JP2016127003A - 発光表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】有機層の厚さが均一な、インク吐出によって形成される、有機発光表示装置を提供する。【解決手段】第１方向Ｘと第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿って配列され、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に区分される複数の画素Ｐが定義される基板１１０と、基板１１０上に配置される平坦化パターン１３０と、平坦化パターン１３０上に各画素別に形成される第１電極１４０と、基板１１０上に各画素を区切り、第１電極１４０を露出する開口部を有する画素定義膜１５０と、第１電極１４０上に形成される有機層１６０と、有機層１６０上に形成される第２電極１７０を含み、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素の平坦化パターン１３０の厚さが第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素の平坦化パターン１３０の厚さよりも厚い、発光表示装置１００。【選択図】図２

Description

本発明は発光表示装置に関する。

発光表示装置のうち有機発光表示装置は、素子自らが発光する自体発光型表示素子として視野角が広くかつコントラストが優れるだけではなく、応答速度が速いという長所を有するため、次世代表示装置として注目をあびている。

有機発光表示装置は、アノード電極とカソード電極との間に有機発光物質からなる有機発光層を備えている。これらの電極に陽極及び陰極電圧がそれぞれ印加されることによってアノード電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が正孔注入層及び正孔輸送層を経由して有機発光層に移動し、電子はカソード電極から電子注入層と電子輸送層を経由して有機発光層に移動し、有機発光層で電子と正孔が再結合する。このような再結合によって励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が生成され、この励起子が励起状態から基底状態に変化することによって有機発光層が発光し、画像が表示される。

有機発光表示装置は、基板にマトリックス形態で配列された画素それぞれに形成されるアノード電極を露出するように、開口部を有する画素定義膜を含み、この画素定義膜の開口部を介して露出するアノード電極上に正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層及びカソード電極が形成される。このうち、正孔注入層、正孔輸送層及び有機発光層は、インクジェットプリント方法またはノズルプリント方法などを利用して、少なくとも一つのノズルを有する吐出ヘッドを介して、インクを画素定義膜の開口部の内部に吐出させて薄膜形態で形成される。

一方、インクを画素定義膜の開口部の内部に吐出するとき、画素間においてインクを吐出するタイミングが異なり得る。この場合、画素間において、インクの吐出タイミングからインクが乾燥するまでの時間が異なり得る。例えば、基板が第１タイミングにインクの吐出が行われた第１画素と、第１タイミングよりも後である第２タイミングにインクの吐出が行われた第２画素を含む場合、第１画素に吐出されたインクの乾燥時間は第２画素に吐出されたインクの乾燥時間よりも長い。

上記のように画素間におけるインクの乾燥時間が異なると、画素間のインクが乾燥して形成される薄膜の厚さが互いに異なり得る。この場合、有機発光表示装置の発光特性が均一ではないため、表示品質が低下し得る。

本発明が解決しようとする課題は、画素間の発光特性を均一にし、表示品質を向上させる発光表示装置を提供することにある。

本発明の課題は、以上で言及した技術的な課題に制限されず、言及されていないまた他の技術的課題は次の記載から当業者に明確に理解できるであろう。

前記課題を達成するための本発明の一実施形態による発光表示装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列され、第１メイン画素ブロックと第２メイン画素ブロックに区分される複数の画素が定義される基板と、前記基板上に配置される平坦化パターンと、前記平坦化パターン上に前記各画素別に形成される第１電極と、前記基板上に前記各画素を区切り、前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜と、前記第１電極上に形成される有機層と、前記有機層上に形成される第２電極と、を含み、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の平坦化パターンの厚さが前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の平坦化パターンの厚さよりも厚くてもよい。

前記基板の上面から前記画素定義膜の上面までの高さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素とで同じであり得る。

前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の深さは、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の深さよりも浅くてもよい。

前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記有機層は、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記有機層よりも高い位置に位置し得る。

前記平坦化パターンは、感光物質を含み得る。

前記複数の画素は、前記第２方向に沿って配列される複数の行グループに区分され、前記第１メイン画素ブロックは連続する第１の個数の画素行グループを含み、前記第２メイン画素ブロックは連続する第２の個数の画素行グループを含み得る。

前記第１の個数と前記第２の個数が同じであるか異なり得る。

前記第２の個数が前記第１の個数よりも小さくてもよい。

前記第１メイン画素ブロックは、前記連続する第１の個数の画素行グループのうち連続する第３の個数の画素列グループを含む第１サブ画素ブロックと、前記連続する第１の個数の画素行グループのうち連続する第４の個数の画素列グループと、を含む第２サブ画素ブロックを含み得る。

前記第３の個数と前記第４の個数が、同じであるか異なり得る。

前記第４の個数が、前記第３の個数よりも小さくてもよい。

前記第２メイン画素ブロックは、前記連続する第２の個数の画素行グループのうち連続する第５の個数の画素列グループを含む第３サブ画素ブロックと、前記連続する第２の個数の画素行グループ中連続する第６の個数の画素列グループと、を含む第４サブ画素ブロックを含み得る。

前記第５の個数と前記第６の個数が、同じであるか、異なり得る。

前記第６の個数が、前記第５の個数よりも小さい場合もある。

前記他の課題を達成するための本発明の一実施形態による発光表示装置は、第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列され、第１メイン画素ブロックと第２メイン画素ブロックに区分される複数の画素が定義される基板と、前記基板上に配置される平坦化パターンと、前記平坦化パターン上に前記各画素別に形成される第１電極と、前記基板上に前記各画素を区切り、前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜と、前記第１電極上に形成される有機層と、前記有機層上に形成される第２電極と、を含み、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の画素定義膜の開口部の内壁と前記第１電極が成す角が前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の画素定義膜の開口部の内壁と前記第１電極が成す角よりも大きくてもよい。

前記基板の上面から前記画素定義膜の上面までの高さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素とで同じであり得る。

前記平坦化パターンの厚さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素で同じであり得る。

前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の上部の面積は、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の上部の面積よりも大きくてもよい。

前記画素定義膜は、感光物質を含み得る。

前記複数の画素は、前記第２方向に沿って配列される複数の行グループに区分され、前記第１メイン画素ブロックは連続する第１の個数の画素行グループを含み、前記第２メイン画素ブロックは連続する第２の個数の画素行グループを含み得る。

その他実施形態の具体的な内容は詳細な説明及び図面に含まれている。

本発明の実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。

本発明の一実施形態による発光表示装置は、メイン画素ブロック別に異なる厚さを有する平坦化パターンを含むことによって、メイン画素ブロック別に画素定義膜の開口部の深さを異なるようにし得る。

これによって、本発明の一実施による発光表示装置は、メイン画素ブロック別に画素定義膜の開口部に吐出されるインクの表面積を異なるようにすることによって、メイン画素ブロック別にインクの吐出タイミングが異なり、インクの乾燥時間が異なったとしてもインクの乾燥量を同じまたは近似し得る。

したがって、本発明の一実施形態による発光表示装置は、画素間にインクが乾燥されて形成される有機層の厚さを均一にし、発光特性を均一にすることにより、表示品質を向上させる。

本発明による効果は、以上で例示された内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。

本発明の一実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。 図１の第１メイン画素ブロックに含まれる画素でＩ−Ｉ’線に沿って切断される部分の断面図である。 図１の第２メイン画素ブロックに含まれる画素でＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断される部分の断面図である。 画素の行番号による平坦化パターン高さレベルを例示する図である。 画素の行番号による平坦化パターン高さレベルを例示する図である。 画素の行番号による平坦化パターン高さレベルを例示する図である。 本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。 図８に後続する図である。 図９に後続する図である。 図１０に後続する図である。 図１１に後続する図である。 図１０に後続する（有機発光インクが画素定義膜の上面に広がる場合を示す）図である。 図１３に後続する図である。 本発明の他の実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。 図１５の第１サブブロックに含まれる画素でＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断される部分及び第２サブブロックに含まれる画素でＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断される部分の断面図である。 図１５の第３サブブロックに含まれる画素でＶ−Ｖ’線に沿って切断される部分及び第４サブブロックに含まれる画素でＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断される部分の断面図である。 画素の列番号による平坦化パターン高さレベルを示す例示図である。 画素の列番号による平坦化パターン高さレベルを示す例示図である。 画素の列番号による平坦化パターン高さレベルを示す例示図である。 本発明のまた別の実施形態による発光表示装置のうち図２の部分と対応する部分の断面図である。 図２１の第１電極と画素定義膜の関係を示す断面図である。 本発明のまた別の実施形態による発光表示装置のうち図３の部分と対応する部分の断面図である。 図２３の第１電極と画素定義膜の関係を示す断面図である。

本発明の利点及び特徴、これらを達成する方法は添付する図面と共に詳細に後述する実施形態において明確になるであろう。しかし、本発明は、以下で開示する実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現されるものであり、本実施形態は、単に本発明の開示を完全にし、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者に発明の範疇を完全に知らせるために提供されるものであり、本発明は、請求項の範囲によってのみ定義される。

素子（ｅｌｅｍｅｎｔｓ）または層が他の素子または層の「上（ｏｎ）」と称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。

第１、第２などが多様な素子、構成要素を記述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つの構成要素を他の構成要素と区別するために使用するものである。したがって、以下で言及される第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２構成要であり得ることは勿論である。

以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。

図１は、本発明の一実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。

図１を参照すると、本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、基板１１０上にｎ×ｍ（ｎ、ｍは自然数）のマトリックス形態、すなわち第１方向Ｘ及び第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿って配列される複数の画素Ｐを含む。

複数の画素Ｐは、基板１１０上に第２方向Ｙに沿って配列される複数の行グループＰＧに区分される。複数の行グループＰＧは、第１画素行グループＰＧ１ないし第ｎ番目の画素行グループＰＧｎを含むことができ、複数のメイン画素ブロック、例えば第１メイン画素ブロックＭＢＬ１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に区分されうる。

第１メイン画素ブロックＭＢＬ１は、例えば第１画素行グループ（ＰＧ１；Ｐ１１、Ｐ１２、…、Ｐ１ｍ）ないし第５画素行グループ（ＰＧ５；Ｐ５１、Ｐ５２、…、Ｐ５ｍ）を含みる。また、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２は、例えば第６画素行グループ（ＰＧ６；Ｐ６１、Ｐ６２、…、Ｐ６ｍ）ないし第１０画素行グループ（ＰＧ１０；Ｐ１０１、Ｐ１０２、…、Ｐ１０ｍ）（図１でＰＧｎである）を含み得る。

一方、図１で複数の画素Ｐが１０×２０のマトリックス形態で配列され、複数の行グループが１０個である場合を示しているが、これに限定されない。また、メイン画素ブロックの個数が２個である場合を示しているが、これに限定されない。また、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる連続する画素行グループの第１の個数と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる連続する画素行グループの第２の個数が同じである場合を示しているが、これに限定されない。例えば、前記第１の個数と前記第２の個数が異なり得、さらに詳細には前記第２の個数が前記第１の個数よりも小さくてもよい。

以下、発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。以下では、発光表示装置１００の構造について複数の画素Ｐのうち第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ部分及び第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ部分を例に挙げて説明する。ここで、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ部分は第１画素行グループＰＧ１に含まれる画素Ｐ１１部分として例示され、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ部分は第１０画素行グループＰＧ１０に含まれる画素Ｐ１０２０（図１でＰｎｍである）部分として例示される。

図２は、図１の第１メイン画素ブロックに含まれる画素でＩ−Ｉ’線に沿って切断される部分の断面図である。図３は、図１の第２メイン画素ブロックに含まれる画素でＩＩ−ＩＩ’線に沿って切断される部分の断面図である。図４ないし図６は、画素の行番号による平坦化パターン高さレベルを例示する図である。

図２及び図３を参照すると、発光表示装置１００は、基板１１０、活性層１１１、下部電極１１５、ゲート絶縁膜１１６、ゲート電極１１７、上部電極１１８、層間絶縁膜１１９、ソース電極１２０、ドレイン電極１２１、平坦化パターン１３０、第１電極１４０、画素定義膜１５０、有機層１６０及び第２電極１７０を含み得る。

基板１１０は、透明な絶縁基板であり得る。前記絶縁基板は、ガラス、石英、高分子樹脂などの物質からなる。前記高分子物質の例としては、ポリエーテルスルホン（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｓｕｌｐｈｏｎｅ、ＰＥＳ）、ポリアクリル酸塩（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅ、ＰＡ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ、ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ｐｏｌｙｅｔｈｅｒｉｍｉｄｅ、ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ 、ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｔｈａｌａｔｅ、ＰＥＴ）、ポリフェニレンスルフィド（ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ ｓｕｌｆｉｄｅ、ＰＰＳ）、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｌｌｙｌａｔｅ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリカーボネート（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ、ＰＣ）、セルローストリアセテート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ｔｒｉａｃｅｔａｔｅ、ＣＡＴ ｏｒ ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ｃｅｌｌｕｌｏｓｅ ａｃｅｔａｔｅ ｐｒｏｐｉｏｎａｔｅ、ＣＡＰ）またはこれらの組合せが挙げられる。いくつかの実施形態で、前記絶縁基板はポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）のようなフレキシブルな物質からなるフレキシブル基板であり得る。

基板１１０は、第１方向（図１のＸ）と第２方向（図１のＹ）に沿って配置される複数の画素（図１のＰ）を含む。複数の画素（図１のＰ）の配列については既に詳細に説明したので、重複する説明は省略する。

活性層１１１は、基板１１０上に配置され、チャネル領域１１２と、チャネル領域１１２の両側に位置するソース領域１１３及びドレイン領域１１４を含み得る。活性層１１１は、シリコン、例えば非晶質シリコンまたはポリシリコンで形成され、ソース領域１１３及びドレイン領域１１４にはｐ型またはｎ型不純物がドーピングされ得る。活性層１１１は、フォトリソグラフィー法などにより形成されるが、これに限定されない。

下部電極１１５は、基板１１０上で活性層１１１と同じ層に配置され、活性層１１１と離隔して形成される。下部電極１１５は、ソース領域１１３またはドレイン領域１１４と同じ物質で形成される。すなわち、下部電極１１５は、銀シリコンで形成され、ｐ型またはｎ型不純物を含み得る。下部電極１１５は、フォトリソグラフィー法などにより形成されるが、これに限定されない。

ゲート絶縁膜１１６は、活性層１１１と下部電極１１５を覆うように基板１１０上に形成される。ゲート絶縁膜１１６は、ゲート電極１１７と活性層１１１を電気的に絶縁する。ゲート絶縁膜１１６は、絶縁物質、例えばシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）、シリコン窒化物（ＳｉＮｘ）、または金属酸化物などからなる。ゲート絶縁膜１１６は、蒸着方法などにより形成されるが、これに限定されない。

ゲート電極１１７は、ゲート絶縁膜１１６上に形成される。ゲート電極１１７は、チャネル領域１１２の上部、すなわちゲート絶縁膜１１６上でチャネル領域１１２と重複する位置に形成される。ゲート電極１１７は、金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含み得る。ゲート電極１１７は、フォトリソグラフィー法などにより形成されるが、これに限定されない。

上部電極１１８は、ゲート電極１１７と同じ層に形成され、ゲート電極１１７と同じ物質で形成される。上部電極１１８は、下部電極１１５の上部、すなわちゲート絶縁膜１１６上で下部電極１１５と重複する位置に形成される。このような上部電極１１８は、下部電極１１５及びゲート絶縁膜１１６と共にストレージキャパシタＣｓｔを形成する。ストレージキャパシタＣｓｔは、薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極１１７に印加される電圧を充電する。上部電極１１７は、フォトリソグラフィー法などにより形成されるが、これに限定されない。

層間絶縁膜１１９は、ゲート電極１１７と上部電極１１８を覆うようにゲート絶縁膜１１６上に形成される。層間絶縁膜１１９は、シリコン化合物からなる。例えば、層間絶縁膜１１９は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物、シリコン炭窒化物、シリコン酸炭化物などを含み得る。層間絶縁膜１１９は、ソース電極１２０とドレイン電極１２１からゲート電極１１７を絶縁させる役割を果たす。層間絶縁膜１１９は蒸着方法などにより形成されるが、これに限定されない。

ソース電極１２０とドレイン電極１２１は、層間絶縁膜１１９上に形成される。ソース電極１２０は活性層１１１のソース領域１１３と連結するように層間絶縁膜１１９とゲート絶縁膜１１６を貫き、ドレイン電極１２１はドレイン領域１１４と連結するように層間絶縁膜１１９とゲート絶縁膜１１６を貫く。

ソース電極１２０とドレイン電極１２１は、それぞれ金属、合金、金属窒化物、導電性金属酸化物、透明導電性物質などを含み得る。例えば、ソース電極１２０及びドレイン電極１２１は、それぞれアルミニウム、アルミニウムを含有する合金、アルミニウム窒化物、銀、銀を含有する合金、タングステン、タングステン窒化物、銅、銅を含有する合金、ニッケル、クロム、クロム窒化物、モリブデン、モリブデンを含有する合金、チタニウム、チタニウム窒化物、白金、タンタル、タンタル窒化物、ネオジム、スカンジウム、ストロンチウムルテニウム酸化物、亜鉛酸化物、インジウムスズ酸化物、スズ酸化物、インジウム酸化物、ガリウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などからなる。ソース電極１２０とドレイン電極１２１は、フォトリソグラフィー法などにより形成されるが、これに限定されない。

このようなソース電極１２０とドレイン電極１２１は、活性層１１１及びゲート電極１１７と共に薄膜トランジスタＴＦＴを形成する。薄膜トランジスタＴＦＴは、駆動トランジスタであり得、ゲート電極１１７に印加される電圧に対応する電流を発光ダイオード（１４０、１６０、１７０からなる部分）に供給する。図面に示していないが、薄膜トランジスタＴＦＴは、スイッチングトランジスタと接続し得る。前記スイッチングトランジスタは、ゲートライン（図示せず）を介して供給されるゲート信号に応答してデータ線（図示せず）を介して供給されるデータ信号に対応する電圧を薄膜トランジスタＴＦＴに印加する。

平坦化パターン１３０は、ソース電極１２０及びドレイン電極１２１を覆うように層間絶縁膜１１９上に形成される。平坦化パターン１３０は、平らな表面を有し得る。平坦化パターン１３０は、各画素Ｐ単位で配置される。すなわち、隣接した画素（図１のＰ）の境界部と隣接した平坦化パターン１３０との間の離隔領域が重複する。いくつかの実施形態で、平坦化パターン１３０は、層間絶縁膜１１９上に一体で形成され得る。

一方、画素Ｐ１１の平坦化パターン１３０の第１厚さＰＷ１と、画素Ｐ１０２０の平坦化パターン１３０の第２厚さＰＷ２とが互いに異なり得る。例えば、画素Ｐ１０２０の平坦化パターン１３０の第２厚さＰＷ２が、画素Ｐ１１の平坦化パターン１３０の第１厚さＰＷ１よりも厚く（大きく）てもよい。

このような平坦化パターン１３０は、基板１１０の上面から画素定義膜１５０の上面までの高さＰＨが画素Ｐ１１と画素Ｐ１０２０においてすべて同じであるように画素定義膜１５０を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１と画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ２が異なるようにし得る。例えば、平坦化パターン１３０は基板１１０から画素定義膜１５０の上面までの高さＰＨが画素Ｐ１１と画素Ｐ１０２０においてすべて同じであるように画素定義膜１５０を形成するとき、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ２が画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１よりも浅い（小さい）ようにし得る。

画素Ｐ１１と画素１０２０で異なる厚さを有する平坦化パターン１３０は、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィー工程により形成される。いくつかの実施形態で、画素Ｐ１１と画素１０２０で異なる厚さを有する平坦化パターン１３０は、マスクなしで露光量を調整するのに容易なデジタル露光機を利用したフォトリソグラフィー工程により形成され得る。平坦化パターン１３０は、感光物質、例えばネガティブ型感光物質を含んで形成される。

このように、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ２とが異なると、インクを画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出させて薄膜を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの表面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの表面積とが異なり得る。この場合、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの乾燥速度とが異なり得る。例えば、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ２が、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１よりも浅ければ（小さければ）、インクを画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出させて薄膜を形成するとき、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの表面積が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの表面積よりも大きくなり得る。この場合、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速くなり得る。

これによって、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングと、画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングとが異なる場合、画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥の速度とを異なるように調整することによって、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量（実質的にインクに含まれる溶媒の乾燥量）と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは類近するように調整される。前記一定時間は、画素定義膜１５０の開口部１５１の内部にインクジェットまたはノズルプリンティング方法を利用して最初にインクを吐出するタイミングから最後のインクを吐出するタイミングを経て真空の雰囲気で別途の乾燥工程を行う直前までの時間であり得る。例えば、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングが画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングよりも早い場合、画素Ｐ１０２０の乾燥の速度を画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速く調整することによって、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは近似するように調整され得る。ここで、別途の乾燥工程前にインクが乾燥されるのは自然乾燥によるものであり得る。

したがって、画素Ｐ間にインクが乾燥されて形成される薄膜（例えば、有機層１６０）の厚さが均一になり、発光特性が均一になり得、これによって発光表示装置１００の表示品質が向上できる。

一方、図１では第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素行グループＰＧが５個であり、第２メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素行グループＰＧが５個である場合を示し、図２及び図３で平坦化パターン１３０の高さレベルが２個である場合を説明したが、メイン画素ブロックの個数またはメイン画素ブロックに含まれる画素行グループの個数単位を異なるようにし、平坦化パターンの高さレベルを異なるようにすることができる。

例えば、メイン画素ブロックの個数が画素行グループの個数と同じである場合、図４に示すように画素行番号が大きくなるほど平坦化パターンの高さレベルが増加するように平坦化パターンが形成される。すなわち、平坦化パターンの高さレベルの個数が画素行グループの個数と同じであり得る。この場合、有機層をインクジェットプリントまたはノズルプリントを利用して形成する場合、有機発光インクの吐出タイミングによる乾燥速度を詳細に調整し得る。ここで、画素行番号が後に行く（画素行番号が大きくなる）ほど、有機発光インクの吐出タイミングが遅くてもよい。

また、複数のメイン画素ブロックのそれぞれに含まれる画素行グループの個数が２個以上である場合、図５に示すように、２個以上の画素行グループ単位で画素行番号が増加するほど平坦化パターンの高さレベルが増加するように平坦化パターンが形成される。この場合、平坦化パターンの形成工程が容易になる。ここで、画素行番号が後に行くほど、有機発光インクの吐出タイミングが遅くてもよい。

また、複数のメイン画素ブロックのそれぞれに含まれる画素行グループの個数が異なる場合、図６に示すように、不均一の画素行グループ個数単位で画素行番号が増加するほど平坦化パターンの高さレベルが増加するように平坦化パターンが形成される。例えば、第１メイン画素ブロックが第１画素行グループないし第５画素行グループを含み、第２メイン画素ブロックが第６画素行グループないし第８画素行グループを含み、第３メイン画素ブロックが第９画素行グループ及び第１０画素行グループを含む場合、平坦化パターンの高さレベルが５個の画素行グループ、３個の画素行グループ及び２個の画素行グループ単位で増加するように平坦化パターンが形成される。この場合、平坦化パターンの形成工程を容易にし、かつ有機発光インクの乾燥速度の差が大きい画素行グループを含むメイン画素ブロックに対して平坦化パターンの高さレベルを細かく区分するようにし得る。ここで、画素行番号が後に行くほど有機発光インクの吐出タイミングが遅くなり、有機発光インクの乾燥速度の差が大きい画素行グループを含むメイン画素ブロックは、少ない数の画素行グループを含むメイン画素ブロックであり得る。

第１電極１４０は、基板１１０上に各画素（図１のＰ）別に形成される。第１電極１４０は、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２１に印加された信号を受けて有機層１６０に正孔を提供するアノード電極または電子を提供するカソード電極であり得る。第１電極１４０は、透明電極または反射電極として使用され得る。第１電極１４０が透明電極として使用されるとき、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ＩＴＯ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはＩｎ_２Ｏ_３で形成される。また、第１電極１４０が反射電極として使用されるとき、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ及びこれらの化合物などで反射膜を形成した後、その上にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯまたはＩｎ_２Ｏ_３を形成して構成され得る。第１電極１４０は、フォトリソグラフィー工程により形成されるが、これに限定されない。

画素定義膜１５０は、基板１１０上に各画素（図１のＰ）を区切り、第１電極１４０を露出する開口部１５１を有する。これによって、画素定義膜１５０は、開口部１５１を介して第１電極１４０上に有機層１６０が形成されるようにする。画素定義膜１５０は、絶縁物質からなる。具体的には、画素定義膜１５０は、ベンゾシクロブテン（Ｂｅｎｚｏ Ｃｙｃｌｏ Ｂｕｔｅｎｅ、ＢＣＢ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ、ＰＩ）、ポリアマイド（ｐｏｌｙ ａｍａｉｄｅ、ＰＡ）、アクリル樹脂及びフェノール樹脂などから選択された少なくとも一つの有機物質を含んでなる。また、他の例として、画素定義膜１５０は、シリコン窒化物などのように無機物質を含んでなる場合もある。画素定義膜１５０は、フォトリソグラフィー工程により形成されるが、これに限定されない。

本発明による一実施形態で、画素定義膜１５０は、有機層１６０がインクジェットプリント方法またはノズルプリント方法を利用して形成されるとき、画素定義膜１５０に対する有機層の接触角が第１電極１４０に対する有機層１６０の接触角よりも大きくできる絶縁物質で形成される。例えば、画素定義膜１５０は、画素定義膜１５０に対する有機層１６０の接触角が４０°以上になるようにする絶縁物質で形成される。

有機層１６０は、画素定義膜１５０の開口部１５１を介して露出される第１電極１４０上に形成される。有機層１６０は、第１電極１４０から提供される正孔と第２電極１７０から提供される電子を再結合させて光を放出する有機発光層を含み得る。より詳細に説明すると、有機発光層に正孔及び電子が提供されると、正孔及び電子が結合して励起子（エキシトン）を形成し、このような励起子が励起状態から基底状態に落ちて光を放出させる。

前記有機発光層は、画素（図１のＰ）別に赤色の光を放出する赤色発光層、緑色の光を放出する緑色発光層及び青色の光を放出する青色発光層で実現される。前記有機発光層は、ＳｅまたはＺｎなどを含む無機物や、低分子または高分子有機物で形成される。前記有機発光層は、インクジェットプリント方法またはノズルプリント方法を利用して形成されるが、これに限定されない。

前記有機発光層がインクジェットプリント方法またはノズルプリント方法を利用して形成される場合、有機発光物質の固形分と溶媒を含む有機発光インクを画素定義膜１５０の開口部１５１を介して露出される第１電極１４０上に吐出させて真空の雰囲気で別途の乾燥工程により乾燥させることによって形成される。

例えば、前記有機発光層は、同じ量の有機発光インク（図１１の１６０ａ）を画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出させ、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出させた後、真空の雰囲気で別途の乾燥工程により乾燥させることによって形成される。この際、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ２が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の深さＤ１よりも浅い（小さい）ため、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出される有機発光インク（図１１の１６０ａ）の表面積が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出される有機発光インク（図１１の１６０ａ）の表面積よりも大きくてもよい。

これによって、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出された有機発光インク（図１１の１６０ａ）の乾燥速度が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出された有機発光インク（図１１の１６０ａ）の乾燥速度よりも速くてもよい。

したがって、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１より、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１に有機発光インク（図１１の１６０ａ）が先に吐出されても、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出された有機発光インク（図１１の１６０ａ）の乾燥量と、画素Ｐ１０２０に吐出された有機発光インク（図１１の１６０ａ）の乾燥量とが同じまたは近似するようになり、画素Ｐ１１の第１電極１４０と画素１０２０の第１電極１４０上に有機発光層が均一に形成される。このとき、有機発光層は、画素Ｐ１１と画素Ｐ１０２０で異なる高さに位置する。例えば、有機発光層は、画素Ｐ１０２０で画素Ｐ１１より高い位置に位置し得る。

一方、有機層１６０は、有機発光層の他に第１電極１４０と有機発光層との間に形成される正孔注入層と正孔輸送層をさらに含み得る。前記正孔注入層と正孔輸送層は、インクジェットプリント方法またはノズルプリント方法を利用して形成されるが、これに限定されない。また、有機層１６０は、有機発光層と第２電極１７０との間に形成される電子注入層と電子輸送層をさらに含み得る。前記正孔注入層と正孔輸送層は、蒸着方法を利用して形成されるが、これに限定されない。もちろん、第１電極１４０がカソード電極であり、第２電極１７０がアノード電極である場合、第１電極１４０と有機発光層との間に電子注入層と電子輸送層が介在して有機発光層と第２電極１７０との間に正孔注入層と正孔輸送層が介在し得る。

第２電極１７０は、有機層１６０上に形成され、有機層１６０に電子を提供するカソード電極または正孔を提供するアノード電極であり得る。第２電極１７０も第１電極１１０と同様に透明電極または反射電極として使用され得る。第２電極１９０は、蒸着工程などにより形成されるが、これに限定されない。

図面に示していないが、発光表示装置１００は、第２電極１７０の上部に配置される封止基板をさらに含み得る。前記封止基板は、絶縁基板からなる。画素定義膜１５０上の第２電極１７０と封止基板との間には、スペーサが配置されることもできる。本発明の他のいくつかの実施形態で、前記封止基板は、省略し得る。この場合、絶縁物質からなる封止膜が全体構造物を覆って保護する。

上記のように本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、メイン画素ブロック別に異なる厚さを有する平坦化パターン１３０を含むことによって、メイン画素ブロック別に画素定義膜１５０の開口部１５１の深さを異なるようにし得る。

これによって、本発明の一実施による発光表示装置１００は、メイン画素ブロック別に画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されるインクの表面積を異なるようにすることによって、メイン画素ブロック別にインクの吐出タイミングが異なり、インクの乾燥時間が異なってもインクの乾燥量を同じまたは近似するようにし得る。

したがって、本発明の一実施形態による発光表示装置１００は、画素の間にインクが乾燥して形成される有機層１６０の厚さを均一にし、発光特性を均一にすることによって表示品質を向上させる。

一方、本発明による一実施形態で第１メイン画素ブロックＭＢＬ１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２とを区分する基準は、複数の画素Ｐで画素定義膜１５０の開口部１５１に吐出されるインクの乾燥速度の差を大きく２個のレベルに区分したことによるものであり、インクの乾燥速度の差を区分するレベルの数に応じてメイン画素ブロックの個数は変わる。

次に、本発明の一実施形態による発光表示装置１００の製造方法について説明する。

図７ないし図１４は、本発明の一実施形態による発光表示装置の製造方法を説明するための断面図である。図７ないし図１４では、図１の画素Ｐ１１と画素１０２０の部分が例示的に図示される。

図７を参照すると、薄膜トランジスタＴＦＴとストレージキャパシタＣｓｔを含む基板１１０を備える。基板１１０は、第１方向（図１のＸ）と第２方向（図１のＹ）に沿って配置される複数の画素（図１のＰ）を含む。

複数の画素（図１のＰ）は、基板１１０上に第２方向Ｙに沿って配列される複数の行グループ（図１のＰＧ）に区分される。複数の行グループ（図１のＰＧ）は、第１画素行グループ（図１のＰＧ１）ないし第ｎ番目の画素行グループ（図１のＰＧｎ）を含むことができ、複数のメイン画素ブロック、例えば第１メイン画素ブロック（図１のＭＢＬ１）と第２メイン画素ブロック（図１のＭＢＬ２）に区分される。

第１メイン画素ブロック（図１のＭＢＬ１）は、例えば第１画素行グループ（図１のＰＧ１；Ｐ１１、Ｐ１２、…、Ｐ１ｍ）ないし第５画素行グループ（図１のＰＧ５；Ｐ５１、Ｐ５２、…、Ｐ５ｍ）を含むことができ、第２メイン画素ブロック（図１のＭＢＬ２）は、例えば第６画素行グループ（図１のＰＧ６；Ｐ６１、Ｐ６２、…、Ｐ６ｍ）ないし第１０画素行グループ（ＰＧ１０；Ｐ１０１、Ｐ１０２、…、Ｐ１０ｍ）（図１でＰＧｎである）を含み得る。

次いで、図８を参照すると、基板１１０上に平坦化パターン１３０を形成する。このとき、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１の平坦化パターン１３０は第１厚さＰＷ１を有するように形成され、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０の平坦化パターン１３０は第１厚さＰＷ１と異なる第２厚さＰＷ２を有するように形成される。ここで、第２厚さＰＷ２が第１厚さＰＷ１よりも厚く（大きく）てもよい。一方、画素Ｐ１１の平坦化パターン１３０のうち薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２１と重複する部分にはドレイン電極１２１を露出する開口が形成される。また、画素Ｐ１０２０の平坦化パターン１３０のうち薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２１と重複する部分にはドレイン電極１２１を露出する開口が形成される。

平坦化パターン１３０は、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィー工程により形成されたり、マスクなしで露光量を調整するのに容易なデジタル露光機を利用したフォトリソグラフィー工程により形成される。平坦化パターン１３０は、感光物質、例えばネガティブ型感光物質を含んで形成される。

次いで、図９を参照すると、平坦化パターン１３０上に各画素（図１のＰ）別に第１電極１４０を形成する。第１電極１４０は、平坦化パターン１３０上に透明電極物質または反射物質を蒸着し、パターニングして形成される。この際、第１電極１４０は、各画素（図１のＰ）別に薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極１２１と連結するように形成される。

次いで、図１０を参照すると、基板１１０上に各画素（図１のＰ）を区切り、層間絶縁膜１１９上に第１電極１４０を露出する開口部１５１を有する画素定義膜１５０を形成する。この際、画素定義膜１５０は各画素（図１のＰ）別に基板１１０の上面から画素定義膜１５０の上面までの高さＰＨが第１メイン画素ブロックＭＢＬ１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２ですべて同じであるように形成される。この場合、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１の平坦化パターン１３０の第１厚さＰＷ１と、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０の平坦化パターン１３０の第２厚さＰＷ２とが異なるため、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の第２深さＤ２とが異なる。例えば、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の第２深さＤ２が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１より浅く（小さく）てもよい。

画素定義膜１５０は、第１電極１４０を覆うように層間絶縁膜１１９の全面に蒸着方法を利用して絶縁物質を蒸着し、蒸着された絶縁物質をパターニングして形成する。

次いで、図１１及び図１２を参照すると、各画素（図１のＰ）別に画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に配置された第１電極１４０上に有機層１６０を形成する。ここで、有機層１６０が有機発光層である場合を例示している。

具体的には、図１１に示すように複数のノズルを有する吐出ヘッド（図示せず）を利用して画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に一定の量の有機物のインク、例えば有機発光インク１６０ａを吐出する。ここで、画素Ｐ１０２０の開口部１５１の内部より、画素Ｐ１１の開口部１５１の内部に先に有機発光インク１６０ａを吐出する。この際、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の第１深さＤ１と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の第２深さＤ２とが異なることによって、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの表面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの表面積とが異なる。例えば、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの表面積が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの表面積よりも大きくてもよい。この場合、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの乾燥速度が、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの乾燥速度よりも速くてもよい。これによって、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部より、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に有機発光インク１６０ａが先に吐出されても、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの乾燥量が、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａの乾燥量と同じまたは近似であり得る。

したがって、図１２に示すように、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に形成された有機層１６０の厚さと、画素Ｐ１１の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に形成された有機層１６０の厚さとが均一になる。

一方、図１１では、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ａは、画素定義膜１５０の上面の部分に広がらない場合を示しているが、図１３に示すように、画素Ｐ１０２０の画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に吐出された有機発光インク１６０ｂが、画素定義膜１５０の上面の部分に所定幅を持って広がり得る。

また図面に示していないが、複数のノズルを有する吐出ヘッド（図示せず）を利用して、複数の画素（図１のＰ）すべての画素定義膜１５０の開口部１５１の内部に一定の量の有機物のインク（例えば有機発光インク）を吐出した後、有機物のインクは真空の雰囲気を有する別途の乾燥チャンバで別途の乾燥工程によって同時に乾燥される。

次いで、図１４に示すように、有機層１６０上に第２電極１７０を形成する。第２電極１７０は、蒸着方法により有機層１３０上に透明電極物質または反射物質を蒸着して形成される。

次に、本発明の他の実施形態による発光表示装置２００について説明する。

図１５は、本発明の他の実施形態による発光表示装置の画素を示す概略的な平面図である。

図１５を参照すると、本発明の他の実施形態による発光表示装置２００は、基板１１０上にｎ×ｍ（ｎ、ｍは自然数）のマトリックス形態、すなわち第１方向Ｘ及び第１方向Ｘと交差する第２方向Ｙに沿って配列される複数の画素Ｐを含む。

複数の画素Ｐは、基板１１０上に第２方向Ｙに沿って配列される複数の行グループに区分される。複数の行グループは、第１画素行グループ（ＰＲＧ１）ないし第ｎ番目の画素行グループ（ＰＲＧｎ）を含み得、複数のメイン画素ブロック、例えば第１メイン画素ブロックＭＢＬ１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に区分される。

第１メイン画素ブロックＭＢＬ１は、例えば第１画素行グループ（ＰＲＧ１；Ｐ１１、Ｐ１２、…、Ｐ１ｍ）ないし第５画素行グループ（ＰＲＧ５；Ｐ５１、Ｐ５２、…、Ｐ５ｍ）を含み得、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２は例えば第６画素行グループ（ＰＲＧ６；Ｐ６１、Ｐ６２、…、Ｐ６ｍ）ないし第１０画素行グループ（ＰＲＧ１０；Ｐ１０１、Ｐ１０２、…、Ｐ１０ｍ）（図１５でＰＲＧｎである）を含み得る。

一方、図１５で複数の画素Ｐが１０×２０のマトリックス形態で配列されて複数の行グループが１０個である場合を示しているが、これに限定されない。また、メイン画素ブロックの個数が２個である場合を示しているが、これに限定されない。

また、複数のメイン画素ブロックは、さらに詳細に複数のサブ画素ブロックに区分される。例えば、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１は第１画素行グループ（ＰＲＧ１；Ｐ１１、Ｐ１２、…、Ｐ１ｍ）ないし第５画素行グループ（ＰＲＧ５；Ｐ５１、Ｐ５２、…、Ｐ５ｍ）のうち第１画素列グループ（ＰＣＧ１；Ｐ１１、Ｐ２１、…、Ｐ５１）ないし第１０画素列グループ（ＰＣＧ１０；Ｐ１１０、Ｐ２１０、…、Ｐ５１０）を含む第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１と、第１画素行グループ（ＰＲＧ１；Ｐ１１、Ｐ１２、…、Ｐ１ｍ）ないし第５画素行グループ（ＰＲＧ５；Ｐ５１、Ｐ５２、…、Ｐ５ｍ）のうち第１１画素列グループ（ＰＣＧ１１；Ｐ１１１、Ｐ２１１、…、Ｐ５１１）ないし第２０画素列グループ（ＰＣＧ２０；Ｐ１２０、Ｐ２２０、…、Ｐ５２０）を含む第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２を含み得る。また、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２は第６画素行グループ（ＰＲＧ１；Ｐ６１、Ｐ６２、…、Ｐ６ｍ）ないし第１０画素行グループ（ＰＲＧ１０；Ｐ１０１、Ｐ１０２、…、Ｐ１０ｍ）のうち第１画素列グループ（ＰＣＧ１；Ｐ１１、Ｐ２１、…、Ｐ５１）ないし第１０画素列グループ（ＰＣＧ１０；Ｐ１１０、Ｐ２１０、…、Ｐ５１０）を含む第３サブ画素ブロックＳＢＬ２１と、第６画素行グループ（ＰＲＧ１；Ｐ６１、Ｐ６２、…、Ｐ６ｍ）ないし第１０画素行グループ（ＰＲＧ１０；Ｐ１０１、Ｐ１０２、…、Ｐ１０ｍ）のうち第１１画素列グループ（ＰＣＧ１１；Ｐ１１１、Ｐ２１１、…、Ｐ５１１）ないし第２０画素列グループ（ＰＣＧ２０；Ｐ１２０、Ｐ２２０、…、Ｐ５２０）を含む第４サブ画素ブロックＳＢＬ２２を含み得る。

一方、図１５でサブ画素ブロックの個数が４個である場合を示しているが、これに限定されない。また、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１で第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１に含まれる連続する画素列グループの第３の個数と第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２に含まれる連続する画素列グループの第４の個数が同じである場合を示しているが、これに限定されない。例えば、前記第３の個数と前記第４の個数が異なることがあり、さらに具体的には前記第４の個数が前記第３の個数よりも小さくてもよい。また、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２で第３サブ画素ブロックＳＢＬ２１に含まれる連続する画素列グループの第５の個数と第４サブ画素ブロックＳＢＬ２２に含まれる連続する画素列グループの第６の個数が同じである場合を示しているが、これに限定されない。例えば、前記第５の個数と前記第６の個数が異なることがあり、さらに具体的には前記第６の個数が前記第５の個数よりも小さくてもよい。

次に、発光表示装置２００の構造について具体的に説明する。以下では、発光表示装置２００の構造について複数の画素Ｐのうち第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１に含まれる画素Ｐ部分、第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２に含まれる画素Ｐ部分、第３サブ画素ブロックＳＢＬ２１に含まれる画素Ｐ部分、及び第４メイン画素ブロックＳＢＬ２２に含まれる画素Ｐ部分を例示して説明する。ここで、第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１に含まれる画素Ｐ部分は画素Ｐ１１部分として例示されて、第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２に含まれる画素Ｐ部分は画素Ｐ１２０（図１５でＰ１ｍである）部分として例示され、第３サブ画素ブロックＳＢＬ２１に含まれる画素Ｐ部分は画素Ｐ１０１（図１５でＰｎ１である）部分として例示され、第４サブ画素ブロックＳＢＬ２２に含まれる画素Ｐ部分は画素Ｐ１０２０（図１５でＰｎｍである）部分として例示される。

図１６は、図１５の第１サブブロックに含まれる画素でＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断される部分及び第２サブブロックに含まれる画素でＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断される部分の断面図であり、図１７は図１５の第３サブブロックに含まれる画素でＶ−Ｖ’線に沿って切断される部分及び第４サブブロックに含まれる画素でＶＩ−ＶＩ’線に沿って切断される部分の断面図であり、図１８ないし図２０は画素の列番号による平坦化パターン高さレベルを例示する図である。

図１６及び図１７を参照すると、発光表示装置２００は、基板１１０、活性層１１１、下部電極１１５、ゲート絶縁膜１１６、ゲート電極１１７、上部電極１１８、層間絶縁膜１１９、ソース電極１２０、ドレイン電極１２１、平坦化パターン２３０、第１電極１４０、画素定義膜２５０、有機層１６０及び第２電極１７０を含み得る。

基板１１０、活性層１１１、下部電極１１５、ゲート絶縁膜１１６、ゲート電極１１７、上部電極１１８、層間絶縁膜１１９、ソース電極１２０、ドレイン電極１２１、第１電極１４０、有機層１６０及び第２電極１７０については先立って詳細に説明したので重複する説明は省略する。

平坦化パターン２３０は、図２及び図３の平坦化パターン１３０と類似する。ただし、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１で第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１に含まれる画素Ｐ１１の平坦化パターン２３０の第１厚さＰＷ１１と、第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２に含まれる画素Ｐ１２０の平坦化パターン２３０の第２厚さＰＷ１２とが互いに異なる。例えば、画素Ｐ１２０の平坦化パターン２３０の第２厚さＰＷ１２が、画素Ｐ１１の平坦化パターン２３０の第１厚さＰＷ１１よりも厚く（大きく）てもよい。また、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２で第２サブ画素ブロックＳＢＬ２１に含まれる画素Ｐ１０１の平坦化パターン２３０の第３厚さＰＷ１３と、第４サブ画素ブロックＳＢＬ２２に含まれる画素Ｐ１０２０の平坦化パターン２３０の第４厚さＰＷ１４とが互いに異なる。例えば、画素Ｐ１０２０の平坦化パターン２３０の第４厚さＰＷ１４が、画素Ｐ１０１の平坦化パターン２３０の第３厚さＰＷ１３よりも大きくてもよい。この際、画素Ｐ１００の平坦化パターン２３０の第３厚さＰＷ１３が、画素Ｐ１２０の平坦化パターン２３０の第２厚さＰＷ１２より厚く（大きく）てもよい。

このような平坦化パターン２３０は、基板１１０の上面から画素定義膜２５０の上面までの高さＰＨが、画素Ｐ１１、画素１２０、画素１０１及び画素Ｐ１０２０ですべて同じであるように画素定義膜２５０を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第１深さＤ１１、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３及び画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第４深さＤ１４が異なるようにし得る。例えば、平坦化パターン２３０は、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第４深さＤ１４が、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３よりも浅く（小さく）、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３が、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２よりも浅く（小さく）、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２が、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第１深さＤ１１よりも浅く（小さく）なり得る。

画素Ｐ１１、画素Ｐ１２０、画素Ｐ１０１及び画素Ｐ１０２０で異なる厚さを有する平坦化パターン２３０は、ハーフトーンマスクを利用したフォトリソグラフィー工程により形成される。いくつかの実施形態で、画素Ｐ１１、画素Ｐ１２０、画素Ｐ１０１及び画素Ｐ１０２０で異なる厚さを有する平坦化パターン２３０は、マスクなしで露光量を調整するのに容易なデジタル露光機を利用したフォトリソグラフィー工程により形成され得る。平坦化パターン２３０は、感光物質、例えばネガティブ型感光物質を含んで形成される。

このように、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第１深さＤ１１、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３及び画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第４深さＤ１４が異なると、インクを画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出させて薄膜を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積と、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積と、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積とが異なり得る。この場合、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの乾燥速度とが異なり得る。例えば、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第４深さＤ１４が、画素Ｐ１０１画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３よりも浅く（小さく）、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第３深さＤ１３が、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２よりも小さく、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の第２深さＤ１２が、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１の第１深さＤ１１よりも浅ければ（小さければ）、インクを画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出させ、薄膜を形成するとき、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積が、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積よりも大きく、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積が、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積よりも大きく、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積が、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの表面積よりも大きくなり得る。この場合、画素Ｐ１０２０の画素定義膜２５０の開口部２５１内部に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度よりも速く、画素Ｐ１０１の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度よりも速く、画素Ｐ１２０の画素定義膜２５０の開口部２５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１１の画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速くなり得る。

これによって、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングと、画素Ｐ１２０にインクが吐出されるタイミングと、画素Ｐ１０１にインクが吐出されるタイミングと、画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングとが異なる場合、画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１２０に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０１に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥の速度とを異なるように調整することによって一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量（実質的にインクに含まれた溶媒の乾燥量）と、画素Ｐ１２０に吐出されたインクの乾燥量と、画素Ｐ１０１に吐出されたインクの乾燥量と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは近似するように調整され得る。前記一定時間は、画素定義膜２５０の開口部２５１の内部にインクジェットまたはノズルプリンティング方法を利用して最初にインクを吐出するタイミングから最後のインクを吐出するタイミングを経て、真空の雰囲気で別途の乾燥工程を行う直前までの時間であり得る。例えば、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングが、画素Ｐ１２０にインクが吐出されるタイミングよりも早く、画素Ｐ１２０にインクが吐出されるタイミングが画素Ｐ１０１にインクが吐出されるタイミングよりもは早く、画素Ｐ１０１にインクが吐出されるタイミングが画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングよりも早い場合、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥の速度を画素Ｐ１０１に吐出されたインクの乾燥速度よりもは速く、画素Ｐ１０１に吐出されたインクの乾燥速度を画素Ｐ１２０に吐出されたインクの乾燥速度よりも速く、画素Ｐ１２０に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速いように調整することによって、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量（実質的にインクに含まれた溶媒の乾燥量）と、画素Ｐ１２０に吐出されたインクの乾燥量と、画素Ｐ１０１に吐出されたインクの量と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは近似するように調整され得る。ここで、別途の乾燥工程の前にインクが乾燥されるのは自然乾燥によるものであり得る。

したがって、画素Ｐ間にインクが乾燥されて形成される薄膜（例えば、有機層１６０）の厚さが均一になり、発光特性が均一になり得、これによって発光表示装置２００の表示品質が向上できる。

一方、図１５では、第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１及び第３画素ブロックＳＢＬ２１のそれぞれに含まれる画素列グループが１０個であり、第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２及び第４画素ブロックＳＢＬ２２のそれぞれに含まれる画素列グループが１０個である場合を示し、図１６及び図１７で平坦化パターン１３０の高さレベルが４個である場合を説明したが、サブ画素ブロックの個数またはサブ画素ブロックに含まれる画素列グループの個数単位を異なるようにし、平坦化パターンの高さレベルを異なるようにし得る。

例えば、同じメイン画素ブロックでサブ画素ブロックの個数が画素列グループの個数と同じである場合、図１８に示すように平坦化パターンの高さレベルが、画素列番号が増加するほど増加するように平坦化パターンが形成される。すなわち、平坦化パターンの高さレベルの個数が画素列グループの個数と同じであり得る。この場合、有機層をインクジェットプリントまたはノズルプリントを利用して形成する場合、有機発光インクの吐出タイミングによる乾燥速度を詳細に調整し得る。ここで、同じメイン画素ブロックで画素列番号が後に行くほど、有機発光インクの吐出タイミングが遅くてもよい。

また、同じメイン画素ブロックで複数のサブ画素ブロックのそれぞれに含まれる画素列グループの個数が２個以上である場合、図１９に示すように平坦化パターンの高さレベルが２個以上の画素列グループ単位で画素列番号が増加するほど増加するように平坦化パターンが形成される。この場合、平坦化パターンの形成工程が容易である。ここで、同じメイン画素ブロックで画素列番号が後に行くほど、有機発光インクの吐出タイミングが遅くてもよい。

また、同じメイン画素ブロックで複数のサブ画素ブロックのそれぞれに含まれる画素列グループの個数が異なる場合、図２０に示すように不均一の画素列グループ個数単位で画素列番号が増加するほど平坦化パターンの高さレベルが増加するように平坦化パターンが形成される。例えば、第１サブ画素ブロックが第１画素列グループないし第９画素列グループを含み、第２サブ画素ブロックが第１０画素行グループないし第１６画素列グループを含み、第３サブ画素ブロックが第１７画素列グループないし第２０画素列グループを含む場合、同じメイン画素ブロックで平坦化パターンの高さレベルが９個の画素列グループ、７個の画素列グループ及び４個の画素列グループ単位で増加するように平坦化パターンが形成される。この場合、平坦化パターンの形成工程を容易にし、かつ同じメインブロックで有機発光インクの乾燥速度の差が大きい画素列グループを含むサブ画素ブロックに対して平坦化パターンの高さレベルを細かく区分するようにし得る。ここで、同じメイン画素ブロックで画素列番号が後に行くほど有機発光インクの吐出タイミングが遅く、同じメイン画素ブロックで有機発光インクの乾燥速度の差が大きい画素列グループを含むサブ画素ブロックは少ない個数の画素列グループを含むサブ画素ブロックであり得る。

画素定義膜２５０は、図３の画素定義膜１５０と類似する。ただし、画素定義膜２５０の開口部２５１は、画素Ｐ１１で第１深さＤ１１を有し、画素Ｐ１２０で第１深さＤ１１よりも浅い（小さい）第２深さＤ１２を有し、画素１０１で第２深さＤ１２よりも浅い（小さい）第３深さＤ１３を有し、画素Ｐ１０２０で第３深さＤ１３よりも浅い（小さい）第４深さＤ１４を有するように形成される。

前記のように、本発明の別の実施形態による発光表示装置２００は、サブ画素ブロック別に異なる厚さを有する平坦化パターン２３０を含むことによって、サブ画素ブロック別に画素定義膜２５０の開口部２５１の深さを異なるようにし得る。

これによって、本発明の別の実施形態による発光表示装置２００は、サブ画素ブロック別に画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されるインクの表面積を異なるようにすることによって、サブ画素ブロック別にインクの吐出タイミングが異なり、インクの乾燥時間が異なってもインクの乾燥量を同じまたは近似するようにし得る。

したがって、本発明の別の実施形態による発光表示装置２００は、画素間にインクが乾燥して形成される有機層１６０の厚さを均一にし、発光特性を均一にすることで、表示品質を向上させる。

一方、本発明の別の実施形態で、第１サブ画素ブロックＳＢＬ１１、第２サブ画素ブロックＳＢＬ１２、第３サブ画素ブロックＳＢＬ２１及び第４サブ画素ブロックＳＢＬ２２を区分する基準は、複数の画素Ｐで画素定義膜２５０の開口部２５１に吐出されるインクの乾燥速度の差を大きく４つのレベルに区分したことによるものであり得、インクの乾燥速度の差を区分するレベルの数に応じてサブ画素ブロックの個数は変わる。

本発明の別の実施形態による発光表示装置２００の製造方法は、図７ないし図１４を参照して説明した発光表示装置１００の製造方法と類似するため、重複する説明は省略する。

次に、本発明のまた別の実施形態による発光表示装置３００について説明する。

本発明のまた別の実施形態による発光表示装置３００は、図３の発光表示装置１００と比較して平坦化パターン３３０と画素定義膜３５０のみ異なり、同じ構成を有する。これによって、本発明のまた別の実施形態による発光表示装置３００では、平坦化パターン３３０と画素定義膜３５０を中心に説明する。

図２１は本発明のまた別の実施形態による発光表示装置のうち図２の部分と対応する部分の断面図であり、図２２は図２１の第１電極と画素定義膜の関係を示す断面図であり、図２３は本発明のまた別の実施形態による発光表示装置のうち図３の部分と対応する部分の断面図であり、図２４は図２３の第１電極と画素定義膜の関係を示す断面図である。

図２１ないし図２４を参照すると、本発明のまた別の実施形態による発光表示装置３００は、基板１１０、活性層１１１、下部電極１１５、ゲート絶縁膜１１６、ゲート電極１１７、上部電極１１８、層間絶縁膜１１９、ソース電極１２０、ドレイン電極１２１、平坦化パターン３３０、第１電極１４０、画素定義膜３５０、有機層１６０及び第２電極１７０を含み得る。

平坦化パターン３３０は、図２及び図３の平坦化パターン１３０と類似する。ただし、平坦化パターン２３０は、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１と第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０すべてにおいて同じ厚さＰＷ３を有する。この場合、平坦化パターン３３０は、有機物質、ポジティブ型感光物質またはネガティブ型感光物質を含んで形成される。平坦化パターン３３０は、マスクを利用したフォトリソグラフィー工程またはマスクなしでデジタル露光機を利用したフォトリソグラフィー工程により形成される。

画素定義膜３５０は、図２及び図３の画素定義膜１５０と類似する。ただし、画素定義膜３５０は、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１で開口部３５１の内壁が第１電極１４０と成す第１角（θ１）と、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０で開口部３５１の内壁が第１電極１４０と成す第２角（θ２）とが異なるように形成される。例えば、画素Ｐ１０２０で開口部３５１の内壁が第１電極１４０と成す第２角（θ２）が画素Ｐ１１で開口部３５１の内壁が第１電極１４０と成す第１角（θ１）よりも大きくてもよい。

このような画素定義膜３５０は、基板１１０の上面から画素定義膜３５０の上面までの高さＰＨが、画素Ｐ１１と画素Ｐ１０２０ですべて同じであるように画素定義膜３５０を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１の上部での面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１の上部での面積とを異なるようにし得る。例えば、画素定義膜３５０は、基板１１０の上面から画素定義膜３５０の上面までの高さＰＨが、画素Ｐ１１と画素Ｐ１０２０ですべて同じであるように画素定義膜３５０を形成するとき、画素Ｐ１０２０の画素定義膜の開口部３５１の上部の面積が、画素定義膜の開口部３５１の上部の面積よりも大きくなり得る。

画素Ｐ１１と画素１０２０で開口部３５１の上部の面積が異なる画素定義膜３５０は、マスクを利用したフォトリソグラフィー工程により形成される。いくつかの実施形態で、画素Ｐ１１と画素１０２０で開口部３５１の上部の面積が異なる画素定義膜３５０は、マスクなしで露光量を調整するのに容易なデジタル露光機を利用したフォトリソグラフィー工程により形成され得る。画素定義膜３５０は、有機物質、ポジティブ型感光物質またはネガティブ型感光物質を含んで形成される。

このように、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１の上部の面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１の上部の面積とが異なると、インクを画素定義膜３５０の開口部３５１の内部に吐出させて薄膜を形成するとき、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの表面積と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの表面積とが異なる。この場合、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの乾燥速度とが異なる。例えば、第２メイン画素ブロックＭＢＬ２に含まれる画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部１５１の上部の面積が、第１メイン画素ブロックＭＢＬ１に含まれる画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１の上部の面積よりも大きければ、インクを画素定義膜３５０の開口部３５１の内部に吐出させて薄膜を形成するとき、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの表面積が、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの表面積よりも大きくなり得る。この場合、画素Ｐ１０２０の画素定義膜３５０の開口部３５１の内部に吐出されたインクの乾燥速度が、画素Ｐ１１の画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速くなり得る。

これによって、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングと画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングが異なる場合、画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥の速度とを異なるように調整することによって、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量（実質的にインクに含まれた溶媒の乾燥量）と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは近似するように調整され得る。前記一定時間は、画素定義膜３５０の開口部３５１の内部にインクジェットまたはノズルプリンティング方法を利用して最初にインクを吐出するタイミングから最後のインクを吐出するタイミングを経て真空の雰囲気で別途の乾燥工程を行う直前までの時間であり得る。例えば、画素Ｐ１１にインクが吐出されるタイミングが、画素Ｐ１０２０にインクが吐出されるタイミングよりも早い場合、画素Ｐ１０２０の乾燥の速度を画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥速度よりも速く調整することによって、一定時間のあいだ画素Ｐ１１に吐出されたインクの乾燥量と、画素Ｐ１０２０に吐出されたインクの乾燥量とが同じまたは近似するように調整され得る。ここで、別途の乾燥工程前にインクが乾燥されるのは自然乾燥によるものであり得る。

したがって、画素Ｐ間にインクが乾燥されて形成される薄膜（例えば、有機層１６０）の厚さが均一になり、発光特性が均一になり得、これによって発光表示装置３００の表示品質が向上できる。

一方、図面に示していないが、画素定義膜３５０は、第１電極１４０と画素定義膜３５０の開口部３５１の内壁が成す角が、図４ないし図６と同じ方式で画素行番号が増加するほど増加するように形成される。

前記のように、本発明のまた別の実施形態による発光表示装置３００は、メイン画素ブロック別に第１電極１４０と、開口部３５１の内壁とが成す角が、異なる画素定義膜３５０を含むことによって、メイン画素ブロック別に画素定義膜１５０の開口部３５１の上部の面積を異なるようにし得る。

これによって、本発明のまた別の実施による発光表示装置３００は、メイン画素ブロック別に画素定義膜３５０の開口部３５１に吐出されるインクの表面積を異なるようにすることによって、メイン画素ブロック別にインクの吐出タイミングが異なり、インクの乾燥時間が異なってもインクの乾燥量を同じまたは近似するようにし得る。

したがって、本発明の一実施形態による発光表示装置３００は、画素間にインクが乾燥して形成される有機層１６０の厚さを均一にして発光特性を均一にすることにより、表示品質を向上させる。

発明の別の実施形態による発光表示装置３００の製造方法は、図７ないし図１４を参照して説明した発光表示装置１００の製造方法と類似する。ただし、平坦化パターン１３０がすべての画素で同じ厚さを有し、メイン画素ブロック別の画素定義膜３５０の開口部３５１の内壁と第１電極１４０が成す角を異なるようにする点のみ異なる。

以上添付した図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明のその技術的思想や必須の特徴を変更しない範囲で別の具体的な形態で実施され得ることを理解できるであろう。したがって、上記実施形態はすべての面で例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。

１００、２００、３００ 発光表示装置、
１１０ 基板、
１３０、２３０、３３０ 平坦化パターン、
１４０ 第１電極、
１５０、２５０、３５０ 画素定義膜、
１６０ 有機層、
１７０ 第２電極。

Claims (10)

1. 第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列され、第１メイン画素ブロックと第２メイン画素ブロックに区分される複数の画素が定義される基板と、
   前記基板上に配置される平坦化パターンと、
   前記平坦化パターン上に前記各画素別に形成される第１電極と、
   前記基板上に前記各画素を区切り、前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜と、
   前記第１電極上に形成される有機層と、
   前記有機層上に形成される第２電極と、を含み、
   前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の平坦化パターンの厚さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の平坦化パターンの厚さよりも厚い、発光表示装置。
2. 前記基板の上面から前記画素定義膜の上面までの高さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素とで同じである、請求項１に記載の発光表示装置。
3. 前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の深さは、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の深さよりも浅い、請求項１または２に記載の発光表示装置。
4. 前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記有機層は、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記有機層よりも高い位置に位置する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光表示装置。
5. 前記平坦化パターンは、感光物質を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光表示装置。
6. 第１方向と、前記第１方向と交差する第２方向とに沿って配列され、第１メイン画素ブロックと第２メイン画素ブロックに区分される複数の画素が定義される基板と、
   前記基板上に配置される平坦化パターンと、
   前記平坦化パターン上に前記各画素別に形成される第１電極と、
   前記基板上に前記各画素を区切り、前記第１電極を露出する開口部を有する画素定義膜と、
   前記第１電極上に形成される有機層と、
   前記有機層上に形成される第２電極と、を含み、
   前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の画素定義膜の開口部の内壁と前記第１電極とが成す角が、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の画素定義膜の開口部の内壁と前記第１電極とが成す角よりも大きい、発光表示装置。
7. 前記基板の上面から前記画素定義膜の上面までの高さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素とで同じである、請求項６に記載の発光表示装置。
8. 前記平坦化パターンの厚さが、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素と、前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素とで同じである、請求項６または７に記載の発光表示装置。
9. 前記第２メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の上部の面積は、前記第１メイン画素ブロックに含まれる画素の前記画素定義膜の開口部の上部の面積よりも大きい、請求項６に記載の発光表示装置。
10. 前記画素定義膜は、感光物質を含む、請求項６に記載の発光表示装置。