CN105734669A - 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法 - Google Patents

一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105734669A
CN105734669A CN201610204639.0A CN201610204639A CN105734669A CN 105734669 A CN105734669 A CN 105734669A CN 201610204639 A CN201610204639 A CN 201610204639A CN 105734669 A CN105734669 A CN 105734669A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
crystal
crystals
growth
charge bar
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610204639.0A
Other languages
English (en)
Inventor
王越
马云峰
蒋毅坚
徐宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing University of Technology
Original Assignee
Beijing University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing University of Technology filed Critical Beijing University of Technology
Priority to CN201610204639.0A priority Critical patent/CN105734669A/zh
Publication of CN105734669A publication Critical patent/CN105734669A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/22—Complex oxides
    • C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/28—Controlling or regulating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1?xTax)2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3、Ta2O5和Nb2O5按Ca0.28Ba0.72(Nb1?xTax)2O6化学计量比进行配料，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料等静压下制成素坯棒后烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为1～2mm/h开始生长后冷却至室温。本发明长出直径为5.2～6.5mm、最长可达70mm的Ca0.28Ba0.72(Nb1?xTax)2O6晶体，成晶质量高，工艺简单，效率高。随着Ta替代量的增加，CBNT单晶相对CBN?28单晶,通过Ta离子部分替代NbO6八面体中的Nb离子，更有效的调控其电学性质和光学性质,介电常数ε33成倍数提高。

Description

一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法
技术领域
本发明属于Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6(简称CBNT)系列晶体生长领域，具体涉及到一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法。
背景技术
铌酸盐和钽酸盐晶体，比如LiNbO3,LiTaO3,(Sr,Ba)Nb2O6和(Ca,Ba)Nb2O6同属于一类重要的铁电材料，因为它们具有优良的介电、压电、铁电和电光性质。广泛应用于激光倍频、电光调制、联想存储记忆、光学信息处理、图像放大、实时和动态干涉计量、超导、湿度传感器、热电探测器固体燃料等领域。
Ca0.28Ba0.72Nb2O6晶体近些年被广泛深入地研究，它的居里温度比SBN高出约200℃，室温下属于四方晶系，具有4mm点群、P4bm空间群。具有四方钨青铜结构的铌酸盐的化学通式为(A1)2(A2)4C4Nb10O30，A1位被Ca离子填充，A2位被Ba粒子填充，C位未被填充，属于部分填满型钨青铜结构。我们通过Ta离子部分替代NbO6八面体中的Nb离子，相对于Ca离子对Ba离子的替换更有效的调控其电学性质和光学性质。
光学浮区法作为一种新的高效的晶体生长方法近年来得到迅速发展，它采用光学聚焦红外光于熔融多晶料棒，在籽晶和送料棒之间形成一段非常窄的熔区，靠溶液的表面张力和重力来维持平衡，熔区自上而下或者自下而上移动来进行生长，由于其无需坩埚，广泛应用于高温难熔氧化物、金属间化合物、易挥发易污染材料的生长。Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6相当于(Ca,Ba)Nb2O6和(Ca,Ba)Ta2O6两相的混合，形成单晶的组分区间更窄，比如分凝效应更明显，生长条件更苛刻，比如需要大幅降低生长速度。由于熔区附近温度梯度大，光学浮区法能抑制分凝效应的不利影响，也可快速自发成核生长晶体，易保留晶体高温相，通过CCD对熔区进行实时动态精确观察，便于对熔区进行有效调控，优化结晶质量。
我们采用的光学浮区法进行的Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6(x＝0.04,0.1,0.2,0.3)系列单晶的生长，对生长气氛和压强无特殊要求，晶体完整性好，结晶质量高，重复性好，是一种棒状晶体生长的新方法，长度可达70mm。
发明内容
本发明的目的是通过Ta离子部分替代NbO6八面体中的Nb离子，相对于Ca离子对Ba离子的替换更有效的调控其电学性质和光学性质，Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6相当于(Ca,Ba)Nb2O6和(Ca,Ba)Ta2O6两相的混合，形成单晶的组分区间更窄，比如分凝效应更明显，生长条件更苛刻，比如需要大幅降低生长速度。针对Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体生长过程中存在的问题和材料本身的特点，提供了一种在常压空气中，制备出高质量厘米级Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的生长方法。首先要制备出致密均匀单相的优质料棒，其次是摸索出光学浮区法生长该系列单晶的生长功率、生长速度、料棒籽晶转速等最佳工艺参数。
为了解决上述技术问题，本发明是通过以下方案实现的：
(1)将粉料CaCO3、BaCO3、Nb2O5和Ta2O5按Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.04,0.1,0.2或0.3，球磨烘干、200目过筛；在1250℃保温20h条件下预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；
(2)将(1)中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；
(3)将(2)中制得的素坯棒在提拉旋转烧结炉中1350～1410℃保温12h～24h烧结得到致密均匀多晶料棒；
(4)将(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置料棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为20～40rpm，浮区炉的卤素灯的输出功率为1150～1210W，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为1～2mm/h开始生长；
(5)设置降温时间为6～12h，将生长出的晶体冷却至室温。
本发明工艺的特点是
(1)提供了一种Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体生长的方法，直径为5.2～6.5mm、长10～70mm的浅黄透明Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体(如图1)被首次生长出来。晶体粉末X射线衍射图(峰尖锐,相纯)(如图2),单晶X射线衍射投影图显示CBNT晶体的结晶完整度高，如图3、4所示。随着Ta替代量的增加，CBNT单晶相对CBN-28单晶介电常数ε33成倍数提高，如表1所示。
(2)光学浮区法无需坩埚，避免了高温熔体对坩埚的腐蚀问题，消除了坩埚带来的潜在污染。
(3)不需要特殊气氛压强环境，只需在常压空气气氛中即可完成晶体生长，简化了工艺。
(4)本工艺生长速度快(1～2mm/h)，制备周期较短，效率高。
附图说明
图1是实施例1、2、3、4的Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6晶体形貌图
图2是实施例1、2的Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6晶体粉末XRD图谱
图3是实施例1的Ca0.28Ba0.72(Nb0.96Ta0.04)2O6晶体的单晶X射线衍射在(001)(010)(100)(002)(020)(200)晶面的投影图
图4是实施例2的Ca0.28Ba0.72(Nb0.9Ta0.1)2O6晶体的单晶X射线衍射在(001)(010)(100)(002)(020)(200)晶面的投影图
表1是Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体室温介电性能
表2是Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的居里温度及晶格结构常数
具体实施方式
实施例1：
(1)本发明所使用的晶体生长炉为日本Crystal Systems Corporation生产的FZ-T-10000-VI-VPO-PC光学浮区法单晶生长炉，生长的为Ca0.28Ba0.72(Nb0.96Ta0.04)2O6晶体。
将粉料CaCO3(99.99％)、BaCO3(99.95％)、Ta2O5(99.995％)和Nb2O5(99.9985％)按Ca0.28Ba0.72(Nb0.96Ta0.04)2O6化学计量比进行称量，置于装有ZrO2磨介的尼龙罐中，以无水乙醇为弥散剂球磨、烘干，200目过筛后再将粉料放入Al2O3坩埚中，用硅钼炉在1250℃预烧20h,粉碎80目过筛后再次球磨、烘干、200目过筛。得到纯相Ca0.28Ba0.72(Nb0.96Ta0.04)2O6粉料。
(2)将步骤(1)制得的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细密度均匀的素坯棒。
(2)将步骤(2)制得的料棒放在垂直提拉旋转炉中1350℃烧结12h得到致密均匀多晶料棒。
(4)将步骤(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置升温速率为60℃/min至料棒和籽晶融化，卤素灯的输出功率为1150W，调整料棒和籽晶的旋转方向为反向，上旋转速率为40rpm,下旋转速率为25rpm，对接。设置晶体生长速度为1mm/h开始生长。生长的晶体尺寸为Φ5.5mm×70mm,生长时间为75h。
(5)设置降温时间为6h，将生长出的晶体冷却至室温。
实施例2：
(1)本发明所使用的晶体生长炉为日本Crystal Systems Corporation生产的FZ-T-10000-VI-VPO-PC光学浮区法单晶生长炉，生长的为Ca0.28Ba0.72(Nb0.9Ta0.1)2O6晶体。
将粉料CaCO3(99.99％)、BaCO3(99.95％)、Ta2O5(99.995％)和Nb2O5(99.9985％)按Ca0.28Ba0.72(Nb0.9Ta0.1)2O6化学计量比进行称量，置于装有ZrO2磨介的尼龙罐中，以无水乙醇为弥散剂球磨,烘干200目过筛后再将粉料放入Al2O3坩埚中，用硅钼炉在1250℃预烧20h,粉碎80目过筛后再次球磨、烘干、200目过筛。得到纯相Ca0.28Ba0.72(Nb0.9Ta0.1)2O6粉料。
(2)将步骤(1)制得的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细密度均匀的素坯棒。
(3)将步骤(2)制得的料棒放在垂直提拉旋转炉中1380℃烧结12h得到致密均匀多晶料棒。
(4)将步骤(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置升温速率为80℃/min至料棒和籽晶融化，卤素灯的输出功率为1180W调整料棒和籽晶的旋转方向为反向，上旋转速率为40rpm,下旋转速率为20rpm,对接。设置晶体生长速度为2mm/h开始生长。生长的晶体尺寸为Φ6.5mm×70mm,生长时间为40h。
(5)设置降温时间为12h，将生长出的晶体冷却至室温。
实施例3：
(1)本发明所使用的晶体生长炉为日本Crystal Systems Corporation生产的FZ-T-10000-VI-VPO-PC光学浮区法单晶生长炉，生长的为Ca0.28Ba0.72(Nb0.8Ta0.2)2O6晶体。
将粉料CaCO3(99.99％)、BaCO3(99.95％)、Ta2O5(99.995％)和Nb2O5(99.9985％)按Ca0.28Ba0.72(Nb0.8Ta0.2)2O6化学计量比进行称量，置于装有ZrO2磨介的尼龙罐中，以无水乙醇为弥散剂球磨,烘干200目过筛后再将粉料放入Al2O3坩埚中，用硅钼炉在1250℃预烧20h,粉碎80目过筛后再次球磨、烘干、200目过筛。得到纯相Ca0.28Ba0.72(Nb0.8Ta0.2)2O6粉料。
(2)将步骤(1)制得的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细密度均匀的素坯棒。
(3)将步骤(2)制得的料棒放在垂直提拉旋转炉中1410℃烧结24h得到致密均匀多晶料棒。
(4)将步骤(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置升温速率为100℃/min至料棒和籽晶融化，卤素灯的输出功率为1210W调整料棒和籽晶的旋转方向为反向，上旋转速率为35rpm,下旋转速率为35rpm,对接。设置晶体生长速度为1mm/h开始生长。生长的晶体尺寸为Φ6mm×10mm,生长时间为11h。
(5)设置降温时间为6h，将生长出的晶体冷却至室温。
实施例4：
(1)本发明所使用的晶体生长炉为日本Crystal Systems Corporation生产的FZ-T-10000-VI-VPO-PC光学浮区法单晶生长炉，生长的为Ca0.28Ba0.72(Nb0.7Ta0.3)2O6晶体。
将粉料CaCO3(99.99％)、BaCO3(99.95％)、Ta2O5(99.995％)和Nb2O5(99.9985％)按Ca0.28Ba0.72(Nb0.7Ta0.3)2O6化学计量比进行称量，置于装有ZrO2磨介的尼龙罐中，以无水乙醇为弥散剂球磨,烘干200目过筛后再将粉料放入Al2O3坩埚中，用硅钼炉在1250℃预烧20h,粉碎80目过筛后再次球磨、烘干、200目过筛。得到纯相Ca0.28Ba0.72(Nb0.7Ta0.3)2O6粉料。
(2)将(1)制得的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细密度均匀的素坯棒。
(3)将步骤(2)制得的料棒放在垂直提拉旋转炉中1410℃烧结20h得到致密均匀多晶料棒。
(4)将步骤(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置升温速率为60℃/min至料棒和籽晶融化，卤素灯的输出功率为1210W调整料棒和籽晶的旋转方向为反向，上旋转速率为40rpm,旋转速率为30rpm，对接。设置晶体生长速度为1mm/h开始生长。生长的晶体尺寸为Φ5.2mm×35mm,生长时间为40h。
(5)设置降温时间为12h，将生长出的晶体冷却至室温。
表1 Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体室温介电性能
表2 Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的居里温度及晶格结构常数

Claims (1)

1.一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法，其特征在于步骤如下：
(1)将粉料CaCO3、BaCO3、Ta2O5和Nb2O5按Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.04、0.10、0.20或0.30，球磨烘干、200目过筛；在1250℃保温20h条件下预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；
(2)将(1)中制得的80目过筛后的粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，在65MPa等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；
(3)将(2)中制得的素坯棒在提拉旋转烧结炉中1350～1410℃保温12h～24h烧结得到致密均匀多晶料棒；
(4)将(3)制得的多晶料棒置于浮区炉中，设置料棒和籽晶的旋转方向为反向，旋转速度为20～40rpm，浮区炉的卤素灯的输出功率为1150～1210W，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为1～2mm/h开始生长；
(5)设置降温时间为6～12h，将生长出的晶体冷却至室温。
CN201610204639.0A 2016-04-03 2016-04-03 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法 Pending CN105734669A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610204639.0A CN105734669A (zh) 2016-04-03 2016-04-03 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610204639.0A CN105734669A (zh) 2016-04-03 2016-04-03 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105734669A true CN105734669A (zh) 2016-07-06

Family

ID=56252754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610204639.0A Pending CN105734669A (zh) 2016-04-03 2016-04-03 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105734669A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108360062A (zh) * 2018-02-02 2018-08-03 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63994A (ja) * 1986-06-18 1988-01-05 松下電器産業株式会社 薄膜電場発光素子の製造法
CN102358954A (zh) * 2011-10-12 2012-02-22 北京工业大学 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63994A (ja) * 1986-06-18 1988-01-05 松下電器産業株式会社 薄膜電場発光素子の製造法
CN102358954A (zh) * 2011-10-12 2012-02-22 北京工业大学 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
AKINORI KAN ET AL.: "Crystal Structural Characterization and Microwave Dielectric Properties of Ca(Ta2-xNbx)O6 Ceramics", 《JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS》 *
SURINDERJIT SINGH BHELLA ET AL.: "Sintering Effects on Proton Conductivity of Ta-Doped Ba2(CaNb)2O6 and its Reactivity with SOFC Cathodes", 《JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY》 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108360062A (zh) * 2018-02-02 2018-08-03 北京中材人工晶体研究院有限公司 一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法
CN108360062B (zh) * 2018-02-02 2021-11-12 中材人工晶体研究院有限公司 一种多步反复合成制备稀土掺杂钆镓铝单晶原料的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102358954B (zh) 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法
CN104313690B (zh) 一种生长GZO(ZnO:Ga)晶体的方法
KR102414621B1 (ko) 도핑된 산화갈륨 결정질 재료 및 그의 제조 방법과 응용
CN111875389B (zh) 一种无铅压电陶瓷性能调控的方法
Cho et al. Photovoltaic effect of Sn 2 P 2 S 6 ferroelectric crystal and ceramics
Supriya Highly tunable multifunctional rare earth based Bi0. 5-xCexNa0. 5TiO3 perovskites via site selective doping engineering
Truong-Tho et al. Effect of sintering temperature on the dielectric, ferroelectric and energy storage properties of SnO2-doped Bi 0. 5 (Na 0. 8 K 0. 2) 0. 5 TiO3 lead-free ceramics
JP2008162828A (ja) 電子・光学用チタン酸バリウム−カルシウム単結晶体材料及び多結晶体材料とその製造方法
JP2005530677A (ja) 固相単結晶の成長方法
CN105734669A (zh) 一种生长Ca0.28Ba0.72(Nb1-xTax)2O6系列晶体的方法
CN103160911B (zh) 一种生长BiFe1‐xCoxO3系列晶体的方法
KR102348443B1 (ko) 압전 단결정 잉곳의 제조 방법 및 압전 단결정 잉곳
Nonaka et al. Effect of Pb/(Zr+ Ti) molar ratio on the photovoltaic properties of lead zirconate-titanate ceramics
CN108409318A (zh) 一种禁带宽度可调的锡酸锶钴薄膜的制备方法
Benayad et al. Segregation study and segregation modeling of Ti in Pb [(Mg1/3Nb2/3) 0.60 Ti0. 40] O3 single crystal grown by Bridgman method
Zheng et al. Nonstoichiometric (K, Na) NbO 3 ceramics: Densification and electrical properties
CN112830781B (zh) 一种无铅透明铁电陶瓷材料及其制备方法和应用
CN106521627A (zh) 一种铌酸钾钠基压电单晶及其制备方法
CN100390327C (zh) 一种利用复合助熔剂生长锆钛锡酸铅镧单晶的方法
CN109943890A (zh) 一种利用新型前驱体组分生长rebco高温超导晶体的方法
CN112941614A (zh) 一种大电致应变钛酸锶钡铁电晶体浮区生长方法
CN1075568C (zh) 掺钕离子的钒酸钆钇激光晶体
CN114959896B (zh) 氧化铪铁电相单晶及其制备方法
CN114836832A (zh) 掺杂氧化镓晶体及其制备方法
Lin et al. Growth and characterization of Yb: BaWO4 single crystal

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160706