CN102195000A - 有机发光显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示设备，该有机发光显示设备包括：基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；钝化层，覆盖光转换层；第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；第二电极，在中间层上。

Description

有机发光显示设备
技术领域
实施例涉及一种有机发光显示设备。
背景技术
近来，显示设备已形成为薄的便携式的平板显示设备。作为这样的平板显示设备中的自发射显示装置，有机电致发光显示装置因诸如视角宽、对比度优异和响应速度快的优点已引起注意来作为下一代显示装置。与使用用于发射层的无机化合物的无机发光设备相比，使用用于发射层的有机化合物的有机发光显示设备的亮度、驱动电压和响应时间特性优异，并且能够实现多色彩显示器。
在有机发光显示设备中，有机发射层设置在阴极和阳极之间，在将电压施加到阴极和阳极时，连接到阴极和阳极的有机发射层发射可见光。
从有机发射层发射的可见光在顺序地透过阴极或阳极以及诸如平坦化层的其他构件时熄灭(extinguish)。因此，从用户的角度来讲，有机发光显示设备的发光效率受到限制。
发明内容
实施例的特征在于提供一种具有改善的发光效率的有机发光显示设备。
上面和其它特征及优点的至少一种可以通过提供一种有机发光显示设备而实现，该有机发光显示设备包括：基底；光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；钝化层，覆盖光转换层；第一电极，在钝化层上；中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；第二电极，在中间层上。
光转换层可以设置在由中间层产生的光的传播通路上。
光转换层的折射率可以比钝化层的折射率高。
钝化层可以包含氧化硅。
有机发光显示设备还可以包括设置在基底和光转换层之间的缓冲层。
缓冲层可以包含氮化硅。
光转换层可以以预定的图案形成以包括多个通孔。
有机发光显示设备还可以包括设置在钝化层和基底之间的薄膜晶体管，薄膜晶体管电连接到第一电极，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。
有源层可以由用于形成光转换层的材料形成。
有源层可以形成在上面形成有光转换层的层上。
栅绝缘膜可以使栅电极与有源层绝缘，栅绝缘膜可以在基底和光转换层之间。
栅绝缘膜可以包含氧化硅。
有机发光显示设备还可以包括在有源层与源电极和漏电极之间的蚀刻阻止件。
蚀刻阻止件可以在光转换层和钝化层之间。
蚀刻阻止件可以包括多个通孔，通孔暴露光转换层的部分。
蚀刻阻止件可以包含氧化硅。
源电极或漏电极可以延伸达到光转换层的边缘，以阻挡光进入光转换层周围的区域，延伸达到光转换层边缘的源电极或漏电极可以包括面向光转换层的通孔。
延伸达到光转换层的边缘的源电极或漏电极可以围绕光转换层的边缘。
有机发光显示设备还可以包括设置在基底和光转换层之间的光阻挡层，光阻挡层阻挡光进入光转换层周围的区域。
光阻挡层可以包括面向光转换层的通孔。
光阻挡层可以由用于形成栅电极的材料形成。
由中间层产生的光可以射向基底。
一种有机发光显示设备包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素。第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个可以包括在基底上的钝化层、在钝化层上的第一电极、在第一电极上并包括有机发射层的中间层以及在中间层上的第二电极。第二子像素还可以包括第二子像素光转换层和第二子像素钝化层，第二子像素光转换层包含氧化物半导体，第二子像素光转换层在基底上，第二子像素钝化层在第二子像素光转换层上。第三子像素还可以包括在基底上的第三子像素光转换层并且还可以包括在第三子像素光转换层上的蚀刻阻止件，第三子像素光转换层包含氧化物半导体，第三子像素钝化层在蚀刻阻止件上。
附图说明
通过参照附图详细地描述示例实施例，对本领域的技术人员来讲，上述和其他特征及优点将变得更明显，其中：
图1示出根据实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图2示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图3示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图4示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图5示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图6示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图7示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
图8示出根据另一实施例的有机发光显示设备的示意性剖视图；
具体实施方式
这里参照于2010年3月2日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0018567号的名称为“Organic Light Emitting Display Apparatus”(有机发光显示设备)的韩国专利申请，并将其全部内容包含于此。
现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式来实施，且不应该解释为局限于在这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为了示出的清晰，会夸大层和区域的尺寸。还应该理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在另一层或基底上，或也可以存在中间层。另外，应该理解的是，当层被称作“在”另一层“下”时，它可以直接在另一层下，或也可以存在一个或多个中间层。另外，还应该理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，它可以是该两个层之间的唯一层，或也可以存在一个或多个中间层。相同的标号始终代表相同的元件。
图1示出根据实施例的有机发光显示设备100的示意性剖视图。
在图1中示出的示例实施例中，有机发光显示设备100包括基底101、薄膜晶体管TFT、光转换层107、钝化层111、第一电极112、中间层114和第二电极115。薄膜晶体管TFT包括栅电极103、有源层106、源电极109和漏电极110。虽然未在图1中示出，但实施例可以应用到不包括薄膜晶体管的无源矩阵(PM)型有机发光显示设备。
更具体地讲，在图1中示出的实施例中，例如，基底101可以由包含氧化硅(SiO2)作为主要成分的透明玻璃形成。基底101不限于此，基底101可以由透明塑料形成。用于形成基底101的透明塑料可以为例如诸如聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯(polyallylate)、聚酰亚胺、聚碳酸酯(PC)、三醋酸纤维素(TAC)或醋酸丙酸纤维素(CAP)的绝缘有机材料的有机材料。
在图1中示出的示例实施例中，缓冲层102形成在基底101上。缓冲层102在基底101顶部上提供了的平坦的表面，并防止了湿气和杂质穿透基底101。缓冲层102可以包括折射率相对高的氮化硅(SiNX)。
在图1中示出的示例实施例中，栅电极103形成在缓冲层102上。栅电极103可以由诸如Au、Ag、Cu、Ni、Pt、Pd、Al、Mo、Al:Nd合金、Mo:W合金等的金属或合金形成。然而，本发明不限于此，栅电极103可以由任何不同导电材料形成。
在图1中示出的示例实施例中，栅绝缘膜105形成在栅电极103上。栅电极103和有源层106通过栅绝缘膜105彼此绝缘。栅绝缘膜105包括折射率比缓冲层102的折射率低的材料，缓冲层102接触栅绝缘膜105。例如，栅绝缘膜105可以包括氧化硅(SiOX)。
在图1中示出的示例实施例中，有源层106形成在栅绝缘膜105上。有源层106可以包括任何不同材料。有源层106可以包括氧化物半导体。
在图1中示出的示例实施例中，光转换层107形成在栅绝缘膜105上，并包括与用于形成有源层106的材料相同的材料。换句话说，光转换层107包括用于形成有源层106的氧化物半导体。包括氧化物半导体的光转换层107可以吸收特定波长段的光。由于氧化物半导体的折射率比氧化硅的折射率高，所以包括氧化物半导体的光转换层107反射一部分从中间层114发射的可见光，从而获得光可以谐振的微腔效应。
在图1中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件108形成在有源层106上。源电极109和漏电极110形成在蚀刻阻止件108上。源电极109和漏电极110与有源层106的未被蚀刻阻止件108覆盖并被暴露的部分接触。因此，用作沟道的有源层106的上表面的一部分被蚀刻阻止件108保护。当源电极109和漏电极110通过蚀刻进行图案化时，有源层106的上表面可能被损坏。通过蚀刻阻止件108可以防止这样的损坏。
在图1中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件108包括折射率比光转换层107的折射率低的材料。具体地讲，蚀刻阻止件108可以包括氧化硅(SiO2)。
源电极109和漏电极110可以由诸如Au、Pd、Pt、Ni、Rh、Ru、Ir或Os的金属形成，或可以由诸如Al:Mo、Al:Nd合金或Mo:W合金等的各种材料的合金形成，但本实施例不限于此。
在图1中示出的示例实施例中，钝化层111形成在光转换层107、源电极109和漏电极110上。钝化层111可以由任何不同的绝缘材料形成。钝化层111可以由折射率比用于形成光转换层107的折射率低的绝缘材料形成。具体地讲，钝化层111可以包括氧化硅。
在图1中示出的示例实施例中，第一电极112形成在钝化层111上。第一电极112电连接到漏电极110。第一电极112可以包括逸出功相对高的ITO、IZO、ZnO、AZO(铝掺杂的氧化锌)或In2O3。第一电极112可以具有包括Ag的多层薄膜结构。
在图1中示出的示例实施例中，像素限定膜113形成在第一电极112上。像素限定膜113包括任何不同绝缘材料，形成为暴露第一电极112的预定部分，并在第一电极112的暴露部分上形成中间层114。第二电极115形成在中间层114上。
在图1中示出的示例实施例中，中间层114包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极112和第二电极115时，从有机发射层发射出可见光。有机发射层可以为有机发光二极管(OLED)的发光层。
当中间层114的有机发射层由低分子量有机材料形成时，空穴传输层(HTL)和空穴注入层(HIL)可以堆叠在有机发射层和第一电极112之间，电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)堆叠在有机发射层和第二电极115之间。如果需要，则可以堆叠各种其他层。中间层114可以包括诸如铜酞菁(CuPc)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)的任何不同材料。当中间层114的有机发射层由聚合物有机材料形成时，可以只将空穴传输层(HTL)设置在有机发射层和第一电极112之间。空穴传输层(HTL)可以在第一电极112上通过例如喷墨印刷或旋涂由聚-(2，4)-乙烯二羟基噻吩(PEDOT)、聚苯胺(PANI)等形成。
中间层114的有机发射层可以由聚对苯乙烯撑(PPV)、可溶PPV、腈基PPV、聚芴形成。中间层114的有机发射层可以通过使用诸如喷墨印刷、旋涂或热转移(thermal transferring)的典型的图案化方法形成为图案。
在图1中示出的示例实施例中，第二电极115形成为覆盖全部的像素。在实施方案中，显示设备可以为底发射的，第二电极115可以为反射的。然而，实施例不限于此。第二电极115可以由任何不同导电材料形成。第二电极115可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等形成。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极115上。密封构件形成为保护中间层114和其他层免受湿气、氧等的影响，并可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有通过玻璃、塑料得到的多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
在根据本实施例的有机发光显示设备100中，光转换层107形成在由中间层114产生的光传播的通路上。例如，光转换层107设置在第一电极112之下。光转换层107包括折射率比包括在钝化层111中的氧化硅的折射率高的氧化物半导体。因此，来自由中间层114产生的光中的射向基底101的光被钝化层111和光转换层107之间的界面部分地反射。被钝化层111和光转换层107之间的界面反射的光射回中间层114，而又被第一电极112或中间层114反射。因此，由中间层114产生的光可以在中间层114和光转换层107之间的空间中谐振。由此可以产生微腔效应。因谐振得到的增强的光向基底提取出，使得如从使用者的角度所看到的，发光效率提高。
光转换层107可以吸收特定频率的光。换句话说，包括氧化物半导体的光转换层107吸收在由中间层114产生的光中的特定频率的光。例如，光转换层107吸收与除了可见光的主波长段之外的波长段对应的光。因此，可以获得光谱(optical spectrum)得到改善的有机发光显示设备100。
在根据本实施例的有机发光显示设备100中，栅绝缘膜105和缓冲层102设置在光转换层107与基底101之间。由中间层114发射的光中的射向基底101的光被光转换层107部分地反射，且部分透射过光转换层107。透射过光转换层107的光被栅绝缘膜105和缓冲层102之间的界面部分地反射，例如，在该处包括氮化硅的缓冲层102的折射率比包括氧化硅的栅绝缘膜105的折射率高。因此，可以通过改变层之间的空间和/或改变折射率的差异来改变光传播的有效通路的长度。
被缓冲层102和光转换层107之间的界面反射的光射回中间层114，并被第一电极112或中间层114再次反射。因此，由中间层114发射的光在中间层114和缓冲层102之间的空间中谐振。因谐振得到的增强的光被提取且向基底101输出，从而如从用户的角度所看到的，发光效率得到改善。
如上所述，在根据本实施例的有机发光显示设备100中，光谐振发生在中间层114和光转换层107之间的空间中以及中间层114和缓冲层102之间的空间中。由于发生光谐振的两个空间的有效长度不同，所以各种波长范围的发光效率可以得到提高。
另外，当形成光转换层107以获得光谐振，光转换层107形成在与上面形成有有源层106的层相同的层上且由与有源层106的材料相同的材料形成时，工艺便利性提高且有机发光显示设备100的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备100变薄。
图2示出了根据另一实施例的有机发光显示设备200的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例和前面图1的实施例之间的差异描述图2的本实施例。
在图2中示出的示例实施例中，有机发光显示设备200包括基底201、薄膜晶体管TFT、光转换层207、钝化层211、第一电极212、中间层214和第二电极215。薄膜晶体管TFT包括栅电极203、有源层206、源电极209和漏电极210。
在图2中示出的示例实施例中，缓冲层202形成在基底201上。栅电极203形成在缓冲层202上。栅绝缘膜205形成在栅电极203上。有源层206形成在栅绝缘膜205上。
在图2中示出的示例实施例中，光转换层207形成在栅绝缘膜205上并包括与用于形成有源层206的材料相同的材料。
在图2中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件208形成在有源层206上。此时，蚀刻阻止件208形成为覆盖光转换层207。因此，蚀刻阻止件208也设置在光转换层207和钝化层211之间。
在图2中示出的示例实施例中，源电极209和漏电极210形成在蚀刻阻止件208上。源电极209和漏电极210与有源层206未被蚀刻阻止件208覆盖且被暴露的部分接触。
在图2中示出的示例实施例中，钝化层211形成在源电极209、漏电极210及蚀刻阻止件208的覆盖光转换层207的部分上。
在图2中示出的示例实施例中，第一电极212形成在钝化层211上。第一电极212电连接到漏电极210。像素限定膜213形成在第一电极212上。像素限定膜213形成为暴露第一电极212的预定部分，并在第一电极212的暴露部分上形成中间层214。第二电极215形成在中间层214上。
在图2中示出的示例实施例中，中间层214包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极212和第二电极215时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极215上。密封构件可以形成为保护中间层214和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备200的组件的材料与用于前面的实施例的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备200中，由中间层214产生的光在中间层214和光转换层207之间的空间中谐振，因此，光效率得以改善。
光转换层207可以吸收具有特定频率的光，因此可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备200。
在根据本实施例的有机发光显示设备200中，由中间层214发射的光还在中间层214和缓冲层202之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
另外，光转换层207形成在与上面形成有有源层206的层相同的层上，并由与有源层206的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，且有机发光显示设备200的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备200变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备200中，由于蚀刻阻止件208设置在光转换层207上，所以光谐振的空间加长。与图1相比，在中间层214和光转换层207之间的发生光谐振的空间的长度增加了与蚀刻阻止件208的厚度对应的量。同样，与图1相比，在中间层214和缓冲层202之间的发生光谐振的空间的长度增加了蚀刻阻止件208的厚度。
被提取的光的特性根据发生光谐振的空间的长度而变化。在本实施例中，通过调整蚀刻阻止件208的厚度来控制发生光谐振的空间的长度，从而可以通过光在长度被控制的空间中发生谐振容易地得到最佳光效率。
图3示出了根据另一实施例的有机发光显示设备300的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面的图1和图2的实施例之间的差异来描述图3的本实施例。
在图3中示出的示例实施例中，有机发光显示设备300包括基底301、薄膜晶体管TFT、光转换层307、钝化层311、第一电极312、中间层314和第二电极315。薄膜晶体管TFT包括栅电极303、有源层306、源电极309和漏电极310。
在图3中示出的示例实施例中，缓冲层302形成在基底301上。栅电极303形成在缓冲层302上。栅绝缘膜305形成在栅电极303上。有源层306形成在栅绝缘膜305上。
在图3中示出的示例实施例中，光转换层307形成在栅绝缘膜305上并包括与用于形成有源层306的材料相同的材料。
在图3中示出的示例实施例中，光转换层307具有预定的图案，例如，形成为具有多个通孔307a。因光转换层307的图案，入射在光转换层307上的光被散射。
在图3中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件308形成在有源层306上。源电极309和漏电极310形成在蚀刻阻止件308上。源电极309和漏电极310与有源层306未被蚀刻阻止件308覆盖并被暴露的部分接触。
在图3中示出的示例实施例中，钝化层311形成在光转换层307、源电极309和漏电极310上。
在图3中示出的示例实施例中，第一电极312形成在钝化层311上。第一电极312电连接到漏电极310。像素限定膜313形成在第一电极312上。像素限定膜313形成为暴露第一电极312的预定区域，并在第一电极312的暴露部分上形成中间层314。第二电极315形成在中间层314上。
在图3中示出的示例实施例中，中间层314包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极312和第二电极315时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极315上。密封构件可形成为保护中间层314和其它层免受湿气、氧等的影响，且密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到的多层结构或无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备300的组件的材料与用于前面的实施例的材料相同，因此，将不再重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备300中，由中间层314产生的光在中间层314和光转换层307之间的空间中谐振，因此光效率得到改善。
光转换层307可以吸收特定频率的光，因此，可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备300。
在根据本实施例的有机发光显示设备300中，由中间层314发射的光还在中间层314和缓冲层302之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
另外，光转换层307形成在与上面形成有有源层306的层相同的层上，并由与有源层306的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，并且有机发光显示设备300的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备300变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备300中，光转换层307包括以预定图案形成的多个通孔307a。因光转换层307的图案，由中间层314产生并射向光转换层307的一部分光在光转换层307的通孔307a的角和内表面上被散射。因此，从用户的角度所看到的是，大量的光被提取，因此，光效率得到改善。
图4示出了根据另一实施例的有机发光显示设备400的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面图1、图2和图3的实施例之间的差异描述图4的本实施例。
在图4中示出的示例实施例中，有机发光显示设备400包括基底401、薄膜晶体管TFT、光转换层407、钝化层411、第一电极412、中间层414和第二电极415。薄膜晶体管TFT包括栅电极403、有源层406、源电极409和漏电极410。
在图4中示出的示例实施例中，缓冲层402形成在基底401上。栅电极403形成在缓冲层402上。栅绝缘膜405形成在栅电极403上。有源层406形成在栅绝缘膜405上。
在图4中示出的示例实施例中，光转换层407形成在栅绝缘膜405上并包括与用于形成有源层406的材料相同的材料。
在图4中示出的示例实施例中，光转换层407具有预定的图案，例如，被形成为具有多个通孔407a。因光转换层407的图案，向光转换层407入射的光被散射。
在图4中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件408形成在有源层406上。此时，蚀刻阻止件408形成为覆盖光转换层407。因此，蚀刻阻止件408也设置在光转换层407和钝化层411之间。源电极409和漏电极410与有源层406未被蚀刻阻止件408覆盖且被暴露的部分接触。
在图4中示出的示例实施例中，钝化层411形成在源电极409、漏电极410及蚀刻阻止件408的覆盖光转换层407的部分上。
在图4中示出的示例实施例中，第一电极412形成在钝化层411上。第一电极412电连接到漏电极410。像素限定膜413形成在第一电极412上。像素限定膜413形成为暴露第一电极412的预定部分，且在第一电极412的暴露部分上形成中间层414。第二电极415形成在中间层414上。
在图4中示出的示例实施例中，中间层414包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极412和第二电极415时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极415上。密封构件可以形成为保护中间层414和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备400的组件的材料与用于前面的实施例的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备400中，由中间层414产生的光在中间层414和光转换层407之间的空间中谐振，因此，光效率得以改善。
光转换层407可以吸收具有特定频率的光，因此可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备400。
在根据本实施例的有机发光显示设备400中，由中间层414发射的光还在中间层414和缓冲层402之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
另外，光转换层407形成在与上面形成有有源层406的层相同的层上，并由与有源层406的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，且有机发光显示设备400的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备400变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备400中，光转换层407包括以预定图案形成的多个通孔407a。因光转换层407的图案，由中间层414产生并射向光转换层407的光的一部分在光转换层407的通孔407a的角和内表面上被散射。因此，从用户的角度所看到的是，大量的光被提取，因此，光效率得到改善。
在根据本实施例的有机发光显示设备400中，由于蚀刻阻止件408设置在光转换层407上，所以光谐振的空间长。与图1相比，发生光谐振的空间的长度增加了与蚀刻阻止件408的厚度对应的量。发生光谐振的空间的长度通过调整蚀刻阻止件408的厚度来控制，从而通过光在长度被控制的空间中发生谐振容易地得到最佳光效率。
图5示出了根据另一实施例的有机发光显示设备500的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面图1至图4的实施例之间的差异描述图5的本实施例。
在图5中示出的示例实施例中，有机发光显示设备500包括基底501、薄膜晶体管TFT、光转换层507、钝化层511、第一电极512、中间层514和第二电极515。薄膜晶体管TFT包括栅电极503、有源层506、源电极509和漏电极510。
在图5中示出的示例实施例中，缓冲层502形成在基底501上。栅电极503形成在缓冲层502上。栅绝缘膜505形成在栅电极503上。有源层506形成在栅绝缘膜505上。
在图5中示出的示例实施例中，光转换层507形成在栅绝缘膜505上并包括与用于形成有源层506的材料相同的材料。
在图5中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件508形成在有源层506上。此时，蚀刻阻止件508形成为覆盖光转换层507。蚀刻阻止件508具有预定的图案，被形成为具有多个通孔508a以暴露光转换层507的预定部分。全部通孔508a面向光转换层507。因蚀刻阻止件508的图案，入射在光转换层507上的光被散射。
在图5中示出的示例实施例中，源电极509和漏电极510与有源层506的未被蚀刻阻止件508覆盖且被暴露的部分接触。
在图5中示出的示例实施例中，钝化层511形成在源电极509、漏电极510及蚀刻阻止件508的覆盖光转换层507的部分上。
在图5中示出的示例实施例中，第一电极512形成在钝化层511上。第一电极512电连接到漏电极510。像素限定膜513形成在第一电极512上。像素限定膜513形成为暴露第一电极512的预定部分，且在第一电极512的暴露部分上形成中间层514。第二电极515形成在中间层514上。
在图5中示出的示例实施例中，中间层514包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极512和第二电极515时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极515上。密封构件可以形成为保护中间层514和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备500的组件的材料与用于前面的实施例的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备500中，由中间层514产生的光在中间层514和光转换层507之间的空间中谐振，因此，光效率得以改善。
光转换层507可以吸收具有特定频率的光，因此可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备500。
在根据本实施例的有机发光显示设备500中，由中间层514发射的光还在中间层514和缓冲层502之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
另外，光转换层507形成在与上面形成有有源层506的层相同的层上，并由与有源层506的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，且有机发光显示设备500的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备500变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备500中，蚀刻阻止件508包括以预定图案形成的多个通孔508a。因蚀刻阻止件508的图案，由中间层514产生并射向光转换层507的光的一部分在蚀刻阻止件508的通孔508a的角和内表面上被散射。因此，从用户的角度所看到的是，大量的光被提取，因此，光效率得到改善。
另外，通过调整蚀刻阻止件508的厚度来控制发生光谐振的空间的长度，从而可以通过光在长度被控制的空间中发生谐振容易地得到最佳光效率。
图6示出了根据另一实施例的有机发光显示设备600的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面图1至图5的实施例之间的差异描述图6的本实施例。
在图6中示出的示例实施例中，有机发光显示设备600包括基底601、薄膜晶体管TFT、光转换层607、钝化层611、第一电极612、中间层614和第二电极615。薄膜晶体管TFT包括栅电极603、有源层606、源电极609和漏电极610。
在图6中示出的示例实施例中，缓冲层602形成在基底601上。栅电极603形成在缓冲层602上。栅绝缘膜605形成在栅电极603上。有源层606形成在栅绝缘膜605上。
在图6中示出的示例实施例中，光转换层607形成在栅绝缘膜605上并包括与用于形成有源层606的材料相同的材料。
在图6中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件608形成在有源层606上。此时，蚀刻阻止件608形成为覆盖光转换层607。
在图6中示出的示例实施例中，源电极609和漏电极610形成在蚀刻阻止件608上。源电极609和漏电极610与有源层606的未被蚀刻阻止件608覆盖且被暴露的部分接触。
源电极609或漏电极610可以延伸达到光转换层607的边缘。在本实施例中，漏电极610延伸达到光转换层607的边缘，即，漏电极610在接近光转换层607的边缘的上方延伸。
在图6中示出的示例实施例中，漏电极610包括形成为面向光转换层607的通孔610a。因此，从中间层614发射的光不透过光转换层607周围的区域，但透过通孔610a从而向光转换层607传播。
在图6中示出的示例实施例中，钝化层611形成在源电极609、漏电极610及蚀刻阻止件608的覆盖光转换层607的部分上。
在图6中示出的示例实施例中，第一电极612形成在钝化层611上。第一电极612电连接到漏电极610。像素限定膜613形成在第一电极612上。像素限定膜613形成为暴露第一电极612的预定部分，且在第一电极612的暴露部分上形成中间层614。第二电极615形成在中间层614上。
在图6中示出的示例实施例中，中间层614包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极612和第二电极615时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极615上。密封构件可以形成为保护中间层614和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备600的组件的材料与用于前面的实施例的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备600中，由中间层614产生的光在中间层614和光转换层607之间的空间中谐振，因此，光效率得以改善。由中间层614发射的光还在中间层614和缓冲层602之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
光转换层607可以吸收具有特定频率的光，因此可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备600。
另外，光转换层607形成在与上面形成有有源层606的层相同的层上，并由与有源层606的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，且有机发光显示设备600的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备600变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备600中，蚀刻阻止件608设置在光转换层607上，并可以通过调节蚀刻阻止件608的厚度来控制发生光谐振的空间的长度，从而可以通过光在长度被控制的空间中发生谐振容易地得到最佳光效率。
另外，漏电极610在光转换层607的边缘的上方延伸。因此，防止了由中间层614产生的光透过光转换层607周围的区域，因此，更高百分比的光透过了光转换层607，从而提高了光效率。因此，显示对比度提高。
虽然未示出，但本实施例的结构可以应用到在光转换层607上未安装蚀刻阻止件608的结构、光转换层607被图案化的结构以及其他各种结构。
图7示出了根据另一实施例的有机发光显示设备700的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面图1至图6的各实施例之间的差异描述图7的本实施例。
在图7中示出的示例实施例中，有机发光显示设备700包括基底701、光阻挡层704、薄膜晶体管TFT、光转换层707、钝化层711、第一电极712、中间层714和第二电极715。薄膜晶体管TFT包括栅电极703、有源层706、源电极709和漏电极710。
在图7中示出的示例实施例中，缓冲层702形成在基底701上。栅电极703形成在缓冲层702上。光阻挡层704也形成在缓冲层702上并与栅电极703分开。光阻挡层704由与用于形成栅电极703的材料相同的材料形成。光阻挡层704包括通孔704a，用于阻挡入射在光转换层707周围区域上的光的，其详细描述将在下面进行。
在图7中的示例实施例中，栅绝缘膜705形成在栅电极703和光阻挡层704上。有源层706形成在栅绝缘膜705上。
在图7中示出的示例实施例中，光转换层707形成在栅绝缘膜705上并包括与用于形成有源层706的材料相同的材料。光转换层707形成为面向光阻挡层704的通孔704a。因此，由中间层714发射的光中的未透过光转换层707周围区域但向光转换层707传播的光通过通孔704a被提取。
在图7中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件708形成在有源层706上。此时，蚀刻阻止件708形成为覆盖光转换层707。
在图7中示出的示例实施例中，源电极709和漏电极710形成在蚀刻阻止件708上。源电极709和漏电极710与有源层706的未被蚀刻阻止件708覆盖且被暴露的部分接触。
在图7中示出的示例实施例中，钝化层711形成在源电极709、漏电极710及蚀刻阻止件708的覆盖光转换层707的部分上。
在图7中示出的示例实施例中，第一电极712形成在钝化层711上。第一电极712电连接到漏电极710。像素限定膜713形成在第一电极712上。像素限定膜713形成为暴露第一电极712的预定部分，且在第一电极712的暴露部分上形成中间层714。第二电极715形成在中间层714上。
在图7中示出的示例实施例中，中间层714包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极712和第二电极715时，从有机发射层发射可见光。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极715上。密封构件可以形成为保护中间层714和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备700的组件的材料与用于前面的实施例组件的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备700中，由中间层714产生的光在中间层714和光转换层707之间的空间中谐振，因此，光效率得以改善。由中间层714发射的光还在中间层714和缓冲层702之间的空间中谐振，因此，光效率得到改善。
另外，光转换层707可以吸收具有特定频率的光，因此可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备700。
另外，光转换层707形成在与上面形成有有源层706的层相同的层上，并由与有源层706的材料相同的材料形成。因此，工艺便利性提高，且有机发光显示设备700的整体厚度未增加，从而便于使有机发光显示设备700变薄。
在根据本实施例的有机发光显示设备700中，蚀刻阻止件708设置在光转换层707上，并可以通过调节蚀刻阻止件708的厚度来控制发生光谐振的空间的长度，从而可以通过光在长度被控制的空间中发生谐振容易地得到最佳光效率。
在根据本实施例的有机发光显示设备700中，光阻挡层704形成在缓冲层702上。因此，防止了由中间层714产生的光透过光转换层707周围的区域，因此，更高百分比的光透过光转换层707，从而提高了光效率。因此，显示对比度提高。
虽然未示出，但本实施例的结构可以应用到在光转换层707上未安装蚀刻阻止件708的结构、光转换层707被图案化的结构以及其他各种结构。
图8示出了根据另一实施例的有机发光显示设备800的示意性剖视图。为了解释的方便，现在将针对本实施例与前面图1至图7的实施例之间的差异描述图8的本实施例。
在图8中示出的示例实施例中，有机发光显示设备800包括第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3。第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以为不同颜色的子像素。
为了解释的方便，在图8中示出了一个单独的第一子像素SP1、一个单独的第二子像素SP2和一个单独的第三子像素SP3。然而，有机发光显示设备800可以包括多个第一子像素SP1、多个第二子像素SP2和多个第三子像素SP3。
在图8中示出的示例实施例中，第一子像素SP1包括钝化层811、第一电极812、包括第一有机发射层的第一中间层814a以及第二电极815。第二子像素SP2包括包含氧化物半导体的光转换层807、钝化层811、第一电极812、包括第二有机发射层的第二中间层814b以及第二电极815。第三子像素SP3包括光转换层807、蚀刻阻止件808、钝化层811、第一电极812、包括第三有机发射层的第三中间层814c以及第二电极815。
在图8中示出的示例实施例中，第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3包括薄膜晶体管TFT。每个薄膜晶体管TFT包括栅电极803、有源层806、源电极809和漏电极810。
在图8中示出的示例实施例中，缓冲层802形成在基底801上。栅电极803形成在缓冲层802上。栅绝缘膜805形成在栅电极803上。有源层806形成在栅绝缘膜805上。
在图8中示出的示例实施例中，光转换层807形成在栅绝缘膜805上并包括与用于形成有源层806的材料相同的材料。光转换层807形成在第二子像素SP2和第三子像素SP3中。
在图8中示出的示例实施例中，蚀刻阻止件808形成在有源层806上。此时，蚀刻阻止件808形成为覆盖第三子像素SP3的光转换层807。
在图8中示出的示例实施例中，源电极809和漏电极810形成在蚀刻阻止件808上。源电极809和漏电极810与有源层806的未被蚀刻阻止件808覆盖且被暴露的部分接触。
在图8中示出的示例实施例中，钝化层811形成在光转换层807、蚀刻阻止件808、源电极809和漏电极810上。
在图8中示出的示例实施例中，第一电极812形成在钝化层811上。第一电极812电连接到漏电极810。像素限定膜813形成在第一电极812上。像素限定膜813形成为暴露第一电极812的预定部分，且在第一电极812的暴露部分上形成中间层814。
在图8中示出的示例实施例中，中间层814包括有机发射层(未示出)。当电压施加到第一电极812和第二电极815时，从有机发射层发射可见光。中间层814包括第一中间层814a、第二中间层814b和第三中间层814c。第一中间层814a形成在第一子像素SP1中。第二中间层814b形成在第二子像素SP2中。第三中间层814c形成在第三子像素SP3中。第一中间层814a包括第一有机发射层，第二中间层814b包括第二有机发射层，第三中间层814c包括第三有机发射层，从而第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3可以发射不同的颜色。在实施方案中，白光源可以通过驱动第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3来同时显示具有色彩的光而形成。从而例如，可以通过在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3的一个或多个中改变光谐振效果来调节显示的白光的色温。
在图8中示出的示例实施例中，第二电极815跨过第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3形成在中间层814上。
密封构件(未示出)可以设置在第二电极815上。密封构件可以形成为保护中间层814和其它层免受外部湿气、氧等的影响，密封构件可以由透明材料形成。为此，密封构件可以具有由玻璃、塑料得到多层结构，或可以具有无机材料和有机材料的堆叠结构。
用于形成根据本实施例的有机发光显示设备800的组件的材料与用于前面的实施例组件的材料相同，因此，将不重复其详细描述。
在根据本实施例的有机发光显示设备800中，在第一子像素SP1、第二子像素SP2和第三子像素SP3中的中间层814和缓冲层802之间的距离不同。换句话说，在第一子像素SP1中的第一电极812和栅绝缘膜805之间的距离、在第二子像素SP2中的第一电极812和光转换层807之间的距离以及在第三子像素SP3中的第一电极812和覆盖光转换层807的蚀刻阻止件808之间的距离可以相同。因此，第一电极812和缓冲层802之间的距离在第一子像素SP 1中最短，在第三子像素SP3中最长。因此，从由中间层814产生的光中的射向基底801、被缓冲层802反射并射回中间层814的光的光学通路的长度对于每个子像素不同，从而光谐振在每个子像素中独立地发生。因此，在发射不同颜色的子像素中可以得到各自最佳的光谐振效果。
在另一实施方案中，可以通过使其中的层的构造不同来提供在各个子像素中的光学通路的有效差异，例如，设置不同的层和/或使层的厚度不同来改变部分地反射光的折射率界面的相对位置。例如，第二子像素SP2和第三子像素SP3可以在各个第一电极812和缓冲层802之间具有相同的的距离。在第二子像素SP2中，光转换层807可以与第一电极812以预定的距离分开，有效通路长度可以限定在第一电极812和光转换层807/钝化层811的界面之间。在第三子像素SP3中，光转换层807也可以与第一电极812以相同的预定距离分开，不同的有效通路长度可以限定在第三子像素SP3中的第一电极812和蚀刻阻止件808/钝化层811界面之间。同样，在每个子像素中的各个第一电极和缓冲层之间的距离可以恒定，然而同时，在每个子像素中提供了不同的有效通路长度和不同的谐振频率。
另外，在第二子像素SP2和第三子像素SP3中，由中间层814产生的光在中间层814和光转换层807之间的空间中谐振，从而光效率得到改善。具体地讲，在第三子像素SP3中，蚀刻阻止件808设置在光转换层807和钝化层811之间，因此，发生光谐振的距离增加。因此，在中间层814和光转换层807之间发生的光谐振在第二子像素SP2和第三子像素SP3中可以不同。
另外，光转换层807可以吸收特定频率的光，从而可以得到具有改善的光谱的有机发光显示设备800。
这里已经公开了示例实施例，虽然使用了特定的术语，但这些术语仅解释为通常和描述意义，而非限制性目的。因此，本领域的技术人员应该理解，在不脱离由权利要求阐述的精神和范围的情况下，可以做形式和细节上的各种改变。

Claims (23)

1.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括：
基底；
光转换层，在基底上，光转换层包含氧化物半导体；
钝化层，覆盖光转换层；
第一电极，在钝化层上；
中间层，在第一电极上，中间层包括有机发射层；
第二电极，在中间层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层设置在由中间层产生的光的传播通路上。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层的折射率比钝化层的折射率高。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，钝化层包含氧化硅。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在基底和光转换层之间的缓冲层。
6.如权利要求5所述的有机发光显示设备，其中，缓冲层包含氮化硅。
7.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，光转换层以预定的图案形成以包括多个通孔。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在钝化层和基底之间的薄膜晶体管，薄膜晶体管电连接到第一电极，薄膜晶体管包括栅电极、有源层、源电极和漏电极。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层由用于形成光转换层的材料形成。
10.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中，有源层形成在上面形成有光转换层的层上。
11.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中：
栅绝缘膜使栅电极与有源层绝缘，
栅绝缘膜在基底和光转换层之间。
12.如权利要求11所述的有机发光显示设备，其中，栅绝缘膜包含氧化硅。
13.如权利要求8所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括在有源层与源电极和漏电极之间的蚀刻阻止件。
14.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件在光转换层和钝化层之间。
15.如权利要求14所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件包括多个通孔，通孔暴露光转换层的部分。
16.如权利要求13所述的有机发光显示设备，其中，蚀刻阻止件包含氧化硅。
17.如权利要求8所述的有机发光显示设备，其中：
源电极或漏电极延伸达到光转换层的边缘，以阻挡光进入光转换层周围的区域，
延伸达到光转换层边缘的源电极或漏电极包括面向光转换层的通孔。
18.如权利要求17所述的有机发光显示设备，其中，延伸达到光转换层的边缘的源电极或漏电极围绕光转换层的边缘。
19.如权利要求8所述的有机发光显示设备，所述有机发光显示设备还包括设置在基底和光转换层之间的光阻挡层，光阻挡层阻挡光进入光转换层周围的区域。
20.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，光阻挡层包括面向光转换层的通孔。
21.如权利要求19所述的有机发光显示设备，其中，光阻挡层由用于形成栅电极的材料形成。
22.如权利要求1所述的有机发光显示设备，其中，由中间层产生的光射向基底。
23.一种有机发光显示设备，所述有机发光显示设备包括在基底上的第一子像素、第二子像素和第三子像素，其中：
第一子像素、第二子像素和第三子像素中的每一个包括在基底上的钝化层、在钝化层上的第一电极、在第一电极上并包括有机发射层的中间层以及在中间层上的第二电极，
第二子像素还包括第二子像素光转换层和第二子像素钝化层，第二子像素光转换层包含氧化物半导体，第二子像素光转换层在基底上，第二子像素钝化层在第二子像素光转换层上，
第三子像素还包括在基底上的第三子像素光转换层并且还包括在第三子像素光转换层上的蚀刻阻止件，第三子像素光转换层包含氧化物半导体，第三子像素钝化层在蚀刻阻止件上。
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