各主像素块墨水干燥时间因不同墨水排放时间而彼此不同时，墨水的干燥速率对于各主像素块保持彼此相等、大体相等或相似。
根据本发明实施方式的发光显示设备，因为对于各像素通过墨水干燥形成的有机层的厚度变得一致，所以发光特性也变得一致，因此改进了发光显示设备的显示质量。
本发明的实施方式不限于以上举例说明的内容，进一步的各特征包括在随后的描述中。
附图说明
通过结合附图给出的以下详细描述，本发明的上述及其他特征和方面将更加清楚，在附图中：
图1是示出根据本发明实施方式的发光显示设备的像素的示意性平面图；
图2是在图1的第一主像素块中所包括的像素中沿线I-I'得到的一部分的剖视图；
图3是在图1的第二主像素块中所包括的像素中沿线II-II'得到的一部分的剖视图；
图4至图6是示出根据像素排组数量的平面化图案高度级的示例性图表；
图7至图14是解释根据本发明实施方式的用于制造发光显示设备的方法的剖面图；
图15是示出根据本发明的另一实施方式的发光显示设备的像素的示意性平面图；
图16是在图15中的第一子像素块中所包括的像素中沿线III-III'得到的一部分和在图15中的第二子像素块中所包括的像素中沿线IV-IV'得到的一部分的剖视图；
图17是在图15中的第三子像素块中所包括的像素中沿线V-V'得到的一部分和在图15中的第四子像素块中所包括的像素中沿线VI-VI'得到的一部分的剖视图；
图18至图20示出根据像素列组数量的平面化图案高度级的示例性图表；
图21是在根据本发明的又一实施方式的发光显示设备中与图2的一部分对应的一部分的剖视图；
图22是示出图21的第一电极和像素限定层之间关系的剖视图；
图23是在根据本发明的又一实施方式的发光显示设备中与图3的一部分对应的一部分的剖视图；以及
图24是示出图23的第一电极和像素限定层之间关系的剖视图。
具体实施方式
通过参考以下优选实施方式的详细描述和附图，可以更容易地理解本发明的各方面和特征以及其实现方法。但是本发明可以体现为许多不同的形式，而不应该将本发明理解为受限于本文中描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式，以使得本公开将是全面且完整的并且将向本领域的技术人员充分地传达本发明的构思，并且本发明将仅由所附权利要求及其等同技术方案来限定。
还应理解，当层被称为位于另一层或衬底“上”时，其可以被理解为直接位于该另一层或衬底上，或者可以理解为还可能存在插入的层。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。
应当理解，虽然在本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一元件、部件、区域、层或部分。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称作第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于描述，在本文中可能使用诸如“下面”、“之下”、“下部”、“下方”、“之上”、“上部”等空间上相对的术语，以描述如附图所示的一个元件或特征与其他一个或多个元件或特征之间的关系。应当理解，除了附图中所示的定向，空间上相对术语意图包含使用或操作时设备的不同定向。例如，如果附图中的装置被翻转，那么描述为在其他元件或特征“之下”、“下面”或“下方”的元件或特征将被定位在该其他元件或特征“之上”。因此，示例性术语“之下”和“下方”可以包含之上和之下的定向。设备可以以其他方式定向(例如，旋转90度或处于其他定向)，并且在本文中使用的空间上相对的描述词应当被相应地解释。
此外，还应理解当一个元件、部件、区域、层和/或部分被称为在两个元件、部件、区域、层和/或部分“之间”时，其可以是这两个元件、部件、区域、层和/或部分之间唯一的元件、部件、区域、层和/或部分，或者也可以存在一个或多个插入的元件、部件、区域、层和/或部分。
在本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，并未旨在限制本发明。如本文中所使用的，单数形式“一个(a)”和“一个(an)”旨在还包括复数形式，除非在语境中清楚地另外指出。应进一步理解，当在本文中使用时，术语“包括(include)”、“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、“包括(includes)”、“包括(including)”和“包括(include)”说明所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除还存在或可增加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个列出的相关项的任意和全部组合。诸如“至少一个”的表述当位于一系列元件之前时修饰整个系列的元件，而不是修饰一系列元件中的单个元件。而且，描述本发明的实施方式时使用“可以”是指“本发明的一个或多个实施方式”。此外，术语“示例性”旨在指的是示例或实例。
应当理解，当元件或层被称为位于另一元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一元件或层、与另一元件或层“连接”或“耦接”、或与另一元件或层“相邻”时，其可以“直接”位于另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层、与另一元件或层“直接连接”或“直接耦接”、或与另一元件或层“直接相邻”，或者可以存在一个或多个插入的元件或层。当元件或层被称为“直接”位于另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一元件或层、与另一元件或层“直接连接”或“直接耦接”、或与另一元件或层“紧邻”时，将不存在插入的元件或层。
如本文中所使用的，术语“大体上”、“约”和类似术语用作表示近似的术语并且不用作表示程度的术语，并且旨在说明本领域普通技术人员将理解的测量值或计算值的固有偏差。
如本文中所使用的，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“被使用(used)”可以被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“被利用(utilized)”同义。
以下，将参考附图来描述本发明的示例性实施方式。
图1是示出根据本发明实施方式的发光显示设备的像素的示意性平面图。
参照图1，根据本发明实施方式的发光显示设备100包括多个像素P，该多个像素P在衬底110上设置成n×m(其中n和m是自然数)矩阵的形式，即在第一方向X和与第一方向X相交的第二方向Y中。
多个像素P可以被分成在衬底110上设置在第二方向Y的多个像素排组PG。多个像素排组PG可以包括第一至第n像素排组PG1至PGn，并且可以被分成多个主像素块，例如第一主像素块MBL1和第二主像素块MBL2。
第一主像素块MBL1例如可以包括第一至第五像素排组PG1(P11至P1m)至PG5(P51至P5m)，以及第二主像素块MBL2例如可以包括第六至第十像素排组PG6(P61至P6m)至PG10(P101至P10m)(图1中PGn)。
图1示出多个像素P被设置成10×20矩阵的形式并且包括10个像素排组，但是不限于此。此外，图1示出主像素块的数量是2，但是不限于此。此外，图1示出第一主像素块MBL1中所包括的连续像素排组的第一数量等于第二主像素块MBL2中所包括的连续像素排组的第二数量，但是不限于此。例如，第一数量可以不同于第二数量，并且例如第二数量可以小于第一数量。
接着，将详细描述发光显示设备100的结构。在描述发光显示设备100的结构时，将举例说明多个像素P中第一主像素块MBL1中所包括的像素P和第二主像素块MBL2中所包括的像素P。这里，第一主像素块MBL1中所包括的像素P被举例说明为第一像素排组PG1中所包括的像素P11，并且第二主像素块MBL2中所包括的像素P被举例说明为第十像素排组PG10中所包括的像素P1020(图1中Pnm)。
图2是在图1的第一主像素块中所包括的像素中沿线I-I'得到的部分的剖视图，以及图3是在图1的第二主像素块中所包括的像素中沿线II-II'得到的部分的剖视图。图4至图6示出根据像素排组数量的平面化图案高度级的示例性图。
参照图2和图3，发光显示设备100可以包括衬底110、有源层111、下电极115、栅绝缘层116、栅电极117、上电极118、层间绝缘层119、源电极120、漏电极121、平面化图案130、第一电极140、像素限定层150、有机层160和第二电极170。
衬底110可以是透明的绝缘衬底。该绝缘衬底可以由诸如玻璃、石英或聚合树脂的材料制成。聚合材料的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚丙烯酸酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(CAT或TAC)、醋酸丙酸纤维素(CAP)以及其组合。在一些实施方式中，绝缘衬底可以是由诸如聚酰亚胺(PI)的柔性材料制成的柔性衬底。
衬底110包括多个像素P(例如参见图1)，多个像素P设置在第一方向X和第二方向Y(例如参见图1)。因为多个像素P的设置(例如参见图1)已经被详细描述，将省略其重复的说明。
有源层111可以设置在衬底110上，并且可以包括沟道区112、源极区113和漏极区114，源极区113和漏极区114设置在沟道区112的两侧。有源层111可以由诸如非晶硅或多晶硅的硅形成，以及源极区113和漏极区114可以掺有p型或n型杂质。可以通过光刻法形成有源层111，但是不限于此。
下电极115可以在衬底110上设置在与有源层111相同或大体相同的层上，以及可以形成为与有源层111间隔开。下电极115可以由与源极区113或漏极区114的材料相同或大体相同的材料形成。也就是说，下电极115可以由银硅形成，并且可以包括p型或n型杂质。可以通过光刻法形成下电极115，但是不限于此。
栅绝缘层116形成在衬底110上，以覆盖有源层111和下电极115。栅绝缘层116将栅电极117和有源层111彼此电绝缘。栅绝缘层116可以由绝缘材料制成，例如二氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或金属氧化物。可以通过沉积法形成栅绝缘层116，但是不限于此。
栅电极117可以形成在栅绝缘层116上。可以在沟道区112的上部(即栅绝缘层116)上，在与沟道区112重叠的位置中形成栅电极117。栅电极117可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。可以通过光刻法形成栅电极117，但是不限于此。
上电极118可以与栅电极117形成在相同或大体相同的层上，并且可以通过与栅电极117的材料相同或大体相同的材料形成。可以在下电极115的上部(即栅绝缘层116)上，在与下电极115重叠的位置中形成上电极118。上电极118与下电极115和栅绝缘层116一起形成存储电容器Cst。施加到薄膜晶体管TFT的栅电极117的电压被充电在存储电容器Cst中。可以通过光刻法形成上电极118，但是不限于此。
层间绝缘层119可以形成在栅绝缘层116上，以覆盖栅电极117和上电极118。层间绝缘层119可以由硅化合物制成。例如，层间绝缘层119可以包括二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮化硅或碳酸氧硅(silicon oxycarbonate)。层间绝缘层119可以用来使栅电极117与源电极120和漏电极121绝缘。可以通过沉积法形成层间绝缘层119，但是不限于此。
源电极120和漏电极121可以形成在层间绝缘层119上。源电极120延伸通过层间绝缘层119和栅绝缘层116以连接至有源层111的源极区113，以及漏电极121延伸通过层间绝缘层119和栅绝缘层116以连接至漏极区114。
源电极120和漏电极121可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料。例如，源电极120和漏电极121可以由铝、含铝合金、氮化铝、银、含银合金、钨、氮化钨、铜、含铜合金、镍、铬、氮化铬、钼、含钼合金、钛、氮化钛、铂、钽、氮化钽、钕、钪、锶钌氧化物、氧化锌、铟锡氧化物、氧化锡、氧化铟、氧化镓、或铟锌氧化物制成。可以通过光刻法形成源电极120和漏电极121，但是不限于此。
源电极120和漏电极121与有源层111和栅电极117一起形成薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以是将电流提供给发光二极管(一部分由第一电极140、有机层160和第二电极170组成)的驱动晶体管，该电流对应于施加到栅电极117的电压。虽然没有示出，但是薄膜晶体管TFT可以连接到开关晶体管。开关晶体管响应于通过栅极线(未示出)提供的栅极信号将与通过数据线(未示出)提供的数据信号对应的电压施加到薄膜晶体管TFT。
平面化图案130可以形成在层间绝缘层119上，以覆盖源电极120和漏电极121。平面化图案130可以具有平的表面。平面化图案130可以设置在像素P的单元中。也就是说，相邻像素P(例如参见图1)的边界部分和相邻平面化图案130之间间隙区域可以彼此重叠。在一些实施方式中，平面化图案130可以一体形成在层间绝缘层119上。
像素P11的平面化图案130的第一厚度PW1可以不同于像素P1020的平面化图案130的第二厚度PW2。例如像素P1020的平面化图案130的第二厚度PW2可以大于像素P11的平面化图案130的第一厚度PW1。
当像素限定层150被形成以使得在像素P11和P1020中从衬底110的上表面至像素限定层150的上表面测量的高度PH彼此相等或大体相等时，平面化图案130可以被形成以使得像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1变得不同于像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2。例如，当像素限定层150被形成以使得在像素P11和P1020中从衬底110至像素限定层150的上表面测量的高度PH彼此相等或大体相等时，平面化图案130可以被形成以使得像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2变得小于像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1。
在像素P11和P1020中具有不同厚度的平面化图案130可以通过使用半色调掩模的光刻处理来形成。在一些实施方式中，在像素P11和P1020中具有不同厚度的平面化图案130可以在没有掩模的情况下通过使用便于调整曝光值的数字曝光单元的光刻处理来形成。平面化图案130可以形成为包括光敏材料，例如负型光敏材料。
如上所述，在像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1不同于像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2的情况下，在通过将墨水排入像素限定层150的开口151中来形成薄膜时，排入像素P11的像素限定层150的开口151中的墨水的表面面积可以不同于排入像素P1020的像素限定层150的开口151的墨水的表面面积。排入像素P11的像素限定层150的开口151的墨水的干燥速度可以不同于排入像素P1020的像素限定层150的开口151的墨水的干燥速度。例如，在第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2小于第一主像素块MBL1中所包括的像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1的情况下，在通过将墨水排入像素限定层150的开口151中来形成薄膜时，排入像素P1020的像素限定层150的开口151的墨水的表面面积可以变得大于排入像素P11的像素限定层150的开口151的墨水的表面面积。排入像素P1020的像素限定层150的开口151的墨水的干燥速度可以高于排入像素P11的像素限定层150的开口151的墨水的干燥速度。
因此，在墨水排至像素P11上的时间点不同于墨水排至像素P1020上的时间点的情况下，通过有差异地调节排至像素P11上的墨水的干燥速度和排至像素P1020上的墨水的干燥速度，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率(实际上，墨水中所包括的溶剂的干燥速率)可以调节为等于、大体等于或类似于排至像素P1020上的墨水的干燥速率。该时间(例如预定时间)可以是从使用喷墨或喷嘴印刷方法将墨水首次排入像素限定层150的开口151的时间点至刚好在经过墨水最终排入时的时间点在真空环境执行单独的干燥处理之前的时间点所测量的时间。例如，当墨水排至像素P11上时的时间点早于墨水排至像素P1020上时的时间点时，通过将排至像素P1020上的墨水的干燥速度调节为高于排至像素P11上的墨水的干燥速度，在一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率可以调节为变得等于、大体等于或类似于排至像素P1020上的墨水的干燥速率。这里，在单独干燥处理之前的墨水的干燥可以是自然干燥。
因此，因为对于像素P通过使墨水干燥而形成的薄膜(例如有机层160)的厚度变得一致，发光特性也变得一致，因此发光显示设备的显示质量被改进。
图1示出5个像素排组包括在第一主像素块MBL1中，并且5个像素排组包括在第二主像素块MBL2中，以及在图2和图3中描述了平面化图案130具有两个高度级。但是，通过不同地设置主像素块的数量或主像素块中所包括的像素排组的数量，平面化图案130可以具有不同数量的高度级。
例如，当主像素块的数量等于或大体等于像素排组的数量时，可以通过以下方式形成平面化图案：当像素排组数量增大时，平面化图案的高度级也增大，如图4所示。也就是说，平面化图案的高度级的数量可以等于或大体等于像素排组的数量。在使用喷墨或喷嘴印刷方法形成有机层时，根据有机发光墨水的排放时间点的干燥速度可以被精密地调节。这里，当像素排组数量变得更大时，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。
此外，当两个或更多个像素排组被包括在多个主像素块的每个中时，平面化图案可以通过以下方式形成：当像素排组数量增大时，在两个或更多个像素排组的单元中平面化图案的高度级也增大，如图5所示。这样可以促进形成平面化图案的处理。这里，当像素排组数量变得更大时，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。
此外，当在多个主像素块中包括不同数量的像素排组时，平面化图案可以通过以下方式形成：像素排组数量增大时，在不规则数量的像素排组的单元中平面化图案的高度级也增大，如图6所示。例如，当第一主像素块包括第一至第五像素排组、第二主像素块包括第六至第八像素排组以及第三主像素块包括第九和第十像素排组时，平面化图案可以通过以下方式形成：在五个像素排组、三个像素排组和两个像素排组的单元中平面化图案的高度级增大。这样，可以促进形成平面化图案的处理，并且可以相对于包括有机发光墨水的干燥速度彼此非常不同的像素排组的主像素块，精密地区分平面化图案的高度级。这里，当像素排组数量变得更大时，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。包括有机发光墨水的干燥速度彼此非常不同的像素排组的主像素块可以是包括少量像素排组的主像素组。
对于每个像素P(例如参见图1)，第一电极140形成在衬底110上。第一电极140可以是阳极电极，该阳极电极接收施加到薄膜晶体管TFT的漏电极121的信号并且为有机层160提供空穴，或者第一电极140可以是为有机层160提供电子的阴极电极。第一电极140可以用作透明电极或反射电极。在第一电极140被用作透明电极的情况下，其可以由ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、ZnO(氧化锌)或In2O3形成。此外，在第一电极140被用作反射电极的情况下，其可以通过形成由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物制成的反射层并且然后在其上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3来形成。可以通过光刻处理形成第一电极140，但是不限于此。
像素限定层150划分衬底110上的各个像素P(例如参见图1)，并且具有用于暴露第一电极140的开口151。因此，像素限定层150通过开口使有机层160形成在第一电极140上。像素限定层150可以由绝缘材料制成。例如，像素限定层150可以形成为包括选自包括绝缘苯并环丁烷(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂和酚树脂的组中的至少一种有机材料。作为另一示例，像素限定层150可以形成为包括无机材料，例如氮化硅。可以通过光刻处理形成像素限定层150，但是不限于此。
在本发明的实施方式中，当使用喷墨或喷嘴印刷方法形成有机层160时，像素限定层150可以由以下绝缘材料形成，该绝缘材料可以使得有机层160相对于像素限定层150的接触角度变得大于有机层160相对于第一电极140的接触角度。例如，像素限定层150可以由以下绝缘材料形成，该绝缘材料使得有机层160相对于像素限定层150的接触角度变得等于或大体等于或大于40°。
有机层160形成在通过像素限定层150的开口151被暴露的第一电极140上。有机层160可以包括有机发光层，该有机发光层通过从第一电极140提供的空穴和从第二电极170提供的电子的重新组合来发光。例如，当空穴和电子被提供至有机发光层，它们重新结合以形成激子，并且随着激子从激发态转换到基态，有机发光层发光。
对于每个像素P(例如参见图1)，有机发光层可以实现为发红光的红发光层、发绿光的绿发光层和发蓝光的蓝发光层。有机发光层可以由包括Se或Zn的无机材料或者低分子或高分子有机材料形成。可以使用喷墨或喷嘴印刷方法形成有机发光层，但是不限于此。
在使用喷墨或喷嘴印刷方法形成有机发光层的情况下，包括固体和有机发光材料的溶剂的有机发光墨水被排至通过像素限定层150的开口151而暴露的第一电极140上，并且执行单独干燥处理以在真空环境中使被排放的有机发光墨水干燥。
例如，可以通过如下这样形成有机发光层：将相同或大体相同数量的有机发光墨水160a(图11)排至像素P11的像素限定层150的开口151中，然后排至像素P1020的像素限定层150的开口151中，并且然后在真空环境通过单独干燥处理来使所排放的有机发光墨水干燥。当像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2小于像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1时，排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a(图11中)的表面面积可以变得大于排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a(图11中)的表面面积。
因此，排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a(图11中)的干燥速度可以高于排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a(图11中)的干燥速度。
因此，即使当在有机发光墨水160a排入像素P1020的像素限定层150的开口151中之前有机发光墨水160a(图11中)排入像素P11的像素限定层150的开口151中时，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上有机发光墨水160a(图11中)的干燥速率可以等于、大体等于或类似于排至像素P1020上的有机发光墨水160a(图11中)的干燥速率，并且因此有机发光层可以一致地形成在像素P11的第一电极140和像素P1020的第一电极140上。有机发光层可以设置在像素P11和像素P1020上的不同高度处。例如，在像素P1020上有机发光层可以设置在比像素P11上的位置更高的位置处。
除有机发光层之外，有机层160还可以包括空穴注入层和空穴传输层，空穴注入层和空穴传输层形成在第一电极140和有机发光层之间。可以使用喷墨或喷嘴印刷方法形成空穴注入层和空穴传输层，但是不限于此。此外，有机层160还可以包括电子注入层和电子传输层，电子注入层和电子传输层形成在有机发光层和第二电极170之间。可以使用沉积法形成电子注入层和电子传输层，但是不限于此。当然，在第一电极140是阴极电极且第二电极170是阳极电极的情况下，电子注入层和电子传输层可以插设在第一电极140和有机发光层之间，并且空穴注入层和空穴传输层可以插设在有机发光层和第二电极170之间。
第二电极170可以形成在有机层160上，并且可以是将电子提供给有机层160的阴极电极或者将空穴提供给有机层160的阳极电极。以与第一电极140相同或大体相同的方式，第二电极170可以用作透明电极或反射电极。可以通过沉积处理形成第二电极170，但是不限于此。
虽然没有示出，发光显示设备100还可以包括封装衬底，封装衬底设置在第二电极170的上部上。封装衬底可以由绝缘衬底制成。间隔件可以在像素限定层150上设置在第二电极170和封装衬底之间。在本发明的一些实施方式中，可以省略封装衬底。由绝缘材料制成的封装层可以覆盖整个结构，以保护该结构。
如上所述，根据本发明实施方式的发光显示设备100包括对于主像素块具有不同厚度的平面化图案130，因此对于各主像素块，像素限定层150的开口151可以具有不同深度。
因此，排入像素限定层150的开口151的墨水的表面面积对于各主像素块是彼此不同的，因此墨水的干燥速率对于各主像素块保持彼此相等、大体相等或相似，即使当对于各主像素块，墨水干燥时间因不同墨水排放时间而彼此不同时。
因此，对于各像素通过使墨水干燥形成的有机层160的厚度变得一致，因此发光特性也变得一致以改进发光显示设备的显示质量。
根据本发明实施方式，多个像素P划分成第一主像素块MBL1和第二主像素块MBL2可以归因于对于多个像素P将排入像素限定层150的开口151的墨水的干燥速度之间的差异简略地划分成二级，并且主像素块的数量可以根据墨水干燥速度之间的差异被划分成的级数而改变。
接着，将描述根据本发明实施方式的用于制造发光显示设备100的方法。
图7至图14是解释根据本发明实施方式的用于制造发光显示设备的方法的剖面图。在图7至图14中，示例性地示出了图1的像素P11和像素1020的一部分。
参照图7，制备了包括薄膜晶体管TFT和存储电容器Cst的衬底110。衬底110包括设置在第一方向X(例如参见图1)和第二方向Y(例如参见图1)的多个像素P(例如参见图1)。
多个像素P(例如参见图1)可以被分成在衬底110上设置在第二方向Y的多个像素排组PG(例如参见图1)。多个像素排组PG(例如参见图1)可以包括第一至第n像素排组PG1至PGn(例如参见图1)，并且可以被分成多个主像素块，例如第一主像素块MBL1(例如参见图1)和第二主像素块MBL2(例如参见图1)。
第一主像素块MBL1(例如参见图1)例如可以包括第一至第五像素排组PG1(P11至P1m)至PG5(P51至P5m)(例如参见图1)，并且第二主像素块MBL2(例如参见图1)例如可以包括第六至第十像素排组PG6(P61至P6m)(例如参见图1)至PG10(P101至P10m)(在图1中PGn)。
参照图8，平面化图案130形成在衬底110上。第一主像素块MBL1中所包括的像素P11的平面化图案130可以形成为具有第一厚度PW1，并且第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020的平面化图案130可以形成为具有不同于第一厚度PW1的第二厚度PW2。这里，第二厚度PW2可以大于第一厚度PW1。在像素P11的平面化图案130的一部分(与薄膜晶体管TFT的漏电极121重叠)中，开口可以形成为暴露漏电极121。此外，在像素P1020的平面化图案130的一部分(与薄膜晶体管TFT的漏电极121重叠)中，开口可以形成为暴露漏电极121。
可以通过使用半色调掩膜的光刻处理、或者在没有掩模的情况下通过使用便于调整曝光值的数字曝光单元的光刻处理来形成平面化图案130。平面化图案130可以形成为包括光敏材料，例如负型光敏材料。
然后，参照图9，对于每个像素P(例如参见图1)，第一电极140形成在平面化图案130上。可以通过在平面化图案130上沉积透明电极材料或反射材料并且将沉积的材料图案化，来形成第一电极140。对于每个像素P(例如参见图1)，第一电极140可以形成为连接到薄膜晶体管TFT的漏电极121。
然后，参照图10，形成像素限定层150，像素限定层150划分衬底110上的各像素P(例如参见图1)并且具有开口151，开口151用于暴露层间绝缘层119上的第一电极140。像素限定层150可以形成为使得在第一主像素块MBL1和第二主像素块MBL2中从衬底110的上表面至像素限定层150的上表面测量的高度PH对于每个像素P(例如参见图1)是彼此相等或大体相等的。当第一主像素块MBL1中所包括的像素P11的平面化图案130的第一厚度PW1不同于第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020的平面化图案130的第二厚度PW2时，像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1可以不同于像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2。例如，像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2可以小于像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1。
像素限定层150可以形成为通过使用沉积法在层间绝缘层119的整个表面上沉积绝缘材料且将沉积的绝缘材料图案化来覆盖第一电极140。
然后，参照图11和图12，对于每个像素P(例如参见图1)，有机层160形成在第一电极140上，第一电极140设置在像素限定层150的开口151的内部。这里，有机层160举例说明为有机发光层。
例如，如图11所示，使用具有多个喷嘴的排放头(未示出)将一定量的诸如有机发光墨水160a的有机材料墨水(例如预定量的有机材料墨水)排入像素限定层150的开口151中。这里，有机发光墨水160a在排入像素P1020的开口151之前先排入像素P11的开口151中。当像素P11的像素限定层150的开口151的第一深度D1不同于像素P1020的像素限定层150的开口151的第二深度D2时，排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的表面面积可以不同于排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的表面面积。例如，排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的表面面积可以变得大于排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的表面面积。排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的干燥速度可以高于排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的干燥速度。因此，即使当有机发光墨水160a在有机发光墨水160a排入像素P1020的像素限定层150的开口151之前排入像素P11的像素限定层150的开口151时，排入像素P11的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的干燥速率可以等于、大体等于或类似于排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a的干燥速率。
因此，如图12所示，在像素P1020的像素限定层150的开口151的内部形成的有机层160的厚度和在像素P11的像素限定层150的开口151的内部形成的有机层160的厚度可以变得一致。
图11示出排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a没有传到像素限定层150的上表面部分。但是，如图13所示，排入像素P1020的像素限定层150的开口151的有机发光墨水160a可以以一定宽度(例如预定宽度)传到像素限定层150的上表面部分。
此外，虽然没有示出，但是在使用具有多个喷嘴的排放头(未示出)将一定量有机材料墨水(例如预定量的有机材料墨水或有机发光墨水)排入每个像素P(例如参见图1)的像素限定层150的开口151中之后，可以在真空环境中在单独的干燥室中通过单独干燥处理以相同或大体相同时间来使有机材料墨水干燥。
然后，如图14所示，第二电极170形成在有机层160上。可以通过沉积法在有机层160上沉积透明电极材料或反射材料来形成第二电极170。
接着，将描述根据本发明的另一实施方式的发光显示设备200。
图15是示出根据本发明的另一实施方式的发光显示设备的像素的示意性平面图。
参照图15，根据本发明的另一实施方式的发光显示设备200包括多个像素P，该多个像素P在衬底110上设置成n×m(其中n和m是自然数)矩阵的形式，即在第一方向X和与第一方向X相交的第二方向Y中。
多个像素P可以被分成在衬底110上以第二方向Y设置的多个像素排组。多个像素排组可以包括第一至第n像素排组PRG1至PRGn，并且可以被分成多个主像素块，例如第一主像素块MBL1和第二主像素块MBL2。
第一主像素块MBL1例如可以包括第一至第五像素排组PRG1(P11至P1m)至PRG5(P51至P5m)，并且第二主像素块MBL2例如可以包括第六至第十像素排组PRG6(P61至P6m)至PRG10(P101至P10m)(在图15中PRGn)。
图15示出多个像素P被设置成10×20矩阵的形式并且包括10个像素排组，但是不限于此。此外，图15示出主像素块的数量是2，但是不限于此。
此外，多个主像素块还可以被分成多个子像素块。例如，第一主像素块MBL1可以包括第一子像素块SBL11和第二子像素块SBL12，第一子像素块SBL11包括在第一至第五像素排组PRG1(P11至P1m)至PRG5(P51至P5m)中的第一至第十像素列组PCG1(P11至P51)至PCG10(P110至P510)，第二子像素块SBL12包括在第一至第五像素排组PRG1(P11至P1m)至PRG5(P51至P5m)中的第十一至第二十像素列组PCG11(P111至P511)至PCG20(P120至P520)。此外，第二主像素块MBL2可以包括第三子像素块SBL21和第四子像素块SBL22，第三子像素块SBL21包括在第六至第十像素排组PRG6(P61至P6m)至PRG10(P101至P10m)中的第一至第十像素列组PCG1(P61至P101)至PCG10(P610至P1010)，第四子像素块SBL22包括在第六至第十像素排组PRG6(P61至P6m)至PRG10(P101至P10m)中的第十一至第二十像素列组PCG11(P611至P1011)至PCG20(P620至P1020)。
图15示出子像素块的数量为4，但是不限于此。此外，图15示出在第一主像素块MBL1中第一子像素块SBL11中所包括的连续像素列组的第三数量等于或大体等于在第一主像素块MBL1中第二子像素块SBL12中所包括的连续像素列组的第四数量，但是不限于此。例如，第三数量和第四数量可以彼此不同，并且第四数量可以小于第三数量。此外，图15示出在第二主像素块MBL2中第三子像素块SBL21中所包括的连续像素列组的第五数量等于或大体等于在第二主像素块MBL2中第四子像素块SBL22中所包括的连续像素列组的第六数量，但是不限于此。例如，第五数量和第六数量可以彼此不同，并且第六数量可以小于第五数量。
接着，将详细描述发光显示设备200的结构。在描述发光显示设备200的结构时，多个像素P中第一子像素块SBL11中所包括的像素P、第二子像素块SBL12中所包括的像素P、第三子像素块SBL21中所包括的像素P和第四子像素块SBL22中所包括的像素P将被举例说明。这里，第一子像素块SBL11中所包括的像素P被举例说明为像素P11，第二子像素块SBL12中所包括的像素P被举例说明为像素P120(图15中P1m)，第三子像素块SBL21中所包括的像素P被举例说明为像素P101(图15中Pn1)，并且第四子像素块SBL22中所包括的像素P被举例说明为像素P1020(图15中Pnm)。
图16是图15中第一子像素块SBL11所包括的像素中沿线III-III'得到的一部分和图15中第二子像素块SBL12所包括的像素中沿线IV-IV'得到的一部分的剖视图，并且图17是图15中第三子像素块SBL21中所包括的像素沿线V-V'得到的一部分和图15中第四子像素块SBL22所包括的像素中沿线VI-VI'得到的一部分的剖视图。图18至图20是示出根据像素列组数量的平面化图案高度级的示例性图。
参照图16和图17，发光显示设备200可以包括衬底110、有源层111、下电极115、栅绝缘层116、栅电极117、上电极118、层间绝缘层119、源电极120、漏电极121、平面化图案230、第一电极140、像素限定层250、有机层160和第二电极170。
因为衬底110、有源层111、下电极115、栅绝缘层116、栅电极117、上电极118、层间绝缘层119、源电极120、漏电极121、第一电极140、有机层160和第二电极170已经被详细描述，将省略它们的重复说明。
平面化图案230类似于图2和图3中所示的平面化图案130。然而，在第一主像素块MBL1中第一子像素块SBL11中所包括的像素P11的平面化图案230的第一厚度PW11可以不同于第二子像素块SBL12中所包括的像素P120的平面化图案230的第二厚度PW12。例如，像素P120的平面化图案230的第二厚度PW12可以大于像素P11的平面化图案230的第一厚度PW11。此外，在第二主像素块MBL2中，第三子像素块SBL21中所包括的像素P101的平面化图案230的第三厚度PW13可以不同于第四子像素块SBL22中所包括的像素P1020的平面化图案230的第四厚度PW14。例如，像素P1020的平面化图案230的第四厚度PW14可以大于像素P101的平面化图案230的第三厚度PW13。像素P101的平面化图案230的第三厚度PW13可以大于像素P120的平面化图案230的第二厚度PW12。
平面化图案230可以形成为使得：当像素限定层250形成为使得在像素P11、P120、P101和P1020中从衬底110的上表面到像素限定层250的上表面测量的高度PH变得彼此相等或大体相等时，像素P11的像素限定层250的开口251的第一深度D11、像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12、像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13和像素P1020的像素限定层250的开口251的第四深度D14彼此不同。例如，平面化图案230可以形成为使得：像素P1020的像素限定层250的开口251的第四深度D14变得小于像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13，像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13变得小于像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12，以及像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12变得小于像素P11的像素限定层250的开口251的第一深度D11。
像素P11、P120、P101和P1020中具有不同厚度的平面化图案230可以通过使用半色调掩膜的光刻处理来形成。在一些实施方式中，像素P11、P120、P101和P1020中具有不同厚度的平面化图案230可以在没有掩模的情况下通过使用便于调整曝光值的数字曝光单元的光刻处理来形成。平面化图案230可以形成为包括光敏材料，例如负型光敏材料。
如上所述，当像素P11的像素限定层250的开口251的第一深度D11、像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12、像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13和像素P1020的像素限定层250的开口251的第四深度D14彼此不同时，在通过将墨水排入像素限定层250的开口251中来形成薄膜的情况下，排入像素P11的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积、排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积、排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积和排入像素P1020的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积可以彼此不同。排入像素P11的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度、排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度、排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度、和排入像素P1020的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度可以彼此不同。例如，当像素P1020的像素限定层250的开口251的第四深度D14小于像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13、像素P101的像素限定层250的开口251的第三深度D13小于像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12、并且像素P120的像素限定层250的开口251的第二深度D12小于像素P11的像素限定层250的开口251的第一深度D11时，在通过将墨水排入像素限定层250的开口251中来形成薄膜的情况下，排入像素P1020的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积可以变得大于排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积，排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积可以变得大于排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积，并且排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积可以变得大于排入像素P11的像素限定层250的开口251的墨水的表面面积。排入像素P1020的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度可以高于排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度，排入像素P101的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度可以高于排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度，并且排入像素P120的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度可以高于排入像素P11的像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度。
因此，在墨水排至像素P11上的时间点、墨水排至像素P120上的时间点、墨水排至像素P101上的时间点以及墨水排至像素P1020上的时间点彼此不同的情况下，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率(实际上墨水中所包括的溶剂的干燥速率)、排至在像素P120上的墨水的干燥速率、排至在像素P101上的墨水的干燥速率以及排至像素P1020上的墨水的干燥速率可以通过差异地调节排至像素P11上的墨水的干燥速度、排至像素P120上的墨水的干燥速度、排至像素P101上的墨水的干燥速度和排至像素P1020上的墨水的干燥速度，而被调节为变得彼此相等、大体相等或类似。该时间(例如预定时间)可以是从使用喷墨或喷嘴印刷方法将墨水首次排入像素限定层250的开口251的时间点至刚好经过墨水最终排入时的时间点在真空环境执行单独干燥处理之前的时间点所测量的时间。例如，当墨水排至像素P11上的时间点早于墨水排至像素P120上的时间点、墨水排至像素P120上的时间点早于墨水排至像素P101上的时间点、并且墨水排至像素P101上的时间点早于墨水排至像素P1020上时的时间点时，通过调节排至像素P1020上的墨水的干燥速度为高于排至像素P101上的墨水的干燥速度、调节排至像素P101的墨水的干燥速度为高于排至像素P120上的墨水的干燥速度并且调节排至像素P120上的墨水的干燥速度为高于排至像素P11上的墨水的干燥速度，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率(实际上，墨水中所包括的溶剂的干燥速率)、排至像素P120上的墨水的干燥速率、排至像素P101上的墨水的干燥速率和排至像素P1020上的墨水的干燥速率可以调节变得彼此相等、大体相等或类似。这里，在单独干燥处理之前的墨水的干燥可以是自然干燥。
因此，因为对于像素P通过墨水干燥形成的薄膜(例如有机层160)的厚度变得一致，发光特性也变得一致，因此发光显示设备的显示质量被改进。
图15示出10个像素列组分别包括在第一子像素块SBL11和第三子像素块SBL21中，并且10个像素列组分别包括在第二子像素块SBL12和第四子像素块SBL22中，并且在图16和图17中描述了平面化图案230具有四个高度级。然而，通过不同地设置子像素块的数量或子像素块中所包括的像素列组的数量，平面化图案230可以具有不同数量的高度级。
例如，当在相同或大体相同的主像素块中子像素块的数量等于或大体等于像素列组的数量时，可以通过以下方式形成平面化图案：当像素列组数量增大时，平面化图案的高度级也增大，如图18所示。也就是说，平面化图案的高度级的数量可以等于或大体等于像素列组的数量。在使用喷墨或喷嘴印刷方法形成有机层时，根据有机发光墨水的排放时间点的干燥速度可以被精密地调整。这里，当像素列组数量变得更大时，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。
此外，当在相同或大体相同的主像素块中两个或更多个像素列组被包括在多个子像素块的每个中时，可以通过以下方式形成平面化图案：当像素列组数量增大时，在两个或更多个像素列组的单元中平面化图案的高度级也增大，如图19所示。这样，可以促进形成平面化图案的处理。这里，当像素列组数量变得更大时，对于相同或大体相同的主像素块中的像素，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。
此外，当不同数量的像素列组分别包括在相同或大体相同的主像素块的多个子像素块中时，平面化图案可以通过以下方式形成：当像素列组数量增大时，在不规则数量的像素列组的单元中平面化图案的高度级也增大，如图20所示。例如，当第一子像素块包括第一至第九像素列组、第二子像素块包括第十至第十六像素列组并且第三子像素块包括第十七至第二十像素列组时，平面化图案可以通过以下方式形成：在相同或大体相同的主像素块中九个像素列组、七个像素列组和四个像素列组的单元中平面化图案的高度级增大。这样，可以促进形成平面化图案的处理，并且可以相对于在相同或大体相同的主块中包括有机发光墨水的干燥速度彼此非常不同的像素列组的子像素块，精密地区分平面化图案的高度级。这里，当在相同或大体相同的主像素块中像素列组数量变得更大时，有机发光墨水的排放时间可以在时间上更迟。在相同或大体相同的主像素块中包括有机发光墨水的干燥速度彼此非常不同的像素列组的子像素块可以是包括少量像素列组的子像素组。
像素限定层250类似于图3的像素限定层150。但是，像素限定层250的开口251形成为在像素P11上具有第一深度D11、在像素P120上具有小于第一深度D11的第二深度D12、在像素101上具有小于第二深度D12的第三深度D13、以及在像素P1020上具有小于第三深度D13的第四深度D14。
如上所述，根据本发明的另一实施方式的发光显示设备200包括对于各子像素块具有不同厚度的平面化图案230，因此像素限定层250的开口251对于各子像素块可以具有不同深度。
因此，排入像素限定层250的开口251的墨水的表面面积对于各子像素块是彼此不同的，因此墨水的干燥速率对于各子像素块彼此保持相等、大体相等或相似，即使当对于各子像素块墨水干燥时间因不同墨水排放时间而彼此不同时。
因此，对于各像素通过墨水干燥形成的有机层160的厚度变得一致，因此发光特性也变得一致以改进发光显示设备的显示质量。
根据本发明的另一实施方式，多个像素P划分成第一子像素块SBL11、第二子像素块SBL12、第三子像素块SBL21和第四子像素块SBL22可以归因于对于多个像素P排入像素限定层250的开口251的墨水的干燥速度之间的差异简略地划分成四级，并且根据墨水干燥速度之间的差异被划分成的级数，子像素块的数量可以改变。
因为根据本发明的另一实施方式的发光显示设备200的制造方法类似于如上参考图7至图14描述的发光显示设备100的制造方法，因此将省略其重复的说明。
接着，将描述根据本发明的又一实施方式的发光显示设备300。
根据本发明的又一实施方式的发光显示设备300具有与发光显示设备100的结构相同或大体相同的结构，除了平面化图案330和像素限定层350。因此，根据本发明的又一实施方式的发光显示设备300将围绕平面化图案330和像素限定层350进行描述。
图21是根据本发明的又一实施方式的发光显示设备中与图2的一部分相对应的一部分的剖视图，并且图22是示出图21的第一电极和像素限定层之间的关系的剖视图。图23是根据本发明的又一实施方式的发光显示设备中与图3的一部分相对应的一部分的剖视图，并且图24是示出图23的第一电极和像素限定层之间的关系的剖视图。
参照图21至图24，根据本发明的又一实施方式的发光显示设备300可以包括衬底110、有源层111、下电极115、栅绝缘层116、栅电极117、上电极118、层间绝缘层119、源电极120、漏电极121、平面化图案330、第一电极140、像素限定层350、有机层160和第二电极170。
平面化图案330类似于图2和图3中所示的平面化图案130。然而，平面化图案330在第一主像素块MBL1中所包括的像素P11和第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020上具有相同或大体相同的厚度PW3。平面化图案330可以形成为包括有机材料、正型光敏材料或负型光敏材料。可以通过使用掩模的光刻处理或没有掩模的情况下使用数字曝光单元的光刻处理来形成平面化图案330。
像素限定层350类似于图2和图3的像素限定层150。但是，像素限定层350可以形成为使得：在第一主像素块MBL1中所包括的像素P11中在开口351的内壁和第一电极140之间形成的第一角度θ1不同于在第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020中开口351的内壁和第一电极140之间形成的第二角度θ2。例如，在像素P1020中在开口351的内壁和第一电极140之间形成的第二角度θ2可以大于在像素P11中在开口351的内壁和第一电极140之间形成的第一角度θ1。
像素限定层350可以形成为使得：当在像素P11和P1020中像素限定层350形成为使得从衬底110的上表面至像素限定层350的上表面测量的高度PH变得彼此相等或大体相等时，像素P11的像素限定层350的开口351的上部的面积变得不同于像素P1020的像素限定层350的开口351的上部的面积。例如，像素限定层350可以形成为使得：当像素限定层350形成为使得在像素P11和P1020中从衬底110的上表面至像素限定层350的上表面测量的高度变得彼此相等或大体相等时，像素P1020的像素限定层350的开口351的上部的面积变得大于像素11的像素限定层350的开口351的上部的面积。
在像素P11和P1020中具有开口351的上部的不同面积的像素限定层350可以通过使用掩模的光刻处理来形成。在一些实施方式中，在像素P11和P1020中具有开口351的上部的不同面积的像素限定层350可以在没有掩模的情况下通过使用便于调整曝光值的数字曝光单元的光刻处理来形成。像素限定层350可以形成为包括有机材料、正型光敏材料或负型光敏材料。
如上所述，当像素P11的像素限定层350的开口351的上部的面积不同于像素P1020的像素限定层350的开口351的上部分的面积时，在通过将墨水排入像素限定层350的开口351中来形成薄膜的情况下，排入像素P11的像素限定层350的开口351的墨水的表面面积可以不同于排入像素P1020的像素限定层350的开口351的墨水的表面面积。排入像素P11的像素限定层350的开口351的墨水的干燥速度可以不同于排入像素P1020的像素限定层350的开口351的墨水的干燥速度。例如，当第二主像素块MBL2中所包括的像素P1020的像素限定层350的开口351的上部的面积大于第一主像素块MBL1中所包括的像素P11的像素限定层350的开口351的上部的面积时，在通过将墨水排入像素限定层350的开口351中来形成薄膜的情况下，排入像素P1020的像素限定层350的开口351的墨水的表面面积可以变得大于排入像素P11的像素限定层350的开口351的墨水的表面面积。排入像素P1020的像素限定层350的开口351的墨水的干燥速度可以高于排入像素P11的像素限定层350的开口351的墨水的干燥速度。
因此，在墨水排至像素P11上的时间点不同于墨水排至像素P1020上的时间点的情况下，通过差异地调节排至像素P11上的墨水的干燥速度和排至像素P1020上的墨水的干燥速度，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率(实际上，墨水中所包括的溶剂的干燥速率)可以调节为变得等于、大体等于或类似于排至像素P1020上的墨水的干燥速率。该时间(例如预定时间)可以是从使用喷墨或喷嘴印刷方法将墨水首次排入像素限定层350的开口351的时间点至刚好经过墨水最终排入时的时间点在真空环境中执行单独干燥处理之前的时间点所测量的时间。例如，当墨水排至像素P11上时的时间点早于墨水排至像素P1020上的时间点时，通过调整排至像素P1020上的墨水的干燥速度为高于排至像素P11上的墨水的干燥速度，对于一段时间(例如预定时间)排至像素P11上的墨水的干燥速率可以调节为变得等于、大体等于或类似于排至像素P1020上的墨水的干燥速率。这里，在单独干燥处理之前的墨水的干燥可以是自然干燥。
因此，因为对于像素P通过墨水干燥形成的薄膜(例如有机层160)的厚度变得一致，发光特性也变得一致，因此发光显示设备的显示质量被改进。
虽然没有示出，像素限定层350可以形成为使得：，在第一电极140和像素限定层350的开口351的内壁之间形成的角度以与图4至图6所示的方式相同的方式随着像素排组数量增大而增大。
如上所述，根据本发明的又一实施方式的发光显示设备300包括对于主像素块具有在第一电极140和开口351的内壁之间形成不同角度的像素限定层350，因此对于主像素块，像素限定层350的开口351的上部可以具有不同面积。
因此，排入像素限定层350的开口351的墨水的表面面积对于主像素块是彼此不同的，因此墨水的干燥速率对于主像素块保持彼此相等、大体相等或相似，即使当对于主像素块墨水干燥时间因不同墨水排放时间而彼此不同时。
因此，对于各像素通过墨水干燥形成的有机层160的厚度变得一致，因此发光特性也变得一致以改进发光显示设备的显示质量。
根据本发明的另一实施方式的发光显示设备300的制造方法类似于如上参考图7至图14描述的发光显示设备100的制造方法，除了平面化图案330在所有像素中具有相同或大体相同的厚度并且在像素限定层350的开口351的内壁和第一电极140之间形成的角度对于主像素块是彼此不同的。
本领域的技术人员将理解在本质上不脱离本发明的原则的情况下，可以对优选实施方式进行许多变化和修改。因此，所公开的本发明的实施方式仅用于一般性和描述性的含义，而非用于限制的目的。
此外，对于本领域的技术人员，本文中发明本身将教导其他任务的解决方案并且教导用于其他应用的改进。申请人意图是：在不背离本发明的精神和范围的情况下，由权利要求覆盖本发明的所有这些使用以及能够对本文中出于公开的目的而选择的本发明实施方式所进行的改变和修改。因此，本发明的这些实施方式在所有方面都应认为是说明性的，而非限制性的，本发明的范围将由所附权利要求书及其等同技术方案来指示。

Claims (18)

1.一种发光显示设备，包括：
衬底，包括设置在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向的多个像素，所述多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；
平面化图案，设置在所述衬底上；
第一电极，对于所述多个像素中的每个像素，所述第一电极位于所述平面化图案上；
像素限定层，在所述衬底上划分各所述像素并且具有用于暴露所述第一电极的开口；
有机层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述有机层上，
其中，所述多个像素包括设置在所述第二方向的多个像素排组，所述第一主像素块包括第一数量的连续像素排组，并且所述第二主像素块包括第二数量的连续像素排组，以及
其中，所述第二主像素块中的所述像素的所述平面化图案的厚度大于所述第一主像素块中的所述像素的所述平面化图案的厚度。
2.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，在所述第一主像素块的所述像素中和在所述第二主像素块的所述像素中，从所述衬底的上表面至所述像素限定层的上表面测量的高度彼此相等。
3.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，在所述第二主像素块的所述像素中所述像素限定层的所述开口的深度小于在所述第一主像素块的所述像素中所述像素限定层的所述开口的深度。
4.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，所述第二主像素块的所述像素中所述有机层的位置高于所述第一主像素块的所述像素中所述有机层的位置。
5.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，所述平面化图案包括光敏材料。
6.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，所述第一数量等于所述第二数量。
7.如权利要求1所述的发光显示设备，
其中，所述第二数量小于所述第一数量。
8.如权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第一主像素块包括：
第一子像素块，包括所述第一数量的连续像素排组中第三数量的连续像素列组；以及
第二子像素块，包括所述第一数量的连续像素排组中第四数量的连续像素列组。
9.如权利要求8所述的发光显示设备，
其中，所述第三数量等于所述第四数量。
10.如权利要求8所述的发光显示设备，
其中，所述第四数量小于所述第三数量。
11.如权利要求1所述的发光显示设备，其中，所述第二主像素块包括：
第三子像素块，包括所述第二数量的连续像素排组中第五数量的连续像素列组；以及
第四子像素块，包括所述第二数量的连续像素排组中第六数量的连续像素列组。
12.如权利要求11所述的发光显示设备，
其中，所述第五数量等于所述第六数量。
13.如权利要求11所述的发光显示设备，其中，所述第六数量小于所述第五数量。
14.一种发光显示设备，包括：
衬底，包括设置在第一方向和与所述第一方向相交的第二方向的多个像素，所述多个像素包括第一主像素块和第二主像素块；
平面化图案，设置在所述衬底上；
第一电极，对于所述多个像素的每个像素，所述第一电极位于所述平面化图案上；
像素限定层，在所述衬底上划分各所述像素并且具有用于暴露所述第一电极的开口；
有机层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述有机层上，
其中，所述多个像素包括设置在所述第二方向的多个像素排组，所述第一主像素块包括第一数量的连续像素排组，并且所述第二主像素块包括第二数量的连续像素排组，以及
其中，所述第二主像素块中的所述像素的所述像素限定层的所述开口的内壁和所述第一电极之间角度大于所述第一主像素块中的所述像素的所述像素限定层的所述开口的内壁和所述第一电极之间的角度。
15.如权利要求14所述的发光显示设备，
其中，在所述第一主像素块的所述像素中和在所述第二主像素块的所述像素中，从所述衬底的上表面至所述像素限定层的上表面测量的高度彼此相等。
16.如权利要求14所述的发光显示设备，
其中，在所述第一主像素块的所述像素中和在所述第二主像素块的所述像素中，所述平面化图案的厚度彼此相等。
17.如权利要求14所述的发光显示设备，
其中，在所述第二主像素块的所述像素中所述像素限定层的所述开口的上部的面积大于在所述第一主像素块的所述像素中所述像素限定层的所述开口的上部的面积。
18.如权利要求14所述的发光显示设备，其中，所述像素限定层包括光敏材料。
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