CN105683177A - 含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件 - Google Patents

含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件 Download PDF

Info

Publication number
CN105683177A
CN105683177A CN201480058954.6A CN201480058954A CN105683177A CN 105683177 A CN105683177 A CN 105683177A CN 201480058954 A CN201480058954 A CN 201480058954A CN 105683177 A CN105683177 A CN 105683177A
Authority
CN
China
Prior art keywords
compound
composition
formula
layer
compounds
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201480058954.6A
Other languages
English (en)
Inventor
M·E·昂德瑞
K·M·高
D·M·威尔士
T·D·潘恩
L·洪
K·E·斯托克曼
H-Y·那
K-J·李
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Rohm and Haas Electronic Materials Korea Ltd
Dow Global Technologies LLC
Original Assignee
ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Dow Global Technologies LLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ROHM and HAAS ELECT MATERIALS, Dow Global Technologies LLC filed Critical ROHM and HAAS ELECT MATERIALS
Publication of CN105683177A publication Critical patent/CN105683177A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D251/00—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings
    • C07D251/02—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings
    • C07D251/12—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D251/14—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom
    • C07D251/24—Heterocyclic compounds containing 1,3,5-triazine rings not condensed with other rings having three double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with hydrogen or carbon atoms directly attached to at least one ring carbon atom to three ring carbon atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D401/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom
    • C07D401/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings
    • C07D401/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, at least one ring being a six-membered ring with only one nitrogen atom containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/622—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing four rings, e.g. pyrene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1059—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing three nitrogen atoms as heteroatoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1074—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing more than three nitrogen atoms as heteroatoms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/14—Carrier transporting layers
    • H10K50/16—Electron transporting layers
    • H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供一种包含本文所述的式1的至少一种芴取代三嗪衍生化合物的组合物以及含该组合物的电子器件。此类器件具有改善的效率以及更好的驱动电压。

Description

含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件
相关申请参考
本申请要求2013年11月12日提交的美国临时申请第61/840,624号的权益，并且其以引用的方式并入本文中。
背景技术
电致发光(EL)器件为采用含有机芳香族化合物的膜堆叠作为电致发光层的显示器件。参见，例如以下参考文献中描述的器件和/或三嗪化合物；美国公开案2012/0286249、2011/0095282、US2010/0039026、US2006/0251919；美国专利7807276；国际公开案WO2007/023840、WO2005/105950；Zong等人，《基于联二三嗪的新光电材料：合成与特性(NewOptoelectronicMaterialsBasedonBitriazines:SynthesisandProperties)》，有机快报(OrganicLetter)，第10卷，709-712；Zong等人，《应用于光电器件的新共轭三嗪基分子材料：设计、合成与特性(NewConjugatedTriazineBasedMolecularMaterialsforApplicationinOptoelectronicDevices:Design,Synthesis,andProperties)》，物理化学期刊(J.ofPhys.Chem.)115，2423-2427。此类芳香族化合物通常被分类为电致发光材料和电荷传输材料。此类电致发光和电荷传输化合物需要的几个特性包括在固态下的高萤光量子产率、电子和空穴的高松迁移率、在真空中气相沉积期间的化学稳定性以及形成稳定膜的能力。这些所需的特征增加EL器件的使用寿命。然而，仍存在对改进的电致发光化合物和含该化合物的膜的持续不断的需要。
发明内容
本发明提供一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：
其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且
其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且
其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且
其中一个或多个氢可任选地被氘取代。
附图说明
图1描绘化合物1的DSC曲线。
图2描绘化合物2的DSC曲线。
图3描绘化合物3的DSC曲线。
具体实施方式
如上文所论述，本发明提供包含选自式1的至少一种化合物的组合物：
其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且
其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且
其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且
其中一个或多个氢可任选地被氘取代。
本发明的化合物可包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明的组合物可包含如本文所述的两个或更多个实施例的组合。
在一个实施例中，Ar基团包含6个至16个碳，进一步包含7个至16个碳，进一步包含8个至16个碳。
在一个实施例中，至少一种化合物选自式2：
其中化学基团如上文对式1所定义。在另一实施例中，对于式2，x＝0，y＝0，并且z＝0(或仅氢原子在环的标注部分上)。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团选自以下基团：
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团A、D、I或J，每个如上所示。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团D、I或J，每个如上所示。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团选自基团A、D或I，每个如上所示。
在上述结构中，每个取代基的外连接点由波浪线表示，如当前IUPAC标准所推荐的：纯粹及应用化学(PureAppl.Chem.)，2008年，80，277(化学结构图的图形表示标准(Graphicalrepresentationstandardsforchemicalstructuraldiagrams))。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团包含8个至16个碳原子，进一步包含9至16个碳，进一步包含10个至16个碳。该范围的碳原子被认为提供所述化合物在电子器件中更好的堆叠。改进的堆叠将改善所述器件的电荷传输和效率。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团包含11个至16个碳原子，进一步包含12个至16个碳。该范围的碳原子被认为提供所述化合物在电子器件中甚至更好的堆叠。改进的堆叠将改善所述器件的电荷传输和效率。
在一个实施例中，本发明的化合物(式1或式2)的Ar基团分子量为120克/摩尔至290克/摩尔，进一步为120克/摩尔至280克/摩尔。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)的玻璃化转变温度(Tg)大于或等于150℃，进一步大于或等于155℃，进一步大于或等于160℃，进一步大于或等于165℃，如通过DSC测定。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)的Tg为150℃至200℃，进一步为155℃至200℃，进一步为160℃至200℃，进一步为165℃至200℃，如通过DSC测定。高Tg值(≥150℃，更优选≥155℃，更优选≥160℃)为理想的以改善电子器件的热稳定性。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)的分子量大于或等于620克/摩尔。如果分子量过低(例如低于620克/摩尔)，Tg降低至不可接受的水平。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)分子量为620克/摩尔至1000克/摩尔，进一步为650克/摩尔至1000克/摩尔，进一步为700克/摩尔至1000克/摩尔。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)三重态能量为1.5eV至3.0eV，进一步为1.7eV至2.9eV，进一步为2.0eV至2.5eV。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)LUMO能级为-1.5eV至-2.5eV，进一步为-1.6eV至-2.2eV，进一步为-1.7eV至-2.0eV。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)HOMO能级为-4.5至-7.0eV，进一步为-5.0至-6.5eV，进一步为-5.4eV至-6.0eV。
在本发明的化合物(式1或式2)的一个实施例中，R1和R2各自独立为烷基。
在本发明的化合物(式1或式2)的一个实施例中，R1和R2各自独立为C1-C4烷基，进一步为C1-C3烷基，进一步为C1-C2烷基，进一步为C1烷基(R1＝R1，R2＝R2等)。术语“烷基”为本领域中已知的，并且烷基衍生自通过从其中除去一个氢原子的脂族。
在本发明化合物(式1或式2)的一个实施例中，R1和R2各自独立地为丙基、乙基或甲基，进一步为乙基或甲基，并且进一步为甲基。
在本发明化合物(式1或式2)的一个实施例中，Ph1和Ph2各自为苯基(Ph1＝Ph1，并且Ph2＝Ph2)。
在本发明化合物(式1或式2)的一个实施例中，对于Ax，x＝0；对于Ay，y＝0；对于Az，z＝0。在另一实施例中，对于Aw，w＝0。
在本发明化合物(式1或式2)的一个实施例中，对于Bx，x＝0；对于By，y＝0；对于Bz，z＝0。在另一实施例中，对于Bw，w＝0。
在一个实施例中，所述化合物选自以下各项：
在一个实施例中，本发明化合物(式1或式2)选自结构a至x、e1、g1或h1，每个如上所示。
在一个实施例中，本发明化合物(式1或式2)选自结构a、b、e至g，i至k，m至o，q至s或u至w，每个如上所示。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)包含至少一个氘原子。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)不包含氘原子。
在一个实施例中，化合物(式1或式2)纯度大于99％。
在一个实施例中，组合物包含选自式1或式2的至少两种化合物。
在一个实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至90重量％的至少一种化合物(式1或式2)。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含30重量％至90重量％的至少一种化合物。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含50重量％至90重量％的至少一种化合物。
在一个实施例中，组合物进一步包含有机金属化合物，并且进一步包含金属喹啉盐。在另一实施例中，金属喹啉盐为具有或不具有取代基的喹啉锂。
在一个实施例中，有机金属化合物包含锂。在另一实施例中，有机金属为具有或不具有取代基的喹啉锂。
在一个实施例中，至少一种化合物(式1或式2)与有机金属化合物的重量比为9/1至1/1，进一步为7/1至1/1，进一步为4/1至1/1，进一步为3/2至1/1。
在一个实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至90重量％的金属喹啉盐。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至70重量％的金属喹啉盐。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至50重量％的金属喹啉盐。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含20重量％至50重量％的金属喹啉盐。
在一个实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至90重量％的具有或不具有取代基的喹啉锂。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至70重量％的喹啉锂。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含10重量％至50重量％的喹啉锂。在另一实施例中，以组合物的重量计，组合物包含20重量％至50重量％的喹啉锂。
本发明还提供一种膜，其包含由本发明组合物形成的至少一个层A。
在一个实施例中，膜进一步包含由包含至少一种HTL(空穴传输层)化合物的组合物B形成的另一层B。在另一实施例中，层A不与层B相邻。
在一个实施例中，HIL(空穴注入层)化合物包含芳香族胺。在另一实施例中，HIL化合物为芳香族二胺。
在一个实施例中，组合物B包含至少两种HIL化合物。在另一实施例中，每种HIL化合物独立为包含芳香族胺的化合物。在另一实施例中，每种HIL化合物独立为芳香族二胺。
在一个实施例中，组合物B不含氰基(-C≡N)化合物(包含至少一个氰基的化合物)。
在一个实施例中，本发明膜包含至少两种芳香族胺，并且进一步包含至少两种芳香族二胺。
在一个实施例中，每个膜层通过真空、热蒸发法形成。
本发明化合物可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明组合物可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
组合物B可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
层A可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
层B可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明的膜可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明还提供一种包含由本发明组合物形成的至少一个组件的制品。
在一个实施例中，制品为电致发光器件。
本发明也提供一种包含由本发明的膜形成的至少一个组件的制品。
在一个实施例中，制品为电致发光器件。
本发明物品可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
本发明化合物可被用作电荷传输层并且在电子器件如OLED器件中可被用作其它层。举例来说，本发明化合物可被用作电荷阻挡层和电荷产生层。
组合物B
组合物B包含至少一种“HTL化合物”。HTL(空穴传输层)化合物为传输空穴的材料。通常HTL具有高空穴迁移率，并且具有适当的电离电位以为以下各项提供小的能量势垒：来自阳极或空穴注入层的空穴注入，以及到发射层中的空穴注入；每个导致在器件中降低的工作电压。HTL也用于帮助阻断由发射层传输的电子的通过。通常需要小电子亲和性阻断电子。HTL应理想地具有较大三重态以阻断激子从相邻发射层迁移。HTL化合物的实例包括但不限于二(对甲苯基)氨基苯基]-环己烷(TPAC)、N,N-二苯基-N,N-双(3-甲基苯基)-1,1-联二苯-4,4-二胺(TPD)以及N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-(1,1'-联二苯)-4,4'-二胺(NPB)。
在一个实施例中，HTL化合物选自以下各项：4,4',4”-三(N,N-(2-萘基)-苯胺基)三苯胺(2-TNATA)；N1,N1'-([1,1'-联二苯]-4,4'-二基)双(N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺)；4,4',4”-三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(间MTDATA)；或N4,N4'-双[4-[双(3-甲基苯基)氨基]苯基]-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联二苯]-4,4'-二胺(DNTPD)。
在一个实施例中，HTL化合物选自以下各项：二(对甲苯基)氨基-苯基]环己烷(TPAC)；N,N-二苯基-N,N-双(3-甲基苯基)-1,1-联二苯-4,4-二胺(TPD)；或N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-(1,1'-联二苯)-4,4'-二胺(NPB)。
在另一实施例中HTL化合物选自以下各项：N,N-二苯基-N,N-双(3-甲基苯基)-1,1-联二苯-4,4-二胺(TPD)；或N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-(1,1'-联二苯)-4,4'-二胺(NPB)。
在另一实施例中，HTL化合物为N,N'-二苯基-N,N'-双(1-萘基)-(1,1'-联二苯)-4,4'-二胺(NPB)。
在一个实施例中，以组合物B的重量计，组合物B包含100重量％的HTL化合物。
组合物B可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
由组合物B形成的层B可包含本文所述的两个或更多个实施例的组合。
定义
本文所述的术语“芳基”表示，衍生自通过从其中除去一个氢原子的芳族烃的有机基。芳基可为单环和/或稠环系统，其中每个环适当地含有4个至7个、优选5个或6个原子。其中两个或更多个芳基通过单键组合的结构也包括在内。具体实例包括但不限于苯基、萘基、联二苯、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联亚三苯基、芘基、苝基、屈基、并四苯基(naphtacenyl)、荧蒽基等等，但不限于此。萘基可为1-萘基或2-萘基，蒽基可为1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，且芴基可为1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基及9-芴基中的任一个。
本文所述的术语“杂芳基”是指对于芳香族环状主链原子含有至少一个杂原子(例如B、N、O、S、P(＝O)、Si以及P)并且对于其余的芳香族环状主链原子含有碳原子的芳基。杂芳基可为5元或6元单环杂芳基或与一或多个苯环稠合的多环杂芳基，且可为部分饱和的。具有通过单键键结的一或多个杂芳基的结构也包括在内。杂芳基可包含二价芳基，其中杂原子经氧化或季铵化以形成N-氧化物、季铵盐等等。具体实例包括但不限于单环杂芳基，如呋喃基、噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、噻唑基、噻二唑基、异噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、三嗪基、四嗪基、三唑基、四唑基、呋吖基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、哒嗪基；多环杂芳基，如苯并呋喃基、芴并[4,3-b]苯并呋喃基、苯并噻吩基、芴并[4,3-b]苯并噻吩基、异苯并呋喃基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并异噻唑基、苯并异噁唑基、苯并噁唑基、异吲哚基、吲哚基、吲唑基、苯并噻二唑基、喹啉基、异喹啉基、噌啉基、喹唑啉基、喹喏啉基、咔唑基、啡啶基及苯并间二氧杂环戊烯基；及其对应的N-氧化物(例如吡啶基N-氧化物、喹啉基N-氧化物)及季铵盐。
取代基包括但不限于以下各项：氘、卤素、具有或不具有卤素取代基的(Cl-C30)烷基、(C6-C30)芳基、具有或不具有(C6-C30)芳基取代基的(C3-C30)杂芳基、含有一个或多个杂原子的5元至7元杂环烷基(所述杂原子选自例如B、N、O、S、P(＝O)、Si和P)、与一个或多个芳环稠合的5元至7元杂环烷基、(C3-C30)环烷基、与一个或多个芳环稠合的(C5-C30)环烷基、三(Cl-C30)烷基硅烷基、二(Cl-C30)烷基(C6-C30)芳基硅烷基、三(C6-C30)芳基硅烷基、金刚烷基、(C7-C30)双环烷基、(C2-C30)烯基、(C2-C30)炔基、氰基、咔唑基、NR2iR22、BR23R24、PR25R26、P(＝O)R27R28[其中R2i至R28独立表示(Cl-C30)烷基、(C6-C30)芳基或(C3-C30)杂芳基]、(C6-C30)芳基(Cl-C30)烷基、(Cl-C30)烷基(C6-C30)芳基、(Cl-C30)烷氧基、(Cl-C30)烷硫基、(C6-C30)芳氧基、(C6-C30)芳硫基、(C1-C30)烷氧羰基、(C1-C30)烷羰基、(C6-C30)芳基羰基、(C6-C30)芳氧基羰基、(C1-C30)烷氧基羰氧基、(C1-C30)烷基羰氧基、(C6-C30)芳基羰氧基、(C6-C30)芳氧基羰氧基、羧基、硝基和羟基；或相邻取代基键联在一起以形成环。举例来说，取代基可与在包含所述取代基的主链分子上的一个或多个原子形成环结构。
实验
试剂及测试方法
所有溶剂及试剂均获自商业销售商，其包括西格玛-奥德里奇公司(Sigma-Aldrich)、TCI及阿法埃莎(AlfaAesar)，并且以最高可用的纯度及/或在必需时在使用之前重结晶使用。无水溶剂获自内部纯化/分配系统(己烷、甲苯及四氢呋喃)或购自西格玛-奥德里奇公司。所有涉及“水敏感性化合物”的实验均在“烘箱干燥的”玻璃器皿中在氮气气氛下或在手套箱中进行。通过分析(在预涂铝板(VWR60F254)上薄层层析(TLC))监测反应，并且通过UV光和/或高锰酸钾染色观测反应。在ISCOCOMBIFLASH系统上借助GRACERESOLV筒柱进行急骤层析。在具有“12m×0.2mm×0.55μM”DB-Ms柱(卷曲的)的HP6890串联GC系统上进行GC-质谱(GC-MS)。
除非另外说明，否则1H-NMR光谱(500MHz或400MHz)在VarianVNMRS-500或VNMRS-400光谱仪上在30℃下获得。化学位移参考在CDCl3中的TMS(δ＝0.00)。
除非另外说明，否则13C-NMR光谱(125MHz或100MHz)在VarianVNMRS-500或VNMRS-400光谱仪上在30℃下获得，并且参考在CDCl3中的TMS(δ＝0.00)。
如进行工艺路线LC/MS研究。将五微升样品的等分试样(如“在THF中的3mg/ml溶液”)注入在AGILENT1200SL二元梯度液相色谱仪上，所述液相色谱仪经由在PI模式中操作的双喷雾电喷射(ESI)界面连接到四极飞行时间MS系统的AGILENT6520QT。使用以下分析条件：柱：150×4.6mmID，3.5μmZORBAXSB-C8；柱温：40℃；流动相：在40分钟下75/25A/B至15/85A/B；溶剂A＝在水中的0.1v％甲酸；溶剂B＝THF；流量1.0mL/min；UV检测：二极管阵列210nm至600nm(提取波长250nm、280nm)；ESI条件：气体温度365℃；气体流量-8ml/min；毛细管-3.5kV；喷洒器-40PSI；碎裂器-145V。
对于所有循环，使用2000仪器在10℃/min的扫描速率下，并且在氮气气氛中进行DSC。从室温到300℃、冷却到-60℃以及再加热到300℃扫描样品(7mg至10mg)。在第二次加热扫描上测量玻璃化转变温度(Tg)。使用TA通用分析软件进行数据分析。使用“转折的中点(mid-pointofinflection)”法计算Tg。
建模
所有的计算采用Gaussian09程序1。借助混合密度泛函理论(DFT)法、B3LYP2以及6-31G*(5d)基底函数组3进行计算。单态计算使用闭合壳层近似法(closedshellapproximation)，并且三重态计算使用开放壳层近似法(openshellapproximation)。所有值以电子伏特(eV)表示。从单态基态的经优化的几何结构的轨道能量确定HOMO值及LUMO值。三重态能量经确定为经优化的三重状态与经优化单态的总能量之间的差值。
1.Gaussian09,RevisionA.02,Frisch,M.J.；Trucks,G.W.；Schlegel,H.B.；Scuseria,G.E.；Robb,M.A.；Cheeseman,J.R.；Scalmani,G.；Barone,V.；Mennucci,B.；Petersson,G.A.；Nakatsuji,H.；Caricato,M.；Li,X.；Hratchian,H.P.；Izmaylov,A.F.；Bloino,J.；Zheng,G.；Sonnenberg,J.L.；Hada,M.；Ehara,M.；Toyota,K.；Fukuda,R.；Hasegawa,J.；Ishida,M.；Nakajima,T.；Honda,Y.；Kitao,O.；Nakai,N.；Vreven,T.；Montgomery,Jr.,J.A.；Peralta,J.E.；Ogliaro,F.；Bearpark,M.；Heyd,J.J.；Brothers,E.；Kudin,K.N.；Staroverov,V.N.；Kobayashi,R.；Normand,J.；Raghavachari,K.；Rendell,A.；Burant,J.C.；Iyengar,S.S.；Tomasi,J.；Cossi,M.；Rega,N.；Millam,J.M.；Klene,M.；Knox,J.E.；Cross,J.B.；Bakken,V.；Adamo,C.；Jaramillo,J.；Gomperts,R.；Stratmann,R.E.；Yazyev,O.；Austin,A.J.；Cammi,R.；Pomelli,C.；Ochterski,J.W.；Martin,R.L.；Morokuma,K.；Zakrzewski,V.G.；Voth,G.A.；Salvador,P.；Dannenberg,J.J.；Dapprich,S.；Daniels,A.D.；Farkas,O.；Foresman,J.B.；Ortiz,J.V.；Cioslowski,J.；Fox,D.J.,Gaussian,Inc.,WallingfordCT,2009.
2.(a)Becke,A.D.《化学物理期刊(J.Chem.Phys.)》1993,98,5648.(b)Lee,C.；Yang,W.；Parr,R.G.Phys.RevB1988,37,785.(c)Miehlich,B.；Savin,A.；Stoll,H.；Preuss,H.《化学物理快报(Chem.Phys.Lett.)》1989,157,200.
3.(a)Ditchfield,R.；Hehre,W.J.；Pople,J.A.《化学物理期刊(J.Chem.Phys.)》1971,54,724.(b)Hehre,W.J.；Ditchfield,R.；Pople,J.A.《化学物理期刊(J.Chem.Phys.)》1972,56,2257.(c)Gordon,M.S.《化学物理快报(Chem.Phys.Lett.)》1980,76,163.
许多本发明化合物可部分地通过使用以下各项合成：三聚氯化氰和芳基格林纳(arylGrignard)的标准转化；芳基卤化物与有机硼反应物的金属介导的偶联；甲腈的环三聚作用，或其组合。本发明化合物可用作电荷传输层以及在OLED器件中的其它层，例如作为电荷阻挡层和电荷产生层。
I.中间化合物Ia的制备
在手套箱中，将2-溴-9,9-二甲基芴(11g，40mmol)溶解于100mL的无水THF中。将镁屑(1.9g，80mmol)以及碘晶体加入溶液中，并且在55℃下搅拌。1h之后，反应混合物(用水淬灭并用EtOAc萃取)的等分试样的GC-MS分析表明完全转化为预期的格林纳。将该溶液加入1,3,5-三氯三嗪(3.68g，20mmol)于THF(10mL)中的溶液(观察到放热)。通过LC-MS分析反应的等分试样1小时，在其之后，将更多的THF(40mL)加入混合物，并且反应在该温度下搅拌过夜。在搅拌过夜之后，产物的等分试样的LC-MS分析表明>95％的起始材料转化为所需产物。在减压下除去溶剂，并且产物溶解于热氯仿中，用水洗涤，在减压下除去溶剂，且使用柱层析(10％-40％氯仿/己烷梯度)提纯产物以得到所需的化合物Ia(9g，90％分离产率)。
II.中间化合物Ib的制备
将化合物2-溴-9,9-二苯基-9H-芴(3.00g，7.55mmol)溶解于无水THF(150mL)中，并且在-78℃下将正丁基锂(6.14mL，在己烷中1.6M，1.3当量)加入所述溶液。混合物溶液在-78℃下搅拌2h。在-78℃下将硼酸三甲酯(1.1ml，1.3当量)加入溶液。搅拌溶液1h之后，将5ml的6NHCl溶液加入溶液，并且将所得两相溶液在室温下快速搅拌2h。反应之后，用二氯甲烷萃取有机层，并用盐水洗涤，经MgSO4干燥，并且在真空下除去溶剂。用二氯甲烷及二氯甲烷和甲醇的混合物(9:1)通过硅胶层析提纯粗产物。提纯之后，获得2g的化合物Ib白色粉末(73.3％产率)。
III.本发明化合物1的合成
在手套箱中，向100ml无水甲苯中的3,5-双(9,9-二甲基芴基)-1-氯三嗪1a(2.12g，4.25mmol)、(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)硼酸1b(2.00g，5.52mmol，1.3当量)和CsF(1.94g，12.74mmol)的磁力搅拌的混合物装入Pd(PPh3)4(250mg，0.21mmol，4.94mol％)。在90℃下加热反应混合物，通过LC-MS定期分析等分试样以检查反应进度。12h之后，LC-MS分析示出起始材料完全转化为预期的产物。冷却反应混合物，用二氯甲烷(300mL)稀释，用水(200mL)洗去盐，并且用二氯甲烷萃取水层。在真空下除去溶剂之后，用30％二氯甲烷/己烷通过硅胶柱分离来提纯粗产物。柱分离之后，将产物溶解于THF中，并且将混合物溶液与10％NaOH水溶液混合。使混合物溶液回流1h。在冷却之后将二氯甲烷加入溶液并且用水洗涤。除去有机溶剂之后，获得2g纯的本发明化合物1(63.25％；在升华之前99.40％纯)。
1HNMR(400MHz,氘代氯仿)δ1.65(s,12H)7.25-7.46(m,16H),7.49-7.55(m,3H)7.81-7.88(m,2H)7.88-7.95(m,3H)8.01(dd,J＝1.00,1.00Hz,1H),8.78-8.82(m,4H)8.84-8.87(m,2H)。13CNMR(101MHz,氘代氯仿)δ27.19,47.03,65.66,120.07,120.81,122.80,123.08,126.44,126.86,127.18,127.71,128.21,128.37,128.45,128.69,128.84,135.29,136.07,138.46,139.39,143.59,144.45,145.71,151.50,152.27,153.85,154.73,171.50,171.64。
MW＝782克/摩尔；Tg＝168℃；HOMO＝-5.79eV；LUMO＝-1.85eV；三重态能量＝2.59eV。
IV.中间化合物Ic的制备
向3颈圆底烧瓶装入起始苯甲酸酯(1.00克，2.93mmol)、搅拌棒以及无水THF(～20mL)。将该烧瓶取出手套箱，并装备有加料漏斗、冷凝器、氮气入口和隔板。将圆底烧瓶放置于冰浴中并且允许搅拌。加料漏斗然后将2.93mL的MeMgBr(8.79mmol)添加到其中。然后历经一小时时间将MeMgBr溶液逐滴加入苯甲酸酯溶液。然后允许反应器升温至室温且使反应搅拌过夜。通过取等分试样(用水淬灭并且溶解于乙酸乙酯中)来检验反应。一旦完成，将粗材料加到硅胶柱上，用5％乙酸乙酯等度洗脱。通过GC/MS和NMR确认第一中间产物。
将醚合三氟化硼(2.27mL，18.37mmol)缓慢地通过针筒加入萘基苯基丙醇(6.27g，18.37mmol)于二氯甲烷(～50mL)中的溶液中，并且溶液在室温下搅拌过夜。用甲醇淬灭反应，且在减压下蒸发。用1mL的甲醇淬灭。反应混合物通过小塞子且往下降低。粗材料通过GC/MS确认。确定的是GC/MS迹线上的第二峰为六元环闭合变型。通过重结晶从己烷除去这种物质。产物为获得的中间化合物Ic(96％产率)。
V.中间化合物Id的制备
在手套箱中，向小瓶装入2-溴萘(6.2g，30mmol)、60ml无水THF、镁屑(0.875g，36mmol)和碘的小晶体。在50℃下搅拌反应。几分钟之后碘颜色消失(溶液变透明)，并且然后颜色缓慢变成黄绿色。定期进行反应混合物(用D2O淬灭并用EtOAc萃取)的等分试样的GC-MS分析以检查反应进度。在完全转化时，通过巴斯德滴管将格林纳反应物缓慢转移到三氯三嗪(11g，60mmol)于THF(60ml；注意：放热反应)中的溶液中。溶液颜色紧接着变成茶褐色，并且缓慢变为暗紫色；并且在50℃下加热反应混合物，伴以定期LC-MS监测。干燥溶剂，并且用甲醇/乙酸乙酯第一次沉淀固体以除去一些三氯三嗪，并然后再溶解于氯仿中，且然后加入干燥硅胶以制备浆液，其然后干燥为自由流动的粉末。将粉末装填到筒柱中，并装载到ISCO提纯系统上，且用氯仿-己烷(30％至50％CHCl3/己烷)溶剂系统洗脱所需产物。合并具有所需化合物的洗脱份，并通过旋转蒸发除去溶剂以得到所需化合物Id的白色粉末(6.5g，78％产率，～98％纯度)，如通过LC-MS及1H-NMR确定。
VI.中间物Ie的合成
向玻璃广口瓶装入9-溴-7,7-二甲基-7H-苯并[c]氟4(3.23g，10mmol)、30mL的无水THF和镁屑(0.48g，20mmol)，并且在氮气下在50℃下搅拌反应混合物。定期进行反应混合物(用D2O淬灭并用EtOAc萃取)的等分试样的GC-MS分析以检查反应进度。在完全转化时，在室温下，将该格林纳溶液缓慢加入2,4-二氯-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪(2.76g，10mmol)的无水THF(30mL)溶液中。在室温下搅拌反应混合物，其中通过LC-MS定期分析，直至完全转化。通过旋转蒸发除去溶剂，并且固体再溶解于氯仿中，用硅胶干燥装载，并用氯仿/己烷梯度(20％至40％)通过硅胶层析来提纯以得到所需中间化合物Ie(3.1g，64％产率)。
VII.本发明化合物2的制备
在手套箱中，玻璃广口瓶装入2-氯-4-(9,9-二甲基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪5(2.17g，5mmol)、9,9-二苯基-9H-芴-2-基硼酸酸9(2g，5.5mmol，1.1当量)和粉末CsF(西格玛奥德里奇公司)(1.52g，10mmol，2当量)的混合物。加入无水甲苯(70mL)，随后加入Pd(PPh3)4(西格玛奥德里奇公司)(289mg，0.25mmol，5mol％)。将反应混合物加热至90℃维持2h，其后，通过LC-MS的反应物的等分试样分析表明完全转化为所需产物。
通过旋转蒸发除去溶剂，并且固体再溶解于氯仿中，用硅胶干燥装载，并用氯仿/己烷梯度(10％至30％)通过硅胶层析来提纯以得到所需本发明化合物2(3.3g，86％产率)。
1HNMR(500MHz,氘代氯仿)δ9.32(dd,J＝1.6,0.8Hz,1H),8.94(d,J＝1.4Hz,1H),8.91-8.85(m,3H),8.82(ddd,J＝8.3,6.7,1.4Hz,2H),8.52-8.45(m,1H),8.14-8.08(m,1H),8.06-7.88(m,6H),7.73-7.65(m,2H),7.64-7.52(m,4H),7.51-7.42(m,5H),7.42-7.29(m,7H),1.73(s,6H)。13CNMR(126MHz,氘代氯仿)δ171.58,171.50,171.39,154.86,154.04,152.28,151.53,145.80,144.64,144.52,139.42,136.05,135.66,134.11,133.77,133.66,133.10,132.71,130.00,129.81,129.57,129.50,129.37,129.32,128.93,128.73,128.64,128.52,128.45,128.31,128.29,127.87,127.79,127.75,127.04,127.01,126.94,126.91,126.49,126.42,125.28,125.21,123.88,123.04,122.63,121.07,120.87,120.30,98.80,65.73,46.87,26.72。
MW＝765克/摩尔；Tg＝175℃；HOMO＝-5.47eV；LUMO＝-1.93eV；三重态能量＝2.2eV。
VIII.本发明化合物2的替代制备：中间物If的合成
向干燥的玻璃广口瓶装入2-溴-9,9-二苯基-9H-芴(3.23g，10mmol)、40mL的无水THF和镁屑(0.36g，15mmol)，并且在氮气下在50℃下搅拌反应混合物。定期进行反应混合物(用D2O淬灭并用EtOAc萃取)的等分试样的GC-MS分析以检查反应进度。在完全转化时，在室温下，将该格林纳溶液缓慢加入2,4-二氯-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪Id(2.76g，10mmol)于无水THF(20mL)溶液中。在室温下搅拌反应混合物，其中通过LC-MS定期分析，直至完全转化。通过旋转蒸发除去溶剂，并且固体再溶解于氯仿中，用硅胶干燥装载，并用氯仿/己烷梯度(20％至40％)通过硅胶色谱法来提纯以得到所需中间化合物If(3.5g，63％产率)。
IX.本发明化合物2的替代制备：中间物Ig的合成
向3颈100-LRB装入5.0克(15mmol)的5-溴-2-苯并芴Ic。烧瓶然后配备有搅拌、热井和带有氮气入口的冷凝器。用氮气吹扫反应烧瓶一小时。然后，经由针筒加入50mL的无水THF。烧瓶然后用冰浴冷却到5℃至10℃。然后，用注射泵，历经60分钟逐滴加入10.15ml的于己烷中的1.6MBuLi(16mmol，1.05当量)。添加完成之后，反应允许搅拌一小时，并且然后历经15时间分钟加入纯硼酸三甲酯(19.3mmol)。反应允许在环境温度下搅拌约一小时，并且然后历经五分钟逐滴加入约2.2mL的45％KOH。反应允许静置过夜。用乙酸乙酯萃取反应混合物。历经10分钟，将约4mL的浓HCl(48mmol)逐滴加入搅拌反应，随后加入50mL的乙酸乙酯。分离有机相，用硫酸镁干燥，且然后除去溶剂以产生4.8克的白色粉末。产物呈现为所需产物、副产物和残余乙酸乙酯的混合物。在不进行进一步提纯的情况下使用产物。
X.本发明化合物2的替代方案制备
在手套箱中，向玻璃广口瓶装入2-氯-4-(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪If(2g，1.95mmol)、7,7-二甲基-7H-苯并[c]芴-9-基硼酸Ig(1.1g，3.85mmol，1.1当量)和粉末状CsF(Chemtal)(1.1g，7mmol，2当量)的混合物。加入无水甲苯(40mL)，随后加入Pd(PPh3)4(西格玛奥德里奇公司)(202mg，0.175mmol，5mol％)。反应混合物加热至90℃，通过LC-MS定期分析等分试样以检查反应进度。通过旋转蒸发除去溶剂，并且固体再溶解于氯仿中，用硅胶干燥装载，并用氯仿/己烷梯度(10％至30％)通过硅胶层析来提纯以得到所需本发明化合物2(1.1g，74％产率，通过LC-MS为99％产率)。
1HNMR(500MHz,氘代氯仿)δ9.32(dd,J＝1.6,0.8Hz,1H),8.94(d,J＝1.4Hz,1H),8.91-8.85(m,3H),8.82(ddd,J＝8.3,6.7,1.4Hz,2H),8.52-8.45(m,1H),8.14-8.08(m,1H),8.06-7.88(m,6H),7.73-7.65(m,2H),7.64-7.52(m,4H),7.51-7.42(m,5H),7.42-7.29(m,7H),1.73(s,6H)。13CNMR(126MHz,氘代氯仿)δ171.58,171.50,171.39,154.86,154.04,152.28,151.53,145.80,144.64,144.52,139.42,136.05,135.66,134.11,133.77,133.66,133.10,132.71,130.00,129.81,129.57,129.50,129.37,129.32,128.93,128.73,128.64,128.52,128.45,128.31,128.29,127.87,127.79,127.75,127.04,127.01,126.94,126.91,126.49,126.42,125.28,125.21,123.88,123.04,122.63,121.07,120.87,120.30,98.80,65.73,46.87,26.72。
XI.本发明化合物3的制备
在手套箱中，向玻璃广口瓶装入2-氯-4-(9,9-二苯基-9H-芴-2-基)-6-(萘-2-基)-1,3,5-三嗪If(2.8g，5mmol)、9,9-二甲基-9H-芴-2-基硼酸Ib(1.3g，5.5mmol，1.1当量)和粉末状CsF(Chemtal))(1.52g，10mmol，2当量)的混合物。加入无水甲苯(60mL)，随后加入Pd(PPh3)4(西格玛奥德里奇公司)(0.288g，0.25mmol，5mol％)。反应混合物加热至90℃，通过LC-MS定期分析等分试样以检查反应进度。通过旋转蒸发除去溶剂，并且固体再溶解于氯仿中，用硅胶干燥装载，并用氯仿/己烷梯度(10％至30％)通过硅胶层析来提纯以得到所需本发明化合物3(3g，86％产率)。
1HNMR(400MHz,氘代氯仿)δ9.30(dd,J＝1.5,0.8Hz,1H),8.94-8.84(m,2H),8.84-8.75(m,3H),8.14-8.05(m,1H),8.06-7.96(m,2H),7.96-7.87(m,3H),7.88-7.78(m,1H),7.66-7.54(m,2H),7.54-7.48(m,2H),7.48-7.35(m,7H),7.35-7.20(m,6H),1.65(s,6H)。13CNMR(101MHz,氘代氯仿)δ171.86,171.70,171.58,154.88,154.01,152.39,151.66,145.86,144.67,143.79,139.51,138.58,136.14,135.79,135.36,133.88,133.23,130.13,129.69,129.04,128.86,128.64,128.54,128.44,128.39,128.37,127.99,127.94,127.86,127.32,127.02,126.60,126.56,125.31,123.23,122.94,121.17,120.97,120.42,120.23,76.84,65.82,47.20,27.33。
MW＝716克/摩尔；Tg＝165℃；HOMO＝-5.81eV；LUMO＝-1.89eV；三重态能量＝2.50eV。
OLED器件制造以及测试
在沉积之前通过升华来提纯所有有机材料。OLED被制造到充当阳极的涂布ITO的玻璃衬底上，并且其顶部有铝阴极。通过化学气相沉积将所有有机层热沉积在具有<10－ 7托的基础压力真空腔室中。有机层的沉积速率保持在0.1nm/s～0.05nm/s下。以0.5nm/s沉积铝阴极。OLED器件的活性区域为“3mm×3mm”，如由对阴极沉积的荫罩定义。
将含HIL、HTL、EML主体、EML掺杂物、ETL或EIL的每个池放置在真空腔室内，直至其达到10-6托。为蒸发每种材料，向含有材料的池施加受控的电流，以升高池的温度。施加足够的温度以保持在整个蒸发过程中材料的蒸发速率恒定。
对于HIL层，N1,N1'-([1,1'-联二苯]-4,4'-二基)双(N1-(萘-1-基)-N4,N4-二苯基苯-1,4-二胺)以恒定的1A/s速率蒸发，直至层的厚度达到600埃。同时，N4,N4'-二(萘-1-基)-N4,N4'-二苯基-[1,1'-联二苯]-4,4'-二胺(NPB)层以恒定的1A/s速率蒸发，直至厚度达到200埃。对于EML层，将9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN，主体)和(E)-4,4'-(乙烯-1,2-二基)双(N,N-二苯基苯胺)(DPAVB，掺杂物)共蒸发，直至厚度达到350埃。主体材料的沉积速率为0.98A/s，且对于掺杂材料的沉积速率为0.02A/s，引起主体材料的2％掺杂。对于ETL层，将ETL化合物与喹啉锂(Liq)共蒸发，直至厚度达到300埃。对于ETL化合物和Liq，蒸发速率为0.5A/s。Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)被用作参考材料以与本发明化合物比较。Alq3单独以1A/s速率蒸发，直至300埃。最后，“20埃”的薄电子注入层(Liq)以0.2A/s速率蒸发。参见表1。
用电源测量单元(KEITHLY238)和发光仪(MINOLTACS-100A)对OLED器件进行电流-电压-亮度(J-V-L)表征。通过校准的CCD摄谱仪采集所述OLED器件的EL光谱。
表1：器件材料
本发明化合物1、本发明化合物2及本发明化合物3
将本发明化合物1、本发明化合物2及本发明化合物3各自通过升华进一步提纯，并且并入到OLED器件中用于针对参考Alq3的基本评价。如上文所论述，OLED器件被制造在带有夹在透明的ITO阳极与铝阴极之间多个有机层的经涂布玻璃衬底上。表2示出了与参考化合物相比，本发明化合物1、本发明化合物2及本发明化合物3与Liq混合(50:50)的OLED器件测试结果。如在表2中所见，含有本发明化合物的器件具有比含有参考化合物的器件更好的(较高)效率以及更好的(较低)驱动电压。
表2：器件数据

Claims (14)

1.一种组合物，其包含选自式1的至少一种化合物：
其中，A为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中，B为(CH)，并且x、y、w、z各自独立为0或4；并且
其中x＝4，且y＝0，z＝0或4，并且w＝0或4，或者
其中y＝4，且x＝0，z＝0，并且w＝0或4，或者
其中z＝4，且x＝0或4，y＝0，并且w＝0或4，或者
其中w＝4，且x＝0，y＝0，z＝0；并且
其中R1和R2各自独立为C1-C20烷基或C6-C30芳基，各自具有或不具有一个或多个取代基；并且
其中Ph1和Ph2各自独立为苯基或经取代的苯基；并且
其中Ar为芳基、经取代的芳基、杂芳基或经取代的杂芳基；并且其中Ar包含小于或等于16个碳；并且
其中一个或多个氢可任选地被氘取代。
2.根据权利要求1所述的组合物，其中Ar包含8个至16个碳。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自式2：
4.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中Ar选自以下基团：
5.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的玻璃化转变温度(Tg)大于或等于150℃。
6.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的分子量为620克/摩尔至1000克/摩尔。
7.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中所述化合物的三重态能量为1.5eV至3.0eV。
8.根据前述权利要求中任一项所述的组合物，其中R1和R2各自独立为C1-C4烷基。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的组合物，其中所述至少一种化合物选自以下各项：
10.一种膜，其包含由根据前述权利要求中任一项所述的组合物形成的至少一个层A。
11.根据权利要求10所述的膜，其进一步包含另一层B，所述层B由包含至少一种HTL化合物的组合物B形成。
12.根据权利要求10或权利要求11所述的膜，其中层A不与层B相邻。
13.一种制品，其包含由根据权利要求1至9中的任一项所述的组合物形成的至少一个组件。
14.根据权利要求13所述的制品，其中所述制品为电致发光器件。
CN201480058954.6A 2013-11-12 2014-11-10 含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件 Pending CN105683177A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361902946P 2013-11-12 2013-11-12
US61/902946 2013-11-12
PCT/US2014/064723 WO2015073343A1 (en) 2013-11-12 2014-11-10 Compositions containing fluorene substituted triazine derived compounds, and electronic devices containing the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105683177A true CN105683177A (zh) 2016-06-15

Family

ID=51952033

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480058954.6A Pending CN105683177A (zh) 2013-11-12 2014-11-10 含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20160248020A1 (zh)
CN (1) CN105683177A (zh)
TW (1) TW201522317A (zh)
WO (1) WO2015073343A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114072383A (zh) * 2019-10-25 2022-02-18 Lt素材株式会社 杂环化合物以及包括其的有机发光元件

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101537500B1 (ko) 2014-04-04 2015-07-20 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR101542714B1 (ko) 2014-04-04 2015-08-12 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR20150115622A (ko) 2014-04-04 2015-10-14 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
EP3328841B1 (en) 2015-07-30 2023-10-11 Merck Patent GmbH Materials for organic electroluminescent devices
CN105153130B (zh) * 2015-08-03 2019-01-15 上海道亦化工科技有限公司 三嗪类衍生物电子传输化合物及其有机电致发光器件
KR101919194B1 (ko) * 2015-09-15 2018-11-15 주식회사 엘지화학 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 발광 소자
KR102054039B1 (ko) * 2015-10-27 2019-12-10 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자
KR102027030B1 (ko) * 2016-05-27 2019-09-30 주식회사 엘지화학 유기발광소자

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005019307A1 (en) * 2003-08-20 2005-03-03 Dow Corning Corporation Carbazolyl-functional cyclosiloxane, silicone composition, and organic light-emitting diode
BRPI0510482A (pt) 2004-04-29 2007-11-06 Ciba Sc Holding Ag dispositivo eletroluminescente
WO2005105951A1 (en) 2004-05-04 2005-11-10 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Electroluminescent compounds containing exciton conducting compound
US8487527B2 (en) 2005-05-04 2013-07-16 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting devices
WO2007023840A1 (ja) 2005-08-26 2007-03-01 Tosoh Corporation １，３，５－トリアジン誘導体、その製造方法、およびこれを構成成分とする有機電界発光素子
KR100958641B1 (ko) 2008-08-18 2010-05-20 삼성모바일디스플레이주식회사 광효율 개선층을 구비한 유기 발광 소자
DE102008064200A1 (de) 2008-12-22 2010-07-01 Merck Patent Gmbh Organische Elektrolumineszenzvorrichtung
KR20110116618A (ko) * 2010-04-20 2011-10-26 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 신규한 유기 발광 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR101857250B1 (ko) 2011-05-13 2018-05-14 삼성디스플레이 주식회사 축합환 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자 및 평판 표시 장치
US20130248830A1 (en) * 2012-03-22 2013-09-26 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Charge transport layers and films containing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114072383A (zh) * 2019-10-25 2022-02-18 Lt素材株式会社 杂环化合物以及包括其的有机发光元件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201522317A (zh) 2015-06-16
WO2015073343A1 (en) 2015-05-21
US20160248020A1 (en) 2016-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105683177A (zh) 含芴取代的三嗪衍生化合物的组合物及含该组合物的电子器件
CN103325950A (zh) 电荷传输层以及包含其的膜
EP2128217B1 (en) Light-emitting device material and light-emitting device
CN113348172A (zh) 化合物和包含其的有机发光器件
CN108431173A (zh) 聚合物层和包含其的有机电子器件
CN106432156A (zh) 化合物、包括其的有机发光装置和显示装置
TWI605055B (zh) 啡膦化合物
EP3281238B1 (en) Semiconducting material comprising a phosphine oxide matrix and metal salt
CN103915574B (zh) 用于电子膜和器件的喹啉‑苯并噁唑衍生的化合物
US10103334B2 (en) Compositions with triarylamine derivatives and OLED device containing the same
TWI606056B (zh) 用於有機發光二極體之組成物
CN104371706A (zh) 包含源自三嗪的化合物的膜以及由该膜形成的电子器件
CN107406382A (zh) 2,3‑二取代吲哚作为电荷传输材料的组合物和由其制造的显示器件
CN107001261A (zh) 有机化合物和包含含有所述有机化合物的有机层的电子装置
CN116199673A (zh) 三嗪化合物、有机器件用材料、有机电致发光元件、显示装置及照明装置
WO2018125512A1 (en) High triplet energy phosphine oxide compounds for oled application
CN108886104A (zh) 菲并喹唑啉核心化合物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20160615

WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication