CN105720005B - 超低k介质层的形成方法 - Google Patents

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Abstract

一种超低K介质层的形成方法,包括:提供基底;提供第一前驱体,所述第一前驱体为乙氧基硅烷;提供第二前驱体,所述第二前驱体为二硅氧烷;将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应,在基底上形成超低K介质层;对所述超低K介质层进行UV处理工艺,去除超低K介质层中的造孔剂,在超低K介质层中形成孔洞。本发明的超低K介质层的形成方法提高了形成的超低K介质层的机械强度。

Description

超低K介质层的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体制作领域,特别涉及一种超低K介质层的形成方法。
背景技术
随着半导体集成电路技术的不断发展,半导体器件尺寸和互连结构尺寸不断减小,从而导致金属连线之间的间距在逐渐缩小,用于隔离金属连线之间的介质层也变得越来越薄,这样会导致金属连线之间可能会发生串扰。现在,通过降低金属连线层间的介质层的介电常数,可有效地降低这种串扰,且低K的介质层可有效地降低金属连线层间的电阻电容延迟(RC delay),因此,低K介电材料、超低K介电材料已越来越广泛地应用于互连工艺的介质层,用于形成低K介质或超低K介质层,所述低K介电材料为介电常数小于4、大于等于2.2的材料,所述超低K介电材料为介电常数小于2.2的材料。
由于空气是目前能获得的最低K值的材料(K=1.0),为了大幅的降低K值,在介质层中形成空气隙或孔洞以有效的降低介质层的K值。因此,为了能使得介电常数低于2.2,现在广泛应用的超低K介电材料为多孔材料。但是由于多孔材料的多孔性,利用多孔材料形成的介质层的机械强度较低,在进行晶片处理时容易受到损伤;例如,在利用干法刻蚀工艺对超低K介质层进行刻蚀、利用等离子体灰化工艺去除光刻胶或对超低K介质层进行化学机械研磨时,所述等离子体会对暴露出的超低K介质层造成损伤;而且,在除去光刻胶或等离子体刻蚀的过程中,多孔材料容易吸附水汽,且所述水汽可能与多孔材料发生反应,使得原本具有低介电常数的超低K介质层受到损伤,超低K介质层的介电常数增大,影响了互连结构的电学性能。
发明内容
本发明解决的问题是怎样提高形成的超低K介质层的机械强度。
为解决上述问题,本发明提供一种超低K介质层的形成方法,包括:
提供基底;
提供第一前驱体,所述第一前驱体为乙氧基硅烷;
提供第二前驱体,所述第二前驱体为二硅氧烷;
将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应,在基底上形成超低K介质层;
对所述超低K介质层进行UV处理工艺,去除超低K介质层中的造孔剂,在超低K介质层中形成孔洞。
可选的,所述二硅氧烷为六甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷或四甲基二乙烯基二硅氧烷。
可选的,所述乙氧基硅烷为四乙氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷或甲基三乙氧基硅烷。
可选的,所述造孔剂为a-松油烯或二环庚二烯。
可选的,其特征在于,所述超低K介质层包括位于基底上的初始层和位于初始层上的体层。
可选的,超低K介质层的形成过程为:在所述基底上形成初始层;在初始层上形成体层。
可选的,形成所述初始层时,所述第一前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,第二前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,造孔剂的流量为0,氧气的流量为500~1000sccm,反应腔室中的射频功率为400~800瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃。
可选的,形成所述体层时,第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10~1:2。
可选的,形成所述体层时,所述第一前驱体的流量为0.5~3克/分钟,第二前驱体的流量为0.5~3克/分钟,造孔剂的流量为1.5~4克/分钟,氧气的流量为100~1000sccm,反应腔室中的射频功率为500~1500瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃。
可选的,形成超低K介质层时,所述第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气在射频功率的作用下解离成等离子体。
可选的,所述等离子体包括Si-O-Si等离子体。
可选的,所述等离子体还包括OC2H5等离子体、CH3等离子体、H等离子体、O等离子体、C-H等离子体、Si-H等离子体、Si-CH3等离子体、Si-C等离子体、Si等离子体、Si-O等离子体。
可选的,所述UV处理工艺时UV光强度为20~300mW/cm2,温度300~400℃,腔室压力2~10托,He流量10000~20000sccm,Ar流量10000~20000sccm,处理时间为100~500S。
可选的,所述超低K介质层中包括Si、C、O和H元素。
与现有技术相比,本发明的技术方案具有以下优点:
本发明超低K介质层的形成方法,所述第一前驱体采用乙氧基硅烷,第二前驱体采用二硅氧烷,由于二硅氧烷中一个氧与两个硅连接形成Si-O-Si键,在形成超低K介质层时,二硅氧烷被射频功率解离的等离子体中会包括Si-O-Si等离子体,因而二硅氧烷的存在使得反应的等离子中增加了Si-O-Si等离子体,在进行反应时,Si-O-Si等离子体容易与其他的等离子体(比如O等离子体、或Si-O等离子体等)结合形成机械强度更高的网状交联的-Si-O-Si-O-结构,从而增加了形成的超低K介质层中网状交联的-Si-O-Si-O-结构的数量,提高了的形成的超低K介质层的机械强度。
进一步,形成所述体层时,所述第一前驱体的流量为0.5~3克/分钟,第二前驱体的流量为0.5~3克/分钟,造孔剂的流量为1.5~4克/分钟,氧气的流量为100~1000sccm,第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10~1:2,反应腔室中的射频功率为400~800瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃,有利于提高了形成的超低K介质层的机械强度和质量。
附图说明
图1为本发明实施例超低K介质层形成过程的流程示意图。
具体实施方式
如背景技术所言,现有形成的多孔超低K介电材料的机械强度较低。
研究发现,现有技术在形成超低K介电材料时,采用的前驱气体为DEMS(DiEthoxyMethySilane,甲基二乙氧基硅烷),DEMS解离后形成的等离子体中包括Si-O等离子体、OC2H5等离子体、CH3等离子体、Si等离子体、O等离子体等,各等离子之间相互结合形成超低K介质材料层,但是该方式形成的超低K介质材料层的机械强度仍有待提高。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。在详述本发明实施例时,为便于说明,示意图会不依一般比例作局部放大,而且所述示意图只是示例,其在此不应限制本发明的保护范围。此外,在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
图1为本发明实施例超低K介质层形成过程的流程示意图。
请参考图1,进行步骤S101,提供基底。
所述基底可以为半导体衬底,比如硅衬底、锗衬底或硅锗衬底等。所述半导体衬底上可以形成半导体器件,比如晶体管等,后续在半导体衬底上形成超低K介质层。
在其他实施例中,所述基底可以包括半导体衬底和位于半导体衬底上的介质层。所述半导体衬底上形成有半导体器件,比如晶体管等,所述介质层覆盖所述半导体衬底和半导体器件,所述介质层中形成有与半导体器件连接的金属互连结构,所述金属互连结构可以为金属插塞、或者包括金属插塞以及与金属插塞连接的金属连线。
接着,进行步骤S102,提供第一前驱体,所述第一前驱体为乙氧基硅烷;提供第二前驱体,所述第二前驱体为二硅氧烷。
所述第一前驱体和第二前驱体为后续形成超低K介质层时通入腔室的前驱气体。
本实施例中,所述前驱气体除了第一前驱体外还包括第二前驱体,所述第二前驱体为二硅氧烷,二硅氧烷中一个氧与两个硅连接形成Si-O-Si键,在后续形成超低K介质层时,二硅氧烷被射频功率解离的等离子体中会包括Si-O-Si等离子体,因而二硅氧烷的存在使得反应的等离子中增加了Si-O-Si等离子体,在进行反应时,Si-O-Si等离子体容易与其他的等离子体(比如O等离子体、或Si-O等离子体等)结合形成机械强度更高的网状交联的-Si-O-Si-O-结构,从而增加了形成的超低K介质层中网状交联的-Si-O-Si-O-结构的数量,提高了的形成的超低K介质层的机械强度。
所述二硅氧烷可以为六甲基二硅氧烷((CH3)3Si-O-Si(CH3)3)、四甲基二硅氧烷((CH3)2HSi-O-SiH(CH3)2)或四甲基二乙烯基二硅氧烷((CH3)2C2H3Si-O-Si C2H3(CH3)2)。需要说明的是,所述二硅氧烷还可以为其他合适的包括Si-O-Si键的硅氧烷。
本实施例中,所述二硅氧烷为六甲基二硅氧烷。
所述第一前驱体为乙氧基硅烷,所述乙氧基硅烷可以为四乙氧基硅烷(Si(OC2H5)4)、甲基二乙氧基硅烷(CH3H-Si-(OC2H5)2)、二乙氧基二甲基硅烷((CH3)2-Si-(OC2H5)2)或甲基三乙氧基硅烷(CH3-Si-(OC2H5)3)。需要说明的是,所述乙氧基硅烷还可以为其他合适的包括OC2H5基的硅烷。
本实施例中,所述乙氧基硅烷为四乙氧基硅烷。
进行步骤S103,将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应,在基底上形成超低K介质层。
在一实施例中,所述反应腔室为具有射频源的沉积腔室,所述射频源适于提供射频功率,以解离通入反应腔室中的第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气,形成等离子体。需要说明的是,在供应端第一前驱体、第二前驱体、造孔剂是以液体的形式存在,供入反应腔室后,第一前驱体、第二前驱体、造孔剂以气体的形式存在。
第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气在通入处理腔室后,第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气被射频功率解离为等离子体,所述等离子体包括Si-O-Si等离子体、OC2H5等离子体、CH3等离子体、H等离子体、O等离子体、C-H等离子体、Si-H等离子体、Si-CH3等离子体、Si-C等离子体、Si等离子体、Si-O等离子体。
所述Si-O-Si等离子体为第二前驱体解离后形成,OC2H5等离子体为第一前驱体解离后形成,其他等离子体为第一前驱体、第二前驱体和氧气解离后形成。在进行反应时,Si-O-Si等离子体容易与其他的等离子体(比如O等离子体、或Si-O等离子体等)结合形成稳定性和机械强度更高的网状交联的-Si-O-Si-O-结构,增加了形成的超低K介质层中网状交联的-Si-O-Si-O-结构的数量,从而提高了的形成的超低K介质层的机械强度。
所述造孔剂为a-松油烯(A-TERPINENE)或二环庚二烯(BICYCLO-HEPTA-DIENE)。
所述超低K介质层中包括Si、C、O和H元素,在一实施例中,形成的超低K介质层的介电常数为2.2~2.7。
所述超低K介质层包括位于基底上的初始层和位于初始层上的体层,超低K介质层的形成过程为:在所述基底上形成初始层;在初始层上形成体层。形成的初始层中不会含有造孔剂,因而后续通过UV处理后,初始层中不会存在孔洞,以提高超低K介质层与基底之间的粘附性。
本实施例中,为了使得形成超低K介质层的机械强度和质量较高,所述第一前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,第二前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,造孔剂的流量为0,氧气的流量为500~1000sccm,反应腔室中的射频功率为400~800瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃;形成所述体层时,第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10~1:2,在一具体的实施例中,所述第一前驱体的流量为0.5~3克/分钟,第二前驱体的流量为0.5~3克/分钟,造孔剂的流量为1.5~4克/分钟,氧气的流量为100~1000sccm,第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10~1:2,反应腔室中的射频功率为500~1500瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃。
进行步骤S104,对所述超低K介质层进行UV处理工艺,去除超低K介质层中的造孔剂,在超低K介质层中形成孔洞。
进行UV处理工艺的目的是:去除超低K介质层中的造孔剂,在超低K介质层中形成孔洞,以进一步减小形成的超低K介质层的介电常数。在一实施例中,形成孔洞后,所述超低K介质层的介电常数为1.9~2.6。
所述UV处理工艺时通过UV光照射超低K介质层,超低K介质层中的造孔剂在遇到UV时会分解,在相应的位置形成孔洞。
在一实施例中,所述UV处理工艺时UV光强度为20~300mW/cm2,温度300~400℃,腔室压力2~10托,He流量10000~20000sccm,Ar流量10000~20000sccm,处理时间为100~500S。
虽然本发明披露如上,但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与修改,因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims (11)

1.一种超低K介质层的形成方法,其特征在于,包括:
提供基底;
提供第一前驱体,所述第一前驱体为乙氧基硅烷;
提供第二前驱体,所述第二前驱体为二硅氧烷;
将第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气供入反应腔室进行反应,在基底上形成超低K介质层,所述超低K介质层包括位于基底上的初始层和位于初始层上的体层,超低K介质层的形成过程为:在所述基底上形成初始层,形成的初始层中不会含有造孔剂,后续通过UV处理后,初始层中不会存在孔洞;在初始层上形成体层;形成所述体层时,第一前驱体与第二前驱体的流量比为1:10~1:2;
对所述超低K介质层进行UV处理工艺,去除超低K介质层中的造孔剂,在超低K介质层中形成孔洞。
2.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述二硅氧烷为六甲基二硅氧烷、四甲基二硅氧烷或四甲基二乙烯基二硅氧烷。
3.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述乙氧基硅烷为四乙氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、二乙氧基二甲基硅烷或甲基三乙氧基硅烷。
4.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述造孔剂为a-松油烯或二环庚二烯。
5.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,形成所述初始层时,所述第一前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,第二前驱体的流量为0.2~0.5克/分钟,造孔剂的流量为0,氧气的流量为500~1000sccm,反应腔室中的射频功率为400~800瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃。
6.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,形成所述体层时,所述第一前驱体的流量为0.5~3克/分钟,第二前驱体的流量为0.5~3克/分钟,造孔剂的流量为1.5~4克/分钟,氧气的流量为100~1000sccm,反应腔室中的射频功率为500~1500瓦,反应腔室压力为3~10托,反应腔室温度为200~350℃。
7.如权利要求6所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,形成超低K介质层时,所述第一前驱体、第二前驱体、造孔剂和氧气在射频功率的作用下解离成等离子体。
8.如权利要求7所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述等离子体包括Si-O-Si等离子体。
9.如权利要求8所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述等离子体还包括OC2H5等离子体、CH3等离子体、H等离子体、O等离子体、C-H等离子体、Si-H等离子体、Si-CH3等离子体、Si-C等离子体、Si等离子体、Si-O等离子体。
10.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述UV处理工艺时UV光强度为20~300mW/cm2,温度300~400℃,腔室压力2~10托,He流量10000~20000sccm,Ar流量10000~20000sccm,处理时间为100~500S。
11.如权利要求1所述的超低K介质层的形成方法,其特征在于,所述超低K介质层中包括Si、C、O和H元素。
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