CN105714262A - 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法 - Google Patents

一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105714262A
CN105714262A CN201610294685.4A CN201610294685A CN105714262A CN 105714262 A CN105714262 A CN 105714262A CN 201610294685 A CN201610294685 A CN 201610294685A CN 105714262 A CN105714262 A CN 105714262A
Authority
CN
China
Prior art keywords
preparation
transparent conductive
vacuum
conductive film
quartz glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610294685.4A
Other languages
English (en)
Inventor
杜文汉
杨景景
刘珂琴
张燕
赵宇
熊超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changzhou Institute of Technology
Original Assignee
Changzhou Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changzhou Institute of Technology filed Critical Changzhou Institute of Technology
Priority to CN201610294685.4A priority Critical patent/CN105714262A/zh
Publication of CN105714262A publication Critical patent/CN105714262A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0623—Sulfides, selenides or tellurides
    • C23C14/0629—Sulfides, selenides or tellurides of zinc, cadmium or mercury
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明公开了一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其步骤包括清洗衬底；制备硫化锌缓冲薄膜；制备(222)择优取向的ITO薄膜。本发明采用磁控溅射技术，在洁净的玻璃基底上先沉积一层ZnS薄膜，通过控制玻璃基底温度得到具有(111)择优取向的ZnS；然后再通过控制制备工艺沉积ITO，即可得到具有(222)择优取向的ITO薄膜。本发明的择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，通过增加ZnS缓冲层，获得具有(222)择优取向的ITO薄膜，提高ITO的光电性能。

Description

一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法
技术领域
本发明涉及一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，属于太阳能电池领域。
背景技术
太阳能电池是一种基于半导体pn结吸收太阳光转变成电能的光伏器件，其太阳光吸收层材料主要包括晶体硅和化合物薄膜如碲化镉、铜铟镓硒、氧化亚铜等。
在晶硅太阳能电池和薄膜太阳能电池结构中，透明导电氧化物薄膜都起到重要作用，一是作为电极收集光生载流子，二是作为透光层使得太阳光透过该层到达吸收层；除了上述作用外，透明导电氧化物薄膜还可以用作红外反射材料；透明导电氧化物薄膜还在发光二极管上有广泛应用。常见的透明导电氧化物薄膜包括ITO、AZO和FTO，其中ITO的光电性能最好，在可将光区的光学透过率达到90％。
直流磁控溅射技术作为一种高速沉积的薄膜制备方法，制备出来的薄膜样品致密度高、沉积速度快，薄膜性能稳定，工艺参数可控性高，适合于工业化生产。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：采用磁控溅射技术制备的ITO透明导电薄膜为单相多晶结构，主要包括(211)(222)(400)(440)(622)等晶粒结构，本发明通过增加一层ZnS缓冲层材料，可制备出具有(222)择优取向的ITO透明导电薄膜，从而提高ITO透明导电薄膜的光电性能。
本发明的技术方案如下：
一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：清洗衬底；
步骤2：制备硫化锌缓冲薄膜；
步骤3：制备(222)择优取向的ITO薄膜。
进一步，所述步骤1包括如下步骤：
步骤1-1：切割石英玻璃；
步骤1-2：将切割好的石英玻璃在玻璃清洗剂中浸泡；
步骤1-3：经玻璃清洗剂浸泡后的石英玻璃使用纯水超声清洗；
步骤1-4：将纯水超声清洗后的石英玻璃用高纯氮气吹干，然后放入真空腔内。
进一步，所述步骤2包括如下步骤：
步骤2-1：腔体抽真空，使得背景真空达到1×10-4Pa；
步骤2-2：在1×10-4Pa的真空下，石英玻璃衬底加热，温度为室温～300℃；
步骤2-3：通入高纯氩气，对ZnS靶进行磁控溅射，以去除靶材表面的氧化物；
步骤2-4：控制氩气流量范围5～20sccm，使得腔体真空度维持在0.3～10Pa；
步骤2-5：在氩气气氛下，使用预溅射处理的硫化锌靶在石英玻璃衬底上进行射频磁控溅射，沉积硫化锌薄膜。
进一步，所述步骤2中，射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5～3W/cm2，氩气，工艺真空度0.3～10Pa，衬底温度室温～300℃，沉积时间1～30min，薄膜厚度为5～200nm。
进一步，所述步骤3包括如下步骤：
步骤3-1：使用分子泵将真空腔的真空度抽到1×10-4Pa；
步骤3-2：将含ZnS缓冲层样品加热到50～200℃；
步骤3-3：真空腔内通入高纯氩气和氧气混合气，使得真空腔的气压范围0.3Pa～10Pa，其中氩气浓度0％～95％，氧气浓度5％～100％；
步骤3-4：对ITO靶材进行预溅射，去除靶材表面杂质；
步骤3-5：在含缓冲层ZnS的样品上射频磁控溅射沉积ITO薄膜。
进一步，所述步骤3中，射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5～3W/cm2，氩气，工艺真空度0.3～10Pa，衬底温度50～200℃，沉积时间10～40min，薄膜厚度为100～400nm。
本发明的有益效果如下：
通过增加ZnS缓冲层，获得具有(222)择优取向的ITO薄膜，提高ITO的光电性能。
附图说明
图1是有ZnS缓冲层的择优取向ITO薄膜XRD图谱；
图2是普通ITO薄膜XRD图谱。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步详细说明。
本发明采用磁控溅射技术，在洁净的玻璃基底上先沉积一层ZnS薄膜，通过控制玻璃基底温度得到具有(111)择优取向的ZnS；然后再通过控制制备工艺沉积ITO，即可得到具有(222)择优取向的ITO薄膜。具体实施例如下：
实施例一
第一步：衬底清洗工艺：
1、将石英玻璃切割成2×2cm2大小；
2、将切割好的石英玻璃在玻璃清洗剂中浸泡24小时；
3、经玻璃清洗剂浸泡后的石英玻璃使用15兆欧纯水超声清洗3遍；
4、将纯水超声清洗后的石英玻璃用高纯氮气吹干，然后放入真空腔内。
第二步：制备硫化锌缓冲薄膜：
1、腔体抽真空，使得背景真空达到1×10-4Pa；
2、在1×10-4Pa的真空下,温度为室温；
3、通入高纯氩气，对ZnS靶进行磁控溅射5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
4、控制氩气流量范围5sccm，使得腔体真空度维持在0.3Pa；
5、在氩气气氛下，使用预溅射处理的硫化锌靶在石英玻璃衬底上进行射频磁控溅射，沉积硫化锌薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5W/cm2，氩气，工艺真空度0.3Pa，衬底温度室温，沉积时间10min，薄膜厚度为50nm。
第三步：制备(222)择优取向的ITO薄膜：
1、使用分子泵将真空腔的真空度抽到1×10-4Pa；
2、将含ZnS缓冲层样品加热到200℃；
3、真空腔内通入高纯氩气和氧气混合气，使得真空腔的气压范围10Pa，其中氩气浓度95％，氧气浓度5％；
4、ITO靶材预溅射5分钟，去除靶材表面杂质；
5、在含缓冲层ZnS的样品上射频磁控溅射沉积ITO薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5W/cm2，氩气，工艺真空度0.3Pa，衬底温度室温，沉积时间10min，薄膜厚度为100nm。
实施例二
第一步：衬底清洗工艺：
1、将石英玻璃切割成2×2cm2大小；
2、将切割好的石英玻璃在玻璃清洗剂中浸泡24小时；
3、经玻璃清洗剂浸泡后的石英玻璃使用15兆欧纯水超声清洗3遍；
4、将纯水超声清洗后的石英玻璃用高纯氮气吹干，然后放入真空腔内。
第二步：制备硫化锌缓冲薄膜：
1、腔体抽真空，使得背景真空达到1×10-4Pa；
2、在1×10-4Pa的真空下，石英玻璃衬底加热，温度为150℃；
3、通入高纯氩气，对ZnS靶进行磁控溅射5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
4、控制氩气流量范围10sccm，使得腔体真空度维持在3Pa；
5、在氩气气氛下，使用预溅射处理的硫化锌靶在石英玻璃衬底上进行射频磁控溅射，沉积硫化锌薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度2W/cm2，氩气，工艺真空度3Pa，衬底温度室温150℃，沉积时间20min，薄膜厚度为100nm。
第三步：制备(222)择优取向的ITO薄膜：
1、使用分子泵将真空腔的真空度抽到1×10-4Pa；
2、将含ZnS缓冲层样品加热到100℃；
3、真空腔内通入高纯氩气和氧气混合气，使得真空腔的气压范围5Pa，其中氩气浓度50％，氧气浓度50％；
4、ITO靶材预溅射5分钟，去除靶材表面杂质；
5、在含缓冲层ZnS的样品上射频磁控溅射沉积ITO薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度2W/cm2，氩气，工艺真空度5Pa，衬底温度100℃，沉积时间25min，薄膜厚度为200nm。
实施例三
第一步：衬底清洗工艺：
1、将石英玻璃切割成2×2cm2大小；
2、将切割好的石英玻璃在玻璃清洗剂中浸泡24小时；
3、经玻璃清洗剂浸泡后的石英玻璃使用15兆欧纯水超声清洗3遍；
4、将纯水超声清洗后的石英玻璃用高纯氮气吹干，然后放入真空腔内。
第二步：制备硫化锌缓冲薄膜：
1、腔体抽真空，使得背景真空达到1×10-4Pa；
2、在1×10-4Pa的真空下，石英玻璃衬底加热，温度为300℃；
3、通入高纯氩气，对ZnS靶进行磁控溅射5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
4、控制氩气流量范围20sccm，使得腔体真空度维持在10Pa；
5、在氩气气氛下，使用预溅射处理的硫化锌靶在石英玻璃衬底上进行射频磁控溅射，沉积硫化锌薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度3W/cm2，氩气，工艺真空度10Pa，衬底温度300℃，沉积时间30min，薄膜厚度为200nm。
第三步：制备(222)择优取向的ITO薄膜：
1、使用分子泵将真空腔的真空度抽到1×10-4Pa；
2、将含ZnS缓冲层样品加热50℃；
3、真空腔内通入高纯氩气和氧气混合气，使得真空腔的气压范围10Pa，其中氩气浓度0％，氧气浓度100％；
4、ITO靶材预溅射5分钟，去除靶材表面杂质；
5、在含缓冲层ZnS的样品上射频磁控溅射沉积ITO薄膜。
射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度3W/cm2，氩气，工艺真空度10Pa，衬底温度50℃，沉积时间40min，薄膜厚度为400nm。
通过上述后处理的样品经XRD测试表明为具有(222)择优取向的ITO透明导电氧化物薄膜，显示在图1中。图2为无择优取向的ITO薄膜。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：
步骤1：清洗衬底；
步骤2：制备硫化锌缓冲薄膜；
步骤3：制备(222)择优取向的ITO薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1包括如下步骤：
步骤1-1：切割石英玻璃；
步骤1-2：将切割好的石英玻璃在玻璃清洗剂中浸泡；
步骤1-3：经玻璃清洗剂浸泡后的石英玻璃使用纯水超声清洗；
步骤1-4：将纯水超声清洗后的石英玻璃用高纯氮气吹干，然后放入真空腔内。
3.根据权利要求1所述的一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2包括如下步骤：
步骤2-1：腔体抽真空，使得背景真空达到1×10-4Pa；
步骤2-2：在1×10-4Pa的真空下，石英玻璃衬底加热，温度为室温～300℃；
步骤2-3：通入高纯氩气，对ZnS靶进行磁控溅射，以去除靶材表面的氧化物；
步骤2-4：控制氩气流量范围5～20sccm，使得腔体真空度维持在0.3～10Pa；
步骤2-5：在氩气气氛下，使用预溅射处理的硫化锌靶在石英玻璃衬底上进行射频磁控溅射，沉积硫化锌薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2中，射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5～3W/cm2，氩气，工艺真空度0.3～10Pa，衬底温度室温～300℃，沉积时间1～30min，薄膜厚度为5～200nm。
5.根据权利要求1所述的一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3包括如下步骤：
步骤3-1：使用分子泵将真空腔的真空度抽到1×10-4Pa；
步骤3-2：将含ZnS缓冲层样品加热到50～200℃；
步骤3-3：真空腔内通入高纯氩气和氧气混合气，使得真空腔的气压范围0.3Pa～10Pa，其中氩气浓度0％～95％，氧气浓度5％～100％；
步骤3-4：对ITO靶材进行预溅射，去除靶材表面杂质；
步骤3-5：在含缓冲层ZnS的样品上射频磁控溅射沉积ITO薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3中，射频磁控溅射的工艺参数为：
靶材功率密度0.5～3W/cm2，氩气，工艺真空度0.3～10Pa，衬底温度室温～200℃，沉积时间10～40min，薄膜厚度为100～400nm。
CN201610294685.4A 2016-05-05 2016-05-05 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法 Pending CN105714262A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610294685.4A CN105714262A (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610294685.4A CN105714262A (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105714262A true CN105714262A (zh) 2016-06-29

Family

ID=56162677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610294685.4A Pending CN105714262A (zh) 2016-05-05 2016-05-05 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105714262A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106086789A (zh) * 2016-06-30 2016-11-09 上海交通大学 通过磁控溅射在聚酯表面沉积透明导电薄膜的界面层方法
CN106854754A (zh) * 2016-12-16 2017-06-16 桂林电子科技大学 一种400主峰晶面高度择优取向ito薄膜的制备方法
CN108179389A (zh) * 2017-12-15 2018-06-19 江苏理工学院 一种用于汽车玻璃的光谱选择性ito薄膜的制备方法
CN111575666A (zh) * 2020-06-10 2020-08-25 南京邮电大学 一种制备(222)强织构ito薄膜的方法
CN111785440A (zh) * 2020-05-25 2020-10-16 先导薄膜材料（广东）有限公司 Ito薄膜及ito透明导电玻璃的制备方法
CN113073300A (zh) * 2021-03-25 2021-07-06 南京信息工程大学 一种非金属材料表面渗镀高纯硫化锌薄膜的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0239120A2 (en) * 1986-03-27 1987-09-30 GTE Laboratories Incorporated Method of producing thin film electroluminescent structures
CN103746037A (zh) * 2014-01-02 2014-04-23 上海大学 一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法
CN103911586A (zh) * 2013-01-04 2014-07-09 台积太阳能股份有限公司 在光伏器件涂覆有金属的玻璃上形成吸收层的方法和系统
CN104137273A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 日东电工株式会社 化合物太阳能电池的制造方法
CN104995749A (zh) * 2013-02-15 2015-10-21 日东电工株式会社 Cigs系化合物太阳能电池

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0239120A2 (en) * 1986-03-27 1987-09-30 GTE Laboratories Incorporated Method of producing thin film electroluminescent structures
CN104137273A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 日东电工株式会社 化合物太阳能电池的制造方法
CN103911586A (zh) * 2013-01-04 2014-07-09 台积太阳能股份有限公司 在光伏器件涂覆有金属的玻璃上形成吸收层的方法和系统
CN104995749A (zh) * 2013-02-15 2015-10-21 日东电工株式会社 Cigs系化合物太阳能电池
CN103746037A (zh) * 2014-01-02 2014-04-23 上海大学 一种硅基ZnS薄膜紫外可见光光电探测器的制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
X.W. SUN等: ""Improved ITO thin films with a thin ZnO buffer layer by sputtering"", 《THIN SOLID FILMS》 *
仲飞 等: ""ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管"", 《发光学报》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106086789A (zh) * 2016-06-30 2016-11-09 上海交通大学 通过磁控溅射在聚酯表面沉积透明导电薄膜的界面层方法
CN106086789B (zh) * 2016-06-30 2019-03-22 上海交通大学 通过磁控溅射在聚酯表面沉积透明导电薄膜的界面层方法
CN106854754A (zh) * 2016-12-16 2017-06-16 桂林电子科技大学 一种400主峰晶面高度择优取向ito薄膜的制备方法
CN108179389A (zh) * 2017-12-15 2018-06-19 江苏理工学院 一种用于汽车玻璃的光谱选择性ito薄膜的制备方法
CN111785440A (zh) * 2020-05-25 2020-10-16 先导薄膜材料（广东）有限公司 Ito薄膜及ito透明导电玻璃的制备方法
CN111575666A (zh) * 2020-06-10 2020-08-25 南京邮电大学 一种制备(222)强织构ito薄膜的方法
CN113073300A (zh) * 2021-03-25 2021-07-06 南京信息工程大学 一种非金属材料表面渗镀高纯硫化锌薄膜的方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105714262A (zh) 一种择优生长ito透明导电薄膜的制备方法
CN101609860A (zh) CdTe薄膜太阳能电池制备方法
CN102270705B (zh) 一种双结构绒面透明导电电极的制备方法
CN102779891B (zh) 铜铟镓硒薄膜型太阳能电池装置及其制备方法
CN102299206B (zh) 一种异质结太阳电池及其制备方法
CN107946393B (zh) 基于SnTe作为背电极缓冲层的CdTe薄膜太阳能电池及其制备方法
CN106252432A (zh) 一种可降低缺陷密度的碲化镉太阳能电池制备方法
CN104851931B (zh) 具有梯度结构的碲化镉薄膜太阳能电池及其制造方法
CN102664198A (zh) 宽光谱陷光氧化锌透明导电薄膜及其制备方法
CN102332499B (zh) 一种利用微颗粒制备双结构绒面透明电极的方法
CN113314672A (zh) 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105742402B (zh) 一种叠层太阳能电池的制备方法及其结构
CN105957924A (zh) 一种利用ZnO缓冲层制备择优取向ITO光电薄膜的方法
CN103392235A (zh) 用于制作包括tco层的光伏装置的改进方法
CN106711288B (zh) 一种纳米晶硅薄膜太阳能电池的制备方法
CN101882653B (zh) 基于纳米CdS薄膜的太阳能电池制备方法
Regmi et al. Aluminum-doped zinc oxide (AZO) ultra-thin films deposited by radio frequency sputtering for flexible Cu (In, Ga) Se2 solar cells
CN102199758A (zh) 一种生长绒面结构ZnO-TCO薄膜的方法及应用
CN102891217A (zh) 一种金刚石/ CdTe薄膜太阳能电池的制备方法
CN102637751A (zh) 太阳电池用宽光谱陷光透明导电薄膜及其制备方法
KR101482786B1 (ko) 산화인듐을 이용한 ｃｉｇｓ 광흡수층 제조방법
CN103952675A (zh) 一种光伏材料硫化亚铜（Cu2S）薄膜的制备方法
CN111254404A (zh) 一种择优生长的ito透明导电薄膜的制备方法
CN103165695B (zh) 一种CdTe薄膜太阳能电池
CN109207925A (zh) 用于高效薄膜太阳电池的氧化锌透明导电薄膜的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160629

RJ01 Rejection of invention patent application after publication