CN105681690A - 双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法 - Google Patents

双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法，该方法如下：在开始曝光前控制全局栅晶体管闭合再断开使所有像素的光电二极管同时复位并开始曝光；经过一段曝光时间后，读取整帧的低、高增益复位电压；控制所有像素的电荷转移控制晶体管闭合，使得所有像素同时截止曝光；读取整帧的高、低增益信号电压。在片外进行相关双采样数据处理，得到两帧不同增益的有效信号。本发明所有像素同时开始曝光，同时截止曝光，经过一次信号转移，在浮置扩散区和存储电容中得到不同增益信号，两个信号在像素内进行存储，等待被逐行读取，完成全局快门。该控制方法所有像素起止曝光时间相同，在拍摄高速移动物体时，画面不会失真。

Description

双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法
技术领域
本发明属于半导体图像感测技术领域，具体涉及一种双转移栅高动态图像传感器像素的全局快门控制方法。
背景技术
动态范围是图像传感器的一个重要指标，一种双转移栅高动态范围图像传感器像素被提出，如图1所示，工作时序如图2所示。
结合图2时序，该高动态范围图像传感器像素工作原理为：
1.t1时刻，第一电荷转移控制晶体管M1闭合，开关晶体管M2闭合，复位晶体管M3闭合，光电二极管PD被复位。之后断开第一电荷转移控制晶体晶体管M1，像素开始曝光；
2.在曝光结束之前闭合行选晶体管M5开始读取信号，然后断开复位晶体管M3，于t2时刻在像素输出端采集一个低增益复位电压1；
3.开关晶体管M2，于t3时刻在像素输出端采集一个高增益复位电压2；
4.闭合第一电荷转移控制晶体管M1，进行电荷转移，光生电荷转移至浮置扩散区FD中。若曝光量较小，光电二极管内所有电荷转移至浮置扩散区FD中；若曝光量较大，光电二极管内积分电荷较多，无法全部转移至浮置扩散区FD中。
5.闭合第二电荷转移控制晶体管M6，光电二极管内剩余的电荷将全部转移至存储电容C1中。
6.断开第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体M6，在t4时刻在像素输出端采集一个高增益信号电压3；
7.闭合开关晶体管M2，将浮置扩散区FD与存储电容C1中电荷混合，在像素输出端采集一个低增益信号电压4；
8.经后续电路处理，高增益复位电压2与信号电压3相减，低增益复位电压1与信号电压4相减，每个像素可以得到两个不同增益的有效信号值。
如图3a所示，曝光时，光电二极管PD积累电荷；如图3b所示，闭合第一电荷转移控制晶体管M1，进行电荷转移，曝光量较小时(积分时间较短或光强较弱)，经过电荷转移，光电二极管PD内积分电荷全部转移至浮置扩散区FD；曝光量较大时(积分时间较长或光强较强)，在光电二极管内剩余部分电荷未转移出；如图3c所示，闭合第二电荷转移控制晶体管M6，光电二极管内剩余的电荷将转移至存储电容C1中；图3d所示为电荷转移完成，光电二极管被清空。
通过以上时序控制，整个图像传感器阵列可以得到两幅不同增益的图像。高增益图像能够很好的显示场景中的弱光细节，低增益图像能够很好的显示场景中的强光细节，再通过后续图像处理，对两幅图像进行综合，即可以得到一副高动态范围图像。
该高动态范围图像传感器的快门模式为卷帘快门，即像素阵列逐行曝光，逐行读取，读出时间可认为是行选晶体管闭合时间。卷帘快门工作示意图如下图4所示。应用这种快门对高速运动的物体进行拍摄，每行起止曝光时间不同，容易出现画面变形现象。
全局快门可以使所有像素的曝光起止时间相同，拍摄高速运动物体不失真。传统全局快门工作示意图如下图5所示。具体操作方法：所有像素感光二极管同时开始复位，然后进行曝光，曝光结束之后进行帧转移，即所有像素的光生电荷同时转移至像素内的电荷存储区，然后开始逐行读取数据，未被读取到的行的光生电荷在电荷存储区内等待被读出。目前没有针对以上双转移栅高动态像素的全局快门控制方法被提出。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种所有像素起止曝光时间相同，在拍摄高速移动物体时，画面不会失真的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法。
为了解决上述技术问题，本发明的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法采用下述两种技术方案。
技术方案一
本发明的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法包括下述步骤：
1)开始曝光前闭合各像素复位晶体管M3和开关晶体管M2，使浮置扩散区FD接电源电压，然后控制全局栅晶体管M7闭合再断开使所有像素的光电二极管PD同时复位并开始曝光；
2)经过一段曝光时间后，闭合第一行行选晶体管M5，断开第一行复位晶体管M3，读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5；
3)闭合第二行行选晶体管M5，断开第二行复位晶体管M3，读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5；
4)重复以上过程，逐行读取整帧的低增益复位电压；
5)闭合第一行行选晶体管M5，断开第一行开关晶体管M2，读取该行高增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5；
6)重复以上过程，逐行读取整帧的高增益复位电压；
7)控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管M1闭合，将光电二极管PD中的积分电荷转移至浮置扩散区FD中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管M6，将光电二极管PD中剩余的电荷转移至存储电容C1中，曝光结束；然后断开第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体管M6，使积分电荷在浮置扩散区FD和存储电容C1中存储，等待被逐行读出；
8)闭合第一行行选晶体管M5，读取该行高增益信号电压，闭合开关晶体管M2，断开该行行选晶体管M5；
9)重复以上过程，逐行读取整帧的高增益信号电压；
10)闭合第一行行选晶体管M5，读取该行低增益信号电压，闭合复位晶体管M3，断开该行行选晶体管M5；
11)重复以上过程，逐行读取整帧的低增益信号电压；
所述双转移栅高动态图像传感器像素包括全局栅晶体管M7、光电二极管PD、第一电荷转移控制晶体管M1、复位晶体管M3、开关晶体管M2、缓冲放大器M4和行选晶体管M5，第二电荷转移控制晶体管M6；光电二极管PD负极通过图像传感器的全局栅晶体管M7与复位电压VD3相连，并通过第一电荷转移控制晶体管M1与浮置扩散区FD连接；光电二极管PD负极通过第二电荷转移控制晶体管M6与存储电容C1的正极连接，浮置扩散区FD通过开关晶体管M2与存储电容C1的正极连接，存储电容C1的负极接电源地或任意稳定电源电位；同时浮置扩散区FD通过缓冲放大器M4与行选晶体管M5连接。
在片外进行相关双采样数据处理，低增益复位电压与低增益信号电压相减，高增益复位电压与高增益信号电压相减，得到两帧不同增益的有效信号。通过相关双采样，消除了复位噪声，降低了传统全局快门图像传感器较高的暗噪声。
所述复位晶体管M3的漏极接电源电压，源极接存储电容C1的正极。
所述复位晶体管M3的漏极接电源电压，源极还可以接浮置扩散区FD。
技术方案二
本发明的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法包括下述步骤：
1)开始曝光前闭合各像素复位晶体管M3和开关晶体管M2，使浮置扩散区FD接电源电压，然后控制全局栅晶体管M7闭合再断开使所有像素的光电二极管PD同时复位并开始曝光；
2)经过一段曝光时间后，首先闭合第一行行选晶体管M5和行选开关M9，断开第一行复位晶体管M3)然后断开第一行开关晶体管M2；同时通过行选晶体管M5和行选开关M9分别读取高、低增益复位电压；然后断开第一行行选晶体管M5和行选开关M9；
3)重复以上过程，逐行读取整帧的高、低增益复位电压；
4)控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管M1闭合，将光电二极管PD中的积分电荷转移至浮置扩散区FD中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管M6，将光电二极管PD中剩余的电荷转移至存储电容C1中，曝光结束，然后断开第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体管M6，积分电荷在浮置扩散区FD和存储电容C1中存储，等待被逐行读出；
5)闭合第一行行选晶体管M5和行选开关M9，同时通过行选晶体管M5和行选开关M9分别读取高、低增益信号电压；闭合第一行开关晶体管M2，闭合第一行复位晶体管M3；
6)重复以上过程，逐行读取整帧的高、低增益信号电压；
所述双转移栅高动态图像传感器像素包括全局栅晶体管M7、光电二极管PD、第一电荷转移控制晶体管M1、复位晶体管M3、开关晶体管M2、缓冲放大器M4、行选晶体管M5、第二电荷转移控制晶体管M6、源跟随器晶体管M8、行选开关M9；光电二极管PD负极通过图像传感器的全局栅晶体管M7与复位电压VD3相连，并通过第一电荷转移控制晶体管M1与浮置扩散区FD连接；光电二极管PD负极通过第二电荷转移控制晶体管M6与存储电容C1的正极连接，浮置扩散区FD通过开关晶体管M2与存储电容C1的正极连接，存储电容C1的负极接电源地或任意稳定电源电位；同时浮置扩散区FD通过缓冲放大器M4与行选晶体管M5连接；复位晶体管M3的漏极接电源电压，源极接存储电容C1的正极；源跟随器晶体管M8的栅极接存储电容C1的正极，漏极接电源电压VD4，源极接行选开关M9。
在片外进行相关双采样数据处理，低增益复位电压与低增益信号电压相减，高增益复位电压与高增益信号电压相减，得到两帧不同增益的有效信号。通过相关双采样，消除了复位噪声，降低了传统全局快门图像传感器较高的暗噪声。
上述像素有两个电压输出端，在曝光结束之前可以同时闭合行选晶体管和行选开关，同时读取高低增益复位电压；在帧转移结束后同时闭合行选晶体管和行选开关，同时读取高低增益信号电压，提高了数据读取速度和图像传感器帧率。
本发明所有像素同时开始曝光，同时截止曝光。曝光结束之后，经过一次信号转移，在浮置扩散区和存储电容中得到不同增益信号，两个信号在像素内进行存储，等待被逐行读取，完成全局快门。使用该控制方法，所有像素起止曝光时间相同，在拍摄高速移动物体时，画面不会失真。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明。
图1是典型双转移栅高动态范围图像传感器像素结构示意图。
图2是现有技术的典型双转移栅高动态范围图像传感器像素工作时序示意图。
图3a～图3d是现有技术的典型双转移栅高动态范围图像传感器像素曝光过程电势示意图。
图4是卷帘快门工作示意图。
图5是全局快门工作示意图。
图6是实现本发明方法的装置实施例1、2结构图。
图7是本发明双转移栅高动态图像传感器像素的全局快门控制方法工作原理示意图。
图8是本发明双转移栅高动态图像传感器像素的全局快门控制方法实施例1的时序示意图。
图9是本发明双转移栅高动态图像传感器像素的全局快门控制方法实施例2的时序示意图。
图10是实现本发明方法的装置实施例2示意图。
图11是本发明双转移栅高动态图像传感器像素的全局快门控制方法实施例2的时序示意图。
图12是实现本发明方法的装置实施例3示意图。
具体实施方式
实施例1
如图6所示，本发明的双转移栅高动态图像传感器像素包括全局栅晶体管M7、光电二极管PD、第一电荷转移控制晶体管M1、复位晶体管M3、开关晶体管M2、缓冲放大器M4、行选晶体管M5、第二电荷转移控制晶体管M6。图像传感器各像素的全局栅晶体管M7的栅极TX3由同一个信号控制。全局栅晶体管M7的漏极接复位电压VD3，源极接光电二极管PD的负极，光电二极管PD的负极同时接第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体管M6的源极；第一电荷转移控制晶体管M1的漏极接浮置扩散区FD，第二电荷转移控制晶体管M6的漏极接存储电容C1的正极；浮置扩散区FD同时连接到开关晶体管M2的源极和作为缓冲放大器的晶体管M4的栅极；开关晶体管M2的漏极连接到复位晶体管M3的源极和存储电容C1的正极，存储电容C1的负极接电源地；复位晶体管M3的漏极接电源电压VD1；晶体管M4的漏极接电源电压VD2，源极接行选晶体管M5的漏极。
如图7、8所示，上述高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法如下：
1.开始曝光前闭合各像素复位晶体管M3和开关晶体管M2，使浮置扩散区FD接电源电压VD1，然后控制全局栅晶体管M7闭合再断开使所有像素的光电二极管PD同时复位并开始曝光(复位过程)；
2.经过一段曝光时间后，闭合第一行行选晶体管M5，断开第一行复位晶体管M3，在t2时刻读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5。
3.闭合第二行行选晶体管M5，断开第二行复位晶体管M3，在t2时刻读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5。
4.重复以上过程，逐行读取整帧的低增益复位电压。
5.闭合第一行行选晶体管M5，断开第一行开关晶体管M2，在t3时刻读取该行高增益复位电压，之后断开该行行选晶体管M5。
6.重复以上过程，逐行读取整帧的高增益复位电压。
7.控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管M1闭合，将光电二极管PD中的积分电荷转移至浮置扩散区FD中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管M6，将光电二极管PD中剩余的电荷转移至存储电容C1中，曝光结束，然后断开第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体管M6，积分电荷在两个存储区中存储，等待被逐行读出。
8.闭合第一行行选晶体管M5，在t4时刻读取该行高增益信号电压，闭合开关晶体管M2，断开该行行选晶体管M5。
9.重复以上过程，逐行读取整帧的高增益信号电压。
10.闭合第一行行选晶体管M5，在t5时刻读取该行低增益信号电压，闭合复位晶体管M3，断开该行行选晶体管M5。
11.重复以上过程，逐行读取整帧的低增益信号电压。
12.在片外进行相关双采样数据处理，低增益复位电压与低增益信号电压相减，高增益复位电压与高增益信号电压相减，得到两帧不同增益的有效信号。通过相关双采样，消除了复位噪声，降低了传统全局快门图像传感器较高的暗噪声。
存储电容C1可以有多种形式，包括PN结电容，金属板电容，或者MOS管栅电容。其中采用PN结电容时，电荷存储在PN结内的最高电势区；采用金属板电容时，电荷存储在一侧的金属极板上；采用MOS管栅电容时，电荷存储在栅极板上。该电容也可以是以上几种电容的组合形式。
实施例2
本实施例的双转移栅高动态图像传感器像素架构与实施例1相同。
如图9所示，本实施例的高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法与实施例1的区别，在于在帧转移时刻，先控制第一电荷转移控制晶体管M1闭合再关断，然后控制第二电荷转移控制晶体管M6闭合再关断，其工作原理和信号读取方式与实施例1相同。
实施例3
如图10所示，本实施例的双转移栅高动态图像传感器像素架构与实施例1的区别在于，还包括源跟随器晶体管M8和行选开关M9；源跟随器晶体管M8的栅极接存储电容的正极，漏极接电源电压VD4，源极接行选开关M9。
如图11所示，本实施例的高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法如下：
1.开始曝光前闭合各像素复位晶体管M3和开关晶体管M2，使浮置扩散区FD接电源电压VD1，然后控制全局栅晶体管M7闭合再断开使所有像素的光电二极管PD同时复位并开始曝光(复位过程)；
2.经过一段曝光时间后，首先闭合第一行行选晶体管M5和行选开关M9，断开第一行复位晶体管M3，然后断开第一行开关晶体管M2；在t2时刻同时读取高低增益复位电压(行选晶体管M5的输出电压1为高增益复位电压，行选开关M9的输出电压2为低增益复位电压)；然后断开第一行行选晶体管M5和行选开关M9。
3.重复以上过程，逐行读取整帧的高低增益复位电压。
4.控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管M1闭合，将光电二极管PD中的积分电荷转移至浮置扩散区FD中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管M6，将光电二极管PD中剩余的电荷转移至存储电容C1中，曝光结束，然后断开第一电荷转移控制晶体管M1和第二电荷转移控制晶体管M6，积分电荷在两个存储区中存储，等待被逐行读出。
5.闭合第一行行选晶体管M5和行选开关M9，在t3时刻同时读取高低增益信号电压(行选晶体管M5输出电压为高增益信号电压，行选开关M9输出电压为低增益信号电压)；闭合第一行开关晶体管M2，闭合第一行复位晶体管M3。
6.重复以上过程，逐行读取整帧的高低增益信号电压。
7.在片外进行相关双采样数据处理，低增益复位电压与低增益信号电压相减，高增益复位电压与高增益信号电压相减，得到两帧不同增益的有效信号。通过相关双采样，消除了复位噪声，降低了传统全局快门图像传感器较高的暗噪声。
本实施例与实施例1不同之处是，像素有两个电压输出端，可以同时闭合行选晶体管M5和行选开关M9，于t2时刻，同时读取高低增益复位电压，于t3时刻，同时读取高低增益信号电压。通过该电路和时序，可以提高数据读取速度，提高图像传感器帧率。
对于本实施例的像素架构，也可以设置FD的存储容量大于存储电容C1，则存储电容C1为高增益电荷存储区，FD为低增益电荷存储区。在帧转移时，需要先闭合第二电荷转移控制晶体管M6，转移高增益电荷至C1中，然后闭合第一电荷转移控制晶体管M1，转移低增益电荷至FD中。在读出时，像素输出电压1为低增益信号电压，像素输出电压2为高增益信号电压。
实施例4
本实施例的双转移栅高动态图像传感器像素架构与实施例1的区别在于，开关晶体管M2位于存储电容C1与浮置扩散区FD之间，存储电容C1的另一端接地电位，复位晶体管的源极直接接浮置扩散区FD。
本实施例的高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法与实施例1相同。
本发明不限于以上像素架构及控制时序，只要可以通过依次闭合两个转移控制栅TX，将积分电荷依次转移至浮置扩散区FD和存储电容C1中，实现高动态全局快门控制方法，即在本发明意图保护范围之内。

Claims (4)

1.一种双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法，其特征在于包括下述步骤：
1)开始曝光前闭合各像素复位晶体管(M3)和开关晶体管(M2)，使浮置扩散区(FD)接电源电压，然后控制全局栅晶体管(M7)闭合再断开使所有像素的光电二极管(PD)同时复位并开始曝光；
2)经过一段曝光时间后，闭合第一行行选晶体管(M5)，断开第一行复位晶体管(M3)，读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管(M5)；
3)闭合第二行行选晶体管(M5)，断开第二行复位晶体管(M3)，读取该行低增益复位电压，之后断开该行行选晶体管(M5)；
4)重复以上过程，逐行读取整帧的低增益复位电压；
5)闭合第一行行选晶体管(M5)，断开第一行开关晶体管(M2)，读取该行高增益复位电压，之后断开该行行选晶体管(M5)；
6)重复以上过程，逐行读取整帧的高增益复位电压；
7)控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管(M1)闭合，将光电二极管(PD)中的积分电荷转移至浮置扩散区(FD)中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管(M6)，将光电二极管(PD)中剩余的电荷转移至存储电容(C1)中，曝光结束；然后断开第一电荷转移控制晶体管(M1)和第二电荷转移控制晶体管(M6)，使积分电荷在浮置扩散区(FD)和存储电容(C1)中存储，等待被逐行读出；
8)闭合第一行行选晶体管(M5)，读取该行高增益信号电压，闭合开关晶体管(M2)，断开该行行选晶体管(M5)；
9)重复以上过程，逐行读取整帧的高增益信号电压；
10)闭合第一行行选晶体管(M5)，读取该行低增益信号电压，闭合复位晶体管(M3)，断开该行行选晶体管(M5)；
11)重复以上过程，逐行读取整帧的低增益信号电压；
所述双转移栅高动态图像传感器像素包括全局栅晶体管(M7)、光电二极管(PD)、第一电荷转移控制晶体管(M1)、复位晶体管(M3)、开关晶体管(M2)、缓冲放大器(M4)和行选晶体管(M5)，第二电荷转移控制晶体管(M6)；光电二极管(PD)负极通过图像传感器的全局栅晶体管(M7)与复位电压(VD3)相连，并通过第一电荷转移控制晶体管(M1)与浮置扩散区(FD)连接；光电二极管(PD)负极通过第二电荷转移控制晶体管(M6)与存储电容(C1)的正极连接，浮置扩散区(FD)通过开关晶体管(M2)与存储电容(C1)的正极连接，存储电容(C1)的负极接电源地或任意稳定电源电位；同时浮置扩散区(FD)通过缓冲放大器(M4)与行选晶体管(M5)连接。
2.根据权利要求1所述的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法，其特征在于所述复位晶体管(M3)的漏极接电源电压，源极接存储电容(C1)的正极。
3.根据权利要求1所述的双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法，其特征在于所述复位晶体管(M3)的漏极接电源电压，源极接浮置扩散区(FD)。
4.双转移栅高动态范围图像传感器像素的全局快门控制方法，其特征在于包括下述步骤：
1)开始曝光前闭合各像素复位晶体管(M3)和开关晶体管(M2)，使浮置扩散区(FD)接电源电压，然后控制全局栅晶体管(M7)闭合再断开使所有像素的光电二极管(PD)同时复位并开始曝光；
2)经过一段曝光时间后，首先闭合第一行行选晶体管(M5)和行选开关(M9)，断开第一行复位晶体管(M3)，然后断开第一行开关晶体管(M2)；同时通过行选晶体管(M5)和行选开关(M9)分别读取高、低增益复位电压；然后断开第一行行选晶体管(M5)和行选开关(M9)；
3)重复以上过程，逐行读取整帧的高、低增益复位电压；
4)控制所有像素的第一电荷转移控制晶体管(M1)闭合，将光电二极管(PD)中的积分电荷转移至浮置扩散区(FD)中，然后闭合所有像素的第二电荷转移控制晶体管(M6)，将光电二极管(PD)中剩余的电荷转移至存储电容(C1)中，曝光结束，然后断开第一电荷转移控制晶体管(M1)和第二电荷转移控制晶体管(M6)，积分电荷在浮置扩散区(FD)和存储电容(C1)中存储，等待被逐行读出；
5)闭合第一行行选晶体管(M5)和行选开关(M9)，同时通过行选晶体管(M5)和行选开关(M9)分别读取高、低增益信号电压；闭合第一行开关晶体管(M2)，闭合第一行复位晶体管(M3)；
6)重复以上过程，逐行读取整帧的高、低增益信号电压；
所述双转移栅高动态图像传感器像素包括全局栅晶体管(M7)、光电二极管(PD)、第一电荷转移控制晶体管(M1)、复位晶体管(M3)、开关晶体管(M2)、缓冲放大器(M4)、行选晶体管(M5)、第二电荷转移控制晶体管(M6)、源跟随器晶体管(M8)、行选开关(M9)；光电二极管(PD)负极通过图像传感器的全局栅晶体管(M7)与复位电压(VD3)相连，并通过第一电荷转移控制晶体管(M1)与浮置扩散区(FD)连接；光电二极管(PD)负极通过第二电荷转移控制晶体管(M6)与存储电容(C1)的正极连接，浮置扩散区(FD)通过开关晶体管(M2)与存储电容(C1)的正极连接，存储电容(C1)的负极接电源地或任意稳定电源电位；同时浮置扩散区(FD)通过缓冲放大器(M4)与行选晶体管(M5)连接；复位晶体管(M3)的漏极接电源电压，源极接存储电容(C1)的正极；源跟随器晶体管(M8)的栅极接存储电容(C1)的正极，漏极接电源电压(VD4)，源极接行选开关(M9)。
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