CN105731825A - 一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法。包括：1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜。所述玻璃为耐高温玻璃，选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃等。本发明先在廉价石英玻璃、蓝宝石等耐高温玻璃上生长出石墨烯，然后将氮化铝薄膜一步法直接生长在石墨烯缓冲层上，无需经过低温氮化铝生长过程，直接大幅度降低了AlN薄膜生产成本。得到的AlN可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。

Description

一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法
技术领域
本发明属于材料领域，具体涉及一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法。
背景技术
石墨烯是由碳原子以sp2杂化轨道组成的六角蜂窝状二维原子晶体。它具有非常好的导热性、良好的机械强度、超高的载流子迁移率、优异的导电性和与层数相关的高透光性等独特性能。与其它金属和半导体材料相比，石墨烯具有极高的化学稳定性，易于大规模制备，在微电子、信息技术、微纳传感器、新能源、环境、生物医学等领域的体现了巨大应用潜能。
氮化铝(AlN)是一种具有宽直接带隙的Ⅲ-Ⅴ半导体，具有高热导率、高机械强度、高化学稳定性和强的抗辐照能力等性质，在光电子、高温大功率器件和高频宽带通讯器件应用方面有着广阔的前景。另外，AlN还可以与氮化镓(GaN)氮化铟(InN)混合形成三元或四元化合物，基于此制备出的光电器件在可见光波长到紫外光波长都有效。目前工业上采用的是用异质外延(以蓝宝石和碳化硅作为衬底)技术采用两步法生长AlN薄膜，即先低温生长AlN作为缓冲层，再生长高温AlN。然而在非晶基底上很难生长出成膜均匀且质量较高的AlN薄膜，但是碳化硅或蓝宝石晶圆片尺寸小、价格昂贵、只能单次使用且需采用两步法生长AlN薄膜的传统方式，造成了AlN薄膜的高价格。
发明内容
为克服现有技术的不足，降低AlN的制备成本，本发明目的在于提供一种利用在耐高温玻璃上直接生长的石墨烯作为缓冲层低成本大面积生长AlN薄膜的方法，所述方法可降低AlN薄膜的制备成本。
本发明所提供的低成本大面积生长AlN薄膜的方法，包括下述步骤：
1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；
2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到高品质AlN薄膜。
上述方法步骤1)中，所述玻璃为耐高温玻璃，所述耐高温玻璃选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃等，优选蓝宝石玻璃。
在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜沉积之前，还包括对作为基底的玻璃进行清洗干燥的步骤。具体操作如下：将所述玻璃基底依次用超纯水、异丙醇、丙酮各超声清洗5min，再用氮气吹干，其中超声的功率为70-90W。
所述石墨烯薄膜的沉积通过常压化学气相沉积(APCVD)实现。
所述APCVD中，沉积环境为常压环境；沉积温度为1000℃-1100℃，优选1000℃-1050℃，具体可为1020℃；沉积时间为60min-600min，优选180min；载气为由氩气和氢气组成的混合气，其中氩气与氢气的流量比为1-10:1，具体可为10：1，具体地，氩气的流量为100-1000sccm，优选500sccm，氢气的流量为50-500sccm，优选50sccm；碳源为甲烷或乙烯，优选甲烷，流量为10-50sccm，具体可为18sccm。
上述方法步骤2)中，所述高温AlN薄膜的沉积可通过下述至少一种方法来实现：金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延、氢化物气相外延和溅射法，具体可为金属有机化学气相沉积(MOCVD)。
当所述高温AlN薄膜的沉积通过MOCVD实现时，所述MOCVD操作条件如下：所述表面覆盖有石墨烯的玻璃(即石墨烯玻璃)加热至600℃-1200℃，具体为1200℃，三甲基铝(TMAl)流量为50sccm-120sccm，具体可为50sccm，氨气(NH3)流量为500sccm-2000sccm，具体可为500sccm，生长室压强为30torr-100torr，具体为50torr，使用N2作为载气。
本发明的主要特点是将石墨烯直接生长在玻璃基板上作为缓冲层，再在石墨烯缓冲层上外延AlN薄膜层。
由于石墨烯具有与纤锌矿AlN相似的结构，可以为氮化物提供生长模板，解决非晶玻璃上无法外延氮化物的难题。先在廉价石英玻璃、蓝宝石等耐高温玻璃上生长出石墨烯，然后将氮化铝薄膜一步法直接生长在石墨烯缓冲层上，无需经过低温氮化铝生长过程，直接大幅度降低了AlN薄膜生产成本。得到的AlN可以进一步加工成LED器件，基于石墨烯非常好的热导率，制成的LED芯片可以避免使用过程中的过热问题。同时由于石墨烯层状易于剥离的特点，加工成的器件还可以通过剥离转移手段，转移至其他柔性基底。此方法选用的耐高温玻璃中除蓝宝石玻璃外，其他玻璃比如石英玻璃、硼硅玻璃，价格低廉、可大面积制备；AlN薄膜生长过程更加简单，直接大幅度降低AlN薄膜的制备成本，对于基于AlN的半导体组件的制造具有重大意义。
附图说明
图1a.本发明实施例1制备的石墨烯玻璃实物照片图；1b.本发明实施例1制备的石墨烯玻璃扫描电子显微镜图；1c.将本发明实施例1制备的石墨烯玻璃上的石墨烯转移至硅片上所拍的光学显微图，图中白框为选区；1d为1c选区的拉曼成像。
图2a.本发明实施例1中在石墨烯玻璃上生长得到的AlN薄膜扫描电子显微镜图；2b.在玻璃上采用相同条件生长得到的AlN薄膜扫扫描电子显微镜图；2c.本发明实施例1中得到的AlN薄膜的AFM照片；图2d.本发明实施例1中得到的AlN薄膜的XRD谱图。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明进行说明，但本发明并不局限于此。
下述实施例中所使用的实验方法如无特殊说明，均为常规方法；下述实施例中所用的试剂、材料等，如无特殊说明，均可从商业途径得到。
实施例1
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤如下：
(1)玻璃基板清洗：将蓝宝石玻璃依次用超纯水、异丙醇、丙酮各超声清洗5min，清洗完毕使用氮气吹干，其中超声的功率为90W。
(2)石墨烯薄膜生长：将步骤(1)得到的干净蓝宝石玻璃基板放入APCVD腔体中，将Ar和H2气体流量计分别设定为500sccm和50sccm，洗气结束后，将炉体升温至1020℃，在升温过程中保持Ar和H2流速不变。待炉温升至1020℃后，稳定15min后，开启CH4流量计，设定为18sccm，生长时间为180min，生长完毕，自然降温就可以得到有石墨烯覆盖的蓝宝石玻璃。
图1a为本发明实施例1制备的石墨烯玻璃实物照片图；
1b为本发明实施例1制备的石墨烯玻璃扫描电子显微镜图；由图1b可以看出，石墨烯已经致密的覆盖在玻璃表面；
1c为将本发明实施例1制备的石墨烯玻璃上的石墨烯转移至硅片上所拍的光学显微图，图中白框为选区；由图1c可以看出，玻璃表面生长的石墨烯层数非常均匀。
1d为1c选区的拉曼成像，图1d说明石墨烯层数均匀，插图为特征拉曼光谱，表明石墨烯质量较高。
(3)AlN薄膜生长：将步骤(2)中得到石墨烯玻璃放入MOCVD生长室，加热衬底，衬底温度1200℃，TMAl流量50sccm，NH3流量500sccm，生长室压强为50torr，使用N2作为载气，可以在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
图2a为本发明实施例1中在石墨烯玻璃上生长得到的AlN薄膜扫描电子显微镜图，由图2a可以看出，所生长的AlN薄膜均匀、光滑；
图2b为在玻璃上采用相同条件生长得到的AlN薄膜扫扫描电子显微镜图；将图2b与图2a对比，在玻璃上直接生长的AlN薄膜表面粗糙不平、不均匀、成膜质量差；
图2c为本发明实施例1中得到的AlN薄膜的AFM照片；图2c同样证明表面起伏度非常小，成膜均匀；
图2d为本发明实施例1中得到的AlN薄膜的XRD谱图；图2d说明AlN的结晶性较好。
实施例2
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用乙烯代替甲烷，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
实施例3
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用石英玻璃代替蓝宝石玻璃，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
实施例4
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用硼硅玻璃代替蓝宝石玻璃，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
实施例5
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用分子束外延系统代替MOCVD，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
实施例6
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用氢化物气相外延系统代替MOCVD，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。
实施例7
一种利用石墨烯玻璃低成本大面积制备氮化铝薄膜的方法，步骤同实施例1，不同之处是用溅射法代替MOCVD，同样在石墨烯缓冲层上得到质量较好的AlN薄膜。

Claims (7)

1.一种生长AlN薄膜的方法，包括下述步骤：
1)在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜的沉积，得到表面覆盖有石墨烯的玻璃；
2)在所述表面覆盖有石墨烯的玻璃的石墨烯表面直接进行高温AlN薄膜的沉积，得到AlN薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法步骤1)中，所述玻璃为耐高温玻璃；
所述耐高温玻璃选自下述任意一种：石英玻璃、蓝宝石玻璃和耐高温硼硅玻璃。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述方法步骤1)中，在玻璃基底表面进行石墨烯薄膜沉积之前，还包括对作为基底的玻璃进行清洗干燥的步骤，具体操作如下：将所述玻璃基底依次用超纯水、异丙醇、丙酮各超声清洗5min，再用氮气吹干，其中超声的功率为70-90W。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：所述石墨烯薄膜的沉积通过常压化学气相沉积实现。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述APCVD中，沉积环境为常压环境；沉积温度为1000℃-1100℃；沉积时间为60min-600min；载气为由氩气和氢气组成的混合气，其中氩气与氢气的流量比为1-10:1，氩气的流量为100-1000sccm，氢气的流量为50-500sccm；碳源为甲烷或乙烯，流量为10-50sccm。
6.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于：所述方法步骤2)中，所述高温AlN薄膜的沉积通过下述至少一种方法来实现：金属有机化学气相沉积、分子束外延、氢化物气相外延和溅射法。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述高温AlN薄膜的沉积通过MOCVD实现，所述MOCVD操作条件如下：所述表面覆盖有石墨烯的玻璃加热至600℃-1200℃，三甲基铝流量为50sccm-120sccm，氨气流量为500sccm-2000sccm，生长室压强为30torr-100torr，使用N2作为载气。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107689323A (zh) * 2017-08-11 2018-02-13 北京大学 一种适用于ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底
CN108010995A (zh) * 2017-12-01 2018-05-08 北京大学 一种基于石墨烯蓝宝石衬底的高光效led芯片
CN108871890A (zh) * 2018-03-29 2018-11-23 北京大学 一种利用石墨烯作为保护层制备tem样品的方法
CN109285761A (zh) * 2018-09-19 2019-01-29 北京石墨烯研究院 一种氮化铝膜的制备方法
CN109306466A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体材料的制备方法
WO2019178916A1 (zh) * 2018-03-21 2019-09-26 华南理工大学 一种二维AlN材料及其制备方法与应用
CN110993752A (zh) * 2019-12-31 2020-04-10 湘能华磊光电股份有限公司 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378224A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 清华大学 外延结构的制备方法
CN103794469A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底
CN104947071A (zh) * 2015-05-14 2015-09-30 天津理工大学 一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378224A (zh) * 2012-04-25 2013-10-30 清华大学 外延结构的制备方法
CN103794469A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种氮化镓薄膜层的制备方法及衬底
CN104947071A (zh) * 2015-05-14 2015-09-30 天津理工大学 一种石墨烯衬底上分级GaN纳米阵列及其制备方法及应用

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JAE-KYUNG CHOI ET AL.: "One-step graphene coating of heteroepitaxial GaN films", 《NANOTECHNOLOGY》 *
JINGYU SUN ET AL.: "Direct Chemical Vapor Deposition-Derived Graphene Glasses Targeting Wide Ranged Applications", 《NANO LETTERS》 *
孙雷等: "低熔点合金衬底上CVD 法生长石墨烯", 《人工晶体学报》 *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109306466A (zh) * 2017-07-28 2019-02-05 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 半导体材料的制备方法
CN107689323A (zh) * 2017-08-11 2018-02-13 北京大学 一种适用于ⅲ族氮化物外延生长的石墨烯蓝宝石衬底
CN108010995A (zh) * 2017-12-01 2018-05-08 北京大学 一种基于石墨烯蓝宝石衬底的高光效led芯片
WO2019178916A1 (zh) * 2018-03-21 2019-09-26 华南理工大学 一种二维AlN材料及其制备方法与应用
US11417522B2 (en) 2018-03-21 2022-08-16 South China University Of Technology Two-dimensional AIN material and its preparation method and application
CN108871890A (zh) * 2018-03-29 2018-11-23 北京大学 一种利用石墨烯作为保护层制备tem样品的方法
CN109285761A (zh) * 2018-09-19 2019-01-29 北京石墨烯研究院 一种氮化铝膜的制备方法
CN110993752A (zh) * 2019-12-31 2020-04-10 湘能华磊光电股份有限公司 一种以石墨烯为缓冲层的led外延生长方法

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