CN105702712A - 一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 - Google Patents
一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105702712A CN105702712A CN201610066721.1A CN201610066721A CN105702712A CN 105702712 A CN105702712 A CN 105702712A CN 201610066721 A CN201610066721 A CN 201610066721A CN 105702712 A CN105702712 A CN 105702712A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon carbide
- sample
- carbide sample
- temperature
- controls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 109
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 15
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 4
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims description 22
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 3
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 3
- 230000002977 hyperthermial effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 abstract description 13
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 5
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 abstract 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000002128 reflection high energy electron diffraction Methods 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010068052 Mosaicism Diseases 0.000 description 1
- 229910012990 NiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000007850 degeneration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003765 sex chromosome Anatomy 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001117 sulphuric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及微电子技术领域，一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，包括以下步骤：(1)对碳化硅样品进行传统RCA清洗；(2)将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理；(3)通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形；(4)采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛；(5)对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属，并用氮气吹干；(6)在氮气氛围下对碳化硅样品进行退火处理。本发明由于利用电子回旋共振系统产生氢等离子体对碳化硅表面进行预处理后，碳化硅表面得到了有效的清洗钝化，表面态密度显著降低，再结合低功函金属钛或碳化钛以及较高掺杂浓度的碳化硅衬底，Ti/SiC接触的势垒高度低，能够在低温退火条件下就形成良好的欧姆接触。
Description
技术领域
本发明涉及一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，属于微电子技术领域。
背景技术
目前，碳化硅半导体由于具有禁带宽度大、临界击穿电场和热传导率高等特点，因此在高温、高频、大功率电子器件领域中得到了广泛的应用，碳化硅器件已经成为目前半导体领域最受关注的热点和前沿领域之一。欧姆接触是任何一个半导体器件与外部元器件和电路元件相连接的部分，低电阻和高稳定性的欧姆接触是碳化硅能否应用到高温大功率器件中具有决定性的因素。因为在大电流密度下工作，小的电阻就会产生非常大的功耗，而在高温下工作，若欧姆接触的热稳定性不好，就会直接导致器件性能退化甚至失效。由于碳化硅半导体禁带宽度大，具有足够低的功函数以获得低势垒的金属非常少，再加上表面态的影响，使得制备良好的碳化硅欧姆接触远比其他半导体困难。因此它一直是碳化硅器件研制中的重点和难点，是碳化硅器件应用中亟需解决的关键技术难题。
用于N型碳化硅欧姆接触的金属有单一金属，也有多金属甚至合金，常用的有Ni、Ti、Cr、W、NiCr、NiSi2、TiAl等。由于碳化硅禁带宽度大，并且表面存在非常复杂的表面态，金属/碳化硅接触若不经过合金化处理一般都呈整流特性。目前制备n型碳化硅欧姆接触的方法是利用金属与重掺杂(>1×1019cm-3)的碳化硅接触在高温(>950℃)下退火形成。因为重掺杂可使势垒变薄，电子可以利用量子力学隧道效应穿过势垒从半导体进入金属形成电流，这样受金属功函数的影响较小，金属材料的选择就比较自由。但是对碳化硅进行重掺杂热扩散所需温度极高，离子注入激活率又低，工艺难度非常大，成本高。这给碳化硅欧姆接触的制备带来了困难和高昂的成本，并且也无法满足在轻掺杂衬底上制备器件的需求。另外，高温下界面发生化学反应使接触特性不再受表面态的影响，但是，高温退火除了存在设备兼容性问题之外，退火的条件如时间、温度、氛围等参数难以确定；同时高温退火使金属表面及界面出现缺陷，影响欧姆接触的热稳定性；除此以外，由于高温下接触界面会发生化学反应，到目前为止即便是应用最广泛的N型碳化硅的镍基欧姆接触的形成机理和相关物理模型还一直存在争议。因此，针对上述问题，尽可能地降低金属/碳化硅接触的势垒高度，实现低温甚至在低掺杂碳化硅衬底上制备性能良好的欧姆接触显得尤为重要。
发明内容
为了克服现有技术中存在的不足，本发明目的是提供一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法。该方法不仅无需高温退火，并且还可避免采用重掺杂碳化硅衬底，解决了传统采用重掺杂碳化硅衬底以及高温退火形成碳化硅欧姆接触所存在的制备成本高，热稳定性和工艺相容性差等问题，可降低碳化硅器件制备成本，提高器件的可靠性。
为了实现上述发明目的，解决现有技术中所存在的问题，本发明采取的技术方案是：一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，包括以下步骤：
步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗；
步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理，具体包括以下子步骤：
(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中；
(b)对放电室抽真空，当真空度低于10-3Pa时，开始对样品台进行升温处理，温度控制在100-600℃；
(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源，功率控制在200-800W，并向石英放电室通入流量为10-100sccm的氢气产生氢等离子体，然后对碳化硅样品处理1-120min；
(d)将样品台冷却到室温后，再向装样室充入氮气，并在氮气气氛保护下从装样室中取出碳化硅样品；
步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形，具体包括以下子步骤：
(a)一次烘干，将碳化硅样品置于热烘箱里烘干5-20min，温度控制在50-100℃；
(b)甩胶，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，使用正胶为光刻胶，采用旋转法进行涂胶，转速控制在3000-4000rpm，时间控制在30-60s；
(c)曝光，采用光刻机透过电极掩膜版紫外线曝光5-20s；
(d)二次烘干，将曝光后的碳化硅样品置于热烘箱里烘干10-30min，温度控制在60-90℃；
(e)显影，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，在显影液中浸泡10-30s显现出电极图形；
(f)清洗，使用去离子水对碳化硅样品清洗数遍，并用氮气吹干；
(g)坚膜，对碳化硅样品进行坚膜，温度控制在60-90℃，时间控制在5-20min；
步骤4、采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛，待坚膜温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，置于基底真空度小于10-3Pa的磁控溅射仪中沉积高纯Ti薄膜，厚度控制在100-400nm，时间控制在5-30min；
步骤5、对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属，并用氮气吹干；
步骤6、在氮气、氮氢混合气或氩气氛围下对碳化硅样品进行退火处理，温度控制在200-500℃，时间控制在5-20min。
本发明有益效果是：一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，包括以下步骤：(1)对碳化硅样品进行传统RCA清洗；(2)将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理；(3)通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形；(4)采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛；(5)对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属，并用氮气吹干；(6)在氮气、氮氢混合气或氩气氛围下对碳化硅样品进行退火处理。与已有技术相比，本发明由于利用电子回旋共振系统产生氢等离子体对碳化硅表面进行预处理后，碳化硅表面得到了有效的清洗钝化，表面态密度显著降低，再结合低功函金属钛或碳化钛以及较高掺杂浓度的碳化硅衬底，Ti/SiC接触的势垒高度低，能够在低温退火条件下就形成良好的欧姆接触。
附图说明
图1是本发明方法步骤流程图。
图2是本发明方法对碳化硅表面进行氢等离子体处理后的RHEED图。
图3是本发明方法对碳化硅表面进行氢等离子体处理前后的欧姆接触I-V特性曲线图。
图4是本发明方法在不同退火温度下，对碳化硅表面未进行氢等离子体处理的欧姆接触I-V特性曲线图。
图5是本发明方法在不同退火温度下，对碳化硅表面进行氢等离子体处理的欧姆接触I-V特性曲线图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
如图1所示，一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，包括以下步骤：
步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗，具体包括以下子步骤：
(a)采用去离子水加超声清洗碳化硅样品至无明显的异物；
(b)采用浓硫酸(H2SO4)清洗，将H2SO4加热至80℃，煮10分钟后，放入清洗碳化硅样品，浸泡30分钟后，加入H2O2再浸泡15min，去离子水冲洗碳化硅样品数遍；
(c)采用1号标准液(去离子水、NH4OH和H2O2的混合液)清洗，DIW清洗数遍，缓冲的氢氟酸清洗，去离子水清洗碳化硅样品数遍；
(d)2号标准液(去离子水、HCl和H2O2的混合液)清洗，DIW清洗数遍，缓冲的氢氟酸清洗，去离子水冲洗碳化硅样品数遍。
步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理，具体包括以下子步骤：
(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中；
(b)对放电室抽真空，当真空度低于10-3Pa时，开始对样品台进行升温处理，温度控制在400℃；
(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源，功率控制在650W，并向石英放电室通入流量为60sccm的氢气产生氢等离子体，然后对碳化硅样品处理3min；
(d)将样品台冷却到室温后，再向装样室充入氮气，并在氮气气氛保护下从装样室中取出碳化硅样品；
步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形，具体包括以下子步骤：
(a)一次烘干，将碳化硅样品置于热烘箱里烘干10min，温度控制在90℃；
(b)甩胶，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，使用正胶为光刻胶，采用旋转法进行涂胶，转速控制在3500rpm，时间控制在40s；
(c)曝光，采用光刻机透过电极掩膜版紫外线曝光10s；
(d)二次烘干，将曝光后的碳化硅样品置于热烘箱里烘干20min，温度控制在85℃；
(e)显影，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，在显影液中浸泡20s显现出电极图形；
(f)清洗，使用去离子水对碳化硅样品清洗数遍，并用氮气吹干；
(g)坚膜，对碳化硅样品进行坚膜，温度控制在85℃，时间控制在10min；
步骤4、采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛，待坚膜温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，置于基底真空度小于10-3Pa的磁控溅射仪中沉积高纯Ti薄膜，厚度控制在200nm，时间控制在10min；
步骤5、对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属，并用氮气吹干；
步骤6、在氮气氛围下对碳化硅样品进行退火处理，温度控制在200℃，时间控制在5min。
如图2所示，图(a)是经过传统RCA清洗的碳化硅表面RHEED图像，虽然呈线性条纹状，但条纹不清晰且对比度差，说明碳化硅表面原子排列不规则，单晶取向性差。图(b)是经过氢等离子体处理后，RHEED图像出现了非常清晰的线性条纹，对比度也非常高，说明碳化硅表面清洁，原子排列规则，平整，单晶取向性好，表面态密度很低。
如图3所示，RCA是未经处理碳化硅样品的欧姆接触的I-V特性，HPT是经电子回旋共振氢等离子体处理后欧姆接触的I-V特性。经氢处理后的碳化硅样品I-V特性明显优于处理前的碳化硅样品。处理前呈整流特性，而处理后I-V曲线变为线性。
在不同退火温度下，对碳化硅表面未处理((RCA)及处理后(HPT)的比电阻率值如表1所示。
表1
本发明优点在于：本发明由于利用电子回旋共振系统产生氢等离子体对碳化硅表面进行预处理后，碳化硅表面得到了有效的清洗钝化，表面态密度显著降低，再结合低功函金属钛或碳化钛以及较高掺杂浓度的碳化硅衬底，Ti/SiC接触的势垒高度低，能够在低温退火条件下就形成良好的欧姆接触。
Claims (1)
1.一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤1、对碳化硅样品进行传统RCA清洗；
步骤2、将碳化硅样品置于电子回旋共振微波等离子体系统中，进行氢等离子体处理，具体包括以下子步骤：
(a)将步骤1清洗后的碳化硅样品通过样品台载入石英放电室中；
(b)对放电室抽真空，当真空度低于10-3Pa时，开始对样品台进行升温处理，温度控制在100-600℃；
(c)开启电子回旋共振微波等离子体系统中的微波源，功率控制在200-800W，并向石英放电室通入流量为10-100sccm的氢气产生氢等离子体，然后对碳化硅样品处理1-120min；
(d)将样品台冷却到室温后，再向装样室充入氮气，并在氮气气氛保护下从装样室中取出碳化硅样品；
步骤3、通过光刻在碳化硅样品上形成电极图形，具体包括以下子步骤：
(a)一次烘干，将碳化硅样品置于热烘箱里烘干5-20min，温度控制在50-100℃；
(b)甩胶，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，使用正胶为光刻胶，采用旋转法进行涂胶，转速控制在3000-4000rpm，时间控制在30-60s；
(c)曝光，采用光刻机透过电极掩膜版紫外线曝光5-20s；
(d)二次烘干，将曝光后的碳化硅样品置于热烘箱里烘干10-30min，温度控制在60-90℃；
(e)显影，待热烘箱温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，在显影液中浸泡10-30s显现出电极图形；
(f)清洗，使用去离子水对碳化硅样品清洗数遍，并用氮气吹干；
(g)坚膜，对碳化硅样品进行坚膜，温度控制在60-90℃，时间控制在5-20min；
步骤4、采用磁控溅射的方法淀积金属电极材料钛或碳化钛，待坚膜温度冷却至室温时，取出碳化硅样品，置于基底真空度小于10-3Pa的磁控溅射仪中沉积高纯Ti薄膜，厚度控制在100-400nm，时间控制在5-30min；
步骤5、对碳化硅样品采用丙酮在超声清洗器中剥离掉电极以外的金属，并用氮气吹干；
步骤6、在氮气、氮氢混合气或氩气氛围下对碳化硅样品进行退火处理，温度控制在200-500℃，时间控制在5-20min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610066721.1A CN105702712A (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610066721.1A CN105702712A (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105702712A true CN105702712A (zh) | 2016-06-22 |
Family
ID=56229881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610066721.1A Pending CN105702712A (zh) | 2016-01-29 | 2016-01-29 | 一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105702712A (zh) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107331732A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-07 | 西安交通大学 | 一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法 |
| CN107331606A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-11-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | SiC器件背面金属体系的制备方法 |
| CN107369617A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-21 | 西安交通大学 | 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法 |
| CN108231566A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-06-29 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种SiC器件欧姆接触的形成方法 |
| CN108550523A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-18 | 西安理工大学 | 一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法 |
| CN109524304A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件 |
| CN111710599A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-25 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种碳化硅欧姆接触的制备方法 |
| CN111785620A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法 |
| WO2020253807A1 (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法 |
| CN112820639A (zh) * | 2021-01-02 | 2021-05-18 | 大连理工大学 | 一种改进的碳化硅mosfet器件的制备工艺 |
| WO2021092862A1 (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 华为技术有限公司 | 半导体衬底及其制造方法、半导体器件 |
| CN114093765A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-02-25 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060252235A1 (en) * | 2002-10-08 | 2006-11-09 | Aberle Armin G | Fabrication method for crystalline semiconductor films on foreign substrates |
| CN101174558A (zh) * | 2007-12-04 | 2008-05-07 | 北京工业大学 | 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法 |
| WO2011147122A1 (zh) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 |
-
2016
- 2016-01-29 CN CN201610066721.1A patent/CN105702712A/zh active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060252235A1 (en) * | 2002-10-08 | 2006-11-09 | Aberle Armin G | Fabrication method for crystalline semiconductor films on foreign substrates |
| CN101174558A (zh) * | 2007-12-04 | 2008-05-07 | 北京工业大学 | 立方氮化硼薄膜的p型掺杂方法 |
| WO2011147122A1 (zh) * | 2010-05-25 | 2011-12-01 | 中国科学院微电子研究所 | 一种黑硅太阳能电池及其制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 黄玲琴: "金属/SiC半导体接触的SiC表面等离子体改性研究", 《中国博士学位论文全文数据库》 * |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107331606A (zh) * | 2017-05-09 | 2017-11-07 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | SiC器件背面金属体系的制备方法 |
| CN107331732B (zh) * | 2017-07-06 | 2020-03-17 | 西安交通大学 | 一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法 |
| CN107369617A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-21 | 西安交通大学 | 一种SiC高温欧姆接触电极及其制作方法 |
| CN107331732A (zh) * | 2017-07-06 | 2017-11-07 | 西安交通大学 | 一种垂直型多电流通道SiC光导开关及其制作方法 |
| CN108231566A (zh) * | 2017-12-04 | 2018-06-29 | 北京燕东微电子有限公司 | 一种SiC器件欧姆接触的形成方法 |
| CN108550523A (zh) * | 2018-03-23 | 2018-09-18 | 西安理工大学 | 一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法 |
| CN108550523B (zh) * | 2018-03-23 | 2020-10-27 | 西安理工大学 | 一种用光刻胶制备碳化硅欧姆电极的方法 |
| CN109524304A (zh) * | 2018-11-21 | 2019-03-26 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件 |
| CN109524304B (zh) * | 2018-11-21 | 2021-04-27 | 北京国联万众半导体科技有限公司 | 碳化硅栅介质氟等离子体的处理方法及碳化硅功率器件 |
| WO2020253807A1 (zh) * | 2019-06-21 | 2020-12-24 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种p/n型碳化硅欧姆接触的制备方法 |
| CN113711335A (zh) * | 2019-11-14 | 2021-11-26 | 华为数字能源技术有限公司 | 半导体衬底及其制造方法、半导体器件 |
| CN113711335B (zh) * | 2019-11-14 | 2024-07-23 | 华为数字能源技术有限公司 | 半导体衬底及其制造方法、半导体器件 |
| WO2021092862A1 (zh) * | 2019-11-14 | 2021-05-20 | 华为技术有限公司 | 半导体衬底及其制造方法、半导体器件 |
| CN111710599A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-25 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种碳化硅欧姆接触的制备方法 |
| CN111785620A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-10-16 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法 |
| CN111785620B (zh) * | 2020-07-13 | 2024-09-20 | 同辉电子科技股份有限公司 | 一种P型SiC欧姆接触电极的制作方法 |
| CN112820639B (zh) * | 2021-01-02 | 2024-05-31 | 大连理工大学 | 一种改进的碳化硅mosfet器件的制备工艺 |
| CN112820639A (zh) * | 2021-01-02 | 2021-05-18 | 大连理工大学 | 一种改进的碳化硅mosfet器件的制备工艺 |
| CN114093765A (zh) * | 2022-01-18 | 2022-02-25 | 浙江大学杭州国际科创中心 | 一种提高碳化硅薄膜少子寿命的方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105702712A (zh) | 一种提高碳化硅半导体欧姆接触特性的方法 | |
| TWI351708B (zh) | ||
| KR102059692B1 (ko) | 알루미늄 플라즈마 챔버 부분들의 세정 방법 | |
| US11257935B2 (en) | Gan rectifier suitable for operating under 35GHZ alternating-current frequency, and preparation method therefor | |
| CN104347389B (zh) | 等离子体刻蚀方法 | |
| TW200423254A (en) | Method of removing photoresist | |
| CN106981512A (zh) | 金刚石基常关型场效应晶体管及其制备方法 | |
| CN103489760A (zh) | SiC衬底同质外延碳硅双原子层薄膜的方法 | |
| CN111722479A (zh) | 光刻胶的去胶方法 | |
| CN113891960B (zh) | 耐蚀性构件 | |
| CN109494150B (zh) | 碳化硅高温退火表面保护的制作方法及碳化硅功率器件 | |
| CN114496721A (zh) | 一种碳化硅器件正面结构保护方法和装置 | |
| CN104716191B (zh) | 双栅双极石墨烯场效应晶体管及其制作方法 | |
| CN103474332B (zh) | 提升网状生长Web Growth的刻蚀方法 | |
| CN114063140B (zh) | 一种消除极化效应的金刚石中子探测器的制备方法 | |
| CN103489759B (zh) | SiC衬底同质网状生长Web Growth外延方法 | |
| CN105244267B (zh) | 一种碳化硅PiN器件的欧姆接触方法 | |
| WO2020184705A1 (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| US10354875B1 (en) | Techniques for improved removal of sacrificial mask | |
| CN111952173A (zh) | 一种基于外延工艺制备SiC IGBT的方法及SiC IGBT | |
| JP2020150111A (ja) | バックコンタクト型太陽電池セルの製造方法 | |
| CN104299901B (zh) | 开管涂源全扩散制造低功耗雪崩晶闸管芯片的方法 | |
| JP6472016B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
| CN113394090B (zh) | 一种n型低电阻率的4H-SiC欧姆接触制造方法 | |
| CN117059483B (zh) | 碳化硅器件表面碳保护膜的去除及检测方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160622 |