CN105702634A - 表面安装技术器件及相关方法 - Google Patents

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Abstract

表面安装技术(SMT)器件及相关方法。在一些实施例中，SMT器件可包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子。该SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个端子的主体。该主体可以含有具有长度、宽度以及比该宽度大的高度的长方体形状。该主体包括被配置为允许SMT器件表面安装的基准平面。在一些实施例中，SMT器件例如可为电容器、电感器或电阻器。

Description

表面安装技术器件及相关方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年10月15日提交的、题为“SMTDEVICES”的美国临时申请第62/064435号的优先权，其公开在此通过引用被明确地整体并入本文。
技术领域
本公开涉及表面安装技术(SMT)器件。
背景技术
在很多电子应用中，诸如射频(RF)电路之类的电子电路被实现为使得组件安装在诸如封装基板或电路板之类的基板的表面上。此类组件通常被称为表面安装技术(SMT)器件，或者被称为表面安装器件(SMD)。
发明内容
根据一些教导，本公开涉及包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子的表面安装技术(SMT)器件。该SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个端子的主体。该主体含有具有长度、宽度以及比该宽度大的高度的长方体形状。该主体包括被配置为允许SMT器件的表面安装的基准平面。
在一些实施例中，主体可包括多个层。在一些实施例中，电气元件可包括电容元件，使得SMT器件为电容器。电容元件可包括在各个层上形成的第一组导电板和第二组导电板。第一组和第二组导电板可被布置成交错结构，并且该第一组导电板可电连接到第一端子，第二组导电板可电连接至第二端子。
在一些实施例中，第一组和第二组导电板可大致与基准平面平行。主体的高度大于宽度可以允许实现以下的至少一个：导电板之间更厚的介电层、更多数量的导电板、更厚的导电板。更厚的介电层可致使电容的击穿电压增加。更多数量的导电板可致使电容器的电容增加。更厚的导电板可致使品质因数值Q增大。
在一些实施例中，第一组和第二组导电板可大致与基准平面垂直。主体的高度大于宽度可以允许实现具有更大面积的导电板。导电板的更大面积可致使电容器的电容增加。导电板的更大面积可致使导电板的制造产量增加。
在一些实施例中，多个端子可包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基准平面上的导电垫，以及在电连接到该导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。第一L形端子的导电壁可电连接到第一组导电板，第二L形端子导电壁可电连接到第二组导电板。
在一些实施例中，电气元件可包括电感元件，使得SMT器件为具有绕组的电感。电感元件可包括形成在各层上的多个导电迹线，使得绕组的第一端电连接到第一端子、绕组的第二端电连接到第二端子。
在一些实施例中，导电迹线可大致与基准平面平行。主体的高度大于宽度可以允许实现以下中的至少一个：导电迹线的增加的匝数、导电迹线的增加的厚度、以及绕组与基准平面之间增加的间隔。导电迹线的增加的匝数可致使电感器更大的电感。导电迹线的增加的厚度可致使更强的电流处理能力或更高的品质因数值Q或者兼而有之。绕组与基准平面之间增加的间隔可致使更高的品质因数值Q。
在一些实施例中，导电迹线可大致与基准平面垂直。主体的高度大于宽度可使得导电迹线的匝具有更大的直径。导电迹线的匝的更大直径可致使更大的品质因数值Q。
在一些实施例中，多个端子可包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基准平面上的导电垫，以及在电连接到该导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。第一L形端子的导电壁可电连接到该绕组的第一端，第二L形端子导电壁可电连接到该绕组的第二端。L形端子可致使绕组的寄生电容降低。
在一些实施例中，电气元件可包括电阻元件，使得SMT器件为电阻。电阻元件可在主体的一个表面来实现。电阻元件可在主体的安装侧上实现。主体的高度大于宽度可允许在作为面板处理时电阻以更高的产率制造。
在一些实施例中，电气元件可包括无源电路，使得SMT器件为无源组件。主体的高度大于宽度可允许无源电路以距离基准平面的更远距离来放置。
在一些实施例中，长度可具有大约250μm的值。宽度可具有大约125μm的值。高度可具有大于125μm、130μm、150μm或200μm的值。
在一些实施方式中，本公开涉及电子模块，该电子模块包括被配置为容纳多个组件的封装基板，以及被安装在封装基板上的半导体裸芯。该半导体裸芯包括集成电路。电子模块还包括在封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件。每个SMT器件包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子。SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个端子的主体。该主体具有长度、宽度以及比该宽度大的高度的长方体形状。
在一些实施例中，集成电路可被配置为提供射频(RF)功能。
根据一些实施方式，本公开涉及一种无线装置，其包括被配置为产生射频(RF)信号的收发机、与该收发机进行通信并配置为处理RF信号的RF模块。该RF模块包括被配置为容纳多个组件的封装基板以及在封装基板上安装的半导体裸芯。该半导体裸芯包括集成电路。RF模块还包括在封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件，每个SMT器件包括电气元件和连接到该电气元件的多个端子。SMT器件还包括被配置为支撑该电气元件和多个端子的主体。该主体为具有长度、宽度以及比该宽度大的高度的长方体形状。该无线装置还包括与该RF模块通信的天线。该天线被配置为促进已处理RF信号的传送。
为了概括本公开，已在本文中描述了本发明的某些方面、优点和新颖性特征。但是应该理解，所有这些优点并不一定依据本发明的任何特定的实施例来实现。因此，可以实现或实施本文所教导的一个优点或一组优点、而不必实践如本文所教导或建议的其它优点的方式来体现或实现本发明。
附图说明
图1示出了在封装基板上安装的示例表面安装技术(SMT)器件的平面图。
图2示出图1中示例的侧视图，其中减少尺寸的SMT器件的高度T与大型SMT器件的高度T0保持大致相同。
图3示出了具有减小的占位面积的SMT器件可具有增加的高度T的示例配置。
图4示出了在一些实施例中，图3中SMT器件的增加的高度T可以允许实现更多的特征层，其中该特征层可大致与水平面平行。
图5示出了在一些实施例中，与SMT器件相关联的一个或多个电气元件可被定向为与水平面大致垂直。
图6示出了在一些实施例中，SMT器件的增加的高度T可以在SMT器件内放置一个或多个电气元件时提供更大的灵活性。
图7A-7C示出了作为SMT器件实现的电容器的各种视图，其中多个平行板被布置为与水平面大致平行。
图8A-8E示出了作为SMT器件实现的电容器的各种视图，其中多个平行板被布置为与水平面大致垂直。
图9示出了作为SMT器件实现的电感器的一个示例，其中在其各自平面上形成的多个导电特征可进行电连接从而形成绕组。
图10示出了作为SMT器件实现的电阻器的一个示例。
图11描述了可由射频(RF)模块实现的横向尺寸的减少，该射频(RF)模块具有包含如本文所述的一个或多个特征的多个减少尺寸的SMT器件。
图12示意性地描绘了具有本文所述的一个或多个有利特征的示例无线装置。
具体实施方式
本文所提供的标题，如果有的话也仅是为了方便，并不必然影响所要求保护的发明的范围或含义。
由于诸如智能手机之类的无线装置在保持一定的器件尺寸的同时变得更为复杂且功能更强，因此希望使得给定无线装置的组件变得更小。例如，期望在保持一定性能水平的同时，使得诸如功率放大器(PA)模块、PA-双工器(PAD)模块、前端(FE)模块、开关模块、低噪声放大器(LNA)模块、分集接收(DRx)模块之类的射频(RF)模块更小。在这种模块中，可有促进与该模块相关的各种功能的多达70个表面安装技术(SMT)器件。因此，减小部分或全部这种SMT器件的占位面积可减小模块的总面积。
图1示出了在封装基板16上安装的示例SMT器件10的平面图。这种封装基板可被配置为容纳多个组件，包括SMT器件10和具有RF集成电路的半导体裸芯14。SMT器件10被示出为具有横向尺寸L0(长度)和W0(宽度)。
在图1的示例中，减少尺寸的SMT器件12可替代SMT器件10。减少尺寸的SMT器件12被示出为具有横向尺寸L(长度)和W(宽度)。因此，通过使用示例SMT器件12可实现占位面积减少大约L0×W0-L×W。并且，这种占位面积减少的部分或全部可有助于在给定的封装基板上实施多个SMT时所需的面积的整体减少。
图2示出了图1中示例的侧视图，其中减少尺寸的SMT器件12的高度T可与SMT器件10的高度T0保持大致相同。在这种减少配置中，可能会牺牲性能和/或增加成本。例如，被实施为这种减少尺寸的SMT器件的电容器和电感器会遭受品质因数(Q)的降低。
在图2的示例中，注意到半导体裸芯14或其它一些组件具有明显大于SMT器件10、12的高度的高度T1。在一些实施例中，SMT器件可被配置为包括减少的占位以减小横向尺寸，以及增加的高度以解决诸如那些与Q值相关的性能问题(例如，Q降低)。在一些实施例中，不需要增加模块的总高度即可实现这种增加的高度。例如，该SMT器件的增加的高度可以小于或等于在封装基板上实现的各种组件的最高高度。如果具有最高高度的这一组件是示例半导体裸芯14，则SMT器件的增加的高度则可以小于或等于半导体裸芯14的高度(T1)。
图3示出了一种示例性配置，其中具有减小的占位尺寸(例如，L×W)的SMT器件100也具有增加的高度T。在图3中，SMT器件10和半导体裸芯14与图2的示例大致相同。在一些实施例中，SMT器件100的高度T可大于它的宽度W。本文更详细地描述了与SMT器件100相关的尺寸以及可实施的不同配置的示例。
图4-6示出了具有增加的高度以及不同的示例配置的SMT器件100的透视图。每个SMT器件100大致被表示为长方体，其中所有角大致为直角并且相对的面大致相等。每个长方体被示出为具有长度L、宽度W以及高度T。虽然在这种形状的上下文中描述，但将理解的是，本公开的一个或多个特征也可在其它形状中实现。为便于描述，L和W所限定的平面可以被称作基准平面、安装平面、水平面，或它们的某一组合。
图4示出了SMT器件100的增加的高度T可允许实现更多特征层102(例如，当与具有高度小于其宽度的SMT器件相比时)，其中特征层102大致与水平面平行。在图4的例子中，可实现Nlayers个这样的特征层，并且这种Nlayers的增加值使得即使其横向尺寸减小也能够维持或改进SMT器件100的性能。本文将在电容器和电感器的上下文中更详细地描述这种SMT器件的示例。
图5示出了在一些实施例中，与SMT器件100相关联的一个或多个电气元件可被定向为大致与水平面垂直。例如，SMT器件100的增加高度T可以允许大体在与水平面大致垂直并与L和T所限定的平面大致平行的平面内实现电气元件104。在这样一个方向上，增加高度T可允许电气元件104具有相对大的面积(A)(例如，当与具有小于其宽度的高度的SMT器件相比时)，并且A的这一增大值可以允许即便是其横向尺寸减小也能够维持或改进SMT器件100的性能。本文更详细地在电容器和电感器的上下文中描述这种SMT器件的示例。
在图4和5的示例中，SMT器件100的增加高度T在电气元件可以如何配置和定向中提供了更大的灵活性。图6示出了SMT器件100的增加高度T还可以在SMT100中安置一个或多个电气元件时提供更大的灵活性。例如，可能期望更加远离封装基板的表面来放置电气元件106，以例如减少电气元件106和与该封装基板相关联的一个或多个导电平面之间的寄生效应。在这种示例性情况中，由于SMT器件100的增加高度，可进一步远离封装基板地放置电气元件106(例如，当与具有小于其宽度的高度的SMT器件进行比较时)。例如，电气元件106可放置在离SMT器件100的基面的高度h处。在一些实施例中，电气元件106例如可为电容元件或电感元件。
图7A-7C示出了作为SMT器件100实现的电容器的多个视图，其中多个平行板被布置为大致与水平面平行(例如，与图4的例子类似)。如所表示的，图7A示出了平面图，图7B和图7C示出了侧剖视图。
图7A-7C中的电容器100被示出为包括与第二组导电层116b交错的第一组导电层116a，以形成交错的板电容器配置。第一组导电层116a被示出为在电容器100的主体110内实现并电连接到第一导电壁114a(例如，如在图7B中从左侧查看时)。类似地，第二组导电层116b被示出为在电容器100的主体110内实现并电连接到第二导电壁114b(例如，如在图7B中从右侧查看时)。虽然在具有交错层(例如，第一导电层、第二导电层、第一导电层等)的交错结构的上下文中进行了描述，但应当理解，可以其它的方式设置该第一和第二组导电层。例如，可实现两个第一导电层和两个第二导电层的交替组。在另一实例中，可在以第一和第二导电层之间提供一个或多个假的或浮动的导电层。
在图7A-7C的示例中，第一导电壁114a被示出为电连接到在主体110的上、下表面上的第一端子112a。类似的，第二导电壁114b被示出为电连接到在主体110的上、下表面上的第二端子112b。在主体110的上、下侧上的这种端子可允许电容器100在直立或倒置方向上安装。在一些实施例中，上述端子可只在一侧上来实现，电容器的这一侧可是安装侧。
在图7A-7C的示例中，第一和第二组导电层116a和116b可形成在多个相应的衬底层上。例如，可通过印刷或其它构图/沉积技术来形成这种导电层。在一些实施例中，这种导电层可以阵列形式(例如，在面板中)在相应的衬底层上形成，并且一旦获得整体层结构，就例如可通过分离(singulation)获得个体单元。在一些实施例中，可以以面板形式、分离后或其任何组合同时形成端子112a和112b。在一些实施例中，可在分离工艺后形成第一和第二导电壁114a和114b。
在图7A-7C的示例中，电容器100可被实施为如本文所述的具有减小的占位尺寸和增加高度的SMT器件。例如，电容器100可以以具有大约L＝250±13μm、W＝125±13μm、T＝210±10μm的尺寸的sub-01005SMT封装尺寸来实现。在给定侧上的第一和第二端子112a和112b可划分(dimension)以使得它们的向内边缘以大约120μm或更大的距离彼此分开。
如本文中所描述的，电容器100的增加高度可提供设计上的更大的灵活性，包括与诸如Q(品质因数或Q因子)的值之类的性能相关的设计。例如，增加高度可允许图7A-7C中的电容器100以如下的一个或多个来实现：(1)用于更高的电压处理能力的更厚介电层，(2)用于更高电容值的更多数量的交错板层，(3)用于更高Q值的更厚的板。表1列出了从具有上述示例SMT尺寸的图7A-7C中的电容器100可以获得或期望的电容值和Q值的一些示例(例如，在1GHz频率下)。
表1
在一些实施例中，图7A-7C中的电容器100可被配置为或类似于2类电容器。例如，电容器100可实现为X5R和/或X7R电容器(例如，以最大额定温度下以1.5*Vr持续1000小时)。这种电容器可被配置为具有至少为1200V、并优选大于2000V的人体模型(HBM)静电放电(ESD)目标电压。
在一些实施例中，图7A-7C中的电容器100可被配置为或类似于1类电容器。例如，电容器100可以实现为C0G电容器(例如，在125℃下以2.0*Vr持续1000小时)。这种电容器可被配置为具有至少为1200V、并优选大于2000V的人体模型(HBM)静电放电(ESD)目标电压。
图8A-8E示出了实现为SMT器件100的电容器的多个视图，其中多个平行板被布置为大致与水平面垂直(例如，类似于图5的示例)。图8A示出了立体图，图8B和图8c示出了上部和下部的平面图，图8D和8E示出了侧剖视图。
图8A-8E中的电容器100被示出为包括与第二组导电层128b交错的第一组导电层128a，以形成交错的板电容器配置。第一组导电层128a被示出为在电容器100的主体120内实现并电连接到第一导电壁124a(例如，如在图8B和8D中从左侧查看时)。类似地，第二组导电层128b被示出为在电容器100的主体120内实现并电连接到第二导电壁124b(例如，如在图8B和8D中从右侧查看时)。虽然在具有交错层(例如，第一导电层、第二导电层、第一导电层等)的交错结构的上下文中进行描述，但应当理解，可以其它的方式设置该第一和第二组导电层。例如，可实现两个第一导电层和两个第二导电层的交替组。在另一实例中，可在以第一和第二导电层之间设置一个或多个假的或浮动的导电层。
在图8A-8E的示例中，第一导电壁128a被示出为电连接到在主体120的下表面上的第一端子126a。类似的，第二导电壁128b中被示出为电连接到在主体120的下表面上的第二端子126b。在这种配置中，电容器100被示出为具有L形端子(例如，如在图8A和8D中查看时)。本文将更详细地描述与这种L形端子相关的示例。
在图8A-8E的示例中，第一和第二组导电层128a、128b可形成在多个相应的衬底层上。例如，可通过印刷或其它构图/沉积技术来实现这种导电层。在一些实施例中，这种导电层可以阵列形式(例如，在面板中)在相应的衬底层上形成，并且一旦获得整体层结构，就例如可通过分离获得个别单元。在一些实施例中，可在面板形式、分离后或在其任何组合的同时形成端子126a和126b。在一些实施例中，可在分离工艺后形成第一和第二导电壁124a和124b。
在图8A-8E的示例中，电容器100可被实现为如本文所述的具有减小的占位尺寸和增加的高度的SMT器件。例如，电容器100可被实现为具有大约L＝250±13μm、W＝125±13μm、T＝210±10μm尺寸的sub-01005SMT封装尺寸。在下侧上的第一和第二端子126a和126b可以被划分以使得它们的向内边缘以大约120μm或更大的距离彼此分开。第一和第二导电壁124a、124b的垂直尺寸大约为75μm或更大。第一和第二导电壁124a、124b以及第一和第二端子126a和126b的横向尺寸(沿W)大约为115±15μm。
如本文中所描述的，电容器100的增加的高度可提供设计上的更大灵活性。例如，增加的高度可允许图8A-8E中的电容器100以更大的内部电极(128a，128b)(例如，大约175μm×200μm与90μm×200μm)来实现。这种更大的电极例如可通过印刷形成，并且电极的较大尺寸可允许更高的打印产量。例如，上述的内部电极在分离后可具有200μm的示例尺寸，但可被印刷(分离前)为略大于其两倍的尺寸(例如400至420μm)。这种其两倍尺寸印刷的导体可用于两个相邻的电容器。因此，当将两个相邻的电容器进行分离以便切割该大致两倍尺寸的印刷板时可获得200μm的尺寸。对于给定的导体，这种分离工艺可露出印刷导体的相应边缘从而允许电连接到端子组件(例如，在端子烧结工艺中进行粘合)。
在图8A-8E的示例中，电容器100被描述为具有L形端子。在一些实施例中，可提供类似于图7A-7C的示例中的端子，以便允许垂直或反向安装电容器100。在L形端子情况下，这种配置可使得主体120更高、更长(沿长度方向)，从而允许内部电极(128a，128b)的尺寸更大。例如，主体120可比不具有L形端子的类似结构的主体大约高10μm、长20μm。将理解，图8A-8E的示例电容器100可具有其他的端子结构。例如，L形端子可在主体120的上部实现。在另一个示例中，可实现为与图7A-7C的示例类似的环绕端子。
图9示出了作为SMT器件100实现的电感器的示例，其中，在它们各自的平面(其被设置成大致与水平面垂直(例如，与图5中的示例类似))上形成的多个导电特征(例如，导电迹线)被电连接从而形成绕组。例如，绕组的第一端被示出为开始于电连接到第一导电壁134a的导电特征138。导电特征138还被示出为电连接到具有布置成L形的两段的导电迹线140，使得该L形的一端电连接到导电特征138。导电特征138和导电迹线140可形成在公共层上。导电迹线140的L形的另一端被示出为通过导电通孔142电连接到另一L形导电迹线144(可形成在其相应的层上)，使得导电迹线140、144大致形成一匝。
示例性绕组还被示出为具有通过导电通孔146电连接到第二L形导电迹线144的第三L形导电迹线148(可形成在其相应的层上)。类似地，第四L形导电迹线152(可形成在其相应的层上)还被示出为通过导电通孔150电连接到第三L形导电迹线148。
最后一个示例性导电迹线156(可形成在其相应的层上)还被示出为具有U形，其第一端通过导电通孔154电连接到第四L形导电迹线152。U形导电迹线156的第二端被示出为电连接到导电特征158，该导电特征158进而连接到第二导电壁134b。导电特征158和U形导电迹线156可形成在公共层上。
按照上述方式配置，第一导电壁134a通过示例性绕组电连接到第二导电壁134b以便提供电感功能。第一导电壁134a被示出为电连接到第一底部导电层136a，从而形成第一L形端子132a。类似地，第二导电壁134b被示出为电连接到第二底部导电层136b，从而形成第二L形端子132b。应当理解的是，图9中的示例电感器100可具有其它的端子配置。例如，可采用端子特征在主体130的安装表面上实现的平面栅格阵列(LGA)端子。
在一些实施例中，电感器可以与图9中的示例类似的方式被实现为SMT器件100，但是具有在其各自被布置为大致与水平面平行的(例如，与图4中的示例类似)平面上形成的多个导电特征(例如，导电迹线)。在这种电感器中，电感器的增加的高度尺寸可允许一个或多个以下特征被实现：(1)可形成更多匝的导电迹线，由此允许更高的电感范围；(2)可形成更厚的导电迹线，由此允许更高的电流处理能力和更高的Q值；(3)绕组与端子和地的更大的间隔，用于更高的Q值。这种电感器的端子可包括L形端子，或与图7A-7C中的示例类似的端子。
在图9的示例中，导电迹线大致与水平面垂直，电感器100的增加的高度可在设计上提供更大的灵活性。例如，增加的高度可允许图9中的电感器100以在线圈的匝中更大卷绕直径来实现，由此提供更高的Q值。
对于上述具有L形端子的电感，这种端子配置可以允许电感器的主体(例如，图9中的130)更高和更长(沿长度方向)，由此允许导电迹线尺寸更大。例如，主体130可比与不具有带L形端子的类似配置大约高10μm、长20μm。这种L形端子结构可允许实现更大直径的卷绕，并对电感器线圈产生较小的寄生电容。
在图9的示例和导电迹线大致与水平面平行的示例中，电感器100可被实现为如本文所述的具有减小的占位尺寸和增加的高度的SMT器件。例如，电感器100可被实施为具有大约L＝250±13μm、W＝125±13μm、T＝210±10μm尺寸的sub-01005SMT封装尺寸。在下侧上的第一和第二端子136a和136b的尺寸可被设定为使得它们的向内边缘以大约120μm或更大的距离彼此分开。第一和第二导电壁134a、134b的垂直尺寸大约为75μm或更大，第一和第二导电壁134a、134b以及第一和第二端子136a和136b的横向尺寸(沿W)大约为115±15μm。
在图9的示例和导电迹线大致与水平面平行的示例中，电感器100可被配置为满足特定的电气要求。例如，这种电感器可以被配置为在125℃下传送最大额定电流1000小时。在另一示例中，这种电感器可以被配置为具有至少为1200V、并优选大于2000V的人体模型(HBM)静电放电(ESD)目标电压。在又一示例中，对于电感值小于或等于10nH，这种电感可被配置为具有大于在1GHz选定的Q值。在一些实施例中，这一选定的Q值例如可为8、9、10、11、12、13、14、15、16、17或18。
图10示出了作为SMT器件实现的电阻器100的示例。示例电阻器100被示出为包括主体170和在主体170下侧实现的电阻元件172。电阻元件172可以被配置为在通过第一和第二导电特征174a、174b电连接到电阻元件172相应端部的第一和第二端子176a、176b之间提供所希望的电阻。在一些实施例中，端子(176a、176b)和电阻元件172之间的空间可部分或全部填充绝缘材料178，例如以基本覆盖电阻元件172和导电特征174a、174b。
在图10的电阻器100中，电阻器100的增加的高度尺寸可允许主体170在厚度上更宽的范围。例如，在这种电阻器的阵列以面板形式进行处理的实施例中，具有较厚的主体(例如，大约125μm，而不是90μm)可增加分离后的电阻器的产量。这种产量的增加可源于例如在制造的各个阶段中减少了面板破损的可能性，并改善了分离的质量。
在图10的示例中，电阻器100可被实现为具有如本文所述的具有减小的占位尺寸和增加的高度的SMT器件。例如，电阻器100可被实现为具有大约L＝250±13μm、W＝125±13μm尺寸的sub-01005SMT封装尺寸。整体厚度T可大于125μm。在下侧上的第一和第二端子176a和176b的尺寸可被划分以使得它们的向内边缘以大约120μm或更大的距离彼此分开。
在图10的示例中，电阻器100可被配置为满足特定的电气要求。例如，这种电阻可被配置为具有25V的最小工作电压、0.025W的最小瓦特数以及小于300ppm的TCR(电阻的温度系数)。这种要求还可包括在125℃下传送25％的额定功率1000小时。这种电阻器可以被配置为具有至少为1200V、并优选大于2000V的人体模型(HBM)静电放电(ESD)目标电压。
在一些实施例中，具有如本文所述的一个或多个特征的SMT器件(例如电容器、电感器或电阻器)可被实施为长L、宽W和高T的盒形器件(在此也被称作长方体)。长L的值为L0±ΔL；L0约为250μm，并且ΔL小于或等于L0的20％、小于或等于L0的15％、小于或等于L0的14％、小于或等于L0的13％、小于或等于L0的12％、小于或等于L0的11％、小于或等于L0的10％、小于或等于L0的9％、小于或等于L0的8％、小于或等于L0的7％、小于或等于L0的6％、小于或等于L0的5％、小于或等于L0的4％、小于或等于L0的3％、小于或等于L0的2％、小于或等于L0的1％。宽W的值为W0±ΔW；W0约为125μm，并且ΔW小于或等于W0的20％、小于或等于W0的15％、小于或等于W0的14％、小于或等于W0的13％、小于或等于W0的12％、小于或等于W0的11％、小于或等于W0的10％、小于或等于W0的9％、小于或等于W0的8％、小于或等于W0的7％、小于或等于W0的6％、小于或等于W0的5％、小于或等于W0的4％、小于或等于W0的3％、小于或等于W0的2％、小于或等于W0的1％。高T的值大于值1.0×W、大于值1.1×W、大于值1.2×W、大于值1.3×W、大于值1.4×W、大于值1.5×W、大于值1.6×W、大于值1.7×W、大于值1.8×W、大于值1.9×W、或者大于值2.0×W。尺寸L×W×T可包括上述L、W和T的示例值的任意组合。
如本文所述，诸如射频(RF)模块之类的模块可包括多个SMT器件。具有如本文所述配置的部分或全部这种SMT器件可允许这样的模块从其横向尺寸的显著减少中受益。亦如本文所述，这种减小尺寸的SMT器件可被配置为提供期望的性能。
图11描述了可由RF模块200实现的横向尺寸减小，该RF模块200具有包含如本文所述的一个或多个特征的、多个减少尺寸的SMT器件100。这种RF模块与不具有减小的尺寸的SMT器件的RF模块20进行比较。
在一些实施例中，在诸如无线装置之类的RF装置中可包括具有如本文所描述的一个或多个特征的器件和/或电路。这种器件和/或电路直接在无线装置中以本文所述的模块化的形式、或以其一些组合来实现。在一些实施例中，这种无线装置例如可包括蜂窝电话、智能电话、具有或不具有电话功能的手持式无线装置、无线平板电脑等。
图12描绘了具有如本文所述的一个或多个有利特征的示例无线装置400。在具有如本文所述的一个或多个特征的模块的上下文中，这种模块可大致利用虚线框200描述，并可被实现为诸如双工器整合前端模块(FEMiD)之类的前端模块(FEM)。如图12所示，这种模块可包括具有如本文所述的一个或多个特征的多个SMT器件(统一表示为100)。应当理解的是，这种FEM可包括比图12中的示例中所示的更多或更少的组件。还应当理解的是，除FEM之外的模块也可包括如本文所述的一个或多个特征，并可在无线装置400中实施。
功率放大器310可从被配置为且被操作以产生待放大并传输的RF信号的收发机410接收它们相应的RF信号，并且处理所接收的信号。收发机410被示出为与基带子系统408进行交互，该基带子系统408被配置为在适于用户的数据和/或语音信号与适于收发机410的RF信号之间提供转换。收发机410还被示出为连接到被配置为管理用于无线装置的操作的电力的电源管理组件406。这种电力管理还可以控制基带子系统408和模块200的操作。
基带子系统408被示出为连接到用户接口402以促进提供给用户或从用户接收的语音和/或数据的各种输入和输出。基带子系统408也可以连接到被配置为存储数据和/或指令以促进无线装置的操作、和/或为用户提供存储信息的存储器404。
在示例性无线装置400中，功率放大器310的输出被示出为通过频带选择开关308、其各自的双工器412和天线开关414来匹配(经由各自的匹配电路306)并被路由到天线416。在一些实施例中，每个双工器412可允许使用共用天线(例如416)以同时执行发送操作和接收操作。在图12中，所接收的信号被示出为被路由到可包括例如低噪声放大器(LNA)的“接收”路径(未示出)。
一些其它的无线装置配置可利用本文所描述的一个或多个特征。例如，无线装置不必是多频段设备。在另一示例中，无线装置可包括额外的天线、例如分集式天线，以及诸如Wi-Fi、蓝牙、GPS之类的额外连接特征。
虽然本文在RF应用的上下文中描述了多个示例，但应该理解的是，具有如本文所述的一个或多个特征的SMT器件也可被配置为在其它电子应用中使用。
在本文所描述的一些示例中，具有通过导电通孔连接的多个导电迹线的绕组有时被称为具有直径。应当理解，这种直径并不一定意味着该绕组具有环形的截面形状。绕组可具有环形(例如，通过具有弯曲的导电迹线)、矩形(例如，通过具有如本文中一些示例中所示的L形/或U形的导电迹线)或其它任何形状的截面形状。在绕组为非圆形截面形状的情况下，应当理解的是，“直径”可指代一个适当的尺寸。例如，如果截面形状为正方形，则“直径”可指代该正方形的相对侧之间的距离。在另一示例中，如果截面形状是非正方形的矩形，则“直径”可指代该矩形的相对的长边之间的距离、矩形的相对的宽边之间的距离，或它们的任意组合。在具有本文所述的一个或多个特征的SMT器件和传统的SMT器件之间进行比较的情况下，将理解，该“直径”可指代两个SMT器件之间对应的尺寸。
除非上下文中明确要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，词语“包括”、“包含”等将被解释为包含的意思，而不是排他或穷举的含义；也就是说，意为“包括但不限于”。如本文中通常所使用的，词语“耦合到”表示两个或更多个元件可直接连接，或通过一个或多个中间元件连接。此外，词语“本文”、“上”、“下”及类似含义的词语，在本申请中使用时，表示本申请的整体而不是本申请的任何特定部分。如果上下文允许，上述说明书中使用单数或复数的词语也可分别包括复数或者单数。词语“或”涉及两个或更多个项目的列表，该词语覆盖所有以下词语的解释：列表中的任何一个项目，列表中的所有项目，以及列表中项目的任意组合。
本发明实施例的以上详细描述并不旨在穷举或将本发明限制于以上所公开的精确形式。虽然为了进行说明，以上描述了本发明的具体的实施例和示例，但相关领域技术人员将认识到，在本发明的范围之内，可做出各种等同的修改。例如，尽管以给定的顺序给出了步骤或模块，但在替代的实施例中可以不同的顺序来执行具有步骤的例程或采用具有模块的系统，并且某些步骤或模块可被删除、移动、增加、再细分、组合和/或修改。这些步骤或模块中的每一个均可以各种不同的方式来实现。此外，尽管步骤或模块有时被示出为串联执行，但这些步骤或模块也可以替代地被并行执行，或者可在不同的时间被执行。
本文所提供的本发明的的教导可应用到其它系统，而不一定是上述系统。上述各种实施例的元件和动作可被组合从而形成进一步的实施例。
虽然描述了本发明的一些实施例，但这些实施例仅以举例的方式给出，并不旨在限制本公开的范围。实际上，本文所描述的新颖的方法和系统可以其它各种形式体现；此外，可对本文所描述的方法和系统的形式进行各种省略、替代和改变，而不脱离本公开的精神。所附的权利要求及其等同物意在覆盖落入本公开的范围和精神内的这些形式或修改。

Claims (27)

1.一种表面安装技术(SMT)器件，包括：
电气元件；
连接到该电气元件的多个端子；以及
被配置为支撑所述电气元件和所述多个端子的主体，所述主体含有具有长度、宽度以及比所述宽度大的高度的长方体形状，所述主体包括被配置为允许所述SMT器件的表面安装的基准平面。
2.如权利要求1所述的SMT器件，其中所述主体包括多个层。
3.如权利要求2所述的SMT器件，其中所述电气元件包括电容元件，使得所述SMT器件为电容器。
4.如权利要求3所述的SMT器件，其中，所述电容元件包括在各个层上形成的第一组导电板和第二组导电板，该第一组和第二组导电板被布置成交错结构，该第一组导电板电连接到第一端子，第二组导电板电连接至第二端子。
5.如权利要求4所述的SMT器件，其中所述第一组和第二组导电板大致与所述基准平面平行。
6.如权利要求5所述的SMT器件，其中，当与具有高度小于其宽度的主体的SMT器件相比时，所述主体包括相应的导电板对之间的更厚的介电层、更多数量的导电板以及更厚的导电板的至少一个。
7.如权利要求4所述的SMT器件，其中，所述第一组和第二组导电板大致与基准平面垂直。
8.如权利要求7所述的SMT器件，其中，所述导电板具有比具有高度小于其宽度的主体的SMT器件的导电板更大的面积。
9.如权利要求8所述的SMT器件，其中，所述多个端子包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基准平面上的导电垫以及在电连接到所述导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。
10.如权利要求8所述的SMT器件，其中第一L形端子的导电壁电连接到第一组导电板，并且第二L形端子导电壁电连接到第二组导电板。
11.如权利要求2所述的SMT器件，其中，所述电气元件包括电感元件，使得所述SMT器件为具有绕组的电感器。
12.如权利要求11所述的SMT器件，其中所述电感元件包括在各个层上形成的多个导电迹线，使得绕组的第一端电连接到第一端子并且绕组的第二端电连接到第二端子。
13.如权利要求12所述的SMT器件，其中，所述导电迹线大致与基准平面平行。
14.如权利要求13所述的SMT器件，其中，当与具有高度小于其宽度的主体的SMT器件相比时，所述主体包括导电迹线的增加的匝数、导电迹线的增加的厚度、以及绕组与基准平面之间的增加的间隔的至少一个。
15.如权利要求12所述的SMT器件，其中所述导电迹线大致与基准平面垂直。
16.如权利要求15所述的SMT器件，其中，当与具有高度小于其宽度的主体的SMT器件相比时，所述导电迹线的匝具有更大的直径。
17.如权利要求15所述的SMT器件，其中，所述多个端子包括第一和第二L形端子，每个L形端子均具有在基准平面上的导电垫以及在电连接到所述导电垫的端壁上的导电壁，从而形成L形。
18.如权利要求17所述的SMT器件，其中，所述第一L形端子的导电壁电连接到该绕组的第一端，以及第二L形端子的导电壁电连接到所述绕组的第二端。
19.如权利要求1所述的SMT器件，其中，所述电气元件包括电阻元件，使得所述SMT器件为电阻器。
20.如权利要求19所述的SMT器件，其中，所述电阻元件在所述主体的安装侧上实现。
21.如权利要求1所述的SMT器件，其中，所述电气元件包括无源电路，使得所述SMT器件为无源元件。
22.如权利要求1所述的SMT器件，其中，所述长度具有约250μm的值。
23.如权利要求22所述的SMT器件，其中，所述宽度具有约125μm的值。
24.如权利要求23所述的SMT器件，其中，所述高度具有大于125μm、大于130μm、大于150μm或大于200μm的值。
25.一种电子模块，包括：
被配置为容纳多个组件的封装基板；
在所述封装基板上安装的半导体裸芯，所述半导体裸芯包括集成电路；以及
在所述封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件，每个SMT器件包括电气元件和连接到所述电气元件的多个端子，所述SMT器件还包括被配置为支撑所述电气元件和所述多个端子的主体，所述主体含有具有长度、宽度以及比所述宽度大的高度的长方体形状。
26.如权利要求25所述的电子模块，其中，所述集成电路被配置为提供射频(RF)功能。
27.一种无线装置，包括：
被配置产生射频(RF)信号的收发机；
与所述收发机通信并配置为处理RF信号的RF模块，所述RF模块包括被配置为容纳多个组件的封装基板，所述RF模块还包括在所述封装基板上安装的半导体裸芯，所述半导体裸芯包括集成电路，所述RF模块还包括在封装基板上安装的一个或多个表面安装技术(SMT)器件，每个SMT器件包括电气元件和连接到所述电气元件的多个端子，所述SMT器件还包括被配置为支撑所述电气元件和所述多个端子的主体，所述主体含有具有长度、宽度以及比所述宽度大的高度的长方体形状；以及
与所述RF模块通信的天线，所述天线被配置为促进传输所处理的RF信号。
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