CN105679709A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

提供晶片的加工方法，将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件。晶片的加工方法将在正面的多个区域中形成有器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，包含：背面磨削工序，在晶片的正面粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而形成为规定厚度；加固用绝缘密封件装配工序，剥离保护带并且在晶片的背面装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；加固用绝缘密封件硬化工序，对加固用绝缘密封件进行加热使其硬化。还包含：改质层形成工序，沿着分割预定线照射激光光线而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；晶片分割工序，对晶片施加外力而沿着形成有改质层的分割预定线将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片分割成各个器件芯片。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，该晶片中在通过形成于正面的多条分割预定线而划分的多个区域中形成有器件，沿着分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。
背景技术
在半导体器件制造工艺中，在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上划分出格子状，在该划分出的区域中形成IC、LSI等器件。并且，通过沿着分割预定线切断半导体晶片从而对形成有器件的区域进行分割而制造出各个半导体器件芯片。
作为沿着分割预定线分割上述的晶片的方法，尝试如下的激光加工方法：使用对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，使聚光点对准应该进行分割的区域的内部而照射脉冲激光光线。使用了该激光加工方法的分割方法是如下的技术，从晶片的一个面侧使聚光点对准到内部而照射对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改质层，通过沿着因形成该改质层而导致强度降低的分割预定线施加外力而分割晶片(例如，参照专利文献1)。
并且，作为沿着分割预定线分割晶片的方法将如下的技术实用化：通过沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的脉冲激光光线从而实施烧蚀加工而形成激光加工槽，沿着这一形成有作为断裂起点的激光加工槽的分割预定线施加外力，由此进行割断(例如，参照专利文献2)。
专利文献1：日本专利第3408805号公报
专利文献2：日本特开平10-305420号公报
近年来，出于加固被分割成各个的器件芯片的目的，提出了一种在晶片的背面装配加固用绝缘密封件的技术。但是，存在尚未确立如下技术的问题：将在背面装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件芯片。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的，其主要的技术课题在于提供一种晶片的加工方法，能够将在背面上装配了加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件芯片。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供一种晶片的加工方法，该晶片中，在正面上通过多条分割预定线而划分的多个区域中分别形成有器件，将该晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：
背面磨削工序，在晶片的正面上粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而将晶片形成为规定的厚度；
加固用绝缘密封件装配工序，将实施了该背面磨削工序的晶片的正面所粘贴的保护带剥离，并且在晶片的背面上装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；
加固用绝缘密封件硬化工序，对实施了该加固用绝缘密封件装配工序的晶片的背面所装配的加固用绝缘密封件进行加热而使其硬化；
晶片支承工序，在实施了该加固用绝缘密封件硬化工序的晶片的背面所装配的加固用绝缘密封件上粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部；
改质层形成工序，针对实施了该晶片支承工序的晶片，从划片带侧将对于晶片具有透过性的红外线区域的激光光线的聚光点透过加固用绝缘密封件而定位在与分割预定线对应的区域的内部，并沿着分割预定线照射激光光线，从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；以及
晶片分割工序，对实施了该改质层形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。
优选晶片的加工方法还具有标记工序，在实施了上述加固用绝缘密封件硬化工序之后且在实施晶片支承工序之前，与各器件对应地照射对于加固用绝缘密封件具有吸收性的波长的激光光线，在加固用绝缘密封件的与器件对应的区域标记器件信息。
优选晶片的加工方法还具有激光加工槽形成工序，在实施了上述加固用绝缘密封件硬化工序之后且在实施改质层形成工序之前，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽。
根据本发明的晶片的加工方法，能够将在背面装配有加固用绝缘密封件的晶片高效地分割成各个器件芯片。
附图说明
图1是半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。
图2是示出实施了保护部件粘贴工序而在半导体晶片的功能层的正面上粘贴了保护带的状态的立体图。
图3是用于实施磨削工序的磨削装置的主要部分立体图。
图4是磨削工序的说明图。
图5是加固用绝缘密封件装配工序的说明图。
图6是加固用绝缘密封件硬化工序的说明图。
图7是标记工序的说明图。
图8是晶片支承工序的说明图。
图9是用于实施激光加工槽形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图10是激光加工槽形成工序的说明图。
图11是用于实施改质层形成工序的激光加工装置的主要部分立体图。
图12是改质层形成工序的说明图。
图13是用于实施晶片分割工序的带扩展装置的立体图。
图14是晶片分割工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片；20：基板；21：功能层；22：器件；23：分割预定线；3：保护带；4：磨削装置；41：磨削装置的卡盘工作台；42：磨削构件；424：磨轮；5：加固用绝缘密封件；50：加热器；6、60：激光加工装置；61：激光加工装置的卡盘工作台；62：激光光线照射构件；7：带扩展装置；71：框架保持构件；72：带扩展构件；73：拾取夹头。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的晶片的加工方法进一步详细地进行说明。
在图1的(a)和(b)中示出了将要通过本发明的晶片的加工方法而被分割成各个器件芯片的半导体晶片的立体图和主要部分放大剖视图。图1的(a)和(b)所示的半导体晶片2中，在厚度为500μm的硅等的基板20的正面20a上借助层叠了绝缘膜和形成回路的功能膜而成的功能层21而将多个IC、LSI等器件22形成为矩阵状。并且，通过形成为格子状的分割预定线23划分各器件22。另外，在本实施方式中，形成功能层21的绝缘膜由SiO2膜或者SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜、或聚酰亚胺、聚对二甲苯类等作为聚合物膜的有机物类的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low－k膜)构成，厚度被设定为10μm。
对沿着分割预定线23分割上述的半导体晶片2的晶片的加工方法进行说明。首先，为了保护器件22而在构成上述的半导体晶片2的功能层21的正面21a上如图2所示那样粘贴保护带3(保护带粘贴工序)。因此，粘贴了保护带3的半导体晶片2将基板20的背面20b露出。另外，在本实施方式中，作为保护带3，在厚度为100μm的丙烯酸类树脂片的表面上铺设有厚度为5μm左右的丙烯酸树脂类粘合层。
在实施了上述的保护带粘贴工序之后，实施背面磨削工序，将保护带侧保持在磨削装置的保持构件的保持面上，对半导体晶片2的背面进行磨削而形成为规定的厚度。使用图3所示的磨削装置4来实施该背面磨削工序。图3所示的磨削装置4具有作为保持被加工物的被加工物保持构件的卡盘工作台41以及对保持在该卡盘工作台41上的被加工物进行磨削的磨削构件42。卡盘工作台41构成为在作为保持面的上表面上吸引保持被加工物，并借助未图示的旋转驱动机构而在图3中箭头41a所示的方向上旋转。磨削构件42具有主轴壳体421、借助旋转自如地支承于该主轴壳体421的未图示的旋转驱动机构而旋转的旋转主轴422、装配于该旋转主轴422的下端的装配座423、以及安装于该装配座423的下表面的磨轮424。该磨轮424由圆环状的基台425和呈环状地装配于该基台425的下表面的磨具426构成，基台425被紧固螺栓427安装于装配座423的下表面。
要想使用上述的磨削装置4来实施上述背面磨削工序，如图3所示那样将上述半导体晶片2的保护带3侧载置在卡盘工作台41的上表面(保持面)上。并且，通过使未图示的吸引构件进行动作而将半导体晶片2隔着保护带3吸附保持在卡盘工作台41上(晶片保持工序)。因此，对于保持在卡盘工作台41上的半导体晶片2而言，基板20的背面20b成为上侧。在以这种方式在卡盘工作台41上隔着保护带3吸引保持半导体晶片2之后，使卡盘工作台41在图3中箭头41a所示的方向上例如以300rpm进行旋转，并且使磨削构件42的磨轮424在图3中箭头424a所示的方向上例如以6000rpm进行旋转，而如图3所示那样使磨具426与作为被加工面的构成半导体晶片2的基板20的背面20b接触，并使磨轮424如图3的(a)和图4中的箭头424b所示那样例如以1μm/秒的磨削进给速度向下方(相对于卡盘工作台41的保持面垂直的方向)磨削进给规定的量。其结果为，对构成半导体晶片2的基板20的背面20b进行磨削而将半导体晶片2形成为规定的厚度(例如200μm)。
在实施了上述的磨削工序之后，实施加固用绝缘密封件装配工序，将粘贴在晶片的正面上的保护带3剥离并且在晶片的背面装配红外线能够透射的加固用绝缘密封件。即，如图5的(a)和(b)所示那样将粘贴在构成半导体晶片2的功能层21的正面21a上的保护带3剥离，并且在构成半导体晶片2的基板20的背面20b上红外线装配能够透射的加固用绝缘密封件5。这样，对于在基板20的背面20b上装配有加固用绝缘密封件5的半导体晶片2而言，功能层21的正面21a露出。另外，作为红外线能够透射的加固用绝缘密封件可以使用LINTEC(琳得科)(公司)制造销售的加固用绝缘密封件。
在实施了上述的加固用绝缘密封件装配工序之后，实施加固用绝缘密封件硬化工序，对装配于晶片的背面的加固用绝缘密封件5进行加热而使其硬化。即，如图6所示那样通过加热器50对装配于构成半导体晶片2的基板20的背面20b的加固用绝缘密封件5进行加热而使其硬化。该加固用绝缘密封件硬化工序在本实施方式中以加热温度为130℃实施2小时。
接着，实施标记工序，与各器件对应地照射对于加固用绝缘密封件5具有吸收性的波长的激光光线，在加固用绝缘密封件5的与器件对应的区域标记器件信息。使用图7所示的激光加工装置6来实施该标记工序。图7所示的激光加工装置6具有：卡盘工作台61，其保持被加工物；激光光线照射构件62，其对保持在该卡盘工作台61上的被加工物照射激光光线；以及拍摄构件63，其对保持在卡盘工作台61上的被加工物进行拍摄。卡盘工作台61构成为吸引保持被加工物，借助未图示的加工进给构件在图7中箭头X所示的加工进给方向上移动，并且借助未图示的分度进给构件在图7中箭头Y所示的分度进给方向上移动。
上述激光光线照射构件62包含实质上水平配置的圆筒形状的外壳621。在外壳621内配设有未图示的具有脉冲激光光线振荡器和重复频率设定构件的脉冲激光光线振荡构件。在上述外壳621的前端部装配有聚光器622，该聚光器622用于对从脉冲激光光线振荡构件振荡出的脉冲激光光线进行会聚。另外，激光光线照射构件62具有聚光点位置调整构件(未图示)，该聚光点位置调整构件用于对由聚光器622会聚的脉冲激光光线的聚光点位置进行调整。
装配于构成上述激光光线照射构件62的外壳621的前端部的拍摄构件63在本实施方式中除了借助可视光线进行拍摄的通常的拍摄元件(CCD)以外，还由如下的部件等构成：红外线照明构件，其对被加工物照射红外线；光学系统，其捕捉由该红外线照明构件照射的红外线；以及拍摄元件(红外线CCD)，其输出与由该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号，拍摄构件63将拍摄到的图像信号发送给未图示的控制构件。
要想使用图7所示的激光加工装置6来实施上述标记工序，需要将构成半导体晶片2的功能层21的正面侧载置在激光加工装置6的卡盘工作台61上。并且，通过使未图示的吸引构件进行动作，而将半导体晶片2保持在卡盘工作台61上(晶片保持工序)。因此，在构成保持在卡盘工作台61上的半导体晶片2的基板20的背面上装配的加固用绝缘密封件5成为上侧。在以这种方式实施晶片保持工序之后，通过未图示的加工进给构件将吸引保持半导体晶片2的卡盘工作台61定位于拍摄构件63的正下方。当卡盘工作台61定位于拍摄构件63的正下方时，执行对准作业，借助拍摄构件63和未图示的控制构件对半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域进行检测。即，拍摄构件63和未图示的控制构件执行模式匹配等图像处理，并执行加固用绝缘密封件5中的激光光线照射位置的对准(对准工序)，该模式匹配等图像处理用于对装配在构成半导体晶片2的基板20的背面上的加固用绝缘密封件5中的与形成于被分割预定线23划分的区域中的器件22对应的区域和向与器件22对应的区域照射激光光线的激光光线照射构件62的聚光器622进行位置对准。另外，在该对准作业中，虽然半导体晶片2的形成有分割预定线23的功能层21的正面21a位于下侧，但由于具有拍摄构件，该拍摄构件63像上述那样由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(红外线CCD)等构成，因此能够从加固用绝缘密封件5和基板20的背面穿透而拍摄分割预定线23。并且，针对装配于构成半导体晶片2的基板20的背面的加固用绝缘密封件5中的与形成于被分割预定线23划分的区域的器件22对应的区域，从激光光线照射构件62的聚光器622与各器件对应地照射对于加固用绝缘密封件5具有吸收性的波长的脉冲激光光线，对加固用绝缘密封件5的与器件对应的区域标记器件信息M。
另外，上述标记工序例如在以下的加工条件中进行。
激光光线的波长：355nm
重复频率：80kHz
输出：0.2W
聚光点直径：
在实施了上述的标记工序之后，进行晶片支承工序，在装配于晶片的背面的加固用绝缘密封件上粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部。即，如图8的(a)和(b)所示那样将加固用绝缘密封件5粘贴在装配于环状的框架F的划片带T上，该加固用绝缘密封件5装配于构成实施了上述标记工序的半导体晶片2的基板20的背面20b。另外，在图8的(a)和(b)所示的实施方式中，示出了在装配于环状的框架F的划片带T上粘贴装配于构成半导体晶片2的基板20的背面20b的加固用绝缘密封件5的例子，但也可以在装配于构成半导体晶片2的基板20的背面20b的加固用绝缘密封件5上粘贴划片带T并且同时将划片带T的外周部装配于环状的框架F。另外，作为划片带T，在聚氯乙烯片等合成树脂片的表面上涂布有粘合糊。
接着，实施激光加工槽形成工序，从晶片的正面侧沿着分割预定线照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽。能够使用上述图7所示的激光加工装置6来实施该激光加工槽形成工序。要想使用激光加工装置6来实施激光加工槽形成工序，首先将粘贴有加固用绝缘密封件5的划片带T侧载置在上述的图9所示的激光加工装置6的卡盘工作台61上，该加固用绝缘密封件5装配于构成半导体晶片2的基板20的背面。并且，通过使未图示的吸引构件进行动作而隔着划片带T和加固用绝缘密封件5将半导体晶片2保持在卡盘工作台61上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盘工作台61上的半导体晶片2的功能层21的正面21a成为上侧。另外，虽然在图9中以将装配有划片带T的环状的框架F省略的方式进行图示，其实将环状的框架F保持在配设于卡盘工作台61的适当的框架保持构件上。这样，通过未图示的加工进给构件将吸引保持了半导体晶片2的卡盘工作台61定位于拍摄构件63的正下方。
当卡盘工作台61定位在拍摄构件63的正下方时，执行对准作业，通过拍摄构件63和未图示的控制构件对半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域进行检测。即，拍摄构件63和未图示的控制构件执行模式匹配等图像处理并执行激光光线照射位置的对准(对准工序)，模式匹配等图像处理用于对形成于构成半导体晶片2的功能层21的正面21a的分割预定线23和沿着该分割预定线23照射激光光线的激光光线照射构件62的聚光器622之间进行位置对准。并且，针对在与上述规定的方向垂直的方向上形成于半导体晶片2的分割预定线23，也同样地执行激光光线照射位置的对准。
在实施了上述的对准工序之后，如图10的(a)所示那样使卡盘工作台61移动至照射激光光线的激光光线照射构件62的聚光器622所在的激光光线照射区域，并将分割预定线23定位在聚光器622的正下方。此时，如图10的(a)所示那样定位半导体晶片2，使得分割预定线23的一端(在图10的(a)中为左端)位于聚光器622的正下方。并且，将从聚光器622照射的脉冲激光光线的聚光点P定位在分割预定线23的正面附近。接着，一边从激光光线照射构件62的聚光器622照射脉冲激光光线一边使卡盘工作台61在图10的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的加工进给速度移动。并且，当如图10的(b)所示那样、分割预定线23的另一端(在图10的(b)中为右端)到达聚光器622的正下方位置之后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台61的移动。其结果为，在半导体晶片2中如图10的(c)所示那样沿着分割预定线23形成有比功能层21的厚度深、即到达基板20的激光加工槽24，功能层21被激光加工槽24隔断。并且，沿着形成于半导体晶片2的所有的分割预定线23实施上述的激光加工槽形成工序。
另外，上述激光加工槽形成工序例如按照以下的加工条件进行。
激光光线的波长：355nm
平均输出：2W
重复频率：200kHz
聚光点直径：
加工进给速度：500mm/秒
在实施了上述的激光加工槽形成工序之后，实施改质层形成工序，通过针对晶片从划片带侧使对于晶片具有透过性的红外线区域的激光光线的聚光点透过加固用绝缘密封件而定位在与分割预定线对应的区域的内部并沿着分割预定线照射激光光线从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层。通过使用与上述图7和图9所示的激光加工装置6相同的图11所示的激光加工装置60来实施该改质层形成工序。因此，关于图11所示的激光加工装置60的各结构部件，对与上述图7和图9所示的激光加工装置6的结构部件相同部件标注相同标号，而省略其说明。
要想使用图11所示的激光加工装置60来实施改质层形成工序，需要将构成半导体晶片2的功能层21的正面侧载置在卡盘工作台61上。并且，通过使未图示的吸引构件进行动作而将半导体晶片2保持在卡盘工作台61上(晶片保持工序)。因此，粘贴有加固用绝缘密封件5的划片带T成为上侧，该加固用绝缘密封件5装配于构成保持在卡盘工作台61上的半导体晶片2的基板20的背面。另外，虽然在图11中以将装配有划片带T的环状的框架F省略的方式进行图示，其实环状的框架F被保持在配设于卡盘工作台61的适当的框架保持构件上。通过未图示的加工进给构件将以这种方式吸引保持半导体晶片2的卡盘工作台61定位在拍摄构件63的正下方。
当卡盘工作台61定位在拍摄构件63的正下方时，执行对准作业，通过拍摄构件63和未图示的控制构件对半导体晶片2的应该进行激光加工的加工区域进行检测。该对准作业实质上与激光加工槽形成工序中的对准作业相同。另外，在该对准作业中，虽然半导体晶片2的形成有分割预定线23的功能层21的正面21a位于下侧，但由于具有拍摄构件，该拍摄构件63像上述那样由红外线照明构件、捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的拍摄元件(例如红外线CCD)等构成，因此能够从划片带T、加固用绝缘密封件5以及基板20的背面穿透而拍摄分割预定线23。
在以如上的方式对形成于保持在卡盘工作台61上的半导体晶片2的分割预定线23进行检测、并进行了激光光线照射位置的对准之后，如图12的(a)所示那样使卡盘工作台61移动至照射激光光线的激光光线照射构件62的聚光器622所在的激光光线照射区域，将规定的分割预定线23的一端(在图12的(a)中为左端)定位在激光光线照射构件62的聚光器622的正下方。并且，从聚光器622将对于基板20具有透过性的红外线区域的脉冲激光光线的聚光点P透过划片带T和加固用绝缘密封件5而定位在与分割预定线23对应的区域的内部。接着，一边从激光光线照射构件62的聚光器622照射脉冲激光光线一边使卡盘工作台61在图12的(a)中箭头X1所示的方向上以规定的进给速度移动。并且，当如图12的(b)所示那样聚光器622的照射位置到达分割预定线23的另一端的位置之后，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台61的移动。其结果为，如图12的(b)和图12的(c)所示那样在半导体晶片2的基板20的内部沿着分割预定线23形成有改质层25。沿着形成于半导体晶片2的所有的分割预定线23实施上述的改质层形成工序。
上述改质层形成工序中的加工条件例如以如下的方式设定。
光源：LD励起Q开关Nd:YVO4激光器
波长：1064nm
输出：0.5W
重复频率：100kHz
聚光点直径：
加工进给速度：200mm/秒
在实施了上述的改质层形成工序之后，实施晶片分割工序，对晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件。使用图13所示的带扩展装置7来实施该晶片分割工序。图13所示的带扩展装置7具有：框架保持构件71，其保持上述环状的框架F；带扩展构件72，其对装配于保持在该框架保持构件71上的环状的框架F的划片带T进行扩展；以及拾取夹头73。框架保持构件71由环状的框架保持部件711以及配设于该框架保持部件711的外周的作为固定构件的多个夹具712构成。框架保持部件711的上表面形成载置环状的框架F的载置面711a，在该载置面711a上载置环状的框架F。并且，载置在载置面711a上的环状的框架F被夹具712固定在框架保持部件711上。以这种方式构成的框架保持构件71被带扩展构件72支承为能够在上下方向上进退。
带扩展构件72具有配设在上述环状的框架保持部件711的内侧的扩展鼓721。该扩展鼓721具有比环状的框架F的内径小且比粘贴于装配于该环状的框架F的划片带T的半导体晶片2的外径大的内径和外径。并且，扩展鼓721在下端具有支承凸缘722。本实施方式的带扩展构件72具有使上述环状的框架保持部件711能够在上下方向上进退的支承构件723。该支承构件723由配设在上述支承凸缘722上的多个气缸723a构成，其活塞杆723b与上述环状的框架保持部件711的下表面连结。这样由多个气缸723a构成的支承构件723使环状的框架保持部件711在如图14的(a)所示那样载置面711a与扩展鼓721的上端大致为同一高度的基准位置与如图14的(b)所示那样载置面711a与扩展鼓721的上端相比以规定量位于下方的扩展位置之间在上下方向上移动。
关于使用以这种方式构成的带扩展装置7而实施的晶片分割工序，参照图14进行说明。即，将装配了粘贴有半导体晶片2的划片带T的环状的框架F如图14的(a)所示那样载置在构成框架保持构件71的框架保持部件711的载置面711a上，并通过夹具712固定在框架保持部件711上(框架保持工序)。此时，框架保持部件711被定位在图14的(a)所示的基准位置。接着，使作为构成带扩展构件72的支承构件723的多个气缸723a进行动作，而使环状的框架保持部件711下降到图14的(b)所示的扩展位置。因此，由于固定在框架保持部件711的载置面711a上的环状的框架F也下降，因此如图14的(b)所示、装配于环状的框架F的划片带T与扩展鼓721的上端缘接触而被扩展(带扩展工序)。其结果为，由于张力呈放射状地作用于粘贴于划片带T的半导体晶片2，因此半导体晶片2沿着形成有改质层25且强度降低的分割预定线23被分割。此时，在本实施方式中对于构成半导体晶片2的功能层21而言，由于通过实施上述激光加工槽形成工序而沿着分割预定线23形成有激光加工槽24而被隔断，因此沿着分割预定线23将半导体晶片2可靠地分割成各个器件22并且在器件之间形成有间隔S。并且，当放射状的张力作用于粘贴在划片带T上的半导体晶片2时，将半导体晶片2分离成各个器件22并且在器件之间形成有间隔S。
接着，如图14的(c)所示那样使拾取夹头73进行动作而吸附器件22，从划片带T剥离并拾取在背面装配了加固用绝缘密封件5的器件22，并搬送到未图示的托盘或者芯片接合工序。另外，在拾取工序中，由于像上述那样粘贴在划片带T上的各个器件22之间的间隙S被拓宽，因此能够在不与相邻的器件22接触的情况下容易地进行拾取。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，该晶片中，在正面上通过多条分割预定线而划分的多个区域中分别形成有器件，将该晶片沿着分割预定线分割成各个器件芯片，该晶片的加工方法的特征在于，具有如下的工序：
背面磨削工序，在晶片的正面上粘贴保护带并对晶片的背面进行磨削而将晶片形成为规定的厚度；
加固用绝缘密封件装配工序，将实施了该背面磨削工序的晶片的正面所粘贴的保护带剥离，并且在晶片的背面上装配能够透过红外线的加固用绝缘密封件；
加固用绝缘密封件硬化工序，对实施了该加固用绝缘密封件装配工序的晶片的背面所装配的加固用绝缘密封件进行加热而使其硬化；
晶片支承工序，在实施了该加固用绝缘密封件硬化工序的晶片的背面所装配的加固用绝缘密封件上粘贴划片带并通过环状的框架支承划片带的外周部；
改质层形成工序，针对实施了该晶片支承工序的晶片，从划片带侧将对于晶片具有透过性的红外线区域的激光光线的聚光点透过加固用绝缘密封件而定位在与分割预定线对应的区域的内部，并沿着分割预定线照射激光光线，从而在晶片的内部沿着分割预定线形成改质层；以及
晶片分割工序，对实施了该改质层形成工序的晶片施加外力，沿着形成有改质层的分割预定线将晶片分割成各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有标记工序，在实施了该加固用绝缘密封件硬化工序之后且在实施该晶片支承工序之前，与各器件对应地照射对于该加固用绝缘密封件具有吸收性的波长的激光光线，在该加固用绝缘密封件的与器件对应的区域标记器件信息。
3.根据权利要求1或者2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法还具有激光加工槽形成工序，在实施了该加固用绝缘密封件硬化工序之后，沿着形成于晶片的分割预定线照射激光光线，沿着分割预定线形成激光加工槽。
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