CN105742165A - 半导体晶圆紫外光固化方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种半导体晶圆紫外光固化方法，包括：在晶圆的正上方布置紫外光灯组；在紫外光灯至晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启紫外光灯，并且在使得紫外光灯在平行于晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用紫外光灯发出的紫外光照射晶圆表面，以对晶圆进行固化处理。所述紫外光灯组包括与晶圆的表面平行地并排布置的多个紫外光灯，而且所述紫外光灯组中的所述多个紫外光灯的光强从中心向两侧依次减弱。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种半导体晶圆紫外光固化方法。
背景技术
对于紫外光固化工艺，由于目前工艺工具结构问题，紫外光固化处理过程中是一直的旋转的；在固定处理时间的情况下，晶圆表面实际紫外光固化的时间随着从中心的到边缘，随着半径的增加而减少。从而导致中心区域存在过度固化、收缩(shrinkage)偏高，而晶圆边缘固化时间偏少、收缩偏低的问题。晶圆整体收缩的不均匀导致，导致后续工艺的刻蚀速率和化学机械研磨去除速率在晶圆的不同区域存在差距，后续处理较难控制，最终的WAT测试的RC/RS的偏差范围偏大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够半导体晶圆紫外光固化方法。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种半导体晶圆紫外光固化方法，包括：
第一步骤：在晶圆的正上方布置紫外光灯组；
第二步骤：在紫外光灯至晶圆的光路上布置透光玻璃层；
第三步骤：开启紫外光灯，并且在使得紫外光灯在平行于晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用紫外光灯发出的紫外光照射晶圆表面，以对晶圆进行固化处理。
优选地，所述紫外光灯组包括与晶圆的表面平行地并排布置的多个紫外光灯。
优选地，所述紫外光灯组中的紫外光灯的数量至少为3个。
优选地，所述紫外光灯组中的所述多个紫外光灯的光强从中心向两侧依次减弱。
优选地，优选地，所述紫外光灯组中的所述多个紫外光灯的光强相对于所述紫外光灯组的中心对称分布。
优选地，所述紫外光灯组包括与晶圆的表面平行地依次并排布置的第一紫外光、第二紫外光、第三紫外光、第四紫外光和第五。
优选地，第三紫外光的光强相对于第二紫外光和第四紫外光较弱。
优选地，第二紫外光的光强相对于第一紫外光较弱。
优选地，第四紫外光的光强相对于第五紫外光较弱。
由此，本发明通过改进紫外光灯的结构来降低晶圆中心到边缘的固化差异，从而改善晶圆紫外光固化整体的均匀性。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体晶圆紫外光固化方法的示意图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的半导体晶圆紫外光固化方法的示意图。
如图1所示，根据本发明优选实施例的半导体晶圆紫外光固化方法包括：
第一步骤S1：在晶圆100的正上方布置紫外光灯组400；
其中，所述紫外光灯组300包括与晶圆100的表面平行地并排布置的多个紫外光灯。优选地，所述紫外光灯组300中的紫外光灯的数量至少为3个。
而且，所述紫外光灯组300中的所述多个紫外光灯的光强从中心向两侧依次减弱。而且，优选地，所述紫外光灯组300中的所述多个紫外光灯的光强相对于所述紫外光灯组300的中心对称分布。
具体地，例如，图1示出了所述紫外光灯组300包括与晶圆100的表面平行地依次并排布置的第一紫外光10、第二紫外光20、第三紫外光30、第四紫外光40和第五紫外光50的情况；其中，第三紫外光30的光强相对于第二紫外光20和第四紫外光40较弱，第二紫外光20的光强相对于第一紫外光10较弱，第四紫外光40的光强相对于第五紫外光50较弱。
第二步骤S2：在紫外光灯300至晶圆100的光路上布置透光玻璃层200；
第三步骤S3：开启紫外光灯300，并且在使得紫外光灯300在平行于晶圆100表面的平面上旋转的情况下，利用紫外光灯300发出的紫外光照射晶圆100表面，以对晶圆100进行固化处理。
由此，本发明通过改进紫外光灯的结构来降低晶圆中心到边缘的固化差异，从而改善晶圆紫外光固化整体的均匀性。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (9)
1.一种半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于包括：
第一步骤：在晶圆的正上方布置紫外光灯组；
第二步骤：在紫外光灯至晶圆的光路上布置透光玻璃层；
第三步骤：开启紫外光灯，并且在使得紫外光灯在平行于晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用紫外光灯发出的紫外光照射晶圆表面，以对晶圆进行固化处理。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，所述紫外光灯组包括与晶圆的表面平行地并排布置的多个紫外光灯。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，所述紫外光灯组中的紫外光灯的数量至少为3个。
4.根据权利要求2或3所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，所述紫外光灯组中的所述多个紫外光灯的光强从中心向两侧依次减弱。
5.根据权利要求2或3所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，所述紫外光灯组中的所述多个紫外光灯的光强相对于所述紫外光灯组的中心对称分布。
6.根据权利要求1或2所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，所述紫外光灯组包括与晶圆的表面平行地依次并排布置的第一紫外光、第二紫外光、第三紫外光、第四紫外光和第五。
7.根据权利要求6所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，第三紫外光的光强相对于第二紫外光和第四紫外光较弱。
8.根据权利要求6所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，第二紫外光的光强相对于第一紫外光较弱。
9.根据权利要求6所述的半导体晶圆紫外光固化方法，其特征在于，第四紫外光的光强相对于第五紫外光较弱。
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