CN105683725B - 光检测装置 - Google Patents
光检测装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105683725B CN105683725B CN201480058681.5A CN201480058681A CN105683725B CN 105683725 B CN105683725 B CN 105683725B CN 201480058681 A CN201480058681 A CN 201480058681A CN 105683725 B CN105683725 B CN 105683725B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- fabry
- light
- interference filter
- perot interference
- photodetector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 52
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 242
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 25
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract description 119
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 96
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 96
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 74
- 239000000463 material Substances 0.000 description 37
- 238000010010 raising Methods 0.000 description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 8
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 239000002365 multiple layer Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 3
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 3
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000012260 resinous material Substances 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009194 climbing Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N furosemide Chemical compound C1=C(Cl)C(S(=O)(=O)N)=CC(C(O)=O)=C1NCC1=CC=CO1 ZZUFCTLCJUWOSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003447 ipsilateral effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000006210 lotion Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012797 qualification Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/12—Generating the spectrum; Monochromators
- G01J3/26—Generating the spectrum; Monochromators using multiple reflection, e.g. Fabry-Perot interferometer, variable interference filters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/02—Details
- G01J3/0286—Constructional arrangements for compensating for fluctuations caused by temperature, humidity or pressure, or using cooling or temperature stabilization of parts of the device; Controlling the atmosphere inside a spectrometer, e.g. vacuum
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
- G01J3/45—Interferometric spectrometry
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/02—Constructional details
- G01J5/04—Casings
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/20—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using resistors, thermistors or semiconductors sensitive to radiation, e.g. photoconductive devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/001—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements based on interference in an adjustable optical cavity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
分光传感器(1A)具备:法布里‑珀罗干涉滤波器(10),设置有使对应于第1镜(31)与第2镜(41)之间的距离而透过的光沿着相对方向(D)通过的开口(50a);光检测器(3),具有对通过了开口(50a)的光进行受光的受光部(3a);配线基板(2),安装有光检测器(3);多个隔离物(4),以与开口(50a)内的第1空间(S1)相连续并且在从相对方向(D)看的情况下包含第1空间(S1)的第2空间(S2)被形成于滤波器(10)与配线基板(2)之间的方式在配线基板(2)上支撑滤波器(10)。光检测器(3)被配置于第2空间(S2)内。受光部(3a)在从相对方向(D)看的情况下配置于第2空间(S2)中对应于第1空间(S1)的区域内。
Description
技术领域
本发明涉及具备法布里-珀罗干涉滤波器的光检测装置。
背景技术
已知有具备具有距离可变的第1镜以及第2镜的法布里-珀罗干涉滤波器、检测透过了法布里-珀罗干涉滤波器的光的光检测器的光检测装置(例如,参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利申请公开2005-106753号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
对于如以上所述那样的光检测装置来说,关于在法布里-珀罗干涉滤波器上的光的透过以及在光检测器上的光的检测,寻求波长分辨率的提高、波长飘移(shift)的抑制、分光特性的提高等。
因此,本发明的目的在于,提供一种能够谋求波长分辨率的提高、波长飘移的抑制以及分光特性的提高的光检测装置。
解决问题的技术手段
本发明的一个方式所涉及的光检测装置,其特征在于,具备:法布里-珀罗干涉滤波器,具有距离可变的第1镜以及第2镜并且设置有沿着规定的方向使对应于第1镜与第2镜之间的距离而透过的光通过的开口;光检测器,具有对通过了开口的光进行受光的受光部;配线基板,安装有光检测器;支撑构件,以与开口内的第1空间相连续并且在从规定的方向看的情况下包含第1空间的第2空间被形成于法布里-珀罗干涉滤波器与配线基板之间的方式在配线基板上支撑法布里-珀罗干涉滤波器;光检测器被配置于第2空间内,受光部在从规定的方向看的情况下配置于第2空间中对应于第1空间的区域内。
在该光检测装置中,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器与配线基板之间的第2空间中光检测器的受光部被配置于在法布里-珀罗干涉滤波器上进行设置的开口内的对应于第1空间的区域内。因此,在第1镜以及第2镜上透过取得平行化的区域的光容易到达光检测器的受光部。由此,能够取得波长分辨率的提高。另外,在与第1空间相连续的第2空间内配置光检测器的受光部。因此,从第1镜以及第2镜到光检测器的受光部的距离变长并且以小的入射角入射到法布里-珀罗干涉滤波器的光容易到达光检测器的受光部。由此,能够取得波长分辨率的提高以及波长漂移的抑制。再有,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器与配线基板之间的第2空间内配置光检测器。因此,除了透过第1镜以及第2镜并通过开口的光之外的杂散光难以到达光检测器的受光部。由此,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的提高。
在本发明的一个方式所涉及的光检测装置中,光检测器也可以在从规定的方向看的情况下被配置于第2空间中对应于第1空间的区域内。由此,能够取得由光检测器的小型化带来的光检测装置的低成本化。另外,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器与配线基板之间的第2空间内能够配置热敏电阻等温度补偿用部件。即使是在附加了温度补偿用部件等安装部件的情况下也能够取得光检测装置的小型化。
本发明的一个方式所涉及的光检测装置也可以进一步具备在第2空间内被安装于配线基板的安装部件,安装部件在从规定的方向看的情况下被配置于第2空间中对应于第1空间的区域外。由此,能够抑制在安装部件上的光的反射等,并且通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。
本发明的一个方式所涉及的光检测装置也可以进一步具备容纳法布里-珀罗干涉滤波器、光检测器、配线基板以及支撑构件并且具有从外部使光入射到法布里-珀罗干涉滤波器的光入射部的封装体,光入射部在从规定的方向看的情况下包含于法布里-珀罗干涉滤波器。由此,能够抑制从光入射部入射到封装体内的光从法布里-珀罗干涉滤波器的周围入射到光检测器的受光部,并且通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。
发明的效果
根据本发明,能够提供一种能够取得波长分辨率的提高、波长飘移的抑制以及分光特性的提高的光检测装置。
附图说明
图1是第1实施方式所涉及的光检测装置的分光传感器的截面图。
图2是图1的分光传感器的一部分的分解立体图。
图3是沿着图2的III-III线的法布里-珀罗干涉滤波器的截面图。
图4是表示图1的分光传感器中的光入射部、法布里-珀罗干涉滤波器以及光检测器的配置关系的图。
图5是表示图1的分光传感器的变形例中的光入射部、法布里-珀罗干涉滤波器以及光检测器的配置关系的图。
图6是第2实施方式所涉及的光检测装置即分光传感器的截面图。
图7是图1以及图6的分光传感器的光检测器的变形例的平面图。
图8是图1以及图6的分光传感器的光检测器的变形例的平面图。
图9是图1的分光传感器的变形例的平面图。
图10是第3实施方式所涉及的光检测装置的一部分的分解立体图。
图11是第3实施方式所涉及的光检测装置的法布里-珀罗干涉滤波器的XI-XI线截面图。
图12是表示第3实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图13是表示第3实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图14是表示第3实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图15是对应于图14(B)的侧面图。
图16是图14(B)中的XVI-XVI线截面图以及其一部分的放大图。
图17是表示第3实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图18是第3实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面图。
图19是第3实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面图。
图20是第3实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面图。
图21是第3实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面图。
图22是表示第4实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图23是表示第4实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图24是表示第4实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图。
图25是表示第4实施方式所涉及的光检测装置的制造工序的平面图以及第4实施方式所涉及的光检测装置的变形例的平面图。
具体实施方式
以下,参照附图,对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。还有,在各个附图中,将相同符号标注于相同或者相当部分,并省略重复的说明。
[第1实施方式]
[分光传感器的结构]
如图1以及图2所示,分光传感器(光检测装置)1A具备配线基板2、光检测器3、热敏电阻等温度补偿用元件(安装部件)71、多个隔离物(支撑构件)4、法布里-珀罗干涉滤波器10。法布里-珀罗干涉滤波器10具有距离为可变的第1镜3以及第2镜41。在法布里-珀罗干涉滤波器10,设置有使对应于第1镜31与第2镜41之间的距离而透过的光沿着第1镜31与第2镜41进行相对的相对方向(规定的方向)通过的开口50a。
光检测器3具有对通过了法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a的光进行受光的受光部3a。开口50a与受光部3a在相对方向D上进行相对。光检测器3例如为红外线检测器。作为该红外线检测器,能够使用InGaAs等被使用了的量子型传感器、或者、温差电堆(thermopile)或辐射热测量计(bolometer)等被运用了的热型传感器。还有,在检测紫外(UV)、可见、近红外的各个区域的情况下,作为光检测器3,能够使用硅光电二极管等。另外,光检测器3既可以具有1个受光部3a,也可以以阵列状具有多个受光部3a。另外,也可以将多个光检测器3安装于配线基板2。
在配线基板2,安装有光检测器3以及温度补偿用元件71。更加具体来说,在配线基板2,设置有光检测器3被安装了的安装部2a、温度补偿用元件71被安装了的安装部2c、以及多个电极焊垫2b。各个电极焊垫2b由配线2d而与各个安装部2a,2c电连接。还有,配线基板的材质为硅、石英、玻璃、陶瓷、塑料等。
多个隔离物4被固定于配线基板2上。法布里-珀罗干涉滤波器10被固定于多个隔离物4上。这样,多个隔离物4在配线基板2上支撑法布里-珀罗干涉滤波器10。由此,在法布里-珀罗干涉滤波器10与配线基板2之间,形成有与开口50a内的第1空间S1相连续的第2空间S2。第2空间S2在从相对方向D看的情况下包含第1空间S1。即,在从相对方向D看的情况下,第2空间S2扩展到第1空间S1的外缘即开口50a的外缘的外侧。
为了抑制热应变对法布里-珀罗干涉滤波器10的影响,多个隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10优选由模片键合(die bonding)树脂来进行互相粘结。作为该模片键合树脂,能够使用具有可挠性的树脂材料(例如是硅酮类、聚氨脂类、环氧类、丙烯酸树脂类、混合树脂等的树脂材料,可以是导电性也可以是非导电性)。该树脂材料优选为选自弹性模量(或者杨氏模量)小于1000MPa的材料,更加优选为选自弹性模量(或者杨氏模量)小于10MPa的材料。另外,该树脂材料优选为选自玻璃化温度偏离分光传感器1A的使用环境温度的树脂材料。
在此,作为粘结隔离物4和法布里-珀罗干涉滤波器10的粘结剂的模片键合树脂5,固化后的硬度比粘结隔离物4和配线基板2的粘结剂软。例如,隔离物4与法布里-珀罗干涉滤波器10的固定优选用由固化后的弹性模量小于10MPa的硅酮类树脂材料构成的粘结剂进行。在硅酮类树脂材料的情况下,玻璃化温度例如为-10℃左右,低于例如5~40℃等的通常的使用环境温度。另外,隔离物4与配线基板2的固定优选用由固化后的弹性模量为100MPa以上的环氧类的树脂材料构成的粘结剂进行。由此,一方面隔离物4与配线基板2的固定被牢固地进行,一方面能够抑制来自法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变经由粘结剂而被传递到法布里-珀罗干涉滤波器10。
还有,在分光传感器1A中,在法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a的边缘与各个隔离物4之间留有距离。由此,在法布里-珀罗干涉滤波器10的安装时模片键合树脂即使溢出,溢出的模片键合树脂也会顺着各个隔离物4侧。因此,能够防止溢出的模片键合树脂进入到开口50a内。
另外,作为多个隔离物4的材料,例如能够使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。特别是在法布里-珀罗干涉滤波器10中为了缓和与接触于多个隔离物4的部分的热膨胀系数差,多个隔离物4的材料与法布里-珀罗干涉滤波器10的材料相比较,优选为其热膨胀系数同等或者小的材料。作为一个例子,在将法布里-珀罗干涉滤波器10形成于硅基板上的情况下,多个隔离物4优选由石英或者硅等的热膨胀系数小的材料形成。还有,也可以取代如以上所述将配线基板2和隔离物4作为不同的单体来形成的结构而做成将成为隔离物4的部分一体形成于配线基板2的表面上的结构。
分光传感器1A进一步具备容纳配线基板2、光检测器3、温度补偿用元件71、多个隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10的CAN封装体(package)81。CAN封装体81具有芯柱(stem)82以及盖(cap)83。在盖83,设置有光透过窗(光入射部)83a。光透过窗83a通过板状的窗构件83b从内侧由树脂粘结或者低熔点玻璃等而被接合于被设置于盖83的开口来进行构成。另外,也可以通过将熔接玻璃形成于盖来作为光透过窗83a。光透过窗83a从外部使光入射到法布里-珀罗干涉滤波器10。
配线基板2被固定于芯柱82上。配线基板2的多个电极焊垫2b、光检测器3的端子、温度补偿用元件71的端子以及法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13分别通过引线(wire)8而与贯通芯柱82的多个引销84的各个电连接。由此,能够进行相对于光检测器3、温度补偿用元件71以及法布里-珀罗干涉滤波器10的各个的电信号的输入输出等。在分光传感器1A中,因为隔离物4被配置于法布里-珀罗干涉滤波器10的各个端子12,13的正下方,所以引线键合(wire bonding)性提高。
在1个实施方式中,沿着规定的方向的配线基板2的厚度为0.3mm,隔离物4B的高度为0.4mm,法布里-珀罗干涉滤波器10的厚度为0.6mm。另外,引销6b从基底6a的上面突出的部分的高度为0.5mm。即,引销6b的上面处于低于法布里-珀罗干涉滤波器10的上面的位置。另外,引销6b的上面处于低于隔离物4B的上面的位置。由此,容易进行从法布里-珀罗干涉滤波器10或者检测器3向引销6b的引线的连接。
在如以上所述构成的分光传感器1A中,如果测定光经由光透过窗83a从外部入射到法布里-珀罗干涉滤波器10的话,则具有规定的波长的光对应于第1镜31与第2镜41之间的距离而透过第1镜31以及第2镜41。透过了第1镜31以及第2镜41的光通过开口50a而入射到光检测器3的受光部3a并被光检测器3检测。在分光传感器1A中,通过一边使施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的电压变化(即,一边使第1镜31与第2镜41之间的距离变化)一边用光检测器3来检测透过了法布里-珀罗干涉滤波器10的光,从而能够获得分光光谱。
[法布里-珀罗干涉滤波器的结构]
如图3所示,法布里-珀罗干涉滤波器10具备基板14。在基板14的光入射侧的表面14a,反射防止层15、第1层叠体30、牺牲层16以及第2层叠体40按该顺序进行层叠。在第1层叠体30与第2层叠体40之间,由框状的牺牲层16而形成有空隙(气隙)S。在法布里-珀罗干涉滤波器10上,测定光相对于第2层叠体40从基板14的相反侧入射。于是,具有规定的波长的光透过被划定于法布里-珀罗干涉滤波器10的中央部的光透过区域11。
还有,基板14例如由硅、石英、玻璃等构成。在基板14由硅构成的情况下,反射防止层15以及牺牲层16例如由氧化硅构成。牺牲层16的厚度为200nm~10μm。牺牲层16的厚度优选为中心透过波长(即,透过法布里-珀罗干涉滤波器10的波长的可变范围的中央的波长)的1/2的整数倍。
第1层叠体30中对应于光透过区域11的部分起到作为第1镜31的功能。第1层叠体30通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来进行构成。构成第1镜31的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。还有,也可以替代氮化硅层而为氧化硅层。
第2层叠体40中对应于光透过区域11的部分起到作为经由空隙S而与第1镜31相对的第2镜41的功能。第2层叠体40与第1层叠体30相同,通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来进行构成。构成第2镜41的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。还有,也可以替代氮化硅层而为氧化硅层。
还有,从第2层叠体40的表面40a到空隙S的多个贯通孔40b均匀地被分布于第2层叠体40中对应于空隙S的部分。多个贯通孔40b以实质上不影响到第2镜41的功能的程度进行形成。各个贯通孔40b的直径为100nm~5μm。另外,多个贯通孔40b的开口面积占到第2镜41的面积的0.01~10%。
在法布里-珀罗干涉滤波器10中,第1镜31以及第2镜41被支撑于基板14。然后,第1镜31被配置于基板14的光入射侧。第2镜41经由空隙S而被配置于第1镜31的光入射侧。
在第1镜31,以围绕光透过区域11的方式形成第1电极17。另外,在第1镜31,以包含光透过区域11的方式形成第2电极18。第1电极17以及第2电极18通过将杂质掺杂于多晶硅层并进行低电阻化来进行形成。第2电极18的大小优选为包含光透过区域11的整体的大小,但是,第2电极18的大小也可以与光透过区域11的大小大致相同。
在第2镜41,形成有第3电极19。第3电极19在相对方向D上经由空隙S而与第1电极17以及第2电极18相对。第3电极19通过将杂质掺杂于多晶硅层并低电阻化来进行形成。
在法布里-珀罗干涉滤波器10中,第2电极18在相对方向D上相对于第1电极17位于第3电极19的相反侧。即,第1电极17和第2电极18在第1镜31上未被配置于同一平面上。第2电极18比第1电极17更远离第3电极19。
端子12是用于将电压施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的端子。端子12以夹着光透过区域11而相对的方式被设置一对。各个端子12被配置于从第2层叠体40的表面40a到第1层叠体30的贯通孔内。各个端子12经由配线21而与第1电极17相电连接。
端子13是用于将电压施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的端子。端子13以夹着光透过区域11而相对的方式被设置一对。还有,一对端子12相对的方向与一对端子13相对的方向正交。各个端子13经由配线22而与第3电极19相电连接。另外,第3电极19经由配线23也与第2电极18相电连接。
在第1层叠体30的表面30a,设置有沟槽26,27。沟槽26以围绕从端子13沿着相对方向D进行延伸的配线23的方式以环状进行延伸。沟槽26将第1电极17与配线23电绝缘。沟槽27沿着第1电极17的内缘以环状进行延伸。沟槽27将第1电极17与第1电极17的内侧的区域电绝缘。各个沟槽26,27内的区域可以是绝缘材料也可以是空隙。
在第2层叠体40的表面40a,设置有沟槽28。沟槽28以围绕端子12的方式以环状进行延伸。沟槽28的底面到达牺牲层16。沟槽28将端子12与第3电极19电绝缘。沟槽28内的区域可以是绝缘材料也可以是空隙。
在基板14的光出射侧的表面14b,反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54按该顺序进行层叠。反射防止层51以及中间层53分别具有与反射防止层15以及牺牲层16相同的结构。第3层叠体52以及第4层叠体54分别具有将基板14作为基准而与第1层叠体30以及第2层叠体40相对称的层叠结构。由这些反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54,构成应力调整层50。应力调整层50被配置于基板14的光出射侧并且具有抑制基板14的翘曲的功能。
在应力调整层50,以包含光透过区域11的方式设置有开口50a。开口50a相对于基板14在光出射侧开口,例如以圆柱状进行形成。在应力调整层50的光出射侧的表面50b,形成有遮光层29。遮光层29由铝等构成,并且具有对测定光进行遮光的功能。
在如以上所述构成的法布里-珀罗干涉滤波器10中,如果经由端子12,13将电压施加于第1电极17与第3电极19之间的话,则对应于该电压的静电力产生于第1电极17与第3电极19之间。第2镜41由该静电力而以被吸引到固定于基板14的第1镜31侧的方式被驱动。由该驱动来调整第1镜31与第2镜41的距离。透过法布里-珀罗干涉滤波器10的光的波长依赖于光透过区域11中的第1镜31与第2镜41的距离。因此,通过调整施加于第1电极17与第3电极19之间的电压,从而能够适宜选择所透过的光的波长。此时,第2电极18成为与被电连接的第3电极19相同电位。因此,第2电极18起到作为用于在光透过区域11平坦地保持第1镜31以及第2镜41的补偿电极的功能。
[分光传感器中的光透过窗、法布里-珀罗干涉滤波器以及光检测器的配置关系]
图4是表示从相对方向D看的情况下的各个部件的配置关系的图。如图1以及图4所示,光检测器3的整体在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域(即,在从相对方向D看的情况下第2空间S2中与第1空间S1相重叠的区域)内。因此,光检测器3的受光部3a的整体也在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内。
温度补偿用元件71与光检测器3相同,被配置于第2空间S2内。但是,温度补偿用元件71的整体在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域外。CAN封装体81的光透过窗83a整体在从相对方向D看的情况下被包含于法布里-珀罗干涉滤波器10。
[作用以及效果]
在分光传感器1A中,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器10与配线基板2之间的第2空间S2中,在对应于设置于法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a内的第1空间S1的区域内,配置有光检测器3的受光部3a。因此,在第1镜31以及第2镜41上透过了取得平行化的区域的光容易到达光检测器3的受光部3a。即,使第2镜41在第1镜31的方向上可动,此时,第2镜41以在第1镜31侧成为凸的方式进行弯曲,但是,能够使透过了弯曲相对小的(第1镜31与第2镜41的平行度高的)中央附近的区域的光容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高。另外,在与第1空间S1相连续的第2空间S2内配置有光检测器3的受光部3a。因此,从第1镜31以及第2镜41到光检测器3的受光部3a的距离变长,以小的入射角入射到法布里-珀罗干涉滤波器10的光(从相对方向D的方向或者稍微倾斜的方向入射的光)通过开口50a而容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高以及波长漂移的抑制。再有,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器10与配线基板2之间的第2空间S2内配置有光检测器3。因此,透过第1镜31以及第2镜41并通过了开口50a的光以外的杂散光难以到达光检测器3的受光部3a。由此,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的提高。
另外,在分光传感器1A中,在从相对方向D看的情况下光检测器3被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内。由此,能够取得由光检测器3的小型化带来的分光传感器1A的低成本化。另外,在被形成于法布里-珀罗干涉滤波器10与配线基板2之间的第2空间S2内能够配置温度补偿用元件71,即使在附加了温度补偿用元件71等的安装部件的情况下也能够取得分光传感器1A的小型化。
另外,在分光传感器1A中,在从相对方向D看的情况下温度补偿用元件71被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域外。由此,能够抑制在温度补偿用元件71上的光的反射等,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。
另外,在分光传感器1A中,CAN封装体81的光透过窗83a在从相对方向D看的情况下被包含于法布里-珀罗干涉滤波器10。由此,能够抑制从光透过窗83a入射到CAN封装体81内的光从法布里-珀罗干涉滤波器10的周围入射到光检测器3的受光部3a,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。再有,以小的入射角入射到法布里-珀罗干涉滤波器10的光容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高以及波长漂移的抑制。
另外,在分光传感器1A中,光检测器3的受光部3a被配置于与第1空间S1相连续的第2空间S2内。因此,从第1镜31以及第2镜41到光检测器3的受光部3a的距离变长,另外,因为通过具有开口50a(第1空间S1)从而从法布里-珀罗干涉滤波器10的下面(基板14的下面)到受光部3a的距离变长,所以在法布里-珀罗干涉滤波器10与光检测器3之间的光学干涉的影响变得难以产生。由此,能够取得分光特性的提高。另外,即使在热性的损伤、物理性的损伤等被施加的时候,在法布里-珀罗干涉滤波器10与光检测器3之间的物理干涉的影响也变得难以产生。另外,因为伴随于施加电压的时候的法布里-珀罗干涉滤波器10的动作而产生的热的积存被减少,所以温度对光检测器3的特性的影响被缓和。
另外,在分光传感器1A中,在从相对方向D看的情况下光检测器3被配置于包含第1空间S1的第2空间S2内(即,大于第1空间S1的第2空间S2内)。由此,因为确保了引线键合用的空间,所以对于光检测器3来说没有必要采用特别的结构。另外,因为可以将温度补偿用元件71配置于光检测器3的附近,所以能够提高补偿的效率。另外,因为热的积存被减少,所以温度对光检测器3的特性的影响被缓和。另外,因为由热产生的模片键合树脂等的挥发成分进行分散的空间变宽,所以挥发成分再次附着于光路内而妨碍光路的危险性被减少。再有,因为通过扩大光检测器3的宽度等而增加设计的自由度,所以能够实现高性能的分光传感器1A。
还有,如图5所示,如果光检测器3的受光部3a的整体在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内的话,则光检测器3的整体也可以未被配置于该区域内。在该情况下,也因为光检测器3被配置于在法布里-珀罗干涉滤波器10与配线基板2之间形成的第2空间S2内,所以透过第1镜31以及第2镜41并通过了开口50a的光以外的杂散光难以到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得分光特性的提高。
[第2实施方式]
[分光传感器的结构]
如图6所示,分光传感器1B在作为SMD(Surface Mount Device(表面贴装器件))而被构成的方面,与上述的分光传感器1A不同。分光传感器1B具备容纳光检测器3、温度补偿用元件71(没有图示)以及容纳法布里-珀罗干涉滤波器10的SMD封装体61。SMD封装体61具有第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65、第5层基板66以及第6层基板69。
第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65、第5层基板66以及第6层基板69按该顺序被层叠。在第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66的各自的中央部设置有开口。第3层基板64的开口大于第2层基板63的开口。第4层基板65的开口大于第3层基板64的开口。第5层基板66的开口大于第4层基板65的开口。由此,第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64以及第4层基板65的各自的表面的一部分从第5层基板66的开口露出。
在露出的第1层基板62的表面,固定有光检测器3以及温度补偿用元件71(没有图示)。光检测器3以及温度补偿用元件71(没有图示)的各自的一方的端子由导电性膏体或者焊料等而与被设置于露出的第1层基板62的表面的连接焊垫(bonding pad)电连接。光检测器3以及温度补偿用元件71(没有图示)的各自的另一方的端子由引线8而与被设置于露出的第2层基板63的表面的连接焊垫电连接。第1层基板62的连接焊垫以及第2层基板63的连接焊垫分别由配线(没有图示)而分别与被设置于第1层基板62的背面的多个电极焊垫67电连接。第1层基板62以及第2层基板63起到作为安装有光检测器3以及温度补偿元件71(没有图示)的配线基板的功能。
在露出的第3层基板64表面,固定有法布里-珀罗干涉滤波器10。法布里-珀罗干涉滤波器10的各个端子12,13由引线8而分别与被设置于露出的第4层基板65的表面的多个连接焊垫电连接。第4层基板65的多个连接焊垫分别由配线(没有图示)而分别与被设置于第1层基板62的背面的多个电极焊垫67电连接。第3层基板64起到作为在第1层基板62以及第2层基板63上支撑法布里-珀罗干涉滤波器10的支撑构件的功能。由此,在法布里-珀罗干涉滤波器10与起到作为配线基板的功能的第1层基板62以及第2层基板63之间形成第2空间S2。第2空间S2与法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a内的第1空间S1相连续,并且在从相对方向D看的情况下包含第1空间S1。
还有,作为为了将法布里-珀罗干涉滤波器10固定于第3层基板64的上面而使用的粘结剂的模片键合树脂5比为了将光检测器3固定于第1层基板62的上面而使用的粘结剂软。另外,在层叠分别作为不同单体来进行形成的第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板6以及第5层基板66并形成SMD封装体61的情况下,比将各个邻接的基板彼此粘结的粘结剂软。由此,一方面光检测器3与第1层基板62的固定或SMD封装体61的形成被牢固地进行,一方面能够抑制来自法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变经由粘结剂而被传递到法布里-珀罗干涉滤波器10。
对于第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66的材料而言,例如能够使用陶瓷、树脂等。第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66并不限定于在分别作为不同单体来进行形成之后被层叠,也可以作为一体来进行成形。
第6层基板69具有光透过基板69a以及遮光层69b。对于光透过基板69a的材料而言,能够使用对应于分光传感器1B的适用波长范围的材料(例如玻璃、硅、锗等)。遮光层69b被形成于光透过基板69a的表面。作为遮光层69b的材料,例如能够使用铝、氧化铬等的金属或者金属氧化物、黑色树脂等的遮光材料或者光吸收材料。在遮光层69b,设置有光通过口(光入射部)69c。光通过口69c从外部使光入射到法布里-珀罗干涉滤波器10。该遮光层69b也可以不形成于光透过基板69a的表面侧而形成于光透过基板69a的背面侧。还有,也可以将光反射防止层形成于光透过基板69a的单面或者双面。另外,作为光透过基板69a,也可以使用限制适用波长范围的带通滤波器。
[分光传感器中的光通过口、法布里-珀罗干涉滤波器以及光检测器的配置关系]
在分光传感器1B中,光检测器3的整体在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域(即,在从相对方向D看的情况下第2空间S2中与第1空间S1相重叠的区域)内。因此,光检测器3的受光部3a的整体也在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内。
温度补偿用元件71(没有图示)与光检测器3相同,被配置于第2空间S2内。但是,温度补偿用元件71的整体在从相对方向D看的情况下被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域外。第6层基板69的光通过口69c的整体在从相对方向D看的情况下被包含于法布里-珀罗干涉滤波器10。
[作用以及效果]
在分光传感器1B中,光检测器3的受光部3a被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内。因此,在第1镜31以及第2镜41上透过取得平行化的区域的光容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高。另外,在与第1空间S1相连续的第2空间S2内配置有光检测器3的受光部3a。因此,从第1镜31以及第2镜41到光检测器3的受光部3a的距离变长,以小的入射角入射到法布里-珀罗干涉滤波器10的光容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高以及波长漂移的抑制。再有,光检测器3被配置于第2空间S2内。因此,透过第1镜31以及第2镜41并通过了开口50a的光以外的杂散光难以到达光检测器3的受光部3a。由此,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的提高。
另外,在分光传感器1B中,在从相对方向D看的情况下光检测器3被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内。由此,能够取得由光检测器3的小型化带来的分光传感器1B的低成本化。另外,能够将温度补偿用元件71配置于第2空间S2内,并且能够取得分光传感器1B的小型化。
另外,在分光传感器1B中,在从相对方向D看的情况下温度补偿用元件71被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域外。由此,能够抑制在温度补偿用元件71上的光的反射等,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。
另外,在分光传感器1B中,SMD封装体81的光透过口69c在从相对方向D看的情况下被包含于法布里-珀罗干涉滤波器10。由此,能够抑制从光透过口69c入射到SMD封装体61内的光从法布里-珀罗干涉滤波器10的周围入射到光检测器3的受光部3a,通过减少杂散光从而能够取得分光特性的进一步提高。再有,以小的入射角入射到法布里-珀罗干涉滤波器10的光容易到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得波长分辨率的提高以及波长漂移的抑制。
另外,在分光传感器1B中,光检测器3的受光部3a被配置于与第1空间S1相连续的第2空间S2内。因此,从第1镜31以及第2镜41到光检测器3的受光部3a的距离变长,在法布里-珀罗干涉滤波器10与光检测器3之间的光学干涉的影响变得难以产生。由此,能够取得分光特性的提高。另外,即使在热性的损伤以及物理性的损伤被施加的时候,在法布里-珀罗干涉滤波器10与光检测器3之间的物理干涉的影响也变得难以产生。
另外,在分光传感器1B中,在从相对方向D看的情况下光检测器3被配置于包含第1空间S1的第2空间S2内(即,大于第1空间S1的第2空间S2内)。由此,因为确保了引线键合用的空间,所以对于光检测器3来说没有必要采用特别的结构。另外,因为可以将温度补偿用元件71配置于光检测器3的附近,所以能够提高补偿的效率。另外,因为热的积存被减少,所以温度对光检测器3的特性的影响被缓和。另外,因为由热而产生的模片键合树脂等的挥发成分进行分散的空间变宽,所以挥发成分再次附着于光路内并妨碍光路的危险性被减少。再有,因为通过扩大光检测器3的宽度等而增加设计的自由度,所以能够实现高性能的分光传感器1B。
还有,即使在分光传感器1B中也与上述的分光传感器1A相同,如果在从相对方向D看的情况下光检测3的受光部3a的整体被配置于第2空间S2中对应于第1空间S1的区域内的话,则光检测器3的整体也可以未被配置于该区域内。在该情况下,也因为光检测器3被配置于第2空间S2内,所以透过第1镜31以及第2镜41并通过了开口50a的光以外的杂散光难以到达光检测器3的受光部3a。由此,能够取得分光特性的提高。
以上,对本发明的第1实施方式以及第2实施方式进行了说明,但是,本发明并不限定于上述的实施方式。例如,在光检测器3为使用了InGaAs等的光电二极管的情况下,如图7(A)所示,受光部3a在从相对方向D看的情况下也可以是多边形状,或者如图7(B)所示,受光部3a在从相对方向D看的情况下也可以是圆形状。还有,被设置于光检测器3的表面的端子3b为阳极侧的电极焊垫,被设置于光检测器3的背面的端子3c为阴极侧的电极焊垫。
如图7(A)所示,如果受光部3a在从相对方向D看的情况下为多边形状的话,则能够将光检测器3的表面中大的面积作为受光部来进行利用。因此,即使减小光检测器3的尺寸,也可以增大受光部3a的面积。因此,在从相对方向D看的情况下,即使在光检测器3的尺寸小于法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a的时候,也可以获得大灵敏度。
另一方面,如图7(B)所示,如果在从相对方向D看的情况下受光部3a为圆形状的话,则可以减小受光部3a并实现高速响应,并且能够提高相对于时间的分辨率。另外,这样的光检测部3因为相对于乖离率(bias)的破坏稳定性良好,所以适宜于以高乖离率进行动作的情况。再有,在从相对方向D看的情况下在法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a为圆形状的时候,在从相对方向D看的情况下开口50a与受光部3a成为相似形状。因此,在垂直于相对方向D的方向上,开口50a与受光部3a难以偏离。
另外,在光检测器3为温差电堆等的热型红外线传感器的情况下,如图8(A)所示,在从相对方向D看的情况下膜区域3d上的受光部3a可以是多边形状或者如图8(B)所示在从相对方向D看的情况下膜区域3d上的受光部3a也可以是圆形状。还有,被设置于光检测器3的表面的端子3b,3c为一对电极焊垫。
如图8(A)所示,在从相对方向D看的情况下受光部3a如果是多边形状的话,则能够将光检测器3表面中大的面积作为受光部来进行利用。因此,即使减小光检测器3的尺寸,也可以增大受光部3a的面积。因此,在从相对方向D看的情况下,即使在光检测器3的尺寸小于法布里-珀罗干涉滤波器10的开口50a的时候,也可以获得大灵敏度。
另一方面,如图8(B)所示,在从相对方向D看的情况下如果受光部3a为圆形状的话,则在从相对方向D看的情况下开口50a与受光部3a成为相似形状(在从相对方向D看的情况下开口50a为圆形状的时候)。因此,在垂直于相对方向D的方向上,开口50a与受光部3a难以偏离。
另外,在分光传感器1A中,如图9(A)所示,不用1根引线8使光检测器3与引销6b相连接,也可以经由被设置于配线基板2的电极焊垫2e并用2根引线8来连接光检测器3和引销6b。在此情况下,即使光检测器3与引销6b之间的距离由于光检测器3的小型化而变长,也能够防止在不要的地方上的短路,并且能够提高分光传感器1A的合格率。
还有,在图9(A)中,配线基板2作为具有正方形的平面形状的配线基板来进行记载,但是,并不限定于此,例如如图9(B)所示,配线基板2A也可以为在与光检测器3相连接的引销6b与法布里-珀罗干涉滤波器10的距离成为最短的方向上具有长的长方形的平面形状。根据该结构,引销6b与被配置于配线基板2的上面的光检测器3等的元件的电连接变得容易。
[第3实施方式]
[分光传感器]
如图10所示,分光传感器(光检测装置)1C具备配线基板2、光检测器3、多个隔离物(支撑构件)4、模片键合树脂5、以及法布里-珀罗干涉滤波器10。在配线基板2,设置有安装部2a、多个电极焊垫2b以及安装部2c。在安装部2a,安装有光检测器3。在安装部2c,安装有例如热敏电阻等的温度补偿用元件。电极焊垫2b中的1个由配线2d而与安装部2a相电连接。电极焊垫2b中的其他几个由配线2d而与被配置于配线基板2上的热敏电阻等相电连接。另外,电极焊垫2b中的其他几个将这些热敏电阻等电连接于分光传感器1C的外部。光检测器3例如为红外线检测器。对于该红外线检测器来说,可以列举使用了InGaAs的量子型传感器、或使用了温差电堆或者辐射热测量计等的热型传感器。还有,在检测紫外(UV)、可见、近红外的各个区域的情况下,作为光检测器3能够使用硅光电二极管等。隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10经由模片键合树脂5而被互相粘结。另外,隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10形成粘结部。
多个隔离物4被固定于配线基板2上。法布里-珀罗干涉滤波器10被固定于多个隔离物4上。这样,多个隔离物4支撑法布里-珀罗干涉滤波器10。此时,为了抑制热应变对法布里-珀罗干涉滤波器10的影响,多个隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10优选被模片键合树脂5固定。模片键合树脂5由具有可挠性的树脂材料构成。作为构成模片键合树脂5的树脂材料,例如能够使用硅酮类、聚氨脂类、环氧类、丙烯酸树脂类、混合物等的各种树脂材料。在模片键合树脂5中,优选使用作为树脂材料的弹性模量(或者杨氏模量)为0.1GPa以下的材料。再有,该树脂材料优选选自室温固化或者低温固化的树脂。
另外,作为多个隔离物4的材料,例如能够使用硅、陶瓷、石英、玻璃、塑料等。特别是在法布里-珀罗干涉滤波器10中为了缓和特别是与接触于多个隔离物4的部分的热膨胀系数差,多个隔离物4的材料与法布里-珀罗干涉滤波器10的材料相比较,优选为其热膨胀系数同等或者小的材料。作为一个例子,在将法布里-珀罗干涉滤波器10形成于硅基板上的情况下,多个隔离物4优选由石英或者硅等的热膨胀系数小的材料形成。还有,也可以取代如上所述将配线基板2和隔离物4作为不同的单体来形成的结构而做成将成为隔离物4的部分一体形成于配线基板2的表面上的结构。
检测器3在配线基板2与法布里-珀罗干涉滤波器10之间与法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11相对。另外,光检测器3检测透过了法布里-珀罗干涉滤波器10的光。还有,也可以将热敏电阻等的温度传感器设置于配线基基板2上。
如后面所述,配线基板2、光检测器3、多个隔离物4以及法布里-珀罗干涉滤波器10被容纳于CAN封装体内。在该容纳状态下,配线基板2被固定于芯柱上并且法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11与盖的光透过窗相对。配线基板2的电极焊垫2b由引线键合而与贯通芯柱的引销的各个电连接。另外,法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13由引线键合而与贯通芯柱的引销的各个电连接。相对于光检测器3的电信号的输入输出等经由引销、电极焊垫2b以及安装部2a来进行。对法布里-珀罗干涉滤波器10的电压的施加经由引销以及端子12,13来进行。
以上,对隔离物4以及模片键合树脂5的配置进行了说明。隔离物4在从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11中的光的透过方向看的情况下,以具有连通光透过区域11的周围区域(是不包含光透过区域11的区域并且是围绕光透过区域11的区域)的内侧和该周围区域的外侧的开口部A1的方式进行配置。在此,在本说明书中,所谓某个要素(例如隔离物4或者模片键合树脂5)具有开口部,是指该要素至少在一个部位具有缝隙。换言之,该要素不是无间隙地围绕某个区域(例如光透过区域11)的环状的要素。该要素与开口部的长度的关系并没有特别的限定。例如,如果在围绕光透过区域11的圆以及多边形等的图形的周上的一部分上设置有隔离物4,并且隔离物4没有被设置于全部的话,则使隔离物4是具有开口部A1的隔离物。还有,为了稳定地设置法布里-珀罗干涉滤波器10,优选隔离物4在从光的透过方向看的情况下至少被配置于光透过区域11的两侧。作为具有开口部的隔离物4的具体例子,有互相平行地配置以直线状进行延伸的2根隔离物4的情况(参照图13(A))。作为别的具体例子,有以U字状配置隔离物4的情况(参照图20(B))。再有,作为别的具体例子,有将柱状的隔离物4分别配置于四边形的四个顶点的情况(参照图21(A))等。
在本实施方式的分光传感器1C中,作为隔离物4,使用被互相平行地配置的2根直线状的隔离物4A,4B。这2根隔离物4A,4B在各个隔离物4A,4B上的相同侧的端部彼此之间具有以双点划线进行表示的开口部A1。换言之,由隔离物4A,4B和2个开口部A1,A1,形成围绕光透过区域11的四边形。隔离物4A,4B被设置于该四边形上的2边。另外,在其它的2边上不设置隔离物4A,4B。在其它的2边上形成开口部A1,A1。
另外,模片键合树脂5仅被设置于隔离物4A,4B中的隔离物4A的上面。换言之,模片键合树脂5没有被设置于隔离物4B的上面。因此,法布里-珀罗干涉滤波器10的下面相对于隔离物4A的上面由模片键合树脂5而被粘结。但是,法布里-珀罗干涉滤波器10的下面相对于隔离物4B的上面不被粘结。
模片键合树脂5与上述的隔离物4A,4B相同,具有连通周围区域的内侧和周围区域的外侧的开口部。即,模片键合树脂5在隔离物4A的上面遍布隔离物4A的大致全长以直线状配置。由该模片键合树脂5和在图10中以U字状的双点划线进行表示的开口部A2,形成围绕光透过区域11的四边形。在该四边形中的1条边上设置模片键合树脂5。另外,在其它的3条边上不设置模片键合树脂5。在其它的3条边上形成开口部A2。
在如以上所述构成的分光传感器1C中,如果测定光进行入射的话,则具有规定的波长的光对应于被施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的电压而透过法布里-珀罗干涉滤波器10。然后,透过了法布里-珀罗干涉滤波器10的光被光检测器3检测出。在分光传感器1C中,通过一边使被施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的电压变化一边用光检测器3来检测透过了法布里-珀罗干涉滤波器10的光,从而能够获得分光光谱。
[法布里-珀罗干涉滤波器]
如图11所示,法布里-珀罗干涉滤波器10具备基板14。在基板14的光入射侧的表面14a,反射防止层15、第1层叠体30、牺牲层16以及第2层叠体40按该顺序进行层叠。在第1层叠体30与第2层叠体40之间,由框状的牺牲层16而形成空隙(气隙)S。在法布里-珀罗干涉滤波器10中,测定光相对于第2层叠体40从基板14的相反侧进行入射。于是,具有规定的波长的光透过被划定于法布里-珀罗干涉滤波器10的中央部的光透过区域11。还有,基板14例如由硅、石英、玻璃等构成。在基板14由硅构成的情况下,反射防止层15以及牺牲层16例如由氧化硅构成。牺牲层16的厚度为200nm~10μm。牺牲层16的厚度优选为中心透过波长(即,透过法布里-珀罗干涉滤波器10的波长的可变范围的中央的波长)的1/2的整数倍。
第1层叠体30中对应于光透过区域11的部分起到作为第1镜31的功能。第1层叠体30通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来进行构成。构成第1镜31的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。
第2层叠体40中对应于光透过区域11的部分起到作为经由空隙S与第1镜31相对的第2镜41的功能。第2层叠体40与第1层叠体30相同,通过多层多晶硅层与多层氮化硅层被一层一层交替层叠来进行构成。构成第2镜41的多晶硅层以及氮化硅层各自的光学厚度优选为中心透过波长(可变波长范围的中心波长)的1/4的整数倍。
还有,多个贯通孔40b均匀地被分布于第2层叠体40中对应于空隙S的部分。该贯通孔40b从第2层叠体40的表面40a到空隙S。贯通孔40b以实质上不影响到第2镜41的功能的程度进行形成。贯通孔40b的直径为100nm~5μm。另外,贯通孔40b的开口面积占到第2镜41的面积的0.01~10%。
在法布里-珀罗干涉滤波器10中,第1镜31以及第2镜41被支撑于基板14。然后,第1镜31被配置于基板14的光入射侧。第2镜41经由空隙S而被配置于第1镜31的光入射侧。
在第1镜31,以围绕光透过区域11的方式形成第1电极17。第1电极17通过将杂质掺杂于多晶硅层并进行低电阻化来进行形成。
在第1镜31,以包含光透过区域11的方式形成第2电极18。第2电极18通过将杂质掺杂于多晶硅层并进行低电阻化来进行形成。在多晶硅层中,第2电极18的大小优选为包含光透过区域11的整体的大小。另外,第2电极18的大小也可以与光透过区域11的大小大致相同。
在第2镜41,形成有第3电极19。第3电极19与第1电极17以及第2电极18相对。第3电极19通过将杂质掺杂于多晶硅层并进行低电阻化来进行形成。
在法布里-珀罗干涉滤波器10中,第2电极18在第1镜31与第2镜41相对的相对方向D上相对于第1电极17位于第3电极19的相反侧。即,第1电极17和第2电极18在第1镜31上未被配置于同一平面上。第2电极18比第1电极17更远离第3电极19。
如图10以及图11所示,端子12是用于将电压施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的端子。端子12以夹着光透过区域11而相对的方式被设置一对。各个端子12被配置于从第2层叠体40的表面40a到第1层叠体30的贯通孔内。各个端子12经由配线21而与第1电极17相电连接。
如图10以及图11所示,端子13是用于将电压施加于法布里-珀罗干涉滤波器10的端子。该端子13以夹着光透过区域11而相对的方式被设置一对。还有,一对端子12相对的方向与一对端子13相对的方向正交。各个端子13经由配线22而与第3电极19相电连接。另外,第3电极19经由配线23而也与第2电极18相电连接。
如图11所示,在第1层叠体30的表面30a设置有沟槽26以及沟槽27。沟槽26以围绕从端子13沿着相对方向D进行延伸的配线23的方式以环状进行延伸。沟槽26将第1电极17与配线23电绝缘。沟槽27沿着第1电极17的内缘以环状进行延伸。沟槽27将第1电极17与第1电极17的内侧的区域电绝缘。各个沟槽26,27内的区域可以是绝缘材料也可以是空隙。
在第2层叠体40的表面40a,设置有沟槽28。沟槽28以围绕端子12的方式以环状进行延伸。沟槽28的底面到达牺牲层16。沟槽28将端子12与第3电极19电绝缘。沟槽28内的区域可以是绝缘材料也可以是空隙。
在基板14的光出射侧的表面14b,反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54按该顺序进行层叠。反射防止层51以及中间层53分别具有与反射防止层15以及牺牲层16相同的结构。第3层叠体52以及第4层叠体54分别具有将基板14作为基准而与第1层叠体30以及第2层叠体40相对称的层叠结构。由这些反射防止层51、第3层叠体52、中间层53以及第4层叠体54,构成应力调整层50。应力调整层50被配置于基板14的光出射侧并且具有抑制基板14的翘曲的功能。在应力调整层50,以包含光透过区域11的方式设置开口50a。在应力调整层50的光出射侧的表面50b,形成有遮光层29。遮光层29由铝等构成,具有对测定光进行遮光的功能。
在如以上所述构成的法布里-珀罗干涉滤波器10中,如果经由端子12,13将电压施加于第1电极17与第3电极19之间的话,则对应于该电压的静电力产生于第1电极17与第3电极19之间。第2镜41由该静电力而以被吸引到固定于基板14的第1镜31侧的方式被驱动。由该驱动,调整第1镜31与第2镜41的距离。透过法布里-珀罗干涉滤波器10的光的波长依赖于光透过区域11中的第1镜31与第2镜41的距离。因此,通过调整施加于第1电极17与第3电极19之间的电压,从而能够适宜选择所透过的光的波长。此时,第2电极18成为与被电连接的第3电极19相同电位。因此,第2电极18起到作为用于在光透过区域11平坦地保持第1镜31以及第2镜41的补偿电极的功能。
[分光传感器的制造工序]
接着,参照附图12~17,对本实施方式所涉及的分光传感器的制造工序进行说明。图12~14以及图17是用于表示制造工序的平面图。图15是对应于图14(B)的侧面图。图16是图14(B)中的XVI-XVI线截面图以及其一部分的放大图。如图12(A)所示,首先,准备芯柱6。芯柱6例如是TO-CAN芯柱。芯柱6具备具有导电性的引销6b贯通于圆盘状的基底6a的结构。
接着,如图12(B)所示,将配线基板2配置于芯柱6的基底6a之上。然后,用树脂将配线基板2粘结于基底6a。在配线基板2之上配置安装部2a、多个电极焊垫2b、安装部2c。在安装部2a,固定光检测器3。在安装部2c,配置热敏电阻7。安装部2a,2c由配线2d而与各个不同的电极焊垫2b相电连接。
接着,如图13(A)所示,在配线基板2的安装部2a上,配置光检测器3。另外,在配线基板2的安装部2c上,配置热敏电阻7。另外,在配线基板2上以互相平行地进行延伸的方式配置2根棒状构件即隔离物4A,4B。如上所述,隔离物4在从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11中的光的透过方向(垂直于纸面的方向)看的情况下,以具有2个开口部A1,A1的方式进行设置。
2根隔离物4A,4B在从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11中的光的透过方向看的情况下被配置于光透过区域11的周围区域。即,隔离物4A,4B在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下从光透过区域11分离来进行配置。还有,关于热敏电阻7可以进行省略。
接着,如图13(B)所示,使用引线8并由引线键合来电连接光检测器3、热敏电阻7、电极焊垫2b与芯柱6的引销6b。引线8的材质例如为金(Au)。
接着,如图14(A)所示,将模片键合树脂5涂布于隔离物4中的一方。如上所述,模片键合树脂5在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下以具有开口部A2的方式进行设置。模片键合树脂5在从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11中的光的透过方向看的情况下以仅被配置于法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧的方式进行涂布。所谓法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧,是指在从光的透过方向看的情况下并且在从其中心部以放射状区分法布里-珀罗干涉滤波器10的情况下,为占有中心部的全周的四分之一左右的区域的一侧。所谓法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧,是指例如在法布里-珀罗干涉滤波器10为矩形的情况下,为法布里-珀罗干涉滤波器10的一边侧。在图14(A)所表示的例子的情况下,模片键合树脂5遍布隔离物4A的上面的大致全长来进行涂布。换言之,模片键合树脂5没有被涂布于隔离物4B的上面。
接着,如图14(B)所示,将法布里-珀罗干涉滤波器10配置于隔离物4之上。由此,法布里-珀罗干涉滤波器10经由模片键合树脂5而被固定于隔离物4之上(在光检测器3之上分开而配置法布里-珀罗干涉滤波器10)。此时,在对应于端子12,13的位置上,配置有隔离物4。该端子12,13起到作为法布里-珀罗干涉滤波器10的键合焊垫的功能。再有,由引线8将法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13电连接于芯柱6的引销6b。引线8的材质例如为金(Au)。
将对应于图14(B)的侧面图表示于图15。法布里-珀罗干涉滤波器10相对于一方的隔离物4A由模片键合树脂5进行粘结。另一方面,在另一方的隔离物4B,不涂布模片键合树脂5。因此,法布里-珀罗干涉滤波器10相对于另一方的隔离物4B不被粘结。
再有,将图14中的XVI-XVI线截面图表示于图16(A)。将相当于被图16(A)中的椭圆EB围绕的部分的放大图表示于图16(B)。
隔离物4A以及4B从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11分开。另外,隔离物4A,4B位于对应于法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13的位置。具体来说,隔离物4A,4B位于端子12,13的正下方。法布里-珀罗干涉滤波器10以隔离物4A,4B的上面与法布里-珀罗干涉滤波器10的遮光层29接触的方式被粘结于隔离物4A的上面。再有,如图16(B)所示,隔离物4A的外侧面4Aa与法布里-珀罗干涉滤波器10的外侧面10a相比较,稍微位于外侧一点。
将紧接于图14(B)的工序表示于图17。如图17所示,在芯柱6的基底6a之上,安装由金属构成的盖9。由该盖9的安装,能够封闭法布里-珀罗干涉滤波器10以及光检测器3等。盖9为大致圆柱状,在其上面具备圆形的透过窗9a。透过窗9a也可以是使用了对应于分光传感器1C的适用波长范围的材料的透过窗。作为该材料,可以列举玻璃或硅、锗等。
另外,透过窗9a也可以是附有反射防止膜的窗或者限制适用波长范围的带通滤波器。参照图12~17并由上述的制造工序来制得分光传感器1C。
根据本实施方式的分光传感器1C,粘结法布里-珀罗干涉滤波器10和隔离物4A的模片键合树脂5在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下具有连通光透过区域11的周围区域的内侧和该周围区域的外侧的开口部A2。因此,在开口部A2,能够抑制例如配线基板2等的来自法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变经由模片键合树脂5而被传递到法布里-珀罗干涉滤波器10。因此,能够抑制法布里-珀罗干涉滤波器10的透过波长的温度特性的劣化。另外,能够减少在将法布里-珀罗干涉滤波器10粘结于隔离物4A的上面的时候的由于模片键合树脂5的固化时的收缩而会产生的法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变的影响。另外,能够减少在模片键合树脂5为热固化性树脂的情况下的法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变的影响。因此,能够抑制在法布里-珀罗干涉滤波器10上产生歪曲而使透过波长发生漂移。
另外,在分光传感器1C中,模片键合树脂5在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下具有开口部A2。因此,被密闭的空间不会由法布里-珀罗干涉滤波器10、隔离物4A,4B以及模片键合树脂5来形成。因此,在分光传感器1C的制造时的模片键合树脂5的热固化的时候,由法布里-珀罗干涉滤波器10、隔离物4A,4B以及模片键合树脂5围绕的空气不会发生热膨胀而使模片键合树脂5破裂。由此,能够抑制产生法布里-珀罗干涉滤波器10的定位偏移而使光学特性降低。再有,作为光检测器3,例如在使用具有温差电堆等的膜结构的元件的情况下,能够防止光检测器3的膜结构由于空气的热膨胀而发生破损。
另外,分光传感器1C进一步具备配线基板2,光检测器3以及隔离物4A,4B被固定于配线基板2上。因此,能够抑制来自法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变从配置基板2经由隔离物4A,4B以及模片键合树脂5而传递到法布里-珀罗干涉滤波器10。
另外,在分光传感器1C中,粘结部在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下仅被设置于法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧。因此,在除了法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧之外能够抑制热应变从被配置于法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件、例如配线基板2等经由粘结部而传递到法布里-珀罗干涉滤波器10。另外,粘结部仅被设置于法布里-珀罗干涉滤波器10的一方侧。因此,能够进一步减少由于模片键合树脂5的固化时的收缩而引起的法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变的影响。另外,能够进一步减少在模片键合树脂5为热固化性树脂的情况下的法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变的影响。因此,能够进一步抑制在法布里-珀罗干涉滤波器10上产生歪曲而使透过波长发生漂移。
另外,在分光传感器1C中,隔离物4A,4B在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下具有连通光透过区域11的周围区域的内侧和该周围区域的外侧的开口部A1。因此,为了使用于光检测器3等的元件的电连接的引线8通过而能够利用隔离物4A,4B所具有的开口部A1。因此,在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下,能够将用于光检测器3等的元件的电连接的电极焊垫2b配置于与法布里-珀罗干涉滤波器10相重叠的位置。因此,能够对分光传感器1C整体进行小型化。
另外,法布里-珀罗干涉滤波器10具有端子12,13。隔离物4A,4B在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下被配置于对应于端子12,13的位置。因此,在分光传感器1C的制造时的引线键合工序中,法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13由被设置于对应于端子12,13的位置的隔离物4A,4B而被支撑。因此,稳定的引线键合成为可能。因此,能够提高引线键合性。
另外,隔离物4A,4B在从光透过区域11中的光的透过方向看的情况下从法布里-珀罗干涉滤波器10的光透过区域11分开。由此,隔离物4A与光透过区域11分开。因此,在制造分光传感器1C的时候,即使在模片键合树脂5从隔离物4A与法布里-珀罗干涉滤波器10之间溢出的情况下,也能够抑制模片键合树脂5浸入到光透过区域11。即使假如是模片键合树脂5被过度涂布的情况,多余的模片键合树脂5也向隔离物4A的下侧攀爬。因此,由此也能够防止模片键合树脂5攀爬到光透过区域11。
另外,如图16(B)所示,隔离物4A的外侧面与法布里-珀罗干涉滤波器10的外侧面相比,稍微位于外侧一点。由此,形成模片键合树脂5的树脂的圆角(fillet)。因此,可靠地进行了粘结。
[变形例]
还有,关于参照图14(A)说明的隔离物4以及模片键合树脂5的配置,能够进行各种变形。例如,如图18(A)所示,也可以将模片键合树脂5涂布成小圆点状。该模片键合树脂5在隔离物4A的上面中被涂布于隔离物4A的两端。另外,如图18(B)所示,也可以将模片键合树脂5涂布成小圆点状。该模片键合树脂5被涂布于位于隔离物4A,4B的相同侧的端部。在这些情况下,小圆点状的模片键合树脂5之间的部分起到作为连通光透过区域的周围区域的内侧和外侧的开口部的功能。
另外,如图19(A)所示,也可以涂布模片键合树脂5。该模片键合树脂5在隔离物4A,4B的双方的上面遍布隔离物4A,4B的大致全长来进行涂布。如图19(B)所示,也可以涂布模片键合树脂5。该模片键合树脂5以小圆点状被涂布于隔离物4A,4B各自的两端。另外,如图20(A)所示,也可以涂布模片键合树脂5。该模片键合树脂5被涂布于隔离物4A,4B的端部中位于不同侧的2个端部。
再有,隔离物4的形状以及配置也可以进行变更。例如,如图20(B)所示,将U字状的隔离物4C固定于配线基板2上。然后,也可以遍布该U字状的隔离物4C的上面的大致全长来涂布模片键合树脂5。另外,如图21(A)所示,分别将柱状的隔离物4D固定于矩形状的配线基板2的4个顶点。然后,也可以以小圆点状将模片键合树脂5涂布于4根隔离物4D各自的上面。
另外,隔离物4也可以是不具有开口部A1的隔离物。即,隔离物4也可以是环状的隔离物。例如,如图21(B)所示,隔离物4E也可以配置于配线基板2上。该隔离物4E为矩形状并且不具有开口部。即使是在该情况下,只要被涂布于隔离物4E的上面的模片键合树脂5具有开口部即可。即,只要粘结部具有开口部即可。该粘结部通过隔离物4和法布里-珀罗干涉滤波器10被模片键合树脂5粘结来进行形成。例如在图21(B)所表示的例子中,模片键合树脂5被涂布成U字状。在图21(B)所表示的情况下,光检测器3由引线8而与被配置于由隔离物4围绕的区域的电极焊垫2e连接。该电极焊垫2e由配线2d而与电极焊垫2b连接。因此,光检测器3被电连接于电极焊垫2b。在此,电极焊垫2e与电极焊垫2b之间的配线2d被配置于配线基板2的上面与隔离物4之间。在此,在配线基板2的上面形成有绝缘层。该绝缘层以配线2d不与隔离物4直接接触的方式进行保护。还有,在图20(B)以及图21(B)中,省略热敏电阻7、被连接于热敏电阻7的引线8、配线2d。
还有,被涂布于法布里-珀罗干涉滤波器10的下面的模片键合树脂5的一部分也可以无助于隔离物4与法布里-珀罗干涉滤波器10的粘结。例如与图21(B)所表示的情况相反,也可以是隔离物4具有开口部并且模片键合树脂5不具有开口部的结构。作为一个例子,即使模片键合树脂5在法布里-珀罗干涉滤波器10的下面以环状被涂布于光透过区域11的周边,只要隔离物4具有开口部即可。
[第4实施方式]
接着,对第4实施方式所涉及的光检测装置进行说明。第4实施方式所涉及的分光传感器1D与第3实施方式所涉及的分光传感器1C,封装体的形状不同。即,分光传感器1D在其封装体为表面安装用的SMD(Surface Mount Device(表面贴装器件))封装体的方面与使用了芯柱6的分光传感器1C不同。
以下,对分光传感器1D的制造工序进行说明。首先,准备图22所表示的SMD封装体61。图22(A)是SMD封装体61的平面图,图22(B)是SMD封装体61的底面图。SMD封装体61具有中空的大致长方体的形状。SMD封装体61例如按顺序将各个矩形的第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66进行层叠来形成。第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66的材质例如能够设为陶瓷或树脂。还有,第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66可以在分别作为不同的单体来形成之后被层叠,也可以作为一体来成形。
第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66的外周面(侧面)在被层叠的状态下为大致同一面。在第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66各自的中央部设置有矩形的开口。第3层基板64的开口比第2层基板63的开口大。第4层基板65的开口比第3层基板64的开口大。第5层基板66的开口比第4层基板65的开口大。由该结构,在第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64、第4层基板65以及第5层基板66被层叠的状态下,第1层基板62、第2层基板63、第3层基板64以及第4层基板65的上面的一部分从第5层基板66的开口露出。
在露出的第1层基板62、第2层基板63以及第4层基板65的上面配置有键合焊垫以及配线。在图22(A)所表示的例子中,在第1层基板62的上面配置有安装部62a、安装部62c。安装部62a是用于固定光检测器3的安装部。安装部62c是用于配置热敏电阻7的安装部。安装部62a,62c由配线62d而与各个不同的电极焊垫67电连接。配线62d以通过第1层基板62与第2层基板63之间的方式被配置。
在第2层基板63的上面,配置有2个键合焊垫63a、被连接于各个键合焊垫63a的配线63b。键合焊垫63a由配线63b而与各个不同的电极焊垫67电连接。配线63b以通过第2层基板63与第3层基板64之间的方式被配置。
在第4层基板65的上面,配置有4个键合焊垫65a、被连接于各个键合焊垫65a的配线65b。键合焊垫65a由配线65b而与各个不同的电极焊垫67电连接。配线65b以通过第4层基板65与第5层基板66之间的方式被配置。
在第1层基板62,设置有贯通孔62e。贯通孔62e在制造分光传感器1D的时候起到作为用于使热膨胀了的空气排出的通气口的功能。
如图22(B)所示,在SMD封装体61的底面的各条边,设置有例如各两个的电极焊垫67。还有,电极焊垫67的配置并不限定于图22(B)所表示的配置,也可以对应于分光传感器1D所要求的功能而适当变更。
在准备了上述的SMD封装体61之后,如图23(A)所示,将光检测器3安装于安装部62a之上。另外,在安装部62c之上安装热敏电阻7。然后,使用引线8并由引线键合来连接光检测器3与键合焊垫63a之间。另外,使用引线8并由引线键合来连接热敏电阻7与键合焊垫63a之间。再有,以直线状将模片键合树脂5涂布于第3层基板64的上面中的沿着第3层基板64的开口的1边的部分。因此,即使在第4实施方式的分光传感器1D中,模片键合树脂5也以具有开口部的方式被配置。
接着,如图23(B)所示,将法布里-珀罗干涉滤波器10固定于第3层基板64的上面。由此,第3层基板64起到作为在光透过区域11的周围区域支撑法布里-珀罗干涉滤波器10的支撑构件的功能。此时,模片键合树脂5形成粘结第3层基板64和法布里-珀罗干涉滤波器10的粘结部。法布里-珀罗干涉滤波器10以其端子12,13位于第3层基板64的开口的缘部之上的方式被配置。
然后,使用引线8并由引线键合来将法布里-珀罗干涉滤波器10的端子12,13连接于键合焊垫65a。
最后,如图24(A)以及图24(B)所示,将透过窗68固定于第5层基板66之上。图24(A)是由上述的制造工序制得的分光传感器1D的平面图,图24(B)是图24(A)的B-B线截面图。透过窗68也可以是使用了对应于分光传感器1D的适用波长范围的材料的透过窗。对于该材料来说,可以列举玻璃或硅、锗等。另外,透过窗68也可以是附有反射防止膜的窗或者限制适用波长范围的带通滤波器。
还有,关于被涂布的模片键合树脂5的配置,并不限定于图23(A)所表示的配置,也可以进行各种变形。例如,如图25(A)所示,也可以涂布模片键合树脂5。该模片键合树脂5被涂布成沿着第3层基板64的开口的周边部中的3边的U字状。在该情况下,沿着第3层基板64的开口的周边部中剩余1边的部分起到作为开口部的功能。
另外,关于透过窗68,如图25(B)所示,也可以使用设置了膜68C的透过窗68A。膜68C不使光透过于光进行透过的区域68B以外的部分。在该情况下,可以减少杂散光。作为膜68C,能够使用具有遮光功能的膜或者具有光吸收功能的膜。
以上,对本发明的优选的实施方式进行了说明。但是,本发明并不限定于上述的实施方式。例如,在第3实施方式的分光传感器1C中,隔离物4不是被固定于配线基板2之上而是也可以被固定于光检测器3之上。在该情况下,能够抑制来自法布里-珀罗干涉滤波器10的周边的构件的热应变从配线基板2经由光检测器3以及模片键合树脂5而传递到法布里-珀罗干涉滤波器。
另外,在上述实施方式中,如图11所示,使光透过区域11为比开口50a窄的区域而进行了说明。但是,本发明并不限定于这样的方式。在将宽度预先被缩小的光作为入射光来进行导入的情况下,如图11所示,光透过区域11比开口50a窄。然而,例如在将比开口50a宽的光作为入射光来进行导入的情况下,开口50a划定光透过区域11。本发明也能够应用于这样的方式。
产业上的利用可能性
根据本发明,可以提供一种能够取得波长分辨率的提高、波长飘移的抑制以及分光特性的提高的光检测装置。
符号的说明
1A,1B,1C,1D…分光传感器(光检测装置)、2…配线基板、3…光检测器、3a…受光部、4…隔离物(支撑构件)、10…法布里-珀罗干涉滤波器、31…第1镜、41…第2镜、50a…开口、61…SMD封装体、62…第1层基板(配线基板)、63…第2层基板(配线基板)、64…第3层基板(配线基板)、69c…光通过口(光入射部)、71…温度补偿用元件(安装部件)、81…CAN封装构件、83a…光透过窗(光输入部)、D…相对方向(规定的方向)、S1…第1空间、S2…第2空间。
Claims (4)
1.一种光检测装置,其特征在于:
具备:
法布里-珀罗干涉滤波器,具有使距离可变的第1镜以及第2镜,并且设置有使光沿着规定的方向通过的开口,该光对应于所述第1镜与所述第2镜之间的距离而透过;
光检测器,具有对通过了所述开口的光进行受光的受光部;
配线基板,安装有所述光检测器;以及
支撑构件,以与所述开口内的第1空间相连续并且在从所述规定的方向看的情况下包含所述第1空间的第2空间被形成于所述法布里-珀罗干涉滤波器与所述配线基板之间的方式在所述配线基板上支撑所述法布里-珀罗干涉滤波器,
所述光检测器被配置于所述第2空间内,
所述受光部在从所述规定的方向看的情况下配置于所述第2空间中对应于所述第1空间的区域内,
所述法布里-珀罗干涉滤波器具备基板,
所述第1镜以及所述第2镜被支撑于所述基板,所述第1镜被配置于所述基板的光入射侧,所述第2镜被配置于所述第1镜的光入射侧,
在所述基板的光出射侧,以包含光透过区域的方式设置有所述开口。
2.如权利要求1所述的光检测装置,其特征在于:
所述光检测器在从所述规定的方向看的情况下被配置于所述第2空间中对应于所述第1空间的所述区域内。
3.如权利要求1或者2所述的光检测装置,其特征在于:
进一步具备在所述第2空间内被安装于所述配线基板的安装部件,
所述安装部件在从所述规定的方向看的情况下被配置于所述第2空间中对应于所述第1空间的所述区域外。
4.如权利要求1~3中的任意一项所述的光检测装置,其特征在于:
进一步具备容纳所述法布里-珀罗干涉滤波器、所述光检测器、所述配线基板以及所述支撑构件并且具有使光从外部入射到所述法布里-珀罗干涉滤波器的光入射部的封装体,
所述光入射部在从所述规定的方向看的情况下包含于所述法布里-珀罗干涉滤波器。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013227286 | 2013-10-31 | ||
JP2013-227286 | 2013-10-31 | ||
PCT/JP2014/079129 WO2015064758A1 (ja) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105683725A CN105683725A (zh) | 2016-06-15 |
CN105683725B true CN105683725B (zh) | 2019-05-14 |
Family
ID=53004344
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480058681.5A Active CN105683725B (zh) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光检测装置 |
CN201480059031.2A Active CN105683726B (zh) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光检测装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201480059031.2A Active CN105683726B (zh) | 2013-10-31 | 2014-10-31 | 光检测装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10184832B2 (zh) |
EP (2) | EP3064913B1 (zh) |
JP (2) | JP6466851B2 (zh) |
KR (2) | KR102255742B1 (zh) |
CN (2) | CN105683725B (zh) |
WO (2) | WO2015064749A1 (zh) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6290594B2 (ja) | 2013-10-31 | 2018-03-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
US9508681B2 (en) * | 2014-12-22 | 2016-11-29 | Google Inc. | Stacked semiconductor chip RGBZ sensor |
US10113912B2 (en) | 2015-05-30 | 2018-10-30 | Pixart Imaging Inc. | Thermopile module |
US10168220B2 (en) | 2015-03-20 | 2019-01-01 | Pixart Imaging Inc. | Wearable infrared temperature sensing device |
CN108139270B (zh) * | 2015-10-02 | 2021-06-08 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置 |
US9960199B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-05-01 | Viavi Solutions Inc. | Dielectric mirror based multispectral filter array |
US9923007B2 (en) | 2015-12-29 | 2018-03-20 | Viavi Solutions Inc. | Metal mirror based multispectral filter array |
KR102145769B1 (ko) * | 2016-01-25 | 2020-08-19 | 교세라 가부시키가이샤 | 계측 센서용 패키지 및 계측 센서 |
JP2017168822A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-09-21 | ヴァイアヴィ・ソリューションズ・インコーポレイテッドViavi Solutions Inc. | センサデバイスの製造方法 |
JP7039160B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2022-03-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
CN115581440A (zh) * | 2016-03-23 | 2023-01-10 | 原相科技股份有限公司 | 穿戴式装置 |
JP6311133B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2018-04-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサ |
US11054560B2 (en) * | 2016-07-11 | 2021-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K | Fabry-Perot interference filter and light-detecting device |
EP3505987B1 (en) * | 2016-08-24 | 2023-10-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Fabry-perot interference filter |
JP6849811B2 (ja) * | 2017-01-11 | 2021-03-31 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | セレン化鉛プレート検出器アセンブリ上に一体化された温度センサ |
JP7155498B2 (ja) * | 2017-03-29 | 2022-10-19 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルターデバイス |
JP6871043B2 (ja) * | 2017-03-31 | 2021-05-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
US10955336B2 (en) * | 2017-08-26 | 2021-03-23 | Innovative Micro Technology | Gas sensor comprising a rotatable Fabry-Perot multilayer etalon |
JP7438936B2 (ja) | 2017-08-31 | 2024-02-27 | テクノロギアン トゥトキムスケスクス ヴェーテーテー オイ | 熱型検出器及び熱型検出器アレイ |
EP3483574A1 (en) | 2017-11-14 | 2019-05-15 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Microbolometer and method of manufacturing |
JP6899314B2 (ja) | 2017-11-17 | 2021-07-07 | 浜松ホトニクス株式会社 | 吸着方法 |
EP3712929B1 (en) | 2017-11-17 | 2023-09-13 | Hamamatsu Photonics K.K. | Suction method |
JP6517309B1 (ja) * | 2017-11-24 | 2019-05-22 | 浜松ホトニクス株式会社 | 異物除去方法、及び光検出装置の製造方法 |
JP7313115B2 (ja) * | 2017-11-24 | 2023-07-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検査装置及び光検査方法 |
JP7232978B2 (ja) * | 2017-12-11 | 2023-03-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 赤外線センサおよび赤外線センサのボロメータ赤外線受光部を冷却する方法 |
TW201947894A (zh) * | 2018-04-12 | 2019-12-16 | 美商雷神公司 | 整合式光學共振檢測器 |
JP1630430S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1630704S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1630432S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1630429S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1630703S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1659230S (zh) * | 2018-06-13 | 2020-05-11 | ||
JP1630705S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
JP1659174S (zh) * | 2018-06-13 | 2020-05-11 | ||
JP1630431S (zh) * | 2018-06-13 | 2019-05-07 | ||
DE102018212755A1 (de) | 2018-07-31 | 2020-02-06 | Robert Bosch Gmbh | Spektrometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Spektrometereinrichtung |
JP7388815B2 (ja) | 2018-10-31 | 2023-11-29 | 浜松ホトニクス株式会社 | 分光ユニット及び分光モジュール |
JP7202160B2 (ja) * | 2018-12-05 | 2023-01-11 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光学フィルタ装置、及び光学フィルタ装置の制御方法 |
JP7181784B2 (ja) * | 2018-12-18 | 2022-12-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | モニタ装置、光学フィルタシステム、モニタ方法、電流発生装置 |
DE102019207383A1 (de) * | 2019-05-21 | 2020-11-26 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213292A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213270A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213284A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213287A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
DE102019213286A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Spektrometer-Package mit MEMS Fabry-Pérot-Interferometer |
DE102019213285A1 (de) * | 2019-09-03 | 2021-03-04 | Robert Bosch Gmbh | Interferometereinrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Interferometereinrichtung |
CN114502929B (zh) * | 2019-10-09 | 2024-04-26 | 浜松光子学株式会社 | 光检测装置 |
JP7139401B2 (ja) * | 2020-12-01 | 2022-09-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
JP2024057841A (ja) * | 2022-10-13 | 2024-04-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出器 |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766982B2 (ja) * | 1989-03-29 | 1995-07-19 | シャープ株式会社 | 波長選択性受光素子 |
JPH0766982A (ja) * | 1993-08-26 | 1995-03-10 | Canon Inc | 符号量制御装置 |
US5550373A (en) * | 1994-12-30 | 1996-08-27 | Honeywell Inc. | Fabry-Perot micro filter-detector |
US5584117A (en) * | 1995-12-11 | 1996-12-17 | Industrial Technology Research Institute | Method of making an interferometer-based bolometer |
JPH1090576A (ja) * | 1996-09-17 | 1998-04-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光学部材の固定構造 |
US6295130B1 (en) | 1999-12-22 | 2001-09-25 | Xerox Corporation | Structure and method for a microelectromechanically tunable fabry-perot cavity spectrophotometer |
US6904073B2 (en) * | 2001-01-29 | 2005-06-07 | Cymer, Inc. | High power deep ultraviolet laser with long life optics |
US6717965B2 (en) | 2001-07-06 | 2004-04-06 | Intel Corporation | Graded thin film wedge interference filter and method of use for laser tuning |
US6770882B2 (en) * | 2002-01-14 | 2004-08-03 | Multispectral Imaging, Inc. | Micromachined pyro-optical structure |
US6724784B2 (en) * | 2002-04-15 | 2004-04-20 | Agere Systems Inc. | Optical wavelength locker module having a high thermal conductive material |
JP3743394B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびそれを用いた電子装置 |
JP3770326B2 (ja) | 2003-10-01 | 2006-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 分析装置 |
US6979118B1 (en) | 2004-06-01 | 2005-12-27 | General Electric Company | Estimating combustor flame temperature based on frequency of combustor dynamics transverse mode |
US20050276303A1 (en) | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Rong Huang | External Cavity Laser |
US20060055308A1 (en) * | 2004-09-16 | 2006-03-16 | Lairson Bruce M | Plasma display filter with a dielectric/metallic layer stack of at least eleven layers |
US20070099001A1 (en) * | 2005-10-27 | 2007-05-03 | Cymer, Inc. | Blister resistant optical coatings |
US7403679B2 (en) | 2006-03-31 | 2008-07-22 | Intel Corporation | Thermally tunable optical dispersion compensation devices |
DE102006034731A1 (de) * | 2006-07-27 | 2008-01-31 | Infratec Gmbh Infrarotsensorik Und Messtechnik | Durchstimmbares Dualband-Fabry-Perot-Filter |
JP5048992B2 (ja) * | 2006-10-18 | 2012-10-17 | オリンパス株式会社 | 可変分光素子および、それを備えた内視鏡システム |
JP5230952B2 (ja) * | 2007-02-13 | 2013-07-10 | オリンパス株式会社 | 内視鏡用可変分光素子、分光装置および内視鏡システム |
US7911623B2 (en) * | 2007-08-07 | 2011-03-22 | Xerox Corporation | Fabry-Perot piezoelectric tunable filter |
JP2009210312A (ja) | 2008-03-03 | 2009-09-17 | Denso Corp | ファブリペロー干渉計およびその製造方法 |
CN102449520B (zh) | 2009-05-28 | 2015-01-07 | 西铁城控股株式会社 | 光源装置 |
FI124072B (fi) | 2009-05-29 | 2014-03-14 | Valtion Teknillinen | Mikromekaaninen säädettävä Fabry-Perot -interferometri, välituote ja menetelmä niiden valmistamiseksi |
JP2011117884A (ja) | 2009-12-07 | 2011-06-16 | Hioki Ee Corp | 分光測定器 |
JP5609542B2 (ja) * | 2010-10-28 | 2014-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 光測定装置 |
JP5545199B2 (ja) * | 2010-12-16 | 2014-07-09 | 株式会社デンソー | ファブリペロー干渉計 |
JP5601190B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2014-10-08 | 株式会社デンソー | 波長選択型赤外線検出装置 |
JP5708009B2 (ja) | 2011-02-17 | 2015-04-30 | セイコーエプソン株式会社 | 光モジュールおよび電子機器 |
JP6119090B2 (ja) | 2011-09-27 | 2017-04-26 | セイコーエプソン株式会社 | 光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器 |
-
2014
- 2014-10-31 CN CN201480058681.5A patent/CN105683725B/zh active Active
- 2014-10-31 KR KR1020167005468A patent/KR102255742B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-31 WO PCT/JP2014/079103 patent/WO2015064749A1/ja active Application Filing
- 2014-10-31 EP EP14857901.4A patent/EP3064913B1/en active Active
- 2014-10-31 WO PCT/JP2014/079129 patent/WO2015064758A1/ja active Application Filing
- 2014-10-31 KR KR1020167005470A patent/KR102273850B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-31 US US15/031,786 patent/US10184832B2/en active Active
- 2014-10-31 EP EP14859201.7A patent/EP3064914B1/en active Active
- 2014-10-31 JP JP2015545330A patent/JP6466851B2/ja active Active
- 2014-10-31 CN CN201480059031.2A patent/CN105683726B/zh active Active
- 2014-10-31 JP JP2015545334A patent/JP6467346B2/ja active Active
- 2014-10-31 US US15/031,780 patent/US10175107B2/en active Active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Miniaturized spectrometer technologies;ANTILA J;《INFORMATION OPTICS》;20100712;全文 |
Tunable infrared detector with integrated micromachined Fabry-Perot filter;Norbert Neumann et.al;《J.Micro/Nanolith.MEMS MOEMS》;20080401;第3、6页及图2、10 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160082965A (ko) | 2016-07-11 |
JP6467346B2 (ja) | 2019-02-13 |
CN105683726A (zh) | 2016-06-15 |
EP3064914A4 (en) | 2017-09-06 |
JPWO2015064758A1 (ja) | 2017-03-09 |
KR20160082964A (ko) | 2016-07-11 |
CN105683725A (zh) | 2016-06-15 |
CN105683726B (zh) | 2019-05-07 |
WO2015064749A1 (ja) | 2015-05-07 |
KR102273850B1 (ko) | 2021-07-05 |
KR102255742B1 (ko) | 2021-05-26 |
EP3064913A1 (en) | 2016-09-07 |
US20160245697A1 (en) | 2016-08-25 |
EP3064914B1 (en) | 2021-11-24 |
JP6466851B2 (ja) | 2019-02-06 |
US10184832B2 (en) | 2019-01-22 |
US10175107B2 (en) | 2019-01-08 |
EP3064913A4 (en) | 2017-09-06 |
JPWO2015064749A1 (ja) | 2017-03-09 |
EP3064914A1 (en) | 2016-09-07 |
WO2015064758A1 (ja) | 2015-05-07 |
EP3064913B1 (en) | 2021-07-14 |
US20160245696A1 (en) | 2016-08-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105683725B (zh) | 光检测装置 | |
US10895501B2 (en) | Light-detecting device | |
CN107532941B (zh) | 光检测装置 | |
US20200232852A1 (en) | Light detection device | |
JP6632647B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP7351610B2 (ja) | 光検出装置 | |
JP6913709B2 (ja) | 光検出装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |