CN105702861A - 碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板 - Google Patents

碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板 Download PDF

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CN105702861A CN201610073659.9A CN201610073659A CN105702861A CN 105702861 A CN105702861 A CN 105702861A CN 201610073659 A CN201610073659 A CN 201610073659A CN 105702861 A CN105702861 A CN 105702861A
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Abstract

本发明实施例提供一种碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板，涉及显示技术领域，能够提高通过碳纳米管溶液制备碳纳米管薄膜的效率。碳纳米管薄膜的制备方法，包括将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，载体基板包括第一衬底基板以及形成于第一衬底基板上的电极对，电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。对构成电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场，碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板设置有电极对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。

Description

碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板。
背景技术
LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)的阵列基板上以及AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有源驱动有机发光二极管)显示器的像素驱动电路中通常设置有TFT(ThinFilmTransistor，薄膜场效应晶体管)。
上述TFT有源层的材料主要包括非晶硅(a-Si)与多晶硅(Poly-Si)两种。其中，非晶硅成本低，工艺简单，但是迁移率低，很难满足OLED器件的发光需求，然而多晶硅工艺复杂，受限于离子注入及激光晶化等复杂的设备。此外，由于柔性显示装置中采用多晶硅或非晶硅制得的有源层时，该有源层柔性及耐折性价差，从而不利于柔性显示装置的制备。
由于碳纳米管(CarbonNanotube，CNT)相对于多晶硅或非晶硅而言，具有较高的迁移率，且碳纳米管薄膜的柔性及耐折度较高。因此，当TFT的有源层采用碳纳米管薄膜构成时，形成的碳纳米管薄膜场效应晶体管(CNT-TFT)能够具有较高的开关电流比、理想的亚阈值特性、利于大规模的集成以及例如柔性显示装置的制备等优良性能。
现有技术中，上述碳纳米管薄膜通常可以采用溶液静置挥发的方式进行制备，由于静置过程需要很长的时间，因此上述方法制备碳纳米管薄膜的制备周期较长，降低了生产率。
发明内容
本发明的实施例提供一种碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板，能够提高通过碳纳米管溶液制备碳纳米管薄膜的效率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种碳纳米管薄膜的制备方法，包括将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，所述载体基板包括第一衬底基板以及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在所述电场作用下聚集在所述第一衬底基板设置有所述电极对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。
优选的，对所述第一电极和所述第二电极分别施加的电压为1V～50V。
优选的，对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压的时间为1s～300s。
优选的，所述碳纳米管悬浮液中分散剂包括乙醇、氯仿、邻二甲苯、甲苯中的至少一种。
优选的，将形成有碳纳米管薄膜的第一衬底基板从所述碳纳米管悬浮液中取出，并对所述碳纳米管薄膜行进行干燥处理。
优选的，构成所述第一电极的材料包括铝和铜中的至少一种；构成所述第二电极的材料包括铝和铜中的至少一种。
进一步优选的，所述将载体基板放入碳纳米管悬浮液中之前，还包括：在所述载体基板上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述电极对的表面，以及构成一电极对的第一电极与第二电极之间的所述第一衬底基板的表面。
本发明实施例的另一方面，还提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括，采用如上所述的碳纳米管薄膜的制备方法形成碳纳米管薄膜；将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置。其中，所述碳纳米管薄膜的图案与所述薄膜晶体管有源层的图案相匹配。剥离所述第一衬底基板。
优选的，所述将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置之前，所述方法还包括：在所述碳纳米管薄膜背离所述第一衬底基板的一侧表面形成粘结层。
优选的，当载体基板上形成有牺牲层时，所述剥离第一衬底基板之后，所述方法还包括将所述牺牲层去除。
本发明实施例的又一方面，还提供一种阵列基板的制备方法，包括如上所述的薄膜晶体管的制备方法。其中，第二衬底基板上形成有多个呈矩阵形式排列的待成型薄膜晶体管，第一衬底基板上的一个电极对的位置与一个薄膜晶体管的预设位置相对应，以使得形成在所述电极对上的碳纳米管薄膜的位置与所述薄膜晶体管有源层的预设位置相对应。
本发明实施例的再一方面，还提供一种薄膜晶体管，采用如上所述的薄膜晶体管的制备方法制得。
本发明实施例的另一方面，还提供一种阵列基板，采用如上所述的阵列基板的制备方法制得。
本发明实施例的又一方面，还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。
本发明实施例的再一方面，还提供一种应用于如上所述的薄膜晶体管的制备方法中的载体基板，所述载体基板包括第一衬底基板以及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。
本发明实施例提供一种碳纳米管薄膜、包含该薄膜的装置及制备方法、载体基板，该碳纳米管薄膜的制备方法包括：将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，载体基板包括第一衬底基板以及形成于第一衬底基板上的电极对，该电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。在此情况下，对构成电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场，上述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板设置有电极对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。这样一来,由于第一电极与第二电极之间的电场能够加快碳纳米管悬浮液中的碳纳米管的聚集速度，从而提高了碳纳米管薄膜的成膜效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种碳纳米管薄膜的制备方法流程图；
图2为本发明实施例提供的一种载体基板的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种制备碳纳米管薄膜的示意图；
图4为本发明实施例提供的另一种制备碳纳米管薄膜的示意图；
图5为本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的制备方法流程图；
图6a为本发明实施例提供的底栅型薄膜晶体管的制备过程示意图；
图6b为本发明实施例提供的顶栅型薄膜晶体管的制备过程示意图；
图7为本发明实施例提供的一种碳纳米管薄膜作为TFT有源层的阵列基板的制备过程示意图；
图8为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。
附图标记：
01-第一衬底基板；02-二衬底基板；10-载体基板；11-牺牲层；12-像素单元；13-钝化层；14-像素电极；15-公共电极；20-有源层；21-栅极；22-栅极绝缘层；23-源极；24-漏极；100-电极对；101-第一电极；102-第二电极；200-碳纳米管薄膜；201-粘结层；A-有源层的预设位置；B-TFT的预设位置；C-碳纳米管薄膜的大部分区域；D-碳纳米管薄膜的周边区域。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种碳纳米管薄膜的制备方法，如图1所示，包括：
S101、将如图2所示的载体基板10放入碳纳米管悬浮液中。
其中，该载体基板10包括第一衬底基板01以及形成于第一衬底基板上01的电极对100。所述电极对100包括相对设置的第一电极101和第二电极102。
需要说明的是，本发明对载体基板10上电极对100的个数不做限定。图2中仅画出一对电极对100进行举例说明。
此外，构成第一电极101的材料可以包括铝(Al)或铜(Cu)中的至少一种；构成该第二电极102的材料可以包括铝(Al)或铜(Cu)中的至少一种。此外，上述第一电极101和第二电极102可以通过构图工艺进行制备。
在本发明中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
S102、对构成上述电极对100的第一电极101和第二电极102分别施加电压。
具体的，将第一电压V1施加于第一电极101，将第二电压V2施加于第二电极102。其中，第一电压V1和第二电压V2不同，从而使得第一电极101与第二电极102之间产生电势差。例如第一电压V1可以采用正压，第二电压V2可以采用负压。
这样一来，可以使得第一电极101和第二电极102之间形成电场。此时，碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板01设置有电极对100的一侧表面，以形成如图3所示的碳纳米管薄膜200。
本发明实施例提供一种碳纳米管薄膜的制备方法，包括：将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，载体基板包括第一衬底基板以及形成于第一衬底基板上的电极对，该电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。在此情况下，对构成电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得第一电极和第二电极之间形成电场，上述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板设置有电极对的一侧表面，以形成具有一定取向性的碳纳米管薄膜。这样一来,由于第一电极与第二电极之间的电场能够加快碳纳米管悬浮液中的碳纳米管的聚集速度，从而提高了碳纳米管薄膜的成膜效率。
上述碳纳米管悬浮液的制备过程是将碳纳米管加入一种溶剂例如丙酮或去离子水中，然后再加入分散剂使得碳纳米管能够均匀的分散在上述溶剂中，以形成碳纳米管悬浮液。其中上述分散剂可以由含有至少一种阴离子型亲水单体和至少一个芳基的单体或单体共聚物构成。优选的该分散剂可以包括乙醇、氯仿、邻二甲苯、甲苯中的至少一种。此外，本发明对碳纳米管的类型不做限定。例如该碳纳米管可以为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管或多壁碳纳米管。
此外，碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在电场作用下聚集在第一衬底基板01设置有电极对100的一侧表面，以形成如图3所示的碳纳米管薄膜200是指，在上述电场的作用下，碳纳米管会聚集在构成一电极对100的第一电极101和第二电极102之间，此外，还有少部分碳纳米管会聚集于第一电极101和第二电极102的表面，从而使得最终形成的碳纳米管薄膜200的大部分区域C覆盖构成一电极对100的第一电极101和第二电极102之间的第一衬底基板01，而碳纳米管薄膜200的其余部分例如周边区域D会覆盖部分第一电极101和第二电极102的表面。
由上述可知，一方面，由于构成一电极对100的第一电极101和第二电极102之间形成的电场(在电场阈值内)强度越大，在单位时间内能够聚集的碳纳米管的数量越多，即碳纳米管聚集的速度越快，形成的碳纳米管薄膜200的厚度越大，因此上述电场强度可以决定形成的碳纳米管薄膜200的厚度。其中，上述电场阈值为保证第一电极101和第二电极102不被击穿的电场强度。
其中，优选的，对第一电极101和第二电极102分别施加的电压可以在1V～50V之间。当对第一电极101和第二电极102分别施加的电压小于1V时，第一电极101和第二电极102形成的电场强度太小，上述碳纳米管悬浮液中碳纳米管聚集的速度未得到明显的提升，不利于提高碳纳米管薄膜200的形成效率。此外，当对第一电极101和第二电极102分别施加的电压大于50V时，第一电极101和第二电极102形成的电场强度会超出上述电场阈值，从而造成第一电极101或第二电极102的击穿。
此外，当第一电极101和第二电极102形成的电场一定时，对构成所述电极对的第一电极101和第二电极102分别施加电压的时间越长，在第一电极101和第二电极102之间聚集碳纳米管的数量越多，形成的碳纳米管薄膜200的厚度越大。
其中，优选的，对的第一电极101和第二电极102分别施加电压的时间在1s～300s。当对的第一电极101和第二电极102分别施加电压的时间小于1s时，上述碳纳米管悬浮液中碳纳米管聚集的数量太少，不利于碳纳米管薄膜的形成。而当对的第一电极101和第二电极102分别施加电压的时间大于300s时，虽然碳纳米管悬浮液中碳纳米管聚集的数量多，有利于碳纳米管薄膜的形成，但是由于施加电压的时间太长，从而增加了制备碳纳米管薄膜200的时长，不利于提高生产效率。
另一方面，由于碳纳米管薄膜200的大部分区域C覆盖构成一电极对100的第一电极101和第二电极102之间的第一衬底基板01，因此第一电极101和第二电极102的尺寸越大，形成的碳纳米管薄膜200的尺寸越大。综上所述，本领域技术人员可以根据需要对第一电极101和第二电极102的尺寸以及第一电极101和第二电极102之间形成的电场的强度或施加电场的时间进行调节，以达到制备出所需规格的碳纳米管薄膜200的目的。
进一步的，当采用上述步骤在上述载体基板10形成碳纳米管薄膜200后，该制备方法还包括将形成有碳纳米管薄膜200的第一衬底基板01从上述碳纳米管悬浮液中取出，并对碳纳米管薄膜200行进行干燥处理。具体的，可以仅对形成的碳纳米管薄膜200的位置进行干燥处理，或者还可以对整个载体基板10进行干燥处理。其中，本发明对上述干燥处理的方法不做限定，可以通过真空干燥、自然风干或者烘干等方式。
当采用上述方法制备碳纳米管薄膜200后，还需要将碳纳米管薄膜200从第一衬底基板01以及电极对100上剥离。为了方便碳纳米管薄膜200的剥离，以避免剥离过程中对碳纳米管薄膜200造成损坏。上述制备方法还包括，将载体基板10放入上述碳纳米管悬浮液中之前，如图4所示在载体基板10上形成牺牲层11，该牺牲层至少覆盖部分电极对100的表面，以及构成一电极对100的第一电极101与第二电极102之间的所述第一衬底基板01的表面。然后，再将制备有牺牲层11的载体基板10放入碳纳米管悬浮液中形成碳纳米管薄膜200。该碳纳米管薄膜200与第一衬底基板01，以及该碳纳米管薄膜200与电极对100之间具有该牺牲层11。这样一来，通过对该牺牲层11进行剥离，能够便于对碳纳米管薄膜200的剥离，且能够避免直接对碳纳米管薄膜200进行剥离时导致碳纳米管薄膜200的损坏。
其中，构成上述牺牲层11的材料可以选择绝缘材料，例如树脂材料。
本发明一种薄膜晶体管(TFT)的制备方法，如图5所示，包括：
S201、采用如上所述的任一种碳纳米管薄膜的制备方法形成如图3所示的碳纳米管薄膜200。具有与前述实施例提供的碳纳米管薄膜制备方法相同的步骤和有益效果，由于前述实施例已经对碳纳米管薄膜制备方法的步骤和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述。
S202、将第一衬底基板01与如图6a或如图6b所示的待制备TFT的第二衬底基板02对合，并将碳纳米管薄膜200转印至TFT有源层20的预设位置A。
其中，碳纳米管薄膜200的图案与TFT有源层20的图案相匹配，以使得转印至TFT有源层20的预设位置A的碳纳米管薄膜200能够与TFT的源极23和漏极24相接触，从而在TFT栅极21施加开启电压的情况下，通过碳纳米管薄膜200将源极23和漏极24导通。对于N型TFT而言，上述开启电压为正压，对于P型TFT而言，上述开启电压为负压。
需要说明的是，将碳纳米管薄膜200转印至TFT有源层20的预设位置A是指，当第一衬底基板01与第二衬底基板02对合后，采用一定的压力将第一衬底基板01上的碳纳米管薄膜200转移至第二衬底基板02上的过程。
此外，不同类型的TFT，其有源层20的预设位置A不同。具体的，对于底栅型TFT而言，如图6a所示，栅极21与第二衬底基板02相接触，栅极21的表面依次设置有栅极绝缘层22和有源层20。因此，有源层20的预设位置A位于栅极绝缘层22的表面。或者，对于顶栅型TFT而言，如图6b所示，源极23和漏极24与第二衬底基板02相接触，有源层20覆盖源极23和漏极24。因此，有源层20的预设位置A位于源极23和漏极24的表面。
再者，本发明对构成第一衬底基板01与第二衬底基板02的材料不做限定，可以采用玻璃构成，或者采用透明树脂材料，例如PET(英文全称：PolyethyleneTerephthalate，中文全称：聚对苯二甲酸类塑料)构成。
S203、剥离第一衬底基板01。
当第一衬底基板01与第二衬底基板02对合后，为了使得碳纳米管薄膜200容易转印至第二衬底基板02中的有源层20的预设位置A处。通常第二衬底基板02上的薄膜层(如图6b所示的源极23和漏极24)需要与碳纳米管薄膜200的粘结力大于第一衬底基板01与碳纳米管薄膜200的粘结力。在此基础上，为了进一步地利于碳纳米管薄膜200的转印，在上述步骤S202之前，该方法还包括在碳纳米管薄膜200背离第一衬底基板01的一侧表面形成如图6b粘结层201。具体的，如图6b所示，可以在碳纳米管薄膜200背离第一衬底基板01的一侧表面，且在分别对应源极23和漏极24的位置通过点胶的方式形成上述粘结层201。其中，该粘结层201可以由树脂粘结剂构成，该树脂粘结剂可以包括聚乙烯醇缩醛、聚碳酸醋、尼龙、聚枫中的至少一种。
此外，为了方便碳纳米管薄膜200从第一衬底基板01上剥离，并避免剥离过程中对碳纳米管薄膜200造成损坏，如图6a所示，可以在载体基板10上形成牺牲层11时。在此情况下，当将碳纳米管薄膜200转印至第二衬底基板02中的有源层20的预设位置A处，并剥离第一衬底基板01之后，还需要将一同转印至第二衬底基板02上的牺牲层11去除。具体的，可以在牺牲层11的表面涂覆溶解剂，以对牺牲层11进行溶解。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，包括如上述所述的任意一种TFT的制备方法。具有与前述实施例提供的TFT的制备方法相同的步骤和有益效果，由于前述实施例已经对TFT的制备方法的步骤和有益效果进行了详细的描述，此处不再赘述
其中，第二衬底基板02上形成有多个呈矩阵形式排列的待成型的TFT，如图7所示，第一衬底基板01上的一个电极对100的位置与一个TFT的预设位置B相对应，以使得形成在电极对100上的碳纳米管薄膜200的位置与TFT有源层20的预设位置A相对应。
需要说明的是，第二衬底基板02包括多个呈矩阵形式排列的像素单元12，每个像素单元12中设置有一个TFT。
进一步地，以底栅型TFT为例，当将碳纳米管薄膜200转印至TFT有源层20的预设位置A后，还需要通过构图工艺制备如图8所示的TFT的源极23和漏极24。在此基础上，该阵列基板的制备方法还包括在源极23和漏极24的表面形成钝化层13，该钝化层13可以由氧化硅、氮化硅中的至少一种绝缘材料构成。接下来，在钝化层13对应漏极24的位置通过构图工艺形成过孔，以使得制作于钝化层13表面的像素电极14能够通过该过孔与漏极24相连接。
此外，对于AD-SDS(Advanced-SuperDimensionalSwitching，简称为ADS，高级超维场开关)型显示面板中的阵列基板而言，该阵列基板中还需要制备与栅极21同层设置的公共电极15。其中该公共电极15可以为面状结构，像素电极14为条状结构(如图7所示)，或者，该公共电极15可以为条状结构，像素电极14为面状结构。其中，构成该像素电极14和公共电极15的材料包括透明导电材料，例如氧化铟锌(英文全称：IndiumZinOxides，英文简称：IZO)和氧化铟锡(英文全称：IndiumTinOxides，英文简称：ITO)中的至少一种。
本发明实施例提供一种TFT，采用如上述所述的任意一种TFT的制备方法制得。具有与前述实施例提供的TFT相同的结构和有益效果，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种阵列基板，采用如上所述的阵列基板的制备方法制得，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果，此处不再赘述。
本发明实施例提供一种显示装置包括如上所述的阵列基板，具有与前述实施例提供的阵列基板相同的结构和有益效果，此处不再赘述。
在本发明实施例中，显示装置具体至少可以包括液晶显示装置和有机发光二极管显示装置，例如该显示装置可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供一种应用于如上所述的任意一种碳纳米管薄膜的制备方法中的载体基板10，如图2所示，该载体基板10包括第一衬底基板01以及形成于第一衬底基板01上的电极对100。所述电极对100包括相对设置的第一电极101和第二电极102。
需要说明的是，上述第一电极101和第二电极102可以采用构图工艺例如光刻工艺或打印、喷墨等工艺形成。
这样一来，当将该载体基板放入碳纳米管悬浮液中，并对构成电极对的第一电极和第二电极施加电压时，在电场的作用下碳纳米管悬浮液中的碳纳米管会积聚在第一衬底基板设置有电极对的一侧表面，从而形成的碳纳米管薄膜。由于第一电极与第二电极之间的电场能够加快碳纳米管悬浮液中的碳纳米管的聚集速度，从而提高了碳纳米管薄膜的成膜效率。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，包括：
将载体基板放入碳纳米管悬浮液中，所述载体基板包括第一衬底基板以及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对设置的第一电极和第二电极；
对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间形成电场，所述碳纳米管悬浮液中的碳纳米管在所述电场作用下聚集在所述第一衬底基板设置有所述电极对的一侧表面，以形成碳纳米管薄膜。
2.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，对所述第一电极和所述第二电极分别施加的电压为1V～50V。
3.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，对构成所述电极对的第一电极和第二电极分别施加电压的时间为1s～300s。
4.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，所述碳纳米管悬浮液中分散剂包括乙醇、氯仿、邻二甲苯、甲苯中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，还包括：将形成有碳纳米管薄膜的第一衬底基板从所述碳纳米管悬浮液中取出，并对所述碳纳米管薄膜行进行干燥处理。
6.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，构成所述第一电极的材料包括铝和铜中的至少一种；
构成所述第二电极的材料包括铝和铜中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的碳纳米管薄膜的制备方法，其特征在于，所述将载体基板放入碳纳米管悬浮液中之前，还包括：
在所述载体基板上形成牺牲层，所述牺牲层至少覆盖部分所述电极对的表面，以及构成一电极对的第一电极与第二电极之间的所述第一衬底基板的表面。
8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
采用如权利要求1-7任一项所述的碳纳米管薄膜的制备方法形成碳纳米管薄膜；
将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置；其中，所述碳纳米管薄膜的图案与所述薄膜晶体管有源层的图案相匹配；
剥离所述第一衬底基板。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述将第一衬底基板与待制备薄膜晶体管的第二衬底基板对合，并将所述碳纳米管薄膜转印至所述薄膜晶体管有源层的预设位置之前，所述方法还包括：
在所述碳纳米管薄膜背离所述第一衬底基板的一侧表面形成粘结层。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，当载体基板上形成有牺牲层时，所述剥离第一衬底基板之后，所述方法还包括将所述牺牲层去除。
11.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括如权利要求8-10任一项所述的薄膜晶体管的制备方法；
其中，第二衬底基板上形成有多个呈矩阵形式排列的待成型薄膜晶体管，第一衬底基板上的一个电极对的位置与一个薄膜晶体管的预设位置相对应，以使得形成在所述电极对上的碳纳米管薄膜的位置与所述薄膜晶体管有源层的预设位置相对应。
12.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求8-10任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制得。
13.一种阵列基板，其特征在于，采用如权利要求11所述的阵列基板的制备方法制得。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求13所述的阵列基板。
15.一种应用于如权利要求8-10任一项所述的薄膜晶体管的制备方法中的载体基板，其特征在于，所述载体基板包括第一衬底基板以及形成于所述第一衬底基板上的电极对，所述电极对包括相对设置的第一电极和第二电极。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110683508A (zh) * 2019-10-18 2020-01-14 北京元芯碳基集成电路研究院 一种碳纳米管平行阵列的制备方法
CN114005369A (zh) * 2021-11-10 2022-02-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于补偿纳米粒子薄膜的厚度的补偿方法及显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023514A1 (en) * 2002-08-01 2004-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing carbon nonotube semiconductor device
CN1802751A (zh) * 2003-07-25 2006-07-12 富士施乐株式会社 电子元件、集成电路及其制造方法
WO2008060455A2 (en) * 2006-11-09 2008-05-22 Nanosys, Inc. Methods for nanowire alignment and deposition
WO2011081364A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Korea University Research And Business Foundation Method and device for cnt length control
CN103964413A (zh) * 2014-04-17 2014-08-06 北京大学 一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法
CN104051549A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 台积太阳能股份有限公司 具有局部电场分布的透明导电氧化物层及其光伏器件

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040023514A1 (en) * 2002-08-01 2004-02-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing carbon nonotube semiconductor device
CN1802751A (zh) * 2003-07-25 2006-07-12 富士施乐株式会社 电子元件、集成电路及其制造方法
WO2008060455A2 (en) * 2006-11-09 2008-05-22 Nanosys, Inc. Methods for nanowire alignment and deposition
WO2011081364A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Korea University Research And Business Foundation Method and device for cnt length control
CN104051549A (zh) * 2013-03-11 2014-09-17 台积太阳能股份有限公司 具有局部电场分布的透明导电氧化物层及其光伏器件
CN103964413A (zh) * 2014-04-17 2014-08-06 北京大学 一种提高碳纳米管平行阵列密度的方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JUNG-TANG HUANG, ET AL.: "Transfer Printing of the Functionalized Carbon Nanotubes Aligned by DEP", 《NANOTECHNOLOGY, 2009. IEEE-NANO 2009. 9TH IEEE CONFERENCE ON》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110683508A (zh) * 2019-10-18 2020-01-14 北京元芯碳基集成电路研究院 一种碳纳米管平行阵列的制备方法
CN114005369A (zh) * 2021-11-10 2022-02-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于补偿纳米粒子薄膜的厚度的补偿方法及显示面板
CN114005369B (zh) * 2021-11-10 2023-05-02 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种用于补偿纳米粒子薄膜的厚度的补偿方法及显示面板

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