CN107818930A - 一种半导体晶圆uv固化方法 - Google Patents

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颜维成
孙虹
李司元
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Abstract

本发明公开了一种半导体晶圆UV固化方法，包括以下步骤：(1)将含有至少一种掺质的半导体材料熔化后加入半导体晶圆中进行浸浴；再将含有掺质的补充性半导体材料添增在半导体晶圆中进行浸浴；(2)在浸浴的半导体晶圆的正上方布置UV灯组；在UV灯至半导体晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启UV灯，并且在使得UV灯在平行于半导体晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用UV灯发出的UV光照射半导体晶圆表面，以对半导体晶圆进行固化处理。

Description

一种半导体晶圆UV固化方法
技术领域
本发明涉及半导体晶圆技术领域，具体涉及一种半导体晶圆UV固化方法。
背景技术
对于紫外光固化工艺，由于目前工艺工具结构问题，紫外光固化处理过程中是一直的旋转的；在固定处理时间的情况下，晶圆表面实际紫外光固化的时间随着从中心的到边缘，随着半径的增加而减少。从而导致中心区域存在过度固化、收缩(shrinkage)偏高，而晶圆边缘固化时间偏少、收缩偏低的问题。晶圆整体收缩的不均匀导致，导致后续工艺的刻蚀速率和化学机械研磨去除速率在晶圆的不同区域存在差距，后续处理较难控制，最终的WAT测试的RC/RS的偏差范围偏大。
发明内容
本发明旨在提供了一种半导体晶圆UV固化方法。
本发明提供如下技术方案：
一种半导体晶圆UV固化方法，包括以下步骤：
(1)将含有至少一种掺质的半导体材料熔化后加入半导体晶圆中进行浸浴；再将含有掺质的补充性半导体材料添增在半导体晶圆中进行浸浴；
(2)在浸浴的半导体晶圆的正上方布置UV灯组；在UV灯至半导体晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启UV灯，并且在使得UV灯在平行于半导体晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用UV灯发出的UV光照射半导体晶圆表面，以对半导体晶圆进行固化处理。
所述补充性半导体材料按固体形式添增至半导体晶圆中进行浸浴，并且融化补充性半导体材料且混合于熔化半导体晶圆中。
所述UV灯组中的所述多个UV灯的光强从中心向两侧依次增强。
所述UV灯波长范围280-315nm。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明通过固化前在的半导体晶圆上掺质的半导体材料进行融化，使得固化后的半导体晶圆拥有均齐的电阻率，同时避免在该半导体的整个或绝大部分上的导电性类型变化；通过改进紫外光灯的结构来降低晶圆中心到边缘的固化差异，从而改善晶圆紫外光固化整体的均匀性。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一种半导体晶圆UV固化方法，包括以下步骤：
(1)将含有至少一种掺质的半导体材料熔化后加入半导体晶圆中进行浸浴；再将含有掺质的补充性半导体材料添增在半导体晶圆中进行浸浴；
(2)在浸浴的半导体晶圆的正上方布置UV灯组；在UV灯至半导体晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启UV灯，并且在使得UV灯在平行于半导体晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用UV灯发出的UV光照射半导体晶圆表面，以对半导体晶圆进行固化处理。
所述补充性半导体材料按固体形式添增至半导体晶圆中进行浸浴，并且融化补充性半导体材料且混合于熔化半导体晶圆中。
所述UV灯组中的所述多个UV灯的光强从中心向两侧依次增强。所述UV灯波长范围280-315nm。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于所述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是所述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (4)

1.一种半导体晶圆UV固化方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将含有至少一种掺质的半导体材料熔化后加入半导体晶圆中进行浸浴；再将含有掺质的补充性半导体材料添增在半导体晶圆中进行浸浴；
(2)在浸浴的半导体晶圆的正上方布置UV灯组；在UV灯至半导体晶圆的光路上布置透光玻璃层；开启UV灯，并且在使得UV灯在平行于半导体晶圆表面的平面上旋转的情况下，利用UV灯发出的UV光照射半导体晶圆表面，以对半导体晶圆进行固化处理。
2.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆UV固化方法，其特征在于：所述补充性半导体材料按固体形式添增至半导体晶圆中进行浸浴，并且融化补充性半导体材料且混合于熔化半导体晶圆中。
3.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆UV固化方法，其特征在于：所述UV灯组中的所述多个UV灯的光强从中心向两侧依次增强。
4.根据权利要求1所述的一种半导体晶圆UV固化方法，其特征在于：所述UV灯波长范围280-315nm。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103088407A (zh) * 2009-01-05 2013-05-08 法国原子能委员会 在晶体化过程中添增掺质半导体进料的半导体固化方法
CN105742165A (zh) * 2016-02-26 2016-07-06 上海华力微电子有限公司 半导体晶圆紫外光固化方法
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Application publication date: 20180320

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