CN105684161A - 多层降频转换封装膜及包括其的电子器件 - Google Patents

多层降频转换封装膜及包括其的电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN105684161A
CN105684161A CN201380080606.4A CN201380080606A CN105684161A CN 105684161 A CN105684161 A CN 105684161A CN 201380080606 A CN201380080606 A CN 201380080606A CN 105684161 A CN105684161 A CN 105684161A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
electronic device
rare earth
layer
complex
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201380080606.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105684161B (zh
Inventor
J·A·诺姆维兹
陈红宇
Y·黄
A·Y·张
Z·徐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Co
Original Assignee
Dow Global Technologies LLC
Rohm and Haas Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Global Technologies LLC, Rohm and Haas Co filed Critical Dow Global Technologies LLC
Publication of CN105684161A publication Critical patent/CN105684161A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105684161B publication Critical patent/CN105684161B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/06—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B27/08—Layered products comprising a layer of synthetic resin as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/18—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives
    • B32B27/20—Layered products comprising a layer of synthetic resin characterised by the use of special additives using fillers, pigments, thixotroping agents
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/306—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising vinyl acetate or vinyl alcohol (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/30—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers
    • B32B27/308—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising vinyl (co)polymers; comprising acrylic (co)polymers comprising acrylic (co)polymers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/32—Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyolefins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/206—Insulating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
    • B32B2307/422—Luminescent, fluorescent, phosphorescent
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/72—Density
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70—Other properties
    • B32B2307/724—Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242—Non-permeable
    • B32B2307/7246—Water vapor barrier
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/12—Photovoltaic modules
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1007—Non-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18—Metal complexes
    • C09K2211/182—Metal complexes of the rare earth metals, i.e. Sc, Y or lanthanide
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

一种具有至少两层的多层封装膜，包括第一层，所述第一层包含封装树脂，以及第二层，所述第二层包含封装树脂和至少一种降频转换器，如稀土有机金属络合物。以所述封装膜的总重量计，所述降频转换器可以按至少0.0001wt％的量存在。多层封装膜的另外的层可能包括或可能不包括降频转换器。优选地，多层封装膜含有具有至少一种降频转换器的至少一层和不具有降频转换器的至少一层。此类多层降频转换膜可以用于电子器件(如光伏模块)中。

Description

多层降频转换封装膜及包括其的电子器件
技术领域
在一个方面，本发明涉及多层封装膜，而在另一方面，本发明涉及使用降频转换封装膜提高太阳能电池效率。
背景技术
用于光伏模块的封装膜具有若干要求，包括对各种部件的良好粘附力、保护光伏模块和太阳电池以及防止湿气穿透到电池的能力以及良好电绝缘。此外，封装膜必须允许到太阳能电池的最大光通道以最大化发电量。
所有电池材料具有当它达到材料可有效地转换成电的波长时的一些局限性。举例来说，在UV区域和IR区域中的一些部分无法有效地转化成电能。这浪费能量。
为了捕获此类浪费的能量，将以其他方式不可用的波长升频转换或降频转换成可使用波长的材料是期望的。举例来说，降频转换材料获取UV波长光子并且将其转换成由太阳能电池可使用的更长波长。类似地，升频转换材料获取IR区域光子并且将其转换成由太阳能电池可使用的更短波长。然而，这些转换材料具有效率和成本局限性。此类升频转换和降频转换材料通常具有在有用波谱中较低光传输或需要此类大量的添加剂，所述添加剂对实施膜无成本效益。
存在对于将未使用的UV波长降频转换成较低能量光子的低成本封装膜的需要，所述较低能量光子可由光伏电池吸收以提高电池效率并且降低模块温度。
发明内容
在一个实施例中，本发明为一种包含至少两层的多层封装膜。第一层包含封装树脂，并且第二层包含封装树脂和至少一种降频转换器(如稀土有机金属络合物)。以封装膜的总重量计，降频转换器可以至少0.0001wt％的量存在。
在另一个实施例中，本发明为一种具有至少三层的多层封装膜，其中一层包含封装树脂和至少一种降频转换器(即，稀土有机金属络合物)，并且至少一层包含封装树脂和无降频转换器。多层封装膜的另外的层可包括或可不包括降频转换器。以封装膜的总重量计，在多层封装膜中降频转换器的总量可为至少0.0001wt％。
在另一个实施例中，本发明为一种电子器件(如光伏模块)，其包括具有至少一个光伏电池的多层封装膜。多层薄膜的第一层包括封装树脂，并且第二层包括封装树脂和至少一种降频转换器(如稀土有机金属络合物)。以封装膜的总重量计，降频转换器可以以至少0.0001wt％的量存在。
具体实施方式
定义
除非另外指明，否则本公开中的数值范围是近似的，并且因此可以包括在所述范围之外的值。数值范围包括从下限值到上限值并且包括下限值和上限值、以一个单位递增的所有值，其限制条件是在任何较低值和任何较高值之间存在至少两个单位的间隔。作为一个实例，如果如分子量、粘度、熔融指数等的组合特性、物理特性或其它特性为100至1,000，那么这意味着明确地枚举所有单独值(如100、101、102等)以及子范围(如100至144、155至170、197至200等)。对于含有小于一的值或含有大于一的分数(例如1.1、1.5等)的范围，一个单位按需要被认为是0.0001、0.001、0.01或0.1。对于含有小于十的个位数(例如1至5)的范围，一个单位通常被认为是0.1。这些仅是具体意指的内容的实例，并且所枚举的最低值和最高值之间的数值的全部可能组合都应被视为明确陈述在本公开中。除非相反说明，从上下文暗示或本领域惯用，所有份数和百分比均以重量计。
无论是否专门公开，“包含”、“包括”、“具有”以及类似术语并不旨在排除任何附加组分、步骤或程序的存在。为了避免任何疑问，除非相反说明，否则通过使用术语“包含”要求保护的所有方法可以包括一个或多个附加步骤、设备零件或组成部分和/或材料。相比之下，术语“基本上由……组成”从任何随后叙述的范围中排除任何其它组分、步骤或程序，除了对可操作性来说不是必不可少的那些之外。术语“由……组成”排除未具体界定或列举的任何组分、步骤或程序。除非另外说明，否则术语“或”指单独以及以任何组合形式列举的成员。
“直接接触”为一种配置，其中第一层、膜或部件紧密接触第二层、膜或部件，无(一或多个)中间层和/或无位于所述层、膜或部件之间的(一或多种)中间材料。
如本文中所使用，术语“封装”是指用作光伏模块中的封装层的聚烯烃基膜。
如本文中所使用，术语“电子器件”是指任何具有密封在至少两个膜层之间密封的电子组件的器件。电子器件包括(例如)液晶面板、太阳能电池、光伏电池、光伏模块、电致发光器件和等离子显示单元。
“互聚物”意指由至少两种不同类型的单体聚合而制备的聚合物。这一通用术语包括共聚物(通常用于指由两种不同类型的单体制备的聚合物)，以及由两种以上不同类型的单体制备的聚合物，例如三元共聚物、四元共聚物等。
如本文所用，术语“多层”是指具有至少两层的结构。举例来说，术语“多层”当在关于膜结构使用时包括具有至少两层、至少三层以及至少四层的膜。
“聚烯烃”、“PO”以及类似术语意指衍生自简单烯烃的聚合物。许多聚烯烃是热塑性的并且出于本发明的目的可包括橡胶相。代表性聚烯烃包括聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚异戊二烯及其各种互聚物。
多层降频转换封装膜
在一个方面，本发明提供具有至少两层和在至少一层中具有降频转换器的多层降频转换封装膜。在一个实施例中，多层降频转换封装膜为双层膜。此类双层降频转换封装膜仅包括两层，每层包含至少一种封装树脂和任选地添加剂，如相容剂、UV稳定剂和对于玻璃粘附的功能化。双层降频转换封装膜的至少一层包括至少一种降频转换器。优选地，双层降频转换封装膜的仅一层将含有至少一种降频转换器。双层降频转换封装膜的单层中可以使用多于一种封装树脂。
在另一个方面，本发明提供了具有至少三层和在至少一层中具有降频转换器的多层降频转换封装膜。在具有至少三层的此类多层降频转换封装膜中的每一层包含至少一种封装树脂和任选地添加剂，如相容剂和UV稳定剂。至少一种降频转换器被设置于所述层的至少一层中。优选地，具有至少三层的多层降频转换封装膜的至少一层不包括降频转换器。更优选地，具有至少三层的多层降频转换封装膜的至少两层不包括降频转换器。具有至少三层的多层降频转换封装膜的单层中可以使用多于一种封装树脂。
在一些实施例中，在根据本文所述的任一个实施例的多层封装膜中可包括除了封装树脂层之外的层。
在本文所述的多层降频转换封装膜的任一个实施例中的中，以降频转换封装膜的总重量计，所述膜可含有至少90重量％(wt％)的封装树脂，优选地至少95wt％并且更优选地至少98wt％的封装树脂。以降频转换封装膜的总重量计，在本文所述的降频转换封装膜的任何实施例中的封装树脂的总量至多可为99.999wt％。这包括了90wt％至99.999wt％、95wt％至99.999wt％以及98wt％至99.999wt％的封装树脂的量。
以降频转换封装膜的总重量计，根据本文公开的任何实施例的多层降频转换封装膜可含有至少0.0001wt％，优选地至少0.001wt％并且更优选地至少0.01wt％的至少一种降频转换器。以降频转换封装膜的总重量计，降频转换器至多可以以10wt％，优选5wt％并且更优选地2wt％的量存在。这包括了0.0001wt％至10wt％、0.001wt％至5wt％以及0.01wt％至2wt％的范围。在使用多于一种降频转换器的实施例中，以降频转换封装膜的总重量计，降频转换器的总量可为至少0.0001wt％，优选至少0.001wt％并且更优选地至少0.01wt％。以降频转换封装膜的总重量计，存在于如本文中所述的多层膜中的所有降频转换器的总量可以以10wt％，优选5wt％并且更优选地2wt％的量存在。这包括了0.0001wt％至10wt％、0.001wt％至5wt％以及0.01wt％至2wt％的范围。
当其它添加剂被用于多层降频转换封装膜中时，添加剂可以以本领域已知的和本领域建议的标准量使用。通常使用的添加剂的总量不超过10wt％，优选不超过5wt％，并且更优选地不超过2wt％。
多层降频转换膜可通过将单个层的共挤出、层压或将一种材料挤出涂层到基底膜上而制得。在一个实施例中，多层降频转换膜通过共挤出或层压制得。
封装树脂
在以上公开的任一个多层降频转换封装膜中，封装树脂可为相同或不同的聚合物。适用作封装树脂的合适的聚合物可包括(例如)乙烯α-烯烃共聚物树脂、EVA树脂、丙烯酸酯共聚物、离聚物、硅树脂或其它已知封装材料。封装树脂可包括硅烷或对于改进的玻璃粘附力、交联或其它期望的功能性的其它改进。
优选地，封装树脂为聚烯烃共聚物。根据本文所述的任何实施例，可用于多层降频转换封装膜的聚烯烃共聚物包括(但不限于)聚烯烃互聚物或共聚物，并且更优选地乙烯α-烯烃互聚物。用于本发明的优选的α-烯烃由式CH2＝CHR*表示，其中R*为1个至12个碳原子的直链或支链烷基。合适的α-烯烃的实例包括(但不限于)丙烯、异丁烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、4-甲基-1-戊烯以及1-辛烯。一个尤其优选的α-烯烃是丙烯。
降频转换器
在本文所述的任一个实施例中，至少一种降频转换器被设置在多层降频转换封装膜的至少一层中。降频转换器为可将短波长光转换成更长波长光的稀土有机络合物。优选地，可用于本发明的降频转换器具有在约200nm至550nm，优选225nm至500nm的UV范围中的强吸收，并且发出约400nm至1,200nm，优选500nm至900nm，并且最优选600nm至800nm发射。
用于本发明的合适的降频转换器包括吸收UV光并且发出具有高效率的红光的稀土有机金属络合物。如本文所用，当电子器件呈现与除了不包括降频转换器或稀土有机金属络合物之外与所述电子器件相同的类似电子器件相比大于0.05％的绝对模块效率提高时，包括具有如本文中所公开的降频转换器的层的电子器件具有高效率。举例来说，高效率的特征可在于，与除了不包括降频转换器之外与所述电子器件相同的类似电子器件相比，绝对模块效率提高大于0.05％，或绝对模块效率提高至少0.07％、至少0.08％或至少0.09％。在一些实施例中，高效率的特征可在于，与如上文所描述类似电子器件相比，绝对模块效率提高至少0.1％。如本文所用，绝对模块效率通过将膜放置在太阳能电池上并且使用AAA类(AM1.5参考光谱辐照度)太阳仿真器记录电流-电压(IV)特征曲线来确定。百分比效率(Eff％)被计算为通过太阳能电池产生的最大功率(W)除以总太阳辐照度(1000W/m2乘以太阳能电池面积(m2))。
这些降频转换器或稀土有机金属复合物可被掺杂到封装树脂中并且形成无可见光吸收的多层封装膜。多于一种类型的降频转换器可存在于多层降频转换封装膜的给定层中，并且在一些实施例中，特别是当降频转换封装膜为含至少三层的多层膜时，不同的降频转换器可被设置于降频转换封装膜的不同层中。
可用于降频转换器的稀土离子包括(但不限于)铕(Eu)、铽(Tb)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥TM以及镱(Yb)。这些稀土离子可被复合成各种配体以产生适用作在本发明双层和多层降频转换封装膜中的降频转换器的稀土有机络合物。合适的配体包括(但不限于)β-二酮类材料，如二苯甲酰基甲烷；噻吩甲酰基三氟丙酮；酰基丙酮；1，3-二苯基-1，3-丙烷二酮；乙酰丙酮；苯甲酰基丙酮；二-苯甲酰基丙酮；二异丁酰基甲烷；3-甲基戊烷-2，4-二酮；2，2-二甲基戊烷-3，5-二酮；2-甲基-1，3-丁烷二酮；1，3-丁烷二酮；3-苯基-2，4-戊烷二酮；1，1，1-三氟2，4-戊烷二酮；1，1，1-三氟-5，5-二甲基-2，4-己烷二酮；2，2，6，6-四甲基-3，5-庚烷二酮；3-甲基-2，4-戊烷二酮；1，3-二苯基-2-甲基-1，3-丙烷二酮；以及1-乙氧基-1，3-丁烷二酮。
羟基酸还可被用作配体。其它配体包括三辛胺、三辛基膦氧化物(TOPO)、联吡啶、氯化三辛基甲基铵、三辛基胺、1，10-啡啉和芳香族化合物(如水杨酸和苯甲酸)。
示例性Eu络合物为Eu(TTA)3bipy，其中TTA为噻吩甲酰基三氟丙酮，并且bipy为联吡啶基。该络合物具有在250nm至450nm的UV范围的强吸收并且发出612nm的强红光发射。另一种示例性Eu络合物为Eu(TTA)3phen，其中phen为1，10-啡啉。Eu(TTA)3phen具有在250nm至400nm的范围的强吸收并且发出614nm的强红光发射。
示例性Tb络合物为Tb(ssal)3，其中ssal为磺基水杨酸。Tb(ssal)3具有在250nm至360nm的UV范围的强吸收并且发出550nm的强红光发射。示例性Sm络合物Sm(TTA)3phen，其中TTA和phen如上文所描述。Sm(TTA)3phen具有在250nm至400nm的UV范围的强吸收并且发出647nm和697nm的红光发射。
可使用熔融掺混方法并且通过将络合物分散到聚烯烃中将降频转换器添加到封装树脂中。举例来说，降频转换器通常以固态(即，细粉末)提供。于200℃下以60rpm至80rpm通过使用哈克(Polylab商标)熔融掺混10分钟将各种量的稀土络合物并入到封装树脂中。然而，在另外的示例性实施例中，可使用本领域中已知的任何方法或技术将稀土络合物添加到封装树脂中。
其它组分
其它添加剂(包括附加降频转换器、UV稳定剂和相容剂)可以用于如本文中所公开的多层降频转换封装膜的层的任何层或组合中。可使用本领域中已知的标准方法和技术将这些添加剂并入封装树脂中。
UV稳定剂、相容剂和其它此类添加剂是本领域中已知的。附加降频转换材料可包括例如(并且不限于)：
(a)选自以下各项的无机纳米颗粒
(i)含光致发光镧系阳离子，如La、Ce、Pr、Eu、Nd、Pm、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm以及Yb的纳米颗粒化合物；
(ii)选自可从日光的一种高能量光子产生多于一种激子的半导体纳米晶体化合物的群组的量子点，其包括包含具有核-壳结构的上述纳米颗粒(i)或半导体纳米晶体化合物(ii)中的一种或多种的复合物，纳米颗粒或纳米晶体具有约1nm至约200nm的粒度范围；以及
(iii)掺杂有稀土金属，特别是Yb的量子点，如Yb掺杂的ZnO量子点、pr3+的单个离子活化的氟以及氧化物类磷光体的QC，以及双/三元稀土离子活化的QC磷光体，如Gd3+-Eu3+、Gd3+-Tb3+和pr3+-Mn2+双离子活化的磷光体；以及
(b)选自若丹明、香豆素、红荧烯、三(8-氧代喹啉)铝(III)(Alq3)、N，N，N′，N′-四苯基联苯胺(TDP)、Gaq2Cl、苝染料、萘、碳酸、蒽酮紫、异蒽酮紫以及这些添加剂的衍生物的有机发光降频转换添加剂。
电子器件
多层降频转换封装膜(如在任何以上实施例中描述的那些)可被包括在电子器件或其它层压结构中。在本发明的一个优选方面中，多层降频转换封装膜被用于光伏电池或模块中。
通常，光伏模块包含(以从光最初接触的“顶部膜”开始的顺序)：(i)接收和传递光的顶部片膜或覆盖片膜，通常包含玻璃，(ii)正面封装膜，(iii)光伏电池，(iv)背面封装膜以及(v)背部片膜，通常包含玻璃或其它聚合物膜结构背层衬底。给定电子器件中光伏电池的数量将根据所述器件的性质和用途而变化。
上文所描述的光伏模块的膜(i)至(v)是通过层合粘结的。通过层合，使顶部片与正面封装膜直接接触，并且使背部片与背面封装膜直接接触。光伏电池紧固其间，并且与所述正面和背面封装膜直接接触。
本发明的多层膜优选用于光伏模块或其它电子器件中作为正面封装膜。存在于多层降频转换膜中的降频转换器将否则光伏电池不可用或较少可用的光的波长(即，200nm至550nm)降频转换成可使用的波长(400nm至1,000nm)。虽然本发明的膜还可被用作背面封装膜，但是其如此使用对光伏模块具有极少影响或无影响。
背面封装膜和背部片膜可为本领域中已知的任何背面封装膜和背部片膜。举例来说，背面封装剂可为基于聚烯烃或基于EVA，并且背部片膜可包括(但不限于)聚酰胺/聚酰胺/聚酰胺(AAA)背片、聚(氟乙烯)/聚对苯二甲酸乙二酯(PET)/聚酰胺(TPA)背片、含氟聚合物/聚对苯二甲酸乙二酯/聚酰胺(FPA)背片、聚酰胺/PET/聚酰胺(APA)背片、Tedlar(或聚(氟乙烯))/(PET)/Tedlar(或聚(氟乙烯))(TPT)背片、Kynar(或聚(偏二氟乙烯))/PET/Kynar(或聚(偏二氟乙烯))(KPK)背片、含氟聚合物/PET/含氟聚合物(FPF)。
本文所述的多层降频转换膜(包括具有至少两层的多层膜和具有至少三层的多层膜)具有对于各种光伏电池技术的潜在益处，并且并不旨在由电池材料限制。通常，适用于本发明的膜的电池具有约400nm至1,100nm的总可用范围。举例来说，电池材料包括(但不限于)多晶硅、单晶硅、非晶硅、碲化镉(CdTe)、铜铟镓硒(CIGS)、铜铟硒(CIS)和砷化镓(GaAs)以及在400nm至1,100nm的范围可起作用的在本领域中已知的其它材料。
实例
稀土络合物降频转换器Eu(TTA)3phen的制备
材料：
TTA：4，4，4-三氟-1-(2-噻吩基)-1，3-丁二酮，可购自TCI公司
Phen：1，10-啡啉，可购自国药化学试剂公司(SinopharmChemicalReagentCompany)
EVA：乙烯乙酸乙烯酯(密度0.957g/cc，熔融指数43g/10min，熔点63℃)，可购自杜邦(DuPont)作为Elvax150W
将0.446g(1mmol)Eu(NO3)3·6H2O溶解于10mL乙醇中，并且于70℃在搅拌下将所述溶液缓慢添加到TTA(0.666g，3mmol)和phen(0.198mg，1mmol)在20mL乙醇中的混合溶液中。将pH值调节至6.5至7。使所述溶液反应2小时。然后收集结晶沉淀并且在80℃下干燥。
多层降频转换封装膜的制备
用于以下实例的基体树脂为ENGAGE8200热塑性乙烯/1-辛烯共聚物，如通过ASTMD792测量，其密度为0.870g/cc，如通过ASTMD-1238(190℃/2.16kg)测量，其熔融指数(MI)为5g/10min，如通过差示扫描热量测定(DSC)测量，其熔点为59℃，如通过ASTMD-790测量，其2％正割模量为1570psi(10.8MPa)，并且如通过DSC测量，其玻璃化转变温度(Tg)为-53℃。
将以上制备的各种量的稀土络合物Eu(TTA)3phen并入到聚合物中。通过使用哈克(Polylab商标)于200℃下以60rpm至80rpm混合10分钟接着快速冷却的方法制备聚合物-络合物共混物。将复合的样本放入模具中并且在110℃下压制成具有0.25mm厚度的膜。具有两层的多层封装膜通过将两层(它们都是0.25mm厚)按压成具有0.5mm总厚度的膜。
以下表1示出了各种实例和比较实例的组合物。测试具有和不具有降频转换器的封装膜以确定其相关的效率改进(Δη(％))。通过将膜放置在太阳能电池上并且使用AAA类(AM1.5参考光谱辐照度)太阳仿真器记录电流-电压(IV)特征曲线来确定效率。百分比效率(Eff％)被计算为通过太阳能电池产生的最大功率(W)除以总太阳辐照度(1000W/m2乘以太阳能电池面积(m2))。对于两种不同太阳能电池(CIGS和CdTe)确定效率。具有空白ENGAGE8200膜(0.5mm厚)的CIGS和CdTe的效率分别为11.26％和10.45％。
表1：膜组合物和效率改进
*表示比较实例(无降频转换器存在于任何层中)
为了进一步比较，测试相同厚度(0.5mm)并且具有相同总量的Eu(TTA)3phen的单层封装膜。在下表2中示出相关的效率改进。
表2：实例11以及实例12与具有相同总络合物负载的单层膜的比较
*表示比较实例(单一层)
如所示，具有浓缩在单层中的降频转换器和不具有降频转换器的至少一层的多层膜与具有相同总量的降频转换器的单层封装膜相比具有较高效率。通过使用在单层中具有降频转换器的多层封装膜或在至少一层中具有降频转换器以及不含降频转换器的至少一层的多层封装膜，改进了光伏电池模块的效率，并且可降低降频转换器材料的总成本。

Claims (15)

1.一种封装膜，其包含：
(a)第一层，所述第一层包含封装树脂；以及
(b)第二层，所述第二层包含封装树脂和至少一种稀土有机金属络合物。
2.根据权利要求1所述的膜，其中所述稀土有机金属络合物以至少0.0001wt％的量存在。
3.一种电子器件，其包含：
正面封装膜，其包含
第一层，所述第一层包含至少一种封装树脂，以及
第二层，所述第二层包含至少一种封装树脂和至少一种稀土有机金属络合物，以所述正面封装膜的总重量计，所述稀土有机金属络合物呈至少0.0001wt％的量；以及
至少一种光伏电池。
4.根据权利要求3所述的电子器件，其包含与类似电子器件相比大于0.05％的绝对模块效率提高，所述类似电子器件除了不包括稀土有机金属络合物之外与所述电子器件相同。
5.根据权利要求3所述的电子器件，其包含与类似电子器件相比至少0.1％的绝对模块效率提高，所述类似电子器件除了不包括稀土有机金属络合物之外与所述电子器件相同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的膜或电子器件，其中以所述封装膜的总重量计，所述稀土有机金属络合物以0.01wt％至2wt％的量存在。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的膜或电子器件，其中所述第二层的所述封装树脂为乙烯/α-烯烃共聚物。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的膜或电子器件，其中所述第二层的所述封装树脂为硅烷接枝的聚烯烃。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的膜或电子器件，其还包含第三层，所述第三层包含封装树脂。
10.根据权利要求9所述的膜或电子器件，其中所述第三层还包含至少一种稀土有机金属络合物。
11.根据权利要求10所述的膜或电子器件，其中存在于所述封装膜中的稀土有机金属络合物的总量为至少0.0001wt％。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的膜或电子器件，其中所述第二层包括至少两种稀土有机金属络合物。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的膜或电子器件，其中所述稀土有机金属络合物吸收波长为约200nm至550nm的UV光。
14.根据权利要求1至13中任一项所述的膜或电子器件，其中所述稀土有机金属络合物发出波长为约400nm至1,200nm的光。
15.根据权利要求1至14中任一项所述的膜或电子器件，其中所述至少一种稀土有机金属络合物为基于Eu、Tb或Sm的络合物。
CN201380080606.4A 2013-11-04 2013-11-04 多层降频转换封装膜及包括其的电子器件 Active CN105684161B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2013/086510 WO2015062108A1 (en) 2013-11-04 2013-11-04 Multilayer down-converting encapsulant films and electronic devices including the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105684161A true CN105684161A (zh) 2016-06-15
CN105684161B CN105684161B (zh) 2018-10-12

Family

ID=53003207

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201380080606.4A Active CN105684161B (zh) 2013-11-04 2013-11-04 多层降频转换封装膜及包括其的电子器件

Country Status (8)

Country Link
US (1) US10424682B2 (zh)
EP (1) EP3066695B1 (zh)
JP (1) JP6371843B2 (zh)
KR (1) KR102155926B1 (zh)
CN (1) CN105684161B (zh)
BR (1) BR112016009996B1 (zh)
ES (1) ES2713965T3 (zh)
WO (1) WO2015062108A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112382684A (zh) * 2020-09-28 2021-02-19 希腊布莱特公司 具有发光太阳能集中器纳米材料涂层的透明太阳能玻璃板
US11695089B2 (en) 2019-12-31 2023-07-04 Industrial Technology Research Institute Solar cell modules

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106867091A (zh) * 2011-03-31 2017-06-20 陶氏环球技术有限公司 包含下转换材料的透光热塑性树脂及其在光伏模块中的用途
CA2951224A1 (en) * 2014-08-01 2016-02-04 Sekisui Chemical Co., Ltd. Intermediate film for laminated glass, and laminated glass
US11041119B2 (en) 2017-11-30 2021-06-22 Jonathan Melman Europium beta-diketonate luminescent material
CN112201757A (zh) * 2020-10-16 2021-01-08 浙江浙能技术研究院有限公司 一种基于光下转换材料的半透明钙钛矿太阳电池

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102093628A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 南京大学 光转换用eva胶膜
CN102632611A (zh) * 2012-04-27 2012-08-15 昊辰（无锡）塑业有限公司 太阳能电池封装胶膜
CN103237657A (zh) * 2010-12-06 2013-08-07 柯尼卡美能达株式会社 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202243A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Bridgestone Corp 太陽電池モジュール
US5672643A (en) 1995-09-29 1997-09-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Fluorescent dye blends
US6514594B1 (en) 2000-11-09 2003-02-04 Avery Dennison Corporation Fluorescent polymeric articles having screening layer formed from U.V. light absorbing polymer
KR100682928B1 (ko) 2005-02-03 2007-02-15 삼성전자주식회사 양자점 화합물을 포함하는 에너지 변환막 및 양자점 박막
JP2006303033A (ja) 2005-04-18 2006-11-02 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 太陽電池モジュール
JP2007230955A (ja) 2006-03-02 2007-09-13 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 共重合性をもつ希土類金属錯体、その製造方法及びそれを用いた樹脂組成物
US20070295383A1 (en) 2006-03-31 2007-12-27 Intematix Corporation Wavelength-converting phosphors for enhancing the efficiency of a photovoltaic device
CA2666666C (en) 2006-10-18 2011-07-12 Sanvic Inc. Fluorescent resin composition and solar battery module using the same
JP2008195674A (ja) 2007-02-14 2008-08-28 National Institute Of Advanced Industrial & Technology Ｅｖａ樹脂とグラフト共重合可能な希土類金属錯体及びその製造方法
WO2009002551A1 (en) 2007-06-26 2008-12-31 Qd Vision, Inc. Photovoltaic devices including quantum dot down-conversion materials useful for solar cells and materials including quantum dots
US8039736B2 (en) 2008-08-18 2011-10-18 Andrew Clark Photovoltaic up conversion and down conversion using rare earths
WO2009157879A1 (en) 2008-06-26 2009-12-30 National University Of Singapore A photovoltaic apparatus
US20100139749A1 (en) * 2009-01-22 2010-06-10 Covalent Solar, Inc. Solar concentrators and materials for use therein
EP2417219B1 (en) 2009-04-06 2013-05-29 Koninklijke Philips Electronics N.V. Luminescent converter for a phosphor- enhanced light source comprising organic and inorganic phosphors
US20110139218A1 (en) 2009-10-01 2011-06-16 7Solar Technologies, Inc. Encapsulant material for photovoltaic modules
JP5920215B2 (ja) * 2010-05-26 2016-05-18 日立化成株式会社 波長変換型太陽電池封止材、及び太陽電池モジュール
CN102905513A (zh) * 2010-05-28 2013-01-30 旭硝子株式会社 波长转换膜
JP5542547B2 (ja) * 2010-06-29 2014-07-09 日本ポリエチレン株式会社 太陽電池モジュール、太陽電池封止材用組成物及びそれからなる太陽電池封止材
KR20130138293A (ko) 2010-12-16 2013-12-18 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 실란 함유 열가소성 폴리올레핀 코폴리머 수지, 필름, 그의 제조방법 및 이 수지와 필름을 포함하는 광기전 모듈 라미네이트 구조물
US9117952B2 (en) * 2011-02-10 2015-08-25 Lg Chem, Ltd. Front sheet of solar cell, method of manufacturing the same and photovoltaic module comprising the same
CN102185019A (zh) 2011-03-29 2011-09-14 东华大学 一种下转换材料应用于晶硅光伏电池的方法
CN106867091A (zh) * 2011-03-31 2017-06-20 陶氏环球技术有限公司 包含下转换材料的透光热塑性树脂及其在光伏模块中的用途
EP2530723A3 (en) * 2011-06-03 2014-01-15 Sony Corporation Photovoltaic device comprising silicon microparticles
JP2013079179A (ja) * 2011-10-05 2013-05-02 Konica Minolta Advanced Layers Inc 波長変換部材およびそれを用いた太陽光発電モジュール
CN102559079A (zh) * 2012-01-09 2012-07-11 苏州泰科尼光伏材料有限公司 一种用于太阳能电池封装的eva胶膜
CN102965039A (zh) 2012-12-17 2013-03-13 无锡量紫谷新材料科技发展有限公司 太阳能电池转光eva胶膜及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103237657A (zh) * 2010-12-06 2013-08-07 柯尼卡美能达株式会社 气体阻隔性膜、气体阻隔性膜的制造方法及电子器件
CN102093628A (zh) * 2010-12-31 2011-06-15 南京大学 光转换用eva胶膜
CN102632611A (zh) * 2012-04-27 2012-08-15 昊辰（无锡）塑业有限公司 太阳能电池封装胶膜

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11695089B2 (en) 2019-12-31 2023-07-04 Industrial Technology Research Institute Solar cell modules
CN112382684A (zh) * 2020-09-28 2021-02-19 希腊布莱特公司 具有发光太阳能集中器纳米材料涂层的透明太阳能玻璃板

Also Published As

Publication number Publication date
KR102155926B1 (ko) 2020-09-14
WO2015062108A1 (en) 2015-05-07
ES2713965T3 (es) 2019-05-24
JP6371843B2 (ja) 2018-08-08
JP2016538716A (ja) 2016-12-08
BR112016009996A2 (pt) 2017-08-01
US20160260857A1 (en) 2016-09-08
EP3066695A1 (en) 2016-09-14
US10424682B2 (en) 2019-09-24
BR112016009996B1 (pt) 2021-08-03
CN105684161B (zh) 2018-10-12
KR20160083008A (ko) 2016-07-11
EP3066695A4 (en) 2017-06-21
EP3066695B1 (en) 2018-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105684161B (zh) 多层降频转换封装膜及包括其的电子器件
US20100288333A1 (en) Heat dissipating protective sheets and encapsulant for photovoltaic modules
TWI395806B (zh) 封裝材料
US8860165B2 (en) Wavelength conversion-type photovoltaic cell sealing material and photovoltaic cell module using the same
WO2012134992A2 (en) Light transmitting thermoplastic resins comprising down conversion material and their use in photovoltaic modules
CN101740649A (zh) 太阳能电池板及其制备方法
WO2007098021A9 (en) Photon-conversion materials (pcms) in polymer solar cells-enhancement efficiency and prevention of degradation
CN116376469A (zh) 一种多功能复合胶膜其制备方法和应用
US20190148578A1 (en) Solar cell module
CN105684163B (zh) 波长转换型封装材料组合物、波长转换型封装材料层及使用其的太阳能电池模组
JP2012069865A (ja) 太陽電池封止材及びそれを用いた太陽電池モジュール
KR101792323B1 (ko) 광학시트
KR101762476B1 (ko) 광 모듈용 투명시트, 이의 제조방법 및 광 모듈
JP5374807B2 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
EP2462627A1 (de) Evm-granulat als einbettungsmaterial für solarmodule, deren herstellungsverfahren, eine klebefolie sowie ein solarmodul und dessen herstellungsverfahren und herstellungsvorrichtung
KR20160012525A (ko) 광 모듈용 투명시트, 이의 제조방법 및 광 모듈
JP2015046510A (ja) 太陽電池モジュール用封止材及び太陽電池モジュール
CN109119505A (zh) 一种用于太阳能光伏瓦的太阳能电池组件及其制备方法
JP2016025108A (ja) 波長変換型封止材層、および、それを用いた太陽電池モジュール
KR101793774B1 (ko) 광 모듈용 투명시트, 이의 제조방법 및 광 모듈
CN112951936A (zh) 一种高反射率太阳能电池背板及其制备工艺
KR20130063264A (ko) 전극형성용 금속 페이스트 조성물 및 이를 이용한 실리콘 태양전지
JP2016115852A (ja) 太陽電池モジュール
KR20160012524A (ko) 광 모듈용 투명시트, 이의 제조방법 및 광 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant