CN103899934A - 发光二极管模组及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种发光二极管模组,包括发光二极管及盖置于该发光二极管上的透镜,所述透镜包括入光面及与该入光面相对设置的出光面,所述发光二极管模组还包括覆盖在透镜的出光面上的扩散薄膜,所述扩散薄膜由聚酯类化合物掺杂高分子扩散粒子而制成。与现有技术相比,本发明的发光二极管模组中,所述透镜的出光面上进一步覆盖有扩散薄膜,自发光二极管发出的光线经过透镜的调整之后,再经过扩散薄膜的扩散以均匀地射出。由此,从而防止发光二极管模组的出光出现中央亮点以及边缘黄晕的现象。本发明还提供一种上述发光二极管模组的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光二极管模组,特别是指一种用于背光模组的发光二极管模组及其制造方法。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源,已被广泛地应用于各种用途当中,特别是背光照明当中。在背光照明当中,为了均匀光线,通常会搭配扩散透镜使用,使发光二极管发出的光线能以较大角度出射,从而达到大面积照明的效果。
然而,在实际使用中,发光二极管发出的光线经过透镜的扩散之后,由于光线在发光二极管的光轴附近比较集中,有时并不能完全消除中央亮点以及边缘黄晕的现象,不利于背光照明。
发明内容
因此,有必要提供一种能够出光均匀的发光二极管模组及其制造方法。
一种发光二极管模组,包括发光二极管及盖置于该发光二极管上的透镜,所述透镜包括入光面及与该入光面相对设置的出光面,所述发光二极管模组还包括覆盖在透镜的出光面上的扩散薄膜,所述扩散薄膜由聚酯类化合物掺杂高分子扩散粒子而制成。
一种发光二极管模组的制造方法,包括以下步骤:
步骤一,提供透镜,该透镜具有入光面及与该入光面相对设置的出光面;
步骤二,提供掺杂有高分子扩散粒子的液态聚酯类化合物,通过旋转涂布工艺涂覆在该透镜的出光面上,在透镜的出光面上形成扩散薄膜;以及
步骤三,提供发光二极管,将所述透镜固定盖置于该发光二极管上,其中透镜的入光面面向发光二极管设置。
与现有技术相比,本发明的发光二极管模组中,所述透镜的出光面上进一步覆盖有扩散薄膜,自发光二极管发出的光线经过透镜的调整之后,再经过扩散薄膜的扩散以均匀地射出。由此,从而防止发光二极管模组的出光出现中央亮点以及边缘黄晕的现象。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1示出了本发明一实施例的发光二极管模组的元件示意图。
主要元件符号说明
发光二极管模组 | 10 |
发光二极管 | 20 |
基座 | 22 |
发光芯片 | 24 |
透镜 | 30 |
入光面 | 32 |
出光面 | 34 |
凹陷部 | 340 |
连接面 | 36 |
扩散薄膜 | 40 |
如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。
具体实施方式
请参阅图1,本发明一实施例的发光二极管模组10包括发光二极管20、盖置于该发光二极管20上的透镜30及覆盖在透镜30上的扩散薄膜40。
上述发光二极管20包括基座22及固定于基座22上的发光芯片24。所述基座22由环氧树脂、硅胶或陶瓷等绝缘材料制成。所述发光芯片24由氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓等半导体材料制成,其可受电流激发产生可见光。
上述透镜30位于发光二极管20的正上方并与发光二极管20隔开设置。该透镜30由聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯等透明材料制成。透镜30包括在其底面形成的入光面32、在其顶面形成的与该入光面32相对设置的出光面34及连接入光面32与出光面34的连接面36。本实施例中,该透镜30的入光面32为一自由曲面,该出光面34由二自由曲面连接而成,在该出光面34的中部对应形成一凹陷部340。所述入光面32的中轴与发光二极管20的光轴I重合,并对应穿过出光面34的二自由曲面交界处。该入光面32正对面向发光二极管20的发光芯片24设置。该出光面34的二自由曲面的形状相同,且曲率小于作为入光面32的自由曲面的曲率。可以理解地,所述出光面34也可以为一自由曲面,该自由曲面的曲率小于作为入光面32的自由曲面的曲率,而且,根据出光需要,入光面32的自由曲面及出光面34的自由曲面可选择向发光二极管20所在方向凸起或向远离发光二极管20所在方向凸起。自发光二极管20以小角度出射的光线射入透镜30内,并经过透镜30的折射以较大的出射角穿过出光面34而射出透镜30外。该透镜30内可以进一步均匀掺杂有荧光粉,荧光粉可由钇铝石榴石、硅酸盐等荧光材料制成。
上述扩散薄膜40涂布在透镜30的出光面34上。在本实施例中,该扩散薄膜40覆盖透镜30的整个出光面34,可以理解地,根据实际出光需要,该扩散薄膜40可以仅覆盖透镜30的部分出光面34上,如透镜30的出光面34对应发光二极管20的光轴I附近区域。所述扩散薄膜40由聚酯类化合物掺杂高分子扩散粒子而制成。所述聚酯类化合物可以为聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯或聚芳酯中的一种或几种的混合物。所述聚酯类化合物与高分子扩散粒子掺杂的成分比例较佳为聚酯类高分子化合物占90%~95%,高分子扩散粒子对应占5%~10%。该扩散薄膜40的平均厚度较佳为38μm。在本实施例中,由于扩散薄膜40在出光面34中心处的厚度大于在出光面34其他区域的厚度,这样对光轴I附近光线集中的区域增强了扩散效果。优选地,扩散薄膜40的厚度由出光面34中心处向外逐渐减少;扩散薄膜40在出光面34中心处的厚度比扩散薄膜40在出光面34外缘的厚度大5%~10%。
与现有技术相比,本发明的发光二极管模组10中,所述透镜30的出光面34上进一步覆盖有扩散薄膜40,自发光二极管20发出的光线经过透镜30的调整之后,再经过扩散薄膜40的扩散以均匀地射出。由此,从而防止发光二极管模组10的出光出现中央亮点以及边缘黄晕的现象。本发明的发光二极管模组10可以作为光源组件适用于背光模组中。
另外,本发明还提供一种上述发光二极管模组10的制造方法,包括以下步骤:
提供透镜30,该透镜30具有入光面32及与该入光面32相对设置的出光面34;
提供掺杂有高分子扩散粒子的液态聚酯类化合物,通过旋转涂布工艺涂覆在该透镜30的出光面34上,其中透镜30被吸附固定在一转台上,用于涂布的液态聚酯类化合物被滴至出光面34的中部上,控制转台旋转速度及制程时间,经过固化,在透镜30的出光面34上形成扩散薄膜40;
提供发光二极管20,将所述透镜30固定盖置于该发光二极管20上,其中透镜的入光面32面向发光二极管20设置。
可以理解的是,对于本领域的普通技术人员来说,可以根据本发明的技术构思做出其它各种相应的改变与变形,而所有这些改变与变形都应属于本发明权利要求的保护范围。
Claims (10)
1.一种发光二极管模组,包括发光二极管及盖置于该发光二极管上的透镜,所述透镜包括入光面及与该入光面相对设置的出光面,其特征在于:所述发光二极管模组还包括覆盖在透镜的出光面上的扩散薄膜,所述扩散薄膜由聚酯类化合物掺杂高分子扩散粒子而制成。
2.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述聚酯类化合物与高分子扩散粒子掺杂的成分比例为聚酯类高分子化合物占90%~95%,高分子扩散粒子对应占5%~10%。
3.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述聚酯类化合物为聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯或聚芳酯中的一种或几种的混合物。
4.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述出光面由二自由曲面连接而成,在该出光面的中部对应形成一凹陷部,所述发光二极管的光轴穿过出光面的二自由曲面交界处。
5.如权利要求4所述的发光二极管模组,其特征在于:所述透镜的入光面为自由曲面,该入光面的中轴与发光二极管的光轴重合,所述出光面的二自由曲面的形状相同,且曲率小于所述入光面的自由曲面的曲率。
6.如权利要求1所述的发光二极管模组,其特征在于:所述扩散薄膜在出光面中心处的厚度大于在出光面上其他区域的厚度。
7.如权利要求6所述的发光二极管模组,其特征在于:所述扩散薄膜的厚度由出光面中心处向外逐渐减少。
8.如权利要求6所述的发光二极管模组,其特征在于:所述扩散薄膜在出光面中心处的厚度比扩散薄膜在出光面外缘的厚度大5%~10%。
9.一种发光二极管模组的制造方法,用来制造如权利要求1至8中任一项所述的发光二极管模组,包括以下步骤:
步骤一,提供透镜,该透镜具有入光面及与该入光面相对设置的出光面;
步骤二,提供掺杂有高分子扩散粒子的液态聚酯类化合物,通过旋转涂布工艺涂覆在该透镜的出光面上,在透镜的出光面上形成扩散薄膜;
步骤三,提供发光二极管,将所述透镜固定盖置于该发光二极管上,其中透镜的入光面面向发光二极管设置。
10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于:在所述步骤二中,透镜被吸附固定在一转台上,用于涂布的液态聚酯类化合物被滴至出光面的中部上,控制转台旋转速度及制程时间,固化形成扩散薄膜。
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